KR900016426A - 강유전성 액정 조성물 및 이를 함유하는 광 스위칭 소자 - Google Patents

강유전성 액정 조성물 및 이를 함유하는 광 스위칭 소자 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

강유전성 액정 조성물 및 이를 함유하는 광 스위칭 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (11)

  1. 다음 A, B 및 C의 세 가지 성분을 함유하고 비율이 A, B, C 3성분의 합계량에 대하여 A 가 75 내지 95중량%이고 B가 3 내지 9중량%이며 C가 3 내지 12중량%이고 상기 전이 계열이 고온쪽으로 부터 순서대로 등방성 액체, 콜레스테릭상, 스멕틱 A상 및 키랄 스멕틱 C상이고 자발분극치가 30nC/㎠ 이하인 강유전성 액정 조성물[단, A성분은 하기 일반식(I)의 화합물 및 하기 일반식(II)의 화합물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 화합물이며, B성분은 하기 일반시(III)의 화합물 및 하기 일반식(IV)의 화합물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 화합물이며, C성분은 하기 일반식(V)의 화합물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 화합물이다).
    상기식에서, R1및 R2는 각각 탄소수 1 내지 18의 동일하거나 상이한 직쇄 또는 측쇄상 알킬기, 알콕시기 또는 알카노일옥시기이며, R3및 R4는 각각 탄소수 1 내지 18의 동일하거나 상이한 직쇄 또는 측쇄상 알킬기 또는 알콕시기이며, R5는 탄소수 1 내지 18의 직쇄 또는 측쇄상 알킬기 또는 알콕시기이며, R6는 탄소수 2 내지 18의 직쇄 또는 측쇄상 알킬기 또는 탄소수 1 내지 18의 직쇄 또는 측쇄상 알콕시기이며, R7은 탄소수 1 내지 18의 직쇄 또는 측쇄상 알킬기 또는 알콕시기이며, R8은 탄소수 2 내지 18의 직쇄 또는 측쇄상 알킬기 또는 탄소수 1 내지 18의 직쇄 또는 측쇄상 알콕시기 이며, R9는 탄소수 1 내지 18의 직쇄 또는 측쇄상 알킬기 또는 알콕시기 이며, R10은 탄소수 2 내지 18의 직쇄 또는 측쇄상 알킬기 이며, X는 -OCH2- 또는 -CH2O-이며, m 및 n은 1 또는 2이며, m+n은 3이며, *는 부제탄소원자를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, A성분의 화합물이 일반식(I)에서 R1이 탄소수 5 내지 12의 직쇄 알콕시기 또는 알카노일 옥시기이며 R2가 탄소수 7 내지 11의 직쇄 알킬기인 화합물 및 일반식(II)에서 R3이 탄소수 5 내지 10의 직쇄 알킬기 또는 알콕시기이며 R4가 탄소수 6 내지 10의 직쇄 알킬기인 화합물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 화합물인 강유전성 액정 조성물.
  3. 제1항에 있어서, B성분의 화합물이 일반식(III)에서 R5가 탄소수 3 내지 10의 직쇄 알킬기 또는 알콕시기 이며 R6이 탄소수 2 내지 10의 직쇄 알킬기 또는 알콕시기인 화합물 및 일반식(IV)에서 R7이 탄소수 3 내지 10의 직쇄 알킬기 또는 알콕시기이며 R8이 탄소수 2 내지 10의 직쇄 알킬기 또는 알콕시기인 화합물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 화합물인 강유전성 액정 조성물.
  4. 제1항에 있어서, C성분의 화합물이 일반식(V)에서 R9가 탄소수 6 내지 12의 직쇄 알킬기 또는 알콕시기이며 R10이 탄소수 2 내지 10의 직쇄 알킬기인 화합물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 화합물인 강유전성 액정 조성물.
  5. 제1항에 있어서, A성분의 화합물이 하기 구조식으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 화합물인 강유전성 액정 조성물.
  6. 제1항에 있어서, B성분의 화합물이 하기 구조식으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 화합물인 강유전성 액정 조성물.
  7. 제1항에 있어서, C성분의 화합물이 하기 구조식으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 화합물인 강유전성 액정 조성물.
  8. 제1항에 있어서, A, B, C의 3성분 및 하기 한 D성분의 네가지 성분을 함유하고 이러한 D의 비율이 A, B, C 3성분의 합계량에 대하여 2 내지 5중량%이며 상전이계열이 고온쪽으로 부터 순서대로 등방액체, 콜레스테릭 상, 스멕틱 A상 키랄 스멕틱 C상이며 자발분극치가 30nC/㎠ 이하인 강유전성 액정 조성물 [단, D성분은 하기 일반식(II)의 화합물 및 하기 일반식(VII)의 화합물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 화합물이다].
    상기식에서, R ∥은 탄소수 1 내지 18의 직쇄 또는 측쇄상 알킬기 또는 알콕시기이며, R12는 탄소수 2 내지 18의 직쇄 또는 측쇄상 알킬기 이며, Y3는 사이노기 또는 할로겐 원자이며, R13은 탄소수 1 내지 18의 직쇄 또는 측쇄상 알킬기 또는 알콕시기이며, R14는 탄소수 2 내지 18의 직쇄 또는 측쇄상 알킬기 이며, *는 부제탄소원자를 나타낸다.
  9. 제8항에 있어서, D성분의 화합물이 일반식(VI)에서 R11이 탄소수 5 내지 12의 직쇄 알킬기 또는 알콕시기이며, R12가 탄소수 2 내지 10의 직쇄 알킬기이며 Y가 -CN 또는 -F인 화합물 및 일반식(VII)에서 R13이 탄소수 5 내지 12의 직쇄 알킬기 또는 알콕시기이며, R14가 탄소수 2 내지 10의 직쇄 알킬기인 화합물로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 화합물인 강유전성 액정 조성물.
  10. 제8항에 있어서, D성분의 화합물이 하기 구조식으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 1종의 화합물인 강유전성 액정 조성물.
  11. 제1항 또는 제8항에 기재한 강유전성 액정 조성물을 함유하여 제조된 광 스위칭 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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