JPH02214415A - 超過電圧防護回路を持つ半導体回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は超過電圧防護回路を持つ半導体回路に関するも
ので、さらに正確にいえば商用交流電源を整流した電源
により操作される回路中に半導体を集積するのに適した
上記の回路に関する。

本発明は在来形の白熱灯の代替を意図した小形蛍光灯に
給電するための要求条件の考察からもたらされたものだ
が、その他の用途にも応用され、そのような蛍光灯の実
例はＳＬ型とかＰＬ型と呼ばれるものである。そのよう
な蛍光灯は、例えば入力フィルタ、クランプ回路、整流
器等を介して商用電源から直接に操作されることが要求
される。

（解決しようとする課題〕 そのような回路には、商用電源が実効値２３０ボルトだ
けではなく６０％にも達する電圧変動とキロボルト、キ
ロアンペア規模の過渡変動とを伴うという問題がある。

小型化及び原価低減の観点から、蛍光灯の駆動回路は集
積回路工程により製造されるのが望ましく、従って該回
路は実効値２３０ボルトより高い電圧に耐えられるもの
でなければならない。

商用電源から供給される電圧は、比較的安価なやり方で
、電源に直列に抵抗（１０オーム）を、さらにそれに続
けて電圧に依存する抵抗クランプを次の回路の入力点の
両端に用いて、最大７５０ボルトに制限することができ
る。だが、７５０ボルトで操作可能なトランジスタを製
造することはできるが、それを集積化された形で与える
ことは難しい。

そこで、かなりの程度の防護を行う１つのやり方は、電
圧をある基準電圧と比較し、その比較に依存して適切な
対応をする、例えば過剰電圧が消失するまで供給を中断
する等である。そのような回路の量産過程で適切な防護
を実現するためには、構成素子の公差の最悪の場合を考
慮しておき、それによって、ブレークダウン電圧とかス
イッチオフ特性とか基準電圧というような特定の行動に
対して分布曲線の最底にある構成素子でも正しく動作す
るように、回路を設計する必要がある。従って、電源は
多くの場合、必要であるより低い超過電圧でも防護が働
き、本来望ましい回数よりさらに頻繁に中断される。こ
れは、大きな電圧変動が起こり得るシステムであって、
且つ出来るだけ長（動作を続けることが望ましいという
場合に特に問題である。蛍光灯照明システムの場合には
、電源の中断は、例えそれが交流の半サイクルの時間で
あっても、ちらつきを生じさせる可能性があるから特に
問題である。それ故、本発明は、電源の限定を可能とし
、且つ電源に対して不必要なスイッチオフを避けるよう
な防護回路を持つ半導体回路の提供を探究しようとする
ものである。

〔課題解決の手段〕

本発明によれば、直流供給線と超過電圧防護回路とを持
つ半導体回路において、該防護回路は、一方の供給線に
直列に接続している切換えトランジスタと、供給線に結
合する電圧検出回路に応答し、また超過電圧を検出した
ら切換えトランジスタを非導通状態に起動させる機能を
持つ制御回路とを有して成り、該電圧検出回路は半導体
素子を有し、該半導体素子はその他の１つ又はそれ以上
の半導体素子に相関のある電圧ブレークダウン特性を持
ち、また該その他の１つ又はそれ以上の半導体素子にブ
レークダウンを起こさせる電圧よりは低い再供給線間の
電圧に応じてブレークダウンへと駆り立てられるように
なっており、さらに又、半導体素子のブレークダウンの
始まりにおいて流れる増加した電流は制御回路をして切
換えトランジスタを非導通状態に起動させるように機能
することを特徴とする半導体回路が提供される。

かような半導体回路を使用することにより、回路内の上
記１つ又はそれ以上のその他の半導体素子に先立って常
に起こるであろう素子のブレークダウンの可能性を感知
することにより、半導体回路がブレークダウンに対して
防護されることができる。

本発明の１つの形体においては上記半導体素子は、上記
１つ又はそれ以上のその他の半導体素子と同じブレーク
ダウン特性を持つが、再供給線間に生起する電圧にさら
に上乗せした電圧にさらされ、従って上記１つ又はそれ
以上のその他の半導体素子よりも高い電圧にさらされる
ように配置されている。

