JPS61103530A - 真空処理装置における基板の冷却機構 - Google Patents
真空処理装置における基板の冷却機構Info
- Publication number
- JPS61103530A JPS61103530A JP22300784A JP22300784A JPS61103530A JP S61103530 A JPS61103530 A JP S61103530A JP 22300784 A JP22300784 A JP 22300784A JP 22300784 A JP22300784 A JP 22300784A JP S61103530 A JPS61103530 A JP S61103530A
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- Japan
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- cooling
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- gas
- cooling gas
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、成膜装置やエツチング装置等の真空処理装置
における基板の冷却機構に関するものである。
における基板の冷却機構に関するものである。
従来の技術
真空処理装置内に配置される基板をガスを利用して冷却
することはすでに公知である。
することはすでに公知である。
例えは特願昭３ｇ−１９０ｔＪ４号には、処理室内に配
置した基板ホルダ内に冷却用ガスを供給して基板ホルダ
自体を冷却し、基板ホルダとの接触による熱伝導および
冷却用ガス自体を介し、ての熱伝導によって基板を冷却
する方法が提案されている。
置した基板ホルダ内に冷却用ガスを供給して基板ホルダ
自体を冷却し、基板ホルダとの接触による熱伝導および
冷却用ガス自体を介し、ての熱伝導によって基板を冷却
する方法が提案されている。
また特願昭５タ一／／３０ダダ号には、真空処理装置内
に配置される基板と基板ホルダの周辺部との間に予定の
寸法の冷却ガス逃がしギャップを設け、基板と基板ホル
ダとの間に供給された冷却ガスの圧力を制御することに
ょシ基板の温度を所要のレイ′ルにｖ８整する基板の冷
却方法が提案されている。
に配置される基板と基板ホルダの周辺部との間に予定の
寸法の冷却ガス逃がしギャップを設け、基板と基板ホル
ダとの間に供給された冷却ガスの圧力を制御することに
ょシ基板の温度を所要のレイ′ルにｖ８整する基板の冷
却方法が提案されている。
さらに特開昭５ｇ−７３−９３７号公報には、ガス伝導
による半導体ウェーハの一様な熱処理装置が開示されて
おシ、ウェーハはガスで満された空胴の上の適所に適切
な温度に維持された熱体と対位して保持され、ガスは半
導体ウェーハの背後に導入するように構成されている。
による半導体ウェーハの一様な熱処理装置が開示されて
おシ、ウェーハはガスで満された空胴の上の適所に適切
な温度に維持された熱体と対位して保持され、ガスは半
導体ウェーハの背後に導入するように構成されている。
発明が解決しようとする問題点
上述の各方式はいずれも、基板をその背側から冷却ガス
によって冷却しようとするものであるが、しかしこのよ
うな従来の方式では基板の背側の空所へ供給された冷却
ガスがこの空所を通過して真空槽内の高真空側へ流出し
ていくことＫなる。そのため、例えは、イオン注入装置
等のように高真空保持やガスコンタミネーションの防止
を必要とする装置には適用できないという欠点がある。
によって冷却しようとするものであるが、しかしこのよ
うな従来の方式では基板の背側の空所へ供給された冷却
ガスがこの空所を通過して真空槽内の高真空側へ流出し
ていくことＫなる。そのため、例えは、イオン注入装置
等のように高真空保持やガスコンタミネーションの防止
を必要とする装置には適用できないという欠点がある。
また基板の冷却効果は導入される冷却ガスの圧力によシ
大きく異なるが、この圧力を一定に制御することは、単
にガスを基板の背側に送）込むだけでは困難である。
大きく異なるが、この圧力を一定に制御することは、単
にガスを基板の背側に送）込むだけでは困難である。
そこで本発明の目的は、上述のような基板をその背側か
ら冷却ガスを用いて冷却する従来の基板の冷却方式にお
いて冷却ガスが高真空側へ流出するのを実質的に防止し
、かつ基板の背側のガス圧力を一定に制御することにあ
る。
ら冷却ガスを用いて冷却する従来の基板の冷却方式にお
いて冷却ガスが高真空側へ流出するのを実質的に防止し
、かつ基板の背側のガス圧力を一定に制御することにあ
る。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成する念めに、本発明によれば、真を処理
装置内圧配置された基板ホルダの周辺部に設けたシール
材により基板を密封保持して基板ホルダと基板裏面との
間に閉じた冷却空所を形成し、また上記基板ホルダに上
記冷却空所への冷却ガス導入口と上記冷却空所からの冷
却ガス導出口とを設け、上記冷却空所へ導入されるガス
