KR880011945A - 박막형성방법 및 그 장치 - Google Patents

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KR880011945A
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Abstract

내용없음

Description

박막형성방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 다른 발명의 한 실시예를 표시하는 정단면도.

Claims (9)

  1. 반응성가스, 반응성가스와 혼합된 가스 및 일정한 원소를 함유하는 반응성가스중 어느 한나의 반응성 가스를 여기(한), 해리 및 이온화한 영역을 특히 기판근방에 형성하고 클러스트 이온비임법에 의하여 증착물질의 증기를 분출시켜서 상기 반응성가스와 화학반응 또는 결합 반응에 의하여 상기 기판에 박막을 형성하는 박막형성방법.
  2. 반응성가스, 반응성가스와 혼합된 가스 및 일정한 원소를 함유하는 반응성가스중 어느 하나의 반응성가스를 여기, 해리 및 이온화한 영역을 기판 근방에 형성하고 상기 반응성 가스의 이온에 전(한)를 인가하는 것으로서, 운동에너지를 부여하여 상기 기판에 조사하고 상기 기판을 물리적 척한후 클리스터이온 비임법에 의하여 증착물질의 중기를 분출시켜서 상기 기판에 박막을 형성하는 박막형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 질소가스, 질소가스 혼합된 혼합가스 및 질소원소를 함유한 가스중 어느 하나의 반응성가스를 여기, 해리 및 이온화한 영역을 기판근방에서 형성하고 클러스터 이온비임법에 의하여 티난증기를 분출시키는 박막형성 방법.
  4. 제3항에 있어서, 티탄의 증착속도가 10Å/mm이상인 박막형성방법.
  5. 제3항에 있어서, 기판에 형성하는 질화티탄박막의 결정성은 TiN, TiN 와 Ti2N의 결정되는 Ti2N로 하는 박막형성방법.
  6. 제2항에 있어서, 수소가스를 여기, 해리 및 이온화한 영역을 기판근방에 형성하고 클러스터 이온비임법에 의하여 실리콘의 증기를 분출시켜서 상기 수소가스가 박막중에 혼입한 비결정성 실리콘 박막을 상기 기판에 형성하는 박막 형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 실리콘클러스터이온을 전계가속하는 운동에너지응 0.5Kev이상으로 하는 박막형성방법.
  8. 소정의 진공도에 유지된 이진공조와, 이 진공조내에 배치된 기판과, 기판에 향하여 증착 물질의 증기를 분출하고, 상기 증착물질의 클러스트를 발생시키기 위한 증기발생원과, 이 증기발생원과 상기 기판간에 배치되어 상기 클러스터의 적어도 일부를 이온화하기 위한 이온화수과 상기 기판가에 배치되어 상기 이온화수단에 의하여 이온화된 클러스터 및 이온화 안된 증착 물질의 클러스터와 증기를 상기 기판을 향하여 충돌시키기 위한 제1가속전극과, 상기 진공조내에 설치된 내부조와, 이 내부조의 내측에 설치되고 반응성 가스를 분사하기 위한 가스 분사노즐과, 이 가스분사노즐의 반응성가스 분사방향에 설치되어 전자비임을 빼내기 위한 전자비임 인출전극과, 이 전자비임 인출전극의 반응성가스 분사방향에 설치되어 전자비임을 방출하기 위한 전자비임 방출수단과, 상기 내부조에서 상기 전자비임 인출전극 및 상기 전자비임 방출수단의 외측에 설치되고 이들 전자비임 인출전극 및 전자비임 방출 수단을 전위적으로 시일드 하기 위한 전계시일드판고, 이 전계시일드판과 상기 기판간에 설치되어 상기 전자비임 인출전극 및 전자비임 방출수단을 정던위에 바이어스하고, 그리고 상기 반응성가스를 가속하기 위한 제2가속전극을 구비한 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  9. 제8항에 있어서, 전계시일드판은 전자비임 방출수단과 동전위 또는 전자 비임 방출수단에 대하여 부전위에 바이어스 되어 있는 것을 특징으로 하는 박막 형성장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870011455A 1986-10-29 1987-10-15 박막형성방법 및 그 장치 KR900008155B1 (ko)

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