KR900019271A - 플라즈마법에 의한 스핀-온-글래스의 경화 및 표면 안정화법 및 이러한 방법으로 제조한 제품 - Google Patents

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제임스 데스몬드 버언
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Abstract

내용 없음

Description

플라즈마법에 의한 스핀-온-글래스의 경화 및 표면 안정화법 및 이러한 방법으로 제조한 제품
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (41)

  1. (a)스핀-온-글래스(SOG)막을 반도체 기질 위에 스피닝하고, (b)다량의 용해를 제거하기에 충분한 상승된 온도에서 SOG막을 예비경화시키고, (c)SOG막을 다량의 SiOH, 유기 휘발물질 및 H2O를 층으로부터 제거하기에 충분한 시간 동안 SOG부근에 셀프-바이어스된 RF방전을 나타내는 유형의 플라즈마 반응기 중에서 플라즈마로 경화시키는 단계를 포함함을 특징으로 하여 반도체 기질 위에 절연층을 형성하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 반응기가 평행 판 플라즈마 반응기인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 플라즈마가 비-산화성 플라즈마인 방법.
  4. 제1항에 있어서, 플라즈마가 수소 플라즈마인 방법.
  5. 제4항에 있어서, 약115kHz의 플라즈마 중의 RF장, 약 0.2W/㎠의 전력밀도, 약 0.25Torr의 압력, 750SCCM의 매스 유동속도, 반응기의 음극을 통과하는 약 0.4ma/㎠의 전류밀도 및 약 30 내지 60분의 경화기간을 사용함으로써 기질의 온도가 약 400℃로 도달하는 방법.
  6. 제2항에 있어서, 외부 분극장을 기질에 적용시켜 SOG중의 내부 전기장을 증가시키는 단계를 포함하는 방법.
  7. 제2항 또는 제6항에 있어서, SOG가 이산화규소, 산화붕소, 산화인, 산화비소, 산화알루미늄, 산화아연, 산화금, 산화백금, 산화안티몬, 산화인듐, 산화탄탈륨, 산화세슘 및 산화철 또는 이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유형 중의 것인 방법.
  8. 제2항 또는 제6항에 있어서, SOG가 붕소, 인, 비소, 알루미늄, 아연, 금, 백금, 안티몬, 인듐, 탄탈륨, 세슘 및 철의 산화물, 질화물 또는 옥시질화물 또는 이의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유형 중의 것인 방법.
  9. 제2항 또는 제6항에 있어서, SOG가 유기 SOG용액 및 무기(실록산)SOG용액 중의 하나로부터 수득한 유형의 산화규소인 방법.
  10. (a)스핀-온-글래스 SOG막을 기질 위에 스피닝하고, (b)다량의 요매를 제거하기에 충분한 상승된 온도에서 SOG막을 예비경화시키고, (c)단계(a) 및 (b)를 반복하여 미리 결정한 전체 막 두께를 갖는 막을 형성시키고, (d)작동시키는 동안 SOG에 유전장을 생성시키는 유형의 플라즈마 반응기 중에서 다량의 SiOH, 유기휘발물질 및 H2O를 층으로부터 제거하기에 충분한 시간동안 SOG층을 플라즈마로 경화시킴을 포함함을 특징으로 하여 기질 위에 절연층을 형성하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, SOG와 기질에 외부 분극장을 적용시켜 이의 내부 전기장을 증가시키는 단계를 포함하는 방법.
  12. 제10항에 있어서, 반응기가 평행 판 플라즈마 반응기인 방법.
  13. 제12항에 있어서, 경화시키기 전에 SOG막의 표면을 습기 또는 물과 접촉시키는 단계를 포함하는 방법.