上記半導体素子及び上記１つ又はそれ以上のその他の半
導体素子は、単一の集積回路チップ上に構築されるのを
好適とする。

電圧ブレークダウン特性は、集積回路チップの製造過程
で、上記１つ又はそれ以上のその他の半導体素子におい
てとは異なるドーピング濃縮を上記半導体素子において
導入することにより、または上記半導体素子においては
上記１つ又はそれ以上のその他の半導体素子においてと
は異なるドーピング材（ｄｏｐａｎｔ）を使用すること
により、あるいはまた、上記１つ又はそれ以上のその他
の半導体素子に関連する上記半導体素子に対してはマス
クの異なるオーバラップが起こるようなレイアウトを採
用することにより実現している。すべての回路が同一の
集積回路チップ上に構築されるのが理想的である。

好適な回路構築の一例としては、切換えトランジスタは
電界効果型のトランジスタで、そのゲ−トは起動電圧源
に結合しており、そのドレインからソースへの経路は供
給線の一方に直列に、またもう一方の供給線には抵抗及
びこれに直列な上記半導体素子のドレ、イン・ソース経
路を介して結合しており、また、制御回路は切換えトラ
ンジスタのゲートとソースとの間に接続される縮退サイ
リスタを有しており、さらにまた、電圧検出回路は１つ
のトランジスタを含んでおり、１亥トランジスタのエミ
ッタ・コレクタ経路は上記半導体素子とサイリスタの起
動入力点とに直列に接続し、該トランジスタのベース電
極は抵抗の上記半導体素子からは遠い方の端に結合して
おり、以上によって、超過電圧があるときは、上記半導
体素子により取り出される電流が該トランジスタを切換
えてサイリスタを導通するよう起動し、切換えトランジ
スタを非導通状態に起動させる。

また別の回路構築の一例としては、切換えトランジスタ
は電界効果型のトランジスタで、そのゲートは電圧源に
結合しており、そのドレインからソースへの経路は供給
線の一方に直列であり、また、制御回路は切換えトラン
ジスタのゲートとソースとの間に接続される縮退サイリ
スタを有しており、半導体素子はサイリスタの起動入力
点ともう一方の供給線との間に接続しており、以上によ
って、超過電圧があるときは、それによって流れる電流
はサイリスタを導通するよう起動させるべく機能し、切
換えトランジスタを非導通状態に起動させる。

〔実施例〕

以下、本発明及びその様々な特徴が容易に理解されるよ
う、いくつかの実施例を図面を用いて説明する。

第１図の電圧防護回路は、整流された交流商用電源に接
続するための１対の入力線１０．１１を持つ。

一方の入力線１０は、図ではＩＪＭＯ５型で示されてい
る切換えトランジスタＴ１と抵抗Ｒ１とダイオードＤＩ
とを経て出力端子１３に接続し、もう一方の入力線１１
は出力端子１４に直接接続する。トランジスタＴ１のソ
ース電極は、抵抗Ｒ４及び１対の電界効果トランジスタ
Ｔ８、Ｔ９の直列に接続されたドレイン／ソース経路を
経て、供給線１１／１４に接続する。トランジスタＴ９
は低いゲート・ソース電圧（例えばしきい値より０．５
ボルト高い）による低電、流レベルでバイアスされ、ま
たトランジスタＴ９はツェナー・ダイオードＺ４でフ゛
リッジされ、＝亥・ツェナー・ダイオードの陽極が入力
線１１に接続している。トランジスタＴ１のゲート／ソ
ース経路は制御回路１５によりブリッジされ、該制御回
路１５は縮退サイリスタ回路により形成され、この例で
は該縮退サイリスタ回路はｐｎｐ　トランジスタＴ２を
有し、該トランジスタＴ２のエミッタはＴ１のゲートに
結合し、コレクタは抵抗Ｒ２を経てＴ１のソースに結合
し、ベースは該サイリスタ回路のｎｐｎ　）ランジスタ
Ｔ３のコレクタに結合する。トランジスタＴ３もまたそ
のコレクタは抵抗Ｒ３を経てＴ１のゲート電極に結合し
、エミッタはＴ１のソース電極に結合する。トランジス
タＴ１のゲート電極は、阻止ダイオードＤ２を経て電界
効果トランジスタＴ４のドレインに結合し、該トランジ
スタＴ４のソースは１５ボルト供給線に結合する。

供給線１０／１３に結合して１０から給電されている回
路は、整流された商用交流電源と共に電圧が上下に浮動
する。［・ランジスタＴ４は、遠隔信号源又は手動スイ
ッチからトランジスタＴ４のゲートに与えられる制御信
号に応じて、トランジスタ↑１をスイッチ・オンするの
に用いられる。正常の状態では、Ｔ４はオンとするよう
になっており、Ｔ１のゲートＧへの電圧として１５ポル
トを与え、サイリスタ回路はオフとする。

抵抗Ｒ４とｎｐｎ　トランジスタＴ５を有する電圧検出
回路１６が設けられ、該トランジスタＴ５のベース電極
は、抵抗Ｒ４がＴ１のソース電極に接続しているのと同
じ側で抵抗Ｒ４に接続し、トランジスタＴ５のエミッタ
電極は抵抗Ｒ４のもう一方の側に接続する。

トランジスタＴ５のコレクタ電極はサイリスタ回路のト
ランジスタＴ３のコレクタ電極に結合する。供給線１０
／１３上の電圧がＴ８のブレークダウン電圧より長くな
ると、Ｒ４を通る電流によってＴ５がスイッチ・オンと
され、Ｒ３を通る電流がＴ１の電荷を放電するサイリス
タを起動してトランジスタ↑１をスイッチ・オフし、入
力電圧のピークに応じて出力電圧が立ち上がるのを防止
する。

サイリスタをオンにスイッチしてＴ１をオフに切り換え
るために、切換え入力点１８が設けられてトランジスタ
Ｔ８のゲート電極に接続している。遠隔供給されるか又
は機械的スイッチ経由で与えられるかしたＴ８のゲート
電極上の制御信号に応じて、トランジスタＴ８がスイッ
チ・オンされ、それがＲ４を通る電流を増加させてトラ
ンジスタＴ５をスイッチ・オンさせ、それによりサイリ
スタをスイッチ・オンとするよう起動させてトランジス
タＴＩがスイッチ・オフとなる。Ｔ１のゲートからソー
スへの電圧は、Ｔ４及びＴ８のゲートへそれぞれ適正な
ゲート電圧を与えることにより、商用電源のＯ交点にお
いて復旧され得る。

また、抵抗Ｒ１と組み合わせたｎｐｎ　）ランジスタＴ
７を有する出力電流検出回路１７が設けられ、Ｔ７のベ
ースはＲ１のトランジスタＴＩと結合する側に接続し、
Ｔ７のエミッタはＲ１のもう一方の側に接続し、Ｔ７の
コレクタはＴ３のコレクタ上のサイリスタの起動入力点
に接続する。Ｒ１を通る電流がその両端の電圧を、Ｔ７
が導通へと起動するのに十分なまでに高めると、それに
よりサイリスタが起動するようになり、Ｔ１がスイッチ
・オフとなる。

トランジスタＴ４には整流された交流入力電圧から得ら
れた１５ボルトが供給される。この目的のためにツェナ
ー・ダイオードＺ２とこれに並列の平滑化コンデンサＣ
１とが７４のソースと接地基準線との間に接続される。

トランジスタＴ４のソースはツェナー・ダイオードＺ２
から直接に供給される。ＴＩがスイッチ・オフのとき（
例えば立ち上り中）に入力点１０から出力点１３へ若干
の電流を供給するため、抵抗Ｒ６（例えば１０キロオー
ム）がＴ１のドレインとソースとの間に接続される。

サイリスタとそれに続く回路を過電圧から防護するため
にトランジスタ回路Ｔｌのゲートとソースとの間に、例
えば２２ボルトのツェナー・ダイオードＺ３を接続する
こともある。

この実例においては出力端子１３．１４は、電界効果ト
ランジスタＴ１０とＴｌｌ　とで形成される半ブリツジ
回路に接続する。これらのトランジスタはトランジスタ
Ｔ８と類似であって、それより高いが相関するブレーク
ダウン特性を持っている。これによって、トランジスタ
Ｔ８はより早くブレークダウンのオンセ・ントに達して
防護を実現させることができる。

第２図の回路は第１図のそれと極めて類似であって、同
様のコンポネントには同一の引用番号を用いている。第
２図ではトランジスタＴ５と抵抗Ｒ４とが除外されてい
る。トランジスタＴ８のドレイン電極はトランジスタＴ
３のコレクタ電極に直接接続する。この構造ではサイリ
スタがオフのとき、トランジスタＴ８は供給線１０／１
３上の電圧より約１５ボルト高い電圧にさらされる。こ
のことはＴ１０やＴｌｌと同じタイプのトランジスタが
Ｔ８として用いられることを可能とし、かようにしてそ
れらのブレークダウン電圧をほぼ等しいものとして相関
づけられる。しかし、Ｔ８が大きい電圧にさらされてい
るという観点からは、Ｔ１０やＴｌｌよりＴ８の方が早
くブレークダウンに近づくことになり、従ってブレーク
ダウンの警告が早めに与えられることになる。

もしＴ８がブレークダウンして、Ｔ１が未だスイッチ・
オフされないうちに入力点の電圧が増加するなら、その
電圧の上昇はＴ８のソースで感知される。

第１図、第２図の回路は共に半ブリツジ回路に供給する
ようになっているが、その他の回路に供給しても、使用
されている半導体部材が防護用素子Ｔ８と相関していれ
ば、相関する防護を与えることができる。特に有利な応
用分野としては、ランプのちらつきを避けるためオフ゛
・タイムを最小にする必要がある小形蛍光灯に切換モー
ドで電源を供給する場合がある。

本発明の基本原理は必ずしもＴ８を電界効果トランジス
タとする必要はないので、その他のどんな半導体部材で
も、それに続く１つ又はそれ以上の半導体部材と相関す
るブレークダウン特性を持つものが用いてあればよいの
である。

第１図、第２図の回路では特定の極性をもつタイプのト
ランジスタで構成されているが、極性が逆のタイプのト
ランジスタを用いても同じような回路を作ることができ
、そのような回路配置も本発明の範囲に入る。

上述の回路の特別の利点は、Ｔ１については側面ＤＭＯ
Ｓトランジスタを形成するためリサーブ（ｒｅｓｕｒｆ
）原理を用いると共に、制御及び検出回路にはブレーク
ダウン電圧が更に低い［垂直ＤＭＯＳトランジスタ」等
を用いて、集積回路上に構築できることである。リサー
ブ原理及びその応用に関しては、１９７９年国際デバイ
ス会議発表論文集（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ　　　
ｔｈｅ　　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　　Ｄｅｖｉｃ
ｅｓ　　Ｍｅｅｔｉｎｇ　　１９７９）第２３８−４１
頁、１９８０年同論文集第８７−９９頁、１９８２年同
論文集第８１−８３頁に記載されている。更に詳しいこ
とは、本出願人による英国特許第２０１３０２９８号、
第２０２６３３９Ｂ号、第２０２６２４０Ｂ号に記載さ
れている。

第３図は、第１図又は第２図の回路を集積回路化したも
のの一部の断面図であって、トランジスタＴＩが、リサ
ーブ効果をもって動作するよう、どのように構築されて
いるかを示す。このトランジスタＴｌは、整流された交
流入力により与えられるピーク電圧の変動のすべてを通
さなければならない唯一のトランジスタで、そのドレイ
ン電極りだけが該電圧で電気的接続を持っている。そん
な電圧を通す導体をチップ上に設けることは困難だから
、リサーブ原理によってパッドを有するドレイン電極り
を設けることが許され、導電線は該パッドに直接接続さ
れる。この導電線が第１図、第２図に示す入力点１０を
形成する。それ以外のすべての回路に対しても極端なブ
レークダウン電圧を与えることはやはり不利である。

第４図は本発明のまた別の実施例を示し、この場合は商
用交流から電源を取り込む高圧電力供給部に防護回路が
設けられる。該電力供給部は１対の入力端子２０．２１
を持ち、それによって電圧クランプ及び整流回路２３を
商用交流電源へ接続する。

電圧クランプは抵抗ＲＯと電圧に依存する抵抗ＶＤＲと
の直列配置により形成され、抵抗νＤＲは実線で示すよ
うに整流回路Ｒの出力点と並列にか、又は破線で示すよ
うに整流回路Ｒの入力点と並列に接続することができる
。そのどちらにするかは、適切な防護素子と集積化工程
の相対価格に依存する。

電圧クランプからの出力点は、第１図ないし第３図に関
連して述べたようにフィルタを経由して防護回路２５に
結合する。あるいはまた、フィルタ回路は整流回路の前
に接続することもできる。防護回路の出力点は切換えモ
ード電力供給部２６に接続し、その出力点は負荷り例え
ば蛍光ランプに接続する。既に述べたように、防護回路
２５は半導体チップ上に構築することができ、これと回
路２３及び回路２６の残りの部分とは小形蛍光灯ランプ
の筐体内に管それ自身と共に格納できる。このような配
列はその概略が第５図に示されているが、これは蛍光ラ
ンプ・ユニットの側面図で、該ランプを白熱球と同様に
ソケットに着脱できる突起コネクタ３１を持つ基底部３
０を有している。この基底部ユニットは第１図ないし第
４図に関して述べた回路を含み、蛍光管２７は該回路に
対して負荷を形成し、筐体３３内に含まれている。

蛍光ランプに対する供給回路は、着脱可能な蛍光管を搭
載するのに適したランプ・ソηット内に設けてもよい。

以上の記述の後段では半導体回路を専ら小形蛍光灯ラン
プに設けるものとして説明したが、本発明はその他の適
用分野、例えば フェライト変圧器に給電するため１次電圧を与えるのに
適した電子ブリッジ回路、 低電力モータに適したブリッジ回路、 高電力モータの離散形トランジスタ用の制御電子部材、 髭剃り器、 再充電できるニッケル・カドミウム電池のようなバッテ
リのための充電器 等に給電するのにも応用できることは当然である。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明による電圧防護回路をもつ半導体回路の
１つの実施例の概略回路図であり、第２図は本発明によ
る電圧防護回路をもつ半導体回路の２つ目の実施例の概
略回路図であり、第３図は第１図又は第２図の回路の切
換えトランジスタを形成する二重動作リサーフ構造を示
す集積回路チップの一部の断面図であり、第４図は本発
明の別の面による電圧防護回路をもつ半導体回路のある
特定の応用を説明する概略図であり、 第５図は電圧防護回路をもつ半導体回路を格納している
蛍光灯ランプ・ユニットの側面図である。 １０．１１・・・直流入力端子　１３．１４・・・出力
端子１５・・・制御回路（縮退サイリスタ）１６・・・
電圧検出回路　　　１７・・・電流検出回路１８・・・
切換え入力点　　　０１，０２・・・ダイオードＲ１，
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ６・・・抵抗Ｔ１・・・切換えト
ランジスタ（例えばＮＨＯ２型）Ｔ２・・・ρｎｐ）ラ
ンジスタ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、直流供給線（１０／１３、１１／１４）と超過電圧
   防護回路とを持つ半導体回路において、 該防護回路は、一方の供給線（１０／１３）に直列に接
   続している切換えトランジスタ（Ｔ１）と、供給線（１
   ０／１３）に結合する電圧検出回路（１６）に応答し、
   超過電圧を検出したら切換えトランジスタ（Ｔ１）を非
   導通状態に起動させる機能を持つ制御回路（１５）とを
   有して成り、 該電圧検出回路は半導体素子（Ｔ８）を有し、該半導体
   素子（Ｔ８）はその他の１つ又はそれ以上の半導体素子
   （Ｔ１０）に相関のある電圧ブレークダウン特性を持ち
   、また該その他の１つ又はそれ以上の半導体素子（Ｔ１
   ０）にブレークダウンを起こさせる電圧よりは低い両供
   給線（１０／１３、１１／１４）間の電圧に応じてブレ
   ークダウンへと駆り立てられるようになっており、さら
   に又、半導体素子（Ｔ８）のブレークダウンの始まりに
   おいて流れる増加した電流は制御回路（１５）をして切
   換えトランジスタ（Ｔ１）を非導通状態に起動させるよ
   うに機能することを特徴とする半導体回路。 ２、上記半導体素子（Ｔ８）は上記その他の１つ又はそ
   れ以上の半導体素子（Ｔ１０）と同じブレークダウン特
   性を持つが、両供給線間に生起する電圧にさらに上乗せ
   した電圧にさらされ、従って上記１つ又はそれ以上のそ
   の他の半導体素子（Ｔ１０）よりも高い電圧にさらされ
   るように配置されていることを特徴とする請求項１に記
   載の半導体回路。 ３、上記半導体素子（Ｔ８）は上記その他の１つ又はそ
   れ以上の半導体素子（Ｔ１０）よりも低い電圧ブレーク
   ダウン特性を持つよう配置されていることを特徴とする
   請求項１に記載の半導体回路。 ４、上記半導体素子（Ｔ８）と上記その他の１つ又はそ
   れ以上の半導体素子（Ｔ１０）とは単一の集積回路チッ
   プ上に構築されていることを特徴とする請求項３に記載
   の半導体回路。 ５、低い方の電圧ブレークダウン特性は、集積回路チッ
   プの製造過程で、上記１つ又はそれ以上のその他の半導
   体素子（Ｔ１０）においてとは異なるドーピング濃縮を
   上記半導体素子（Ｔ８）において導入することにより実
   現していることを特徴とする請求項４に記載の半導体回
   路。 ６、低い方の電圧ブレークダウン特性は、集積回路チッ
   プの製造過程で、上記半導体素子（Ｔ８）においては上
   記１つ又はそれ以上のその他の半導体素子（Ｔ１０）に
   おいてとは異なるドーピング材を使用することにより実
   現していることを特徴とする請求項４に記載の半導体回
   路。 ７、低い方の電圧ブレークダウン特性は、集積回路チッ
   プの製造過程で、上記１つ又はそれ以上のその他の半導
   体素子（Ｔ１０）に関連する上記半導体素子（Ｔ８）に
   対してはマスクの異なるオーバラップが起こるようなレ
   イアウトを採用することにより実現していることを特徴
   とする請求項４に記載の半導体回路。 ８、すべての回路が同一の集積回路チップ上に構築され
   ることを特徴とする請求項４ないし７のうちのいずれか
   １項に記載の半導体回路。 ９、電流検出回路（１７）が設けられ、これは一方の供
   給線（１０／１３）に流れる電流に応答して超過電流を
   供給線（１０／１３）中に検出したら切換えトランジス
   タ（Ｔ１）を非導通状態に起動させる機能を持つことを
   特徴とする請求項１ないし８のうちのいずれか１項に記
   載の半導体回路。 １０、切換えトランジスタ（Ｔ１）はリサーフ原理によ
   り構築され、制御回路（１５）や各検出回路（１６、１
   ７）と共通の半導体チップ上に集積化されていることを
   特徴とする請求項１ないし９のうちのいずれか１項に記
   載の半導体回路。 １１、切換えトランジスタ（Ｔ１）は供給線を介して与
   えられる高電圧入力点を持ち、該入力点は集積回路構造
   の上の結合パッドに接続し、該トランジスタはパッドを
   取り囲む層により形成されていることを特徴とする請求
   項１０に記載の半導体回路。 １２、切換えトランジスタ（Ｔ１）は電界効果型のトラ
   ンジスタで、そのゲート（Ｇ）は起動電圧源に結合して
   おり、そのドレインからソースへの経路は供給線の一方
   （１０／１３）に直列に、またもう一方の供給線（１１
   ／１４）には抵抗（Ｒ４）及びこれに直列な上記半導体
   素子（Ｔ８）のドレイン・ソース経路を介して結合して
   おり、また、制御回路は切換えトランジスタ（Ｔ１）の
   ゲート（Ｇ）とソース（Ｓ）との間に接続される縮退サ
   イリスタ（Ｔ２、Ｒ２、Ｔ３、Ｒ３）を有しており、さ
   らにまた、電圧検出回路は１つのトランジスタ（Ｔ５）
   を含んでおり、該トランジスタのエミッタ・コレクタ経
   路は上記半導体素子とサイリスタの起動入力点とに直列
   に接続し、該トランジスタのベース電極は抵抗（Ｒ４）
   の上記半導体素子からは遠い方の端に結合しており、以
   上によって、超過電圧があるときは、上記半導体素子に
   より取り出される電流が該トランジスタ（Ｔ５）を切換
   えてサイリスタを導通するよう起動し、切換えトランジ
   スタ（Ｔ１）を非導通状態に起動させて成ることを特徴
   とする請求項１ないし１１のうちのいずれか１項に記載
   の半導体回路。 １３、切換えトランジスタは電界効果型のトランジスタ
   で、そのゲート（Ｇ）は電圧源に結合しており、そのド
   レインからソースへの経路は供給線の一方（１０／１３
   ）に直列であり、また、制御回路は切換えトランジスタ
   （Ｔ１）のゲート（Ｇ）とソース（Ｓ）との間に接続さ
   れる縮退サイリスタ（Ｔ２、Ｒ２、Ｔ３、Ｒ３）を有し
   ており、半導体素子はサイリスタの起動入力点ともう一
   方の供給線との間に接続しており、以上によって、超過
   電圧があるときは、それによって流れる電流はサイリス
   タを導通するよう起動させるべく機能し、切換えトラン
   ジスタ（Ｔ１）を非導通状態に起動させて成ることを特
   徴とする請求項１ないし１１のうちのいずれか１項に記
   載の半導体回路。 １４、上記半導体素子は電界効果トランジスタであるこ
   とを特徴とする請求項１２又は１３に記載の半導体回路
   。 １５、電流検出回路（１７）が設けられ、これは一方の
   供給線（１０／１３）に流れる電流に応答して超過電流
   を供給線（１０／１３）中に検出したら切換えトランジ
   スタ（Ｔ１）を非導通状態に起動させる機能を持って成
   る半導体回路において、 該電流検出回路（１７）は、供給線（１０／１３）中に
   切換えトランジスタ（Ｔ１）と直列に接続している抵抗
   （Ｒ１）を有し、また１つのトランジスタ（Ｔ７）を有
   し、該トランジスタ（Ｔ７）のベース電極は抵抗（Ｒ１
   ）の切換えトランジスタ側において供給線（１０／１３
   ）に結合し、そのエミッタ電極は抵抗（Ｒ１）の切換え
   トランジスタとは反対側において供給線に結合し、その
   コレクタ電極はサイリスタ（１５）の起動入力点と結合
   し、以上によって、抵抗（Ｒ１）を通る超過電流がトラ
   ンジスタ（Ｔ７）を導通するよう起動し、切換えトラン
   ジスタ（Ｔ１）を非導通状態に起動させて成ることを特
   徴とする請求項１２ないし１４のうちのいずれか１項に
   記載の半導体回路。 １６、交流電源として１対の入力線（２０、２１）から
   給電される電圧クランプと整流回路との組み合わせ（２
   ３）が、請求項１ないし１５のうちのいずれか１項に記
   載の半導体回路（２５）に給電することを特徴とする直
   流電力供給回路。 １７、蛍光管（２７）と切換えモード電力変換器（２６
   ）と請求項１６に記載の直流電力供給部（２３、２５）
   との組み合わせであることを特徴とする蛍光灯ランプ・
   ユニット。１８、蛍光管（２７）と電力変換器（２６）
   と直流電力供給部（２３、２５）とが、白熱灯電球用の
   ソケットに着脱可能な電気的結合を許すコネクタ部 （３１）を具備した筐体（３３）内に格納されているこ
   とを特徴とする請求項１７に記載の蛍光灯ランプ・ユニ
   ット。 １９、電力変換器と直流電力供給部（２３、２５）とが
   、着脱可能な蛍光管を搭載するのに適したランプ・ソケ
   ット内に格納されていることを特徴とする請求項１７に
   記載の蛍光灯ランプ・ユニット。