KR910001899A - 반도체 기판에의 박막형성 방법 및 그 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는, 본 발명의 일실시예에 있어서의 박막가공 장치의 기판 온도 제어에 관계있는 부분을 나타내는 개략단면도,
제2도는, 본 발명의 일실시예에 있어서의 박막가공 장치의 열량센서를 나타내는 개략단면도,
제3도는, 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 박막가공 장치의 기판유지 부재속에 히터와 열량센서를 내장하고 있는 기판 유지 부분을 설명하는 개략 단면도.
Claims (8)
- 입자를 입사시켜서 박막가공하는 반도체기판(9)을 소망의 온도로 유지하면서 상기 반도체기판(9)에 대해서 박막 가공하는 것을 특징으로 하는 반도체기판에의 박막가공 방법.
- 입자를 입사시켜서 박막가공하는 반도체기판(9)에 대해서 입사하는 열량을 측정하고, 상기 반도체기판(9)을 얹어놓고 또한 소망의 온도로 제어된 기판유지부재(10)와 상기 반도체기판(9)과의 사이에 유체(14)를 도입하고, 상기 측정된 열량에 응하여 상기 유체(14)의 압력을 제어하고 상기 반도체기판(9)을 소망의 온도로 유지하여, 소망의 온도로 유지된 반도체 기판(9)에 대해서 박막가공하는 것을 특징으로 하는 반도체기판에의 박막가공 방법.
- 적어도 전하입자를 입사시켜서 박막성막하는 반도체기판(9)을 소망의 온도로 유지하고, 상기 반도체기판(9)에 대해서 바이어스 스퍼터링에 의하여 박막배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체기판에의 박막형성 방법.
- 적어도 전하입자를 입사시켜서 박막 형성하는 반도체기판(9)에 대해서 입사하는 열량을 측정하고 상기 반도체기판(9)을 얹어놓고 또한 소망하는 온도로 제어된 개판유지부재(10)와 상기 반도체기판(9)과의 사이에 유체(14)를 도입하고, 상기 측정된 열량에 응하여 상기 유체(14)의 압력을 제어하여 상기 반도체기판(9)을 소망의 온도로 유지하고, 소망의 온도로 유지된 반도체기판(9)에 대해서 스퍼터링에 의하여 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체기판에의 박막형성 방법.
- 입자를 입사시켜서 박막가공하는 피처리기판(9)을 얹어설치하는 기판유지부재(10)와 상기 기판유지부재(10)를 소망의 온도로 제어하는 온도제어수단과, 상기 피처리기판(9)에 입사하는 열량을 측정하는 측정수단과, 상기 피처리기판(9)과 상기 기판유지부재(10)와의 사이에 열을 전도하는 유체(14)를 도입하고, 상기 측정수단(3)에 의하여 측정된 열량에 응하여 상기 유체(14)의 압력을 제어하여 상기 피처리기판의 온도를 제어하는 유체제어수단(21)를 갖추고 상기 피처리기판(9)에 성막 입자 또는 하전입자를 입사시켜서 박막 가공을 실시하는 것을 특징으로 하는 박막가공 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 측정수단(3)은, 일정온도로 유지된 정온면과 접하도록 설치한 열전도부재(3a)와, 상기 열전도부재(3)의 정온면 근방에 설치된 제1의 열전대(1)와, 상기 열전도부재의 정온면과 반대측의 수열면(8) 측에 설치된 제2의 열전대(2)를 갖추고, 상기 제1 및 제2의 열전대 (1,2)에 의하여 측정된 온도차에 의거하여 상기 열전도부재(3a)에 입사하는 열량을 측정하여 상기 피처리기판(9)에 입사하는 열량을 측정하도록 구성한 것을 특징으로 하는 박막가공 장치.
- 적어도 하전입자를 입사시켜서 박막성막하는 반도체기판(9)을 얹어 설치하는 기판 유지부재(10)와, 상기 기판 유지부재(10)를 소망의 온도로 제어하는 온도제어수단과, 상기 반도체 기판에 입사하는 열량을 측정하는 측정수단(3)과, 상기 반도체기판(9)과 상기 기판유지부재(10)와의 사이에 열을 전도하는 유체(14)를 도입하고, 상기 측정수단(3)에 의하여 측정된 열량에 응하여 상기 유체(14)의 압력을 제어하여 상기 반도체기판(9)의 온도를 제어하는 유체제어수단(21)를 갖추고, 상기 반도체기판(9)에 스퍼터링에 의하여 성막입자를 입사시켜서 박막 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판에의 박막형성 장치.
- 제7항에 있어서 상기 측정수단(3)은 일정온도로 유지된 정온면과 접하도록 설치한 열전도부재(3a)와, 상기 열전도부재(3a)의 정온면 근방에 설치된 제1의 열전대(1)와, 상기 열전도부재(3a)의 정온면과 반대측의 수열면(8)측에 설치된 제2의 열전대(2)를 갖추고, 상기 제1 및 제2의 열전대(1,2)에 의하여 측정된 온도차에 의거하여 상기 열전도부재(3a)에 입사하는 열량을 측정하여 상기 피처리기판(9)에 입사하는 열량을 측정하도록 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 기판에의 박막형성 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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