  14. 제2항, 제3항 또는 제10항에 있어서, SOG가 도핑 또는 비도핑된 규산염과 도핑 또는 비도핑된 메틸, 에틸, 부틸 및 페닐 실록산으로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, 도판트는 붕소, 인, 비소, 알루미늄, 아연, 금, 백금, 안티몬, 인듐, 탄탈륨, 세슘 및 철로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 방법.
  15. 제2항, 제5항 또는 제10항에 있어서, SOG가 인으로 도핑된 규산염 또는 실록산 물질인 방법.
  16. (a)스핀-온-글래스(SOG)막을 편평하게 되는 웨이퍼의 표면위에 스프닝하고, (b)다량의 용매를 제거하기 충분한 상승된 온도에서 SOG막을 예비경화시키고, (c)작동하는 동안 SOG에 유전장을 생성시키는 유형의 플라즈마 반응기 중에서 다량의 SiOH, 유기 휘발물질 및 H2O를 층으로부터 제거하는데 충분한 시간동안 SOG막을 플라즈마로 200℃내지 400℃에서 경화시키고, (d)전도성층이 경화된 SOG층과 직접 접촉하도록 전도성층을 집적회로의 표면에 적용시키는 단계를 포함함을 특징으로 하여 집적회로를 제조하는 방법.
  17. 제14항에 있어서, 반응기가 평행 판 플라즈마 반응기인 방법.
  18. 제17항에 있어서, SOG가 이산화규소, 산화붕소, 산화인, 산화비소, 산화알루미늄, 산화아연, 산화금, 산화백금, 산화안티몬, 산화인듐, 산화탄탈륨, 산화세슘 및 산화철 또는 이의 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 유형의 것인 방법.
  19. 제17항에 있어서, SOG가 붕소, 인, 비소, 알루미늄, 아연, 금, 백금, 안티몬, 인듐, 탄탈륨, 세슘 및 철 또는 이의 조합의 산화물, 질화물 또는 옥시질화물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유형의 것인 방법.
  20. (a)스핀-온-글래스(SOG)막을 편평하게 되는 웨이퍼의 표면 위에 스피닝하고, (b)SOG막을 다량의 용매를 제거하기에 충분한 상승된 온도에서 예비경화시키고, (c)작동하는 동안 SOG에 유전장을 생성시키는 유형의 플라즈마 반응기 중에서 다량의 SiOH, 유기 휘발물질 및 H2O를 층으로부터 제거하기에 충분한 시간동안 SOG막을 플라즈마로 경화시키고, (d)SOG의 표면에 감광성 내식막층을 적용시켜 감광성 내식막을 명백히 하고, (e)명백히 한 감광성 내식막을 통하여 집적회로를 에칭하거나 처리하고, (f)감광성 내식막을 O2플라즈마 중에서 건조 스트리핑시키고, (g)감광성 내식막이 스트리핑된 SOG의 표면에 금속 전도체층을 적용시키는 단계를 포함함을 특징으로 하여 집적회로를 제조하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 경화단계 이후와 감광성 내식막 층을 적용하기 전에, SOG의 경화된 막 위에 유전층을 부착시키는 단계를 추가고 포함하는 방법.
  22. (a)스핀-온-글래스(SOG)막을 절연되는 전도성 물질 위에 직접 스프닝하고, (b)SOG막을 다량의 용매를 제거하기에 충분한 상승된 온도에서 예비경화시키고, (c)작동하는 동안 SOG에 유전장을 생성시키는 유형의 플라즈마 반응기 중에서 다량의 SiOH, 유기 휘발물질 및 H2O를 층으로부터 제거하기에 충분한 시간동안 SOG막을 플라즈마로 경화시키고, (d)경화된 SOG층의 표면에 전도성층을 직접 적용시키는 단계를 포함함을 특징으로 하여 집적회로를 제조하는 방법.
  23. 제22항에 있어서, 반응기가 평행 판 플라즈마 반응기인 방법.
  24. 제23항에 있어서, SOG가 산화규소형인 방법.
