KR900010932A - 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

스퍼터링 타겟 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 기판 중심으로 부터의 거리와 본 발명의 실시예(18)와 참조 실시예(16)에 따라 제조된 스퍼터링 타겟을 사용하여 스퍼터링시킴으로써 성형된 각각의 얇은 필름의 시트 저항과의 관계를 도시한 그래프, 제2도는 기판의 중심으로 부터의 거리와 실시예(19) 및 비교 실시예(17)에 따른 각각의 얇은 필름의 시트 저항과의 관계를 도시한 그래프, 제3도는 기판 중심으로 부터의 거리와 실시예(20) 및 비교 실시예(18)에 따른 각각의 얇은 필름의 시트 저항과의 관계를 도시한 그래프.

Claims (14)

  1. MSix조성으로 되어있는 내열성 금속 실리 사이드로 만들어진 스퍼터링 타겟에 있어서, 상기 MSix는 입자형태로 된 MSi2상과 매트릭스상으로 된 Si상으로 구성되어있고, M은 텅스텐, 몰리브데늄, 티타늄, 지르코늄, 하프눔, 니오붐 및 탄탈륨 중에서 선택된 적어도 하나의 내열성 금속이며, 두께가 선정되어있는 접촉층이 MSi2상과 Si상 사이에 존재하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  2. 제1항에 있어서, 조성식 MSix의 x 값이 2와 4 사이의 값인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  3. 제1항에 있어서, MSix상과 Si 상 사이의 접촉면에 형성된 접촉층의 두께가 100Å과 5000Å 사이인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  4. 제1항에 있어서, 조성식 MSix의 공간적인 분산이 Si/M 원자비에서 ±0.05의 범위 이내이고, 그리고 타겟의 밀도비가 99% 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  5. 제1항에 있어서, Si상이 B,P,Sb 및 As 중에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하고 있고 0.01내지 1Ω·cm의 저항율을 가진 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  6. 제1항에 있어서, 중심선 거칠기(Ra)로 표시된 스퍼터링타겟 표면의 거칠기가 0.05μm이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링타겟.
  7. 제1항에 있어서, 타겟 표면의 잔류 압축응력이 5kg/mm2이하인 것을 특징으로하는 스퍼터링 타겟.
  8. 제1항에 있어서, 판의 형태로 되어있고 조성식 MSix로 된 내열성 금속 실리사이드로 형성되어 있으며, x값이 타겟의 주변부에서부터 중심쪽으로 향해 증가하도록 조성분포를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링타겟.
  9. 제1항에 있어서, 조성식 MSix의 x값이 2.0과 4.0사이에서 연속적으로 변화되게 조성되어있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
  10. 제1항에 있어서, 조성식 MSix로된 내열성 금속 실리사이드로 형성되어있고, x 값이 2.0과 4.0 사이의 값이 되고 그리고 스퍼터링에 의해 침식된 영역에서부터 주변부 쪽으로 계속적으로 감소되게된 조성분포를 가진 것을 특징으로 하는 스퍼터링타겟.
  11. 입자형태로된 MSi2로 상의 조성을 가진 내열성 금속 실리사이드로 만들어져 있고, 상기 M이 W, Mo, Ti, Zr, Hf, Nb 및 Ta 중에서 선택된 하나 이상의 내열성 금속이고 Si 매트릭스 상에 분산되어지며, MSi2상과 Si상 사이의 접촉면에 접촉층이 형성되어있는 것으로 된 스퍼터링 타겟을 제조하는 방법에 있어서, (가) M 파우더와 Si파우더를 Si/M 원자비 2.0과 4.0사이의 값으로 혼합하여 혼합파우더를 만드는 단계, (나) 모울드에 혼합 파우더를 넣어 고진공상태에서 고압으로 신속하게 가열시켜 MSi2상이 합성되는 압분체를 만드는 단계, 그리고 (다) 고압하의 저 진공상태나 불활성 가스 분위기속에서 공융온도 바로 밑의 온도로 가열시켜 압분체를 소결시키는 단계로 구성되어있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 조성식 MSix의 공간적인 분산은 Si/M 원자비에서 ±0.05의 범위 이내가 되게하고, 타겟의 밀도비는 99% 이상이 되게 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제11항에 있어서, 단계(나)중에서 모울드에 들어있는 혼합 파우더의 중심부가 급속히 가열되게 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제11항에 있어서, 단계(나) 중에서 내열성 금속 M 파우더와 Si파우더를 혼합하여 적어도 두가지의 혼합비율이 다른 혼합 파우더로 만들고, Si의 함유량이 더 많은 혼합 파우더를 모울드의 중앙부에 넣고 Si의 함유량이 작은 혼합 파우더를 모울드의 주변부에 넣는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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