KR910008933A - 반도체 장치 - Google Patents

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KR910008933A
KR910008933A KR1019900015181A KR900015181A KR910008933A KR 910008933 A KR910008933 A KR 910008933A KR 1019900015181 A KR1019900015181 A KR 1019900015181A KR 900015181 A KR900015181 A KR 900015181A KR 910008933 A KR910008933 A KR 910008933A
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driving
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KR1019900015181A
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히데노리 나가오
Original Assignee
야마무라 가쓰미
세이꼬오 에뿌손 가부시기가이샤
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/02Details
    • H03B5/06Modifications of generator to ensure starting of oscillations
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L1/00Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/04Generating or distributing clock signals or signals derived directly therefrom
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  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한 실시예에 관한 반도체 장치의 구성을 보여주는 블럭도.
제2도는 제1도의 일부의 구성에 대한 구체적 예를 보여주는 회로도.

Claims (7)

  1. 각각 상이한 기준전압을 발생하는 복수의 기준 전압 발생회로와 CPU 로부터의 지령에 기본하여 상기한 기준 전압 발생회로를 선택하는 선택신호를 기억하는 선택 제어기억회로와 상기한 기준전압 발생회로에 대응하여 각각 마련되고, 상기한 선택신호의 입력에 기본하여 개시동작을 하고 상기한 기준전압 발생회로로부터의 기준전압을 송출하는 아날로그스위치와 상기한 기준전압 발생회로에 각각 대응하여 마련되고, 상기한 아날로그 스위치로부터의 기준전압이 구동전압으로서 공급되는 발진인버터로 구성되고, 상기한 선택신호에 기본하여 선택된 발진 인버터의 발진신호를 마이크로 컴퓨터로의 시스템 클럭으로서 공급하는 저주파 발진회로를 갖는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 저주파 발진회로는 각각 상이한 구동능력의 복수개의 발진인버터를 갖고, 구동능력이 높은 것일수록 낮은 구동전력이 공급되는 구동 능력이 낮은 것일수록 높은 구동 전압이 공급되며, 또한 발진 주파수가 동일한 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 저주파 발진회로는 2개의 발진 인버터를 갖고 한쪽의 발진인버터는 높은 구동능력을 갖이며 한쪽의 아날로그 스위치에서 낮은 구동전력이 공급되며 다른쪽의 발진 인버터는 낮은 구동능력을 갖고 다른쪽의 아날로그 스위치에서 높은 구동전압이 공급되며, 양쪽의 발진 주파수가 동일한 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서 아날로그 스위치에서 송출된 기준전압을 안정화 한 후에 저주파 발진회로에 송출하는 연산증폭기를 갖는 반도체 장치.
  5. 제4항에 있어서 연산기능의 실행과 컴퓨터의 동작의 제어를 하는 CPU와 상기한 CPU에 결합되고, 데이터의 수수를 하는 데이터버스와 상기한 CPU에 결합된 애드리스버스와 상기한 데이터버스 및 상기한 애드리스버스에 결합되고, 컴퓨터의 동작을 결정하는 프로그램이 격납되어 있는 ROM과 상기한 데이터버스 및 상기한 애드리스버스에 결합되고 연산처리의 데이터를 격납하는 RAM를 구비한 마이크로 컴퓨터를 갖는 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서 연상증폭기로 부터의 기준전압이 구동 전압으로서 공급된 고주파 발진회로와 CPU에서 부터의 지령에 기본하여 상기한 고주파 발진회로의 구동을 제어하는 고주파 발진제어회로와 CPU에서부터의 지령에 기본하여 저주파 발진회로의 출력 및 고주파 발진회로의 출력의 어느것이건 선택하는 절환 제어신호를 출력하는 클럭절환제어회로와 상기한 클럭 절환 제어회로에서부터의 절환제어신호를 입력하고 저주파 발진회로의 출력 및 고주파 발진회로의 출력의 어느것인가를 선택하고 또한 동기화를 하여 컴퓨터에 시스템 클럭으로서 송출하는 클럭회로를 갖는 반도체 장치.
  7. 제6항에 있어서, 싱가한 마이크로 컴퓨터의 CPU. 상기한 선택제어 기억회로. 고주파 발진제어회로 및 클럭 절환제어회로에 결합되고 전원투입 또는 장치 초기화시에 초기화하는 리셋신호선을 갖는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900015181A 1989-10-16 1990-09-25 반도체 장치 KR0129032B1 (ko)

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JP26862189 1989-10-16
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JP2-221188 1990-08-24

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KR0129032B1 KR0129032B1 (ko) 1998-10-01

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