JPH05226312A - 半導体薄膜素子の製造方法 - Google Patents

半導体薄膜素子の製造方法

Info

Publication number
JPH05226312A
JPH05226312A JP2785792A JP2785792A JPH05226312A JP H05226312 A JPH05226312 A JP H05226312A JP 2785792 A JP2785792 A JP 2785792A JP 2785792 A JP2785792 A JP 2785792A JP H05226312 A JPH05226312 A JP H05226312A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
substrate
semiconductor
single crystal
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2785792A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Senbonmatsu
茂 千本松
Tsuneo Yamazaki
恒夫 山崎
Tadao Iwaki
岩城  忠雄
Katsuki Matsushita
克樹 松下
Ryuichi Takano
隆一 高野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Priority to JP2785792A priority Critical patent/JPH05226312A/ja
Publication of JPH05226312A publication Critical patent/JPH05226312A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 接着層を有する半導体薄膜素子の製造工程に
おいてエッチング液あるいは洗浄液の進入を防ぐことに
より、接着層の外周部からの剥離を無くす。 【構成】 シリコンからなる半導体単結晶基板1上にシ
リコン酸化膜からなる絶縁層2、シリコン上に半導体微
細加工技術により集積回路を形成した半導体単結晶薄膜
層3、透明保護膜を塗布し焼成した素子平坦化層4、接
着層5、ガラスからなる担体基板6の順に構成された複
合基板7を、テフロンテープ11で外周を5重巻にして
テフロンクリップ12で固定した。その後異方性エッチ
ング液に浸漬し、半導体単結晶基板1を除去し、半導体
薄膜素子8を形成する。 【効果】 接着剤に要求される品質のうち耐薬品性が無
くなり、接着剤の選定及び開発が容易になりコストが低
減した。また、硝酸による洗浄が充分できるようになっ
たので歩留りが向上した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、主として直視型表示
装置や投影型表示装置に用いられる平板型光弁装置、例
えばアクティブマトリクス液晶表示装置に組み込まれる
半導体薄膜素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】上記アクティブマトリクス液晶表示装置
に組み込まれる半導体薄膜素子の従来の製造方法を説明
する。例えば、図3に示すように半導体単結晶基板1上
に絶縁層2、集積回路からなる半導体単結晶薄膜層3、
素子平坦化層4、接着層5、担体基板6の順に構成され
た複合基板7の半導体単結晶基板1をエッチングにより
除去し、半導体薄膜素子8を形成する。その後アクティ
ブマトリクス液晶表示装置に組み込む場合には、酸、ア
ルカリ、有機等の洗浄工程がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の製造方
法で半導体単結晶基板をエッチングにより除去し、その
後、酸、アルカリ、有機等により洗浄する際には下述の
ような問題点がある。従来の製造方法で異方性エッチン
グにより半導体単結晶基板を除去する場合を図4に示
す。図4(A)は半導体単結晶基板1上に絶縁層2、集
積回路からなる半導体単結晶薄膜層3、素子平坦化層
4、接着層5、担体基板6の順に構成された複合基板7
である。通常使用される半導体単結晶基板1は525μ
mの厚みがあり、これを異方性エッチングにより除去す
る場合は、例えば1.0μm/min程度のエッチング
レートをもつエッチング液を用いた場合525min程
度の長時間を要する。上記長時間のエッチングは接着剤
に対して耐薬品性の要求を極めて高いものにしてしま
う。たとえ接着層5が極めて耐薬品性の優れた接着剤で
形成されていたとしても半導体単結晶基板1が薄くなる
にしたがって素子平坦化層4と接着層5の間に剥離9を
生じる。すなわち、複合基板7の外周部分の接着層5に
図4(B)のように半導体単結晶基板1の異方性エッチ
ングの進行10とともに剥離9を生じる。その後硝酸に
より数分間洗浄を行うとさらに外周部の剥離9が大幅に
拡大する。このため通常硝酸洗浄は10分程度必要であ
るが現状では硝酸に対して剥離しない接着剤は存在しな
いので、1分程度が限度であり充分な洗浄が行えない問
題点がある。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、接着層を有する半導体薄膜素子の製造方法におい
て、接着層を形成後の複合基板のエッチング工程あるい
は洗浄工程において接着剤のエッチング液や洗浄液に対
する耐薬品性に応じて接着層保護シールを行った。
【0005】
【作用】上記のような手段で複合基板を外周シールし、
エッチング液あるいは洗浄液の進入を防ぐことにより、
接着層の外周部からの剥離は完全に無くなった。これに
より、接着剤に要求される品質のうち耐薬品性が無くな
り、接着剤の選定及び開発が容易なった。また、硝酸に
よる洗浄が充分できるようになった。
【0006】
【実施例】以下に、この発明の実施例1を図に基づいて
説明する。 (実施例1)図1の(a)〜(d)は本発明の半導体薄
膜素子の製造方法を基板の断面図により示すものであ
り、例えばシリコンからなる半導体単結晶基板1上にシ
リコン酸化膜からなる絶縁層2、シリコン上に半導体微
細加工技術により集積回路を形成した半導体単結晶薄膜
層3、透明保護膜を塗布し焼成した素子平坦化層4、接
着層5、ガラスからなる担体基板6の順に構成された複
合基板7を(図1(a))、テフロンテープ11で外周
を5重巻にしてテフロンクリップ12で固定した(図1
(b))。テフロンテープ11とテフロンクリップ12
にてシールした状態の平面図を図2に示す。その後異方
性エッチング液に浸漬し、半導体単結晶基板1を除去
し、半導体薄膜素子8を形成する(図1(c))。半導
体単結晶基板1のエッチング工程で、ここでは異方性エ
ッチング液は35%濃度の水酸化カリウム水溶液を常温
で使用したが、この場合半導体単結晶基板1のエッチン
グレートが絶縁層2のエッチングレートの100倍程度
であり、絶縁層2をエッチングの停止層として用いる。
その後、数分間純水洗浄した後、テフロンテープ11で
被覆されていたエッチング残りの半導体単結晶基板1を
部分的にグラインド等の研削あるいはペン型のグライン
ダーにより除去し、半導体薄膜素子8を形成する。その
他に、ダイシングによる外周のカットなどのエッチング
残りに対処する方法がある。その後、前記エッチングの
際と同様のシールをし硝酸により10分間洗浄する(図
1(d))。
【0007】(実施例2)以下に、この発明の実施例2
を図に基づいて説明する。実施例1に記載されたテフロ
ンテープとテフロンクリップによるシールの代わりに、
図5の平面図(A)と断面図(B)に示す例えばテフロ
ンからなる治具を用いても同様の効果がある。複合基板
7を例えばバイトンからなるOリング16で挟み、治具
の下部13と治具の上部14で挟み、外側にOリング1
6を配置し、ネジ15で締め付ける。ネジ15にテフロ
ンテープを巻き付け締め付けるとさらにシールが完全に
なる。
【0008】(実施例3)実施例1あるいは実施例2に
記載されたテフロンによるシールの他にシリコン樹脂で
外周を固めたり、耐エッチング性の有機膜や金属を用い
ても本発明が実施できることはいうまでもない。
【0009】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように接着層
を有する半導体薄膜素子の製造方法において、接着層を
形成後の複合基板のエッチング工程または洗浄工程にお
いても接着剤のエッチング液や洗浄液に対する耐薬品性
に応じて接着層保護シールを行うことにより、接着層の
剥離を完全に無くし接着剤の選定あるいは開発を容易に
しコストを低減することができた。また、洗浄を充分行
えるようになり歩留りが向上した。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体薄膜素子の製造方法の断面図で
ある。
【図2】本発明の半導体薄膜素子の製造方法のシールの
平面図である。
【図3】従来の半導体薄膜素子の製造方法の断面図であ
る。
【図4】従来の半導体薄膜素子の製造方法の断面図であ
る。
【図5】本発明の半導体薄膜素子の製造方法のシール治
具を示した説明図である。
【符号の説明】
1 半導体単結晶基板 2 絶縁層 3 集積回路を形成した半導体単結晶薄膜層 4 素子平坦化層 5 接着層 6 担体基板 7 複合基板 8 半導体薄膜素子 9 外周部の剥離 10 異方性エッチングの進行 11 テフロンテープ 12 テフロンクリップ 13 治具の下部 14 治具の上部 15 ネジ 16 Oリング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松下 克樹 東京都江東区亀戸6丁目31番1号 セイコ ー電子工業株式会社内 (72)発明者 高野 隆一 東京都江東区亀戸6丁目31番1号 セイコ ー電子工業株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体薄膜素子を形成した半導体基板と
    少なくとも接着層を介して担体基板とを貼合わせて複合
    基板を作る工程と、前記複合基板の外周部に接着層保護
    シールを形成する工程と、前記保護シールが形成された
    複合基板を洗浄処理する工程とを含む半導体薄膜素子の
    製造方法。
  2. 【請求項2】 前記接着層保護シールが形成された複合
    基板の半導体基板をエッチング処理する工程を含む請求
    項1記載の半導体薄膜素子の製造方法。
JP2785792A 1992-02-14 1992-02-14 半導体薄膜素子の製造方法 Pending JPH05226312A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2785792A JPH05226312A (ja) 1992-02-14 1992-02-14 半導体薄膜素子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2785792A JPH05226312A (ja) 1992-02-14 1992-02-14 半導体薄膜素子の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05226312A true JPH05226312A (ja) 1993-09-03