の圧力を制御して一定の熱入力に対して基板温度を一定
の範囲で制御できるように構成したことを特徴とする真
空処理装置における基歓の冷却機構が提供される。
装置内圧配置された基板ホルダの周辺部に設けたシール
材により基板を密封保持して基板ホルダと基板裏面との
間に閉じた冷却空所を形成し、また上記基板ホルダに上
記冷却空所への冷却ガス導入口と上記冷却空所からの冷
却ガス導出口とを設け、上記冷却空所へ導入されるガス
の圧力を制御して一定の熱入力に対して基板温度を一定
の範囲で制御できるように構成したことを特徴とする真
空処理装置における基歓の冷却機構が提供される。
作用
このように構成したことによって、本発明による基板の
冷却機構においては、基板ホルダの周辺部に設けたシー
ル材により、冷却ガスが高真空側へ漏れるのを実質的に
抑えることができ、従って導入される冷却ガスの圧力を
容易に正確に制御することができる。Ｉまた冷却ガスが
高真空側へ実質 １的に漏れないのでスフツタ装置等に
おいても冷却ガスとしてスパッタ等に必要なガスと異な
った種類のガスを使用することができる。
冷却機構においては、基板ホルダの周辺部に設けたシー
ル材により、冷却ガスが高真空側へ漏れるのを実質的に
抑えることができ、従って導入される冷却ガスの圧力を
容易に正確に制御することができる。Ｉまた冷却ガスが
高真空側へ実質 １的に漏れないのでスフツタ装置等に
おいても冷却ガスとしてスパッタ等に必要なガスと異な
った種類のガスを使用することができる。
実施例
以下、添附図面を参照して本発明のム実雄側について説
明する。
明する。
図面には本発明の基板冷却ｍ、横の一実施例の要部を示
し、ｌは基板ホルダで、この基板ホルダｌはその周辺部
に例えば０リングから成ル得るシール材コを備えている
。基板３はこのシール材−を介して基板ホルダｌ上に基
板押えダによって保持され、基板ホルダｌと基板Ｊの裏
面との間には閉じた冷却空所Ｓが形成されている。″ま
た基板ホルダｌには図示したように冷却空所Ｓに連通ず
る冷却ガス導入口ｔと冷却ガス導出ロアとが設けられて
しる１図示例では中央部に一つの冷却ガス導入口ふとシ
ール材コに隣接した部位に二つの冷却ガス導出ロアが示
されているが、これらの口の数および位置は任意に設計
することができ、好ましくは基板３の裏面に対して冷却
ガスが一様に作用するよ、うに決められ得る。冷却ガス
導入口６はバルブｔおよびガス流量調節装＠ｔを介して
冷却ガス源（図示してない）に接続され、また冷却ガス
導出ロアの各々はバルブＩＯおよびコンダクタンスバル
ブ／ｌを介して排出される。従って冷却ガスはガス流４
／！ｃ調節装ｆｉりおよびパルプざを介して基板ホルダ
ｌの冷却ガス導入口６を通シ基板３の裏側の冷却空所Ｓ
内へ流入し、そして各導出ロアからパルプＩＱおよびコ
ンダクタンスパルプ／／を通って排出される。この場合
、冷却ガスは、ガス導入側のガス流量調節装置りおよび
ガス排出側のコンダクタンスパルプｉｉの作用によって
一定圧力に制御され、それによって一定の熱入射に対し
て基板３の温度は一定の範囲で制御され得る。また冷却
空所Ｓ内を流れる冷却ガスは基板ホルダｌに設けたシー
ル材コによって基板３０表側すなわち高真空側へ漏れる
のを防止される。
し、ｌは基板ホルダで、この基板ホルダｌはその周辺部
に例えば０リングから成ル得るシール材コを備えている
。基板３はこのシール材−を介して基板ホルダｌ上に基
板押えダによって保持され、基板ホルダｌと基板Ｊの裏
面との間には閉じた冷却空所Ｓが形成されている。″ま
た基板ホルダｌには図示したように冷却空所Ｓに連通ず
る冷却ガス導入口ｔと冷却ガス導出ロアとが設けられて
しる１図示例では中央部に一つの冷却ガス導入口ふとシ
ール材コに隣接した部位に二つの冷却ガス導出ロアが示
されているが、これらの口の数および位置は任意に設計
することができ、好ましくは基板３の裏面に対して冷却
ガスが一様に作用するよ、うに決められ得る。冷却ガス
導入口６はバルブｔおよびガス流量調節装＠ｔを介して
冷却ガス源（図示してない）に接続され、また冷却ガス
導出ロアの各々はバルブＩＯおよびコンダクタンスバル
ブ／ｌを介して排出される。従って冷却ガスはガス流４
／！ｃ調節装ｆｉりおよびパルプざを介して基板ホルダ
ｌの冷却ガス導入口６を通シ基板３の裏側の冷却空所Ｓ
内へ流入し、そして各導出ロアからパルプＩＱおよびコ
ンダクタンスパルプ／／を通って排出される。この場合
、冷却ガスは、ガス導入側のガス流量調節装置りおよび
ガス排出側のコンダクタンスパルプｉｉの作用によって
一定圧力に制御され、それによって一定の熱入射に対し
て基板３の温度は一定の範囲で制御され得る。また冷却
空所Ｓ内を流れる冷却ガスは基板ホルダｌに設けたシー
ル材コによって基板３０表側すなわち高真空側へ漏れる
のを防止される。
効果
以上説明してき念ように、本発明においてはシール材を
用いて冷却ガスが基板の表側すなわち処理側へ漏れるの
を抑えているので、イオン注入装置等のような高真空保
持またはガスコンタミネーションの防止を必要とする装
置でも本冷却機枦は適用でき、しかも冷却ガス圧を一定
に制御できるので基板の冷却温度制御性も良いａまた冷
