KR900011119A - 반도체 회로와 직류 전류 전력 공급 회로 및 형광 램프 유니트 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

반도체 회로와 직류 전류 전력 공급 회로 및 형광 램프 유니트

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제 1도는 본 발명에 따라 구성된 전압 보호 회로를 가진 반도체 회로의 제 1실시예를 도시한 도식적 회로도, 제5도는 전압 보호 회로를 가진 반도체 회로와 협조하는 형광 램프 유니트의 측면도.

Claims (19)

1. 과대 전압 보호 회로와, d. c. 공급선(10/13, 11/14)을 가지고 있는 반도체 회로에서, 상기의 보호 회로가 하나의 공급선(10/13)과 직렬로 접속된 스위칭 트랜지스터(T1)와 공급선(10/13)에 결합된 전압 검출기 회로(15)에 응답하는 제어 회로(15)를 포함하며, 과대 전압의 검출에 따라 비전도 상태로 스위칭 트랜지스터(T1)를 트리거시키는데 효과적이며, 여기서, 전압 검출기 회로가 반도체 소자(T10)의 하나 또는 그 이상의 잔류자의 파괴를 야기시키는 것보다 더 작은 공급선(10/13, 11/14)양단의 전압에 응답하여 파괴를 유도하도록 조정되고, 반도체 소자(T10)의 상기 잔류자와 상관 관계에 있는 전압 파괴 특성을 가지고 있는 반도체 소자(T8)를 포함하며, 이러한 반도체 소자(T8)의 파괴 초기에 유도된 증가되어진 전류가 제어 회로(15)로 하여금 비전도 상태로 스위칭 트랜지스터(T1)를 트리거를 시키는데 효과적으로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
2. 제 1항에 있어서, 상기의 반도체 소자(T8)가 반도체 소자(T10)의 상기 하나 또는 그 이상의 잔류자와 같은 파괴 특성을 가지지만 반도체 소자(T10)의 상기 하나의 또는 그 이상의 잔류자보다 더 큰 전압에 노출되어 공급선 양단에서 발생하는 잔류자에 추가하여 전합 성분에 노출되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
3. 제 1항에 있어서, 상기의 반도체 소자(T8)가 반도체 소자(T10)의 상기 하나 또는 그 이상의 잔류자보다 더 낮은 전압 파괴 특성을 가지도록 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
4. 제 3항에 있어서, 상기의 반도체 소자(T8)가 반도체 소자(T10)의 상기 하나 또는 그 이상의 잔류자가 단일 집적 회로 칩 상에서 조립되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
5. 제 4항에 있어서, 더 낮은 전압 파괴 특성이 반도체 소자(T10)의 상기 하나 또는 그 이상의 잔류자에서 보다 상기의 반도체 소자(T8)에 다른 도핑 접속을 도입함으로써 집적 회로 칩의 제조동안 성취되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
6. 제 4항에 있어서, 더 낮은 전압 파괴 특성이 반도 소자(T10)의 하나 또는 그 이상의 잔류자에서 다른 도펀트를 상기의 반도체 소자(T8)에 이용함으로써 집적 회로 칩의 제조동안 성취되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
7. 제 4항에 있어서, 더 낮은 전압 파괴 특성이 반도체 소자(T10)의 상기 하나 또는 그 이상의 잔류자에 대응하여 마스크의 다른 중복이 상기의 반도체 소자(T8)에서 발생하도록 설계를 조정함으로써 집적 회로 칩의 제조동안 성취되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
8. 제 4항 내지 제 7항중 어느 한항에 있어서, 모든 회로망이 같은 집적 회로 칩상에 조립되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
9. 선행항중 어느 한항에 있어서, 전류 검출기 회로(17)가 하나의 공급선 (10/13)에서 흐르는 전류에 응답하여 제공되고, 공급선(10/13)에 과대 전류 흐름의 검출에 따라 비전도 상태로 스위칭 트랜지스터(T1)를 트리거시키는데 효과적인 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
10. 선행항중 어느 한항에 있어서, 스위칭 트랜지스터(T1)가 리서프 원리에 따라 조립되고, 각각의 검출기 회로(16, 17) 및 제어 회로⒂와 함께 공통 반도체 칩 상에서 집적되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
11. 제 10항에 있어서, 스위칭 트랜지스터(T1)가 집적 회로 구조상에서 결합 패드에 접속된 공급 배선을 경유하여 제공된 고전압 입력을 가지고 있고, 이러한 트랜지스터는 패드를 둘러싸고 있는 층에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
12. 선행항중 어느 한항에 있어서, 스위칭 트랜지스터(T1)는 트리거링 전압원과 결합된 게이트(G)를 가진 전계효과 형이고, 그러한 스위칭 트랜지스터의 소스 경로에 대한 드레인은 하나의 공급선(10/13)과 직렬로 접속되고 상기 반도체 소자(T8)의 드레인 소스 경로와 직렬로 저항기(R4)를 경유하여 다른 공급선(11/14)에 결합되며, 제어 회로는 스위칭 트랜지스터(T1)의 소스(S)와 게이트(G)사이에 접속된 퇴화한 다이리스터(T2, R2, T3, R3)를 포함하며, 전압 검출기 회로는 트랜지스터(T5)를 보유하고 있고, 그러한 트랜지스터의 에미터 콜렉터 경로는 다이리스터의 트리거링 입력과 상기의 반도체 소자에 직렬로 접속되며, 그러한 트랜지스터의 베이스는 과대 전압이 존재할때 상기의 반도체 소자에 의해 유도된 전류가 트랜지스터 (T5)를 스위치시키고 다이리스터를 전도 상태로 트리거시키며 스위칭 트랜지스터 (T1)가 비전도 상태로 트리거되게 해주는 상기의 반도체 소자로부터 떨어져 있는 저항(R4)의 단부에 결합되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
13. 제 1항 내지 제 11항중 어느 한항에 있어서, 스위칭 트랜지스터는 전압원과 결합된 게이트(G)를 가진 전계효과 형이고, 그러한 스위칭 트랜지스터의 소스 경로에 대한 드레인은 하나의 공급선(10/13)과 직렬로 접속되고, 제어 회로는 스위칭 트랜지스터(T1)의 소스(S)와 게이트(G)사이에 접속된 퇴화한 다이리스터(T2, R2, T3, R3)를 포함하며, 반도체 소자는 과대 전압이 존재할때 유도된 전류가 다이리스터를 전도 상태로 트리거시키고, 스위칭 트랜지스터 (T1)를 비전도 상태로 트리거되게 해주는데 효과적인 다른 공급선과 다이리스터의 트리거링 입력 사이에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
14. 제 12항 또는 제 13항에 있어서, 상기의 반도체 소자가 전계효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
15. 제 9항에 종속항일때 제 12,13, 또는 제 14항에 있어서, 전류 검출기 회로(17)가 공급선(10/13)에서 스위칭 트랜지스터(T1)와 직렬로 접속된 저항기(R1)를 포함하고 있으며, 제 2저항기(R1)의 스위칭 트랜지스터 측면상에 공급선(10/13)과 결합된 베이스와, 제 2저항기(R1)의 반대 측면에 공급선과 결합된 에미터와, 저항기(R1)를 통하여 과대 전류가 트랜지스터(T7)를 전도 상태로 트리거시키고 스위칭 트랜지스터(T1)가 비전도 상태로 트리거되게 해주는 다이리스터⒂의 트리거링 입력에 결합된 콜렉터를 가지고 있는 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 회로.
16. 교류 전류원에 대해 한쌍의 입력선(20, 21)으로 부터 공급된 정류기 회로(23)와 전압 클램프의 조합에서, 이러한 클램프와 정류기 회로(23)가 선행항중 어느 한항에서 청구된 바와 같이 반도체 회로(25)에 공급되는 것을 특징으로 하는 직류 전류 전력 공급 회로.
17. 형광 튜브의 조합에서 제 16항과 같이 청구된 바와 같은 직류 전류 전력 공급(23, 25)과 스위치된 모드 전력 변환기(26)로 특징지어지는 형광 램프 유니트.
18. 제 17항에 있어서, 전력 변환기와 직류 전류 전력 공급(23, 25)이 제거 가능한 형광 튜브를 수신하도록 조정된 램프 소켓 또는 조명기구로 협조되는 것을 특징으로 하는 형광 램프 유니트.
19. 제 18항에 있어서, 튜브(27), 전력 변화기(26) 및 직류 전류 전력 공급(23, 25)이 백열기구용 소켓과 전기적 결합을 제거할 수 있도록 허용해주는 접속기 부분(31)과 함께 설치된 하우징(33)에서 협조되는 것을 특징으로 하는 형광 램프 유니트.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.