Family

ID=12232587

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2785792A Pending JPH05226312A (ja) 1992-02-14 1992-02-14 半導体薄膜素子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05226312A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002084739A1 (en) * 2001-04-13 2002-10-24 Sony Corporation Thin film-device manufacturing method, and semiconductor device
JP2008187177A (ja) * 2008-01-25 2008-08-14 Nec Electronics Corp 半導体装置
JP2012253304A (ja) * 2011-06-07 2012-12-20 Toshiba Corp 窒化物半導体発光素子の製造方法
JPWO2012111616A1 (ja) * 2011-02-15 2014-07-07 住友電気工業株式会社 保護膜付複合基板、および半導体デバイスの製造方法
CN113013061A (zh) * 2021-02-23 2021-06-22 绍兴同芯成集成电路有限公司 一种利用有机薄膜进行化合物半导体加工的方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002084739A1 (en) * 2001-04-13 2002-10-24 Sony Corporation Thin film-device manufacturing method, and semiconductor device
JPWO2002084739A1 (ja) * 2001-04-13 2004-08-05 ソニー株式会社 薄膜デバイスの製造方法及び半導体装置
US6916681B2 (en) 2001-04-13 2005-07-12 Sony Corporation Method for manufacturing thin film device and semiconductor device using a third substrate
US7179693B2 (en) 2001-04-13 2007-02-20 Sony Corporation Method for manufacturing thin film device that includes a chemical etchant process
US7550326B2 (en) 2001-04-13 2009-06-23 Sony Corporation Method for manufacturing thin film device and semiconductor device
JP2008187177A (ja) * 2008-01-25 2008-08-14 Nec Electronics Corp 半導体装置
JPWO2012111616A1 (ja) * 2011-02-15 2014-07-07 住友電気工業株式会社 保護膜付複合基板、および半導体デバイスの製造方法
JP2012253304A (ja) * 2011-06-07 2012-12-20 Toshiba Corp 窒化物半導体発光素子の製造方法
CN113013061A (zh) * 2021-02-23 2021-06-22 绍兴同芯成集成电路有限公司 一种利用有机薄膜进行化合物半导体加工的方法
CN113013061B (zh) * 2021-02-23 2023-06-02 绍兴同芯成集成电路有限公司 一种利用有机薄膜进行化合物半导体加工的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08505010A (ja) 石英基板上の単結晶シリコン・アイランド作製方法
KR100297867B1 (ko) 절연체상실리콘형반도체집적회로제조방법
JPH0121618B2 (ja)
US4680243A (en) Method for producing a mask for use in X-ray photolithography and resulting structure
GB2172745A (en) Method of manufacturing thin film transistor
JPH05226312A (ja) 半導体薄膜素子の製造方法
US4430152A (en) Process for fabricating a semiconductor device
JPH08148452A (ja) 基板表面保護テープ及び基板裏面研削方法
JPH1041222A (ja) 半導体装置の製造方法
US3460003A (en) Metallized semiconductor device with fired-on glaze consisting of 25-35% pbo,10-15% b2o3,5-10% al2o3,and the balance sio2
US11054683B2 (en) Flexible display panel and preparing method thereof
JPH06291291A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20040015676A (ko) 액정표시소자의 제조방법 및 그 장치
JPH07235651A (ja) 半導体基板およびその作製方法
JPS5910059B2 (ja) 半導体装置の製法
JP2000206520A (ja) 液晶表示パネルおよびその製造方法
JPH0661134A (ja) スピンナーチャック
JP3313259B2 (ja) 薄膜太陽電池の製造方法
KR940005704B1 (ko) 규소기판 직접 접착방법을 이용한 규소박막 제조방법
JP2583331B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0474421A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH06104453A (ja) ダイヤフラムの形成方法
JPS6155626A (ja) 液晶表示素子
JPH05224237A (ja) 半導体薄膜素子の製造方法
US20070105324A1 (en) Removing silicon nano-crystals