却ガスが処理室側へ漏れるのを防止できるので、冷却ガ
スとして基板の処理に必要なガスと異なったガスを用い
ることができ、このことはスパッタ装置等に適用した場
合有利である。
用いて冷却ガスが基板の表側すなわち処理側へ漏れるの
を抑えているので、イオン注入装置等のような高真空保
持またはガスコンタミネーションの防止を必要とする装
置でも本冷却機枦は適用でき、しかも冷却ガス圧を一定
に制御できるので基板の冷却温度制御性も良いａまた冷
却ガスが処理室側へ漏れるのを防止できるので、冷却ガ
スとして基板の処理に必要なガスと異なったガスを用い
ることができ、このことはスパッタ装置等に適用した場
合有利である。
図面は本発明の一実施例を示す概略断面図である。
図中、ｌ：基板ホルダ、２＝シール材、３：基板、ダニ
基板押え、５：冷却９所、６：冷却ガス導入口、７：冷
却ガス導出口、ｑ：ガス流量調節装置、ｌ／：コンダク
タンスバルブ。 図面の浄書（内容に変更なし） 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５９年 特許願 第２２３００７号３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 神奈川県茅ケ崎市萩園２５００９地名称 日
本真空技術株式会社 ４、代理人 （１）明細書
基板押え、５：冷却９所、６：冷却ガス導入口、７：冷
却ガス導出口、ｑ：ガス流量調節装置、ｌ／：コンダク
タンスバルブ。 図面の浄書（内容に変更なし） 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５９年 特許願 第２２３００７号３、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 神奈川県茅ケ崎市萩園２５００９地名称 日
本真空技術株式会社 ４、代理人 （１）明細書
Claims (1)
- 真空処理装置内に配置された基板ホルダの周辺部に設け
たシール材により基板を密封保持して基板ホルダと基板
裏面との間に閉じた冷却空所を形成し、また上記基板ホ
ルダに上記冷却空所への冷却ガス導入口と上記冷却空所
からの冷却ガス導出口とを設け、上記冷却空所へ導入さ
れるガスの圧力を制御して一定の熱入力に対して基板温
度を一定の範囲で制御できるように構成したことを特徴
とする真空処理装置における基板の冷却機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22300784A JPS61103530A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 真空処理装置における基板の冷却機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22300784A JPS61103530A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 真空処理装置における基板の冷却機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61103530A true JPS61103530A (ja) | 1986-05-22 |
| JPS6261334B2 JPS6261334B2 (ja) | 1987-12-21 |
Family
ID=16791362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22300784A Granted JPS61103530A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 真空処理装置における基板の冷却機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61103530A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US4979466A (en) * | 1986-12-01 | 1990-12-25 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for selective deposition of metal thin film |
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| CN108847382A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-20 | 上海华力微电子有限公司 | 一种气压调节装置、气压调节方法及晶圆刻蚀设备 |
-
1984
- 1984-10-25 JP JP22300784A patent/JPS61103530A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6261334B2 (ja) | 1987-12-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |