KR910008825A - 반도체 장치 제조 방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 18
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 5
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 테이프 부착을 설명하기 위한 개략 단면도.
제3(a)도는 베이킹이 수행되지 않은 경우에 테이프가 부착될때 글루(glue)의 분자간 결합을 나타내는 개략도.
제3(b)도는 제3(c)도의 테이프가 벗겨진 후 글루의 찌꺼기를 나타내는 다이어그램.
제3(c)도는 베이킹이 수행되는 경우에 테이프가 부착될때 글루의 분자간 결합 개략도.
제3(d)도는 제3(c)도의 테이프가 벗겨진후 글루의 찌꺼기가 남아있지 않는 조건을 나타내는 다이어그램.
Claims (20)
- 보호막을 갖는 웨이퍼 표면의 보호에 의한 웨이퍼 처리 방법에 있어서, 상기 방법이, 상기 웨이퍼의 표면을 넘은 그의 글루에 의하여 유동적인 보호막을 부착하고, 웨이퍼로 부터 상기 보호막을 쉽게 벗기기 위해 상기 보호막 부착 웨이퍼를 베킹하고, 상기 웨이퍼로부터 글루와 상기 보호막을 기계적으로 벗기는 단계로 이루어진 웨이퍼 처리 방법.
- 청구범위 제1항에 있어서, 상기 방법이 상기 보호막 부착 웨이퍼의 노출된 표면위의 상기 웨이퍼 부분을제거하고, 상기 보호막과 글루를 벗긴후 상기 글루를 분해하는액체로 상기 웨이퍼 표면을 와싱하는 단계를 좀 더 포함하는 웨이퍼 처리방법.
- 청구범위 제1항에 있어서, 상기 베어킹 온도가 룸 온도보다 높지만 상기 보호막의 근원 물질의 특성을 사실상 변화시키기 위하여 그 온도보다 더 낮은 웨이퍼 처리방법.
- 청구범위 제3항에 있어서, 상기 베어킹 온도가 50℃ 내지 150℃, 바람직하게는 70℃ 내지 90℃의 범위에 있는 웨이퍼 처리방법.
- 청구범위 제2항에 있어서, 적어도 화학 에칭이 상기 웨이퍼의 표면을 제거하기 위해 적용되는 웨이퍼 처리방법.
- 청구범위 제1항에 있어서, 상기 보호막의 근원물질이 유기 폴리머 막으로 구성되고 상기 글루가 부틸 카바톨로 주로 구성되는 웨이퍼 처리방법.
- 청구범위 제2항에 있어서, 상기 액체가 물을 함유하는 웨이퍼 처리방법.
- 보호막이 있는 주입되고 오목한 영역을 가지는 웨이퍼 표면의 보호에 의해 웨이퍼 처리 방법에 있어서, 상기 방법이 상기 웨이퍼위의 상기 주입되고 오목한 영역의 레벨차 보다 더 큰 글루의 두께를 가지는 유동적인 보호막을 부착하고 상기 보호막 부착 웨이퍼로 부터 상기 보호막을 쉽게 벗기기 위하여 사기 보호막 부착 웨이퍼를 베이킹하고, 상기 웨이퍼로 부터 글루와 상기 보호막을 기계적으로 벗기는 단계로 이루어진 웨이퍼 처리방법.
- 청구범위 제8항에 있어서, 상기 방법이 상기 보호막 부착 웨이퍼의 노출된 표면위의 상기 웨이퍼 부분을 제거하고, 상기 보호막과 글루를 벗긴 후 상기 글루를 분배하는 액체로 상기 보호막 부착 웨이퍼의 표면을 와싱하는 단계를 좀 더 포함하는 웨이퍼 처리방법.
- 청구범위 제9항에 있어서, 상기 베이킹 온도가 룸 온도보다 더 높지만 상기 보호막의 근원 물질의 특성이 사실상 변화하는 온도보다 더 낮은 웨이퍼 처리방법.
- 청구범위 제10항에 있어서, 상기 베이킹 온도가 50℃ 내지 150℃, 바람직하게는 70℃ 내지 90℃의 범위에 있는 웨이퍼 처리방법.
- 청구범위 제9항에 있어서, 화학 에칭이 상기 웨이퍼의 표면을 제거하기 위하여 수행되는 웨이퍼 처리방법.
- 청구범위 제8항에 있어서, 상기 보호막의 근원 물질이 유기 폴리머 막으로 구성되고 상기 글루가 부틸 카비톨로 주로 구성되는 웨이퍼 처리방법.
- 청구범위 제9항에 있어서, 상기 액체가 물을 함유하는 웨이퍼 처리방법.
- 보호막을 갖는 웨이퍼 표면의 보호를 통한 웨이퍼 처리 방법에 있어서, 상기 방법이 주입되고 오목한 영역이 발생하는 것으로 부터 상기 웨이퍼의 하나의 표면위에 반도체 장치를 형성하고, 상기 웨이퍼 위의 상기 주입되고 오목한 영역을 채우기 위하여 글루의 충분한 두께를 가지는 상기 유동적인 보호막을 부착하고, 상기 보호막 부착 웨이퍼로 부터 상기 보호막을 쉽게 벗기기 위하여 상기 보호막 부착 웨이퍼를 베이킹하고, 상기 웨이퍼로부터 글루와 상기 보호막을 기계적으로 벗기는 단계로 이루어진 웨이퍼 처리방법.
- 청구범위 제15항에 있어서, 상기 방법이 상기 보호막 부착 웨이퍼의 노출된 표면을 폴리싱하고 상기 베이킹 단계후 상기 웨이퍼의 노풍된 표면을 에칭하고, 상기 필링 단계후 상기 글루를 분해하는 액체로 상기 웨이퍼의 표면을 와싱하는 단계를 좀 더 포함하는 웨이퍼 처리방법.
- 청구범위 제15항에 있어서, 상기 보호막의 근원 물질이 유기 폴리머막이고 상기 글루가 부틸 카바톨로 주로 구성되는 웨이퍼 처리방법.
- 청구범위 제16항에 있어서, 상기 액체가 물을 함유하는 웨이퍼 처리방법.
- 청구범위 제15항에 있어서 상기 베어킹 온도가 50℃ 내지 100℃, 바람직하게는 70℃ 내지 90℃의 범위에 있는 웨이퍼 처리방법.
- 청구범위 제5항, 제12항 또는 제16항중의 어느 한항에 있어서, 상기 웨이퍼가 실리콘을 포함하고 상기 웨이퍼의 표면에 대한 에칭이 플루오르화 수소산과 질산을 함유하는 용매로 실행되는 웨이퍼 처리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-273945 | 1989-10-20 | ||
| JP1273945A JPH03135048A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910008825A true KR910008825A (ko) | 1991-05-31 |
Family
ID=17534761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900016629A KR910008825A (ko) | 1989-10-20 | 1990-10-18 | 반도체 장치 제조 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0423648A1 (ko) |
| JP (1) | JPH03135048A (ko) |
| KR (1) | KR910008825A (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5300172A (en) * | 1991-11-01 | 1994-04-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Surface-protection method during etching |
| US5268065A (en) * | 1992-12-21 | 1993-12-07 | Motorola, Inc. | Method for thinning a semiconductor wafer |
| US5435876A (en) * | 1993-03-29 | 1995-07-25 | Texas Instruments Incorporated | Grid array masking tape process |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3040675A1 (de) * | 1980-10-29 | 1982-05-06 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zum bearbeiten von halbleiterscheiben |
| US4664739A (en) * | 1983-12-19 | 1987-05-12 | Stauffer Chemical Company | Removal of semiconductor wafers from dicing film |
| DE3780387T2 (de) * | 1986-09-18 | 1993-01-28 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Herstellungsverfahren einer integrierten schaltung. |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP1273945A patent/JPH03135048A/ja active Pending
-
1990
- 1990-10-12 EP EP90119622A patent/EP0423648A1/en not_active Withdrawn
- 1990-10-18 KR KR1019900016629A patent/KR910008825A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0423648A1 (en) | 1991-04-24 |
| JPH03135048A (ja) | 1991-06-10 |
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|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
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