  25. 제22항, 제23항 또는 제24항에 있어서, 단계(d)에서 적용시킨 전도성 층이 금속 전도체이며, 감광성 내식막을 금속 전도체의 표면에 적용시키고, 마스크를 통해 감광성 내식막을 빛에 노출시킴으로써 감광성 내식막을명백히 하고, 바람직하지 않은 영역의 감광성 내식막을 씻어내고, 노출된 금속 전도체를 에칭시키고, 남아있는 감광성 내식막을 제거하고, 회로의 표면을 세정하고, SOG층과 직접 접촉하는 회로의 윗면에 절연층을 적용시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  26. (a)스핀-온-글래스(SOG)막을 절연되는 하부의 전도성 물질의 표면 위에 직접 스피닝하고, (b)SOG막을 다량의 용매를 제거하기에 충분한 상등된 온도에서 예비경화시키고, (c)반응하는 동안 SOG에 유전장을 생성시키는 유형의 플라즈마 반응기 중에서 다량의 SiOH, 유기 휘발물질 및 H2O를 층으로부터 제거하기에 충분한 시간 동안 200℃내지 400℃에서 SOG막을 플라즈마로 경화시키고, (d)경화된 SOG층의 표면에 감광성 내식막층을 적용시키고, (e)이의 표면을 마스크를 통해 빛에 노출시킴으로써 감광성 내식막을 명백히 하고, 전도체가 위치하는 영역 위의 감광성 내식막을 씻어내고, (f)감광성 내식막과 노출된 SOG층 위에 상부의 전도체 물질의 층을 부착시키고, (g)남아있는 감광성 내식막과 상부 금속층을 제거함으로써 경화된 SOG층이 하부의 전도성 물질과 상부의 전도성 물질 사이의 유전체를 형성하여 전도체가 형성되는 단계를 포함함을 특징으로 하여 집접회로를 제조하는 방법.
  27. 제26항에 있어서, 표면을 세정한 다음, 노출된 SOG표면과 전도체에 점착성인 절연층을 부착시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  28. SiOH, 유기 휘발물질 및 H2O가 실질적으로 없고 플라즈마 경화된 스핀-온-글래스의 층과 SOG층과 직접 접촉하는 금속 전도성 층을 갖는 반도체 집적회로.
  29. 제28항에 있어서, 제22항 내지 제27항 중의 어느 한 항의 방법에 의해 부분적으로 형성된 집적회로.
  30. SiOH, 유기 휘발물질 및 H2O가 실질적으로 없고 플라즈마 경화된 스핀-온-글래스의 층을 표면안정화막으로서 갖는 집적회로.
  31. SiOH, 유기 휘발물질 및 H2O가 실질적을 없고 플라즈마 경화된 스핀-온-글래스의 층을 평편화막으로서 갖는 집적회로.
  32. SiOH, 유기 휘발물질 및 H2O가 실질적으로 없고 플라즈마 경화된 스핀-온-글래스의 층을 완충막으로서 갖는 집적회로.
  33. SiOH, 유기 휘발물질 및 H2O가 실질적으로 없고 플라즈마 경화된 스핀-온-글래스의 층에 의해 보호되어 덮여있는 앞면을 갖는 액정, 일레트로크로믹 또는 일렉트로루미네센트 액정 디스플레이.
  34. SiOH, 유기 휘발물질 및 H2O가 실질적으로 없고 플라즈마 경화된 스핀-온-글래스의 층에 의해 보호되어 덮여있는 앞면을 갖는 투명 매체상의 반사방지 피복물.
  35. SiOH, 유기 휘발물질 및 H2O가 실질적으로 없고 플라즈마 경화된 스핀-온-글래스의 층에 의해 보호되어 덮여있는 앞면을 갖는, 물체용 부식 또는 화학적 보호 피복물.
  36. 제1항, 제7항, 제8항, 제9항, 제22항 및 제23항 중의 어느 한 항의 방법을 사용하여 형성한 스핀-온-글래스의 층을 갖는 집적 회로.
  37. 제10항 내지 제13항 중의 어느 한 항의 방법을 사용하여 형성한 플라즈마 경화된 스핀-온-글래스의 층에 의해 보호되어 덮여였는 앞면을 갖는 액정, 일렉트로 크로믹 또는 일렉트로루미네센트 디스플레이.
  38. 제10항 내지 제13항 중의 어느 한 항의 방법을 사용하여 형성한 스핀-온-글래스로 제조한, 물체상의 피복물.
  39. 제17항에 있어서, 플라즈마 반응기 중에서 사용한 기체가 비-산화성 기체인 방법.
  40. 제17항에 있어서, 플라즈마 반응기 중에서 사용한 기체가 질소인 방법.
  41. 제28항에 있어서, SOC층의 두께가 적어도 0.5μ인 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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