KR900005185B1 - 디메틸디클로로실란의 직접합성방법 - Google Patents
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Abstract
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Description
본 발명은 디메틸디클로로실란의 직접합성을 위한 직접합성을 위한 방법 및 촉매에 관한 것이다.
오르가노클로로실란, 특히 디메틸디클로로실란(이하 "DMCS"라 한다)의 제조를 위한 공업적 방법은 미합중국 특허 제 2,380,995호, 하기의 참조문헌에 개시된 공지의 방법이다[참조문헌 : Walter NOLL, Chemistry and Technolgy of Silicones, P 26-41, Academic Press Inc., (1968)].
이러한 소위 "직접합성" 또는 "로코우(Rochow)합성" 방법에 따르면, 오르가노 클로로실란, 특히 DMCS는 다음 반응에 따라 촉매로서 구리의 존재하에 고체 실리콘 상위에 염화메틸을 반응시켜 직접 제조된다 :
그러나, 실제로는 반응에 따라서 직접합성중에 다른 생성물, 특히 CH3Cl3Si(이하 "MTCS"라 한다) 및 (CH3)3ClSi(이하 "TMCS"라 한다)이 생성된다.
또한, 예를 들어 MeHSiCl2및 Me2SiCl 그리고 폴리실란 특히 디살란인 비-휘발성 생성물 등의 다른 부산물도 생성된다.
적접합성 방법에 의해 얻어진 생성물 중에서 DMCS가 가장 주목되고 있다. 본 생성물로부터 가수분해 및 중합 반응후에 실리콘 제조용 기초 제품인 오일 및 고무를 얻을 수 있다.
즉, DMCS는 미합중국 특허 제 2,258,218호 내지 제 2,258,888호에 개시된 바와 같이 플리오르가노실록산 수지의 제조에 사용하거나, 미합중국 특허 제 2,468,888호 및 제 2,46,830호에 개시된 바의 오일의 제조에 사용하거나, 미합중국 특허 제 2,448,756호에 개시된 바와 같은 폴리오르가노실록산 탄성 중합체의 제조에 사용한다.
직접합성 반응을 위한 촉매로서는 구리 또는 구리 화합물의 사용이 공지되어 있는데, 이러한 촉매는 무기담체상에 임의 배열된 실리콘과의 기계적 혼합물 또는 합굼의 형태로 사용된다.
DMCS의 수율을 증진시키기 위하여 구리에 여러 가지 첨가제를 가하는 방법이 이미 제안되어 있다. 이러한 첨가제의 예로는 아연 또는 할라이드(미합중국 특허 제 2,464,033호), 알루미늄(미합중국 특허 제 2,403,370호 및 제 2,427,605호), 주석, 망간, 니켈 및 은(영국특허 제 1,207,466호), 코발트(영국 특허 제 907,161호) 및 염화칼슘(소련 특허 제 307,650호)등을 들수 있다.
상기의 첨가제들을 사용하는 방법은 물론 직접합성 공정을 개선하는 것을 가능케 한다. 그러나, 그럼에도 불구하고 이 방법은 후술되는 단점중 적어도 한가지에 직면하게 된다.
첫째로, MTCS/DMCS의 평균 중량비로 측정되고/되거나 수득된 실란의 총량에 대한 DMCS의 몰 백분율로 표시되는 DMCS에 관한 선택성은 여전히 부적절한 채로 남아 있다; 둘째로, 반응의 개시시간 및 개시온도가 지나치게 높다; 셋째로, 도입된 실리콘 kg당 시간당 수득된 메틸클로로실란(MCS)의 중량으로 측정되고 생산성이라 불리우는 촉매 시스템의 평균 활성 및 실리콘의 최대 전환율이 여전히 부적절하다; 넷째로, 촉매 시스템은 불순물에 대하여 민감하다; 다섯째로, 부산물 특히 디실란의 생성량이 지나치게 많다. 따라서, 본 발명의 목적은 상기의 단점들에 직면하지 않고 부작용 실질적으로 감소시키는 것을 가능케 하는 직접합성 공정을 수행하는 방법 및 그 촉매를 제안하고자 하는 것이다.
본 발명이 목적으로 하는 것은, 생산성을 향상, 즉 단위 접촉 매스당 단위 시간당 MCS생산량을 증가시키면서 DMCS에 관한 높은 평균 선택성의 성취; 반응 개시시로부터 시작하여 촉매 시스템의 최종 소모시까지 유지시킬 수 있는 높은 초기 선택성의 수득; 실리콘의 높은 최대 전환율의 성취; 수득된 MCS의 대한 비휘발성 생성물의 낮은 중량비의 수득; 촉매독으로 작용하는 불순물 특히 납에 대한 촉매 시스템의 보다 낮은 민감성의 달성; 및 지나치게 높지 않은 반응온도의 수득을 가능케 하는 방법 및 촉매의 제공이다.
후술되는 발명의 구체적인 설명에서 밝혀지게될 다른 본 발명의 목적들 및 상기의 목적들은 구리 또는 구리 화합물을 함유하는 촉매 및 실리콘으로 이루어진 고체 접촉 매스 상에서 염화메탈을 반응시키는 것으로 이루어진 디메틸디클로로실란의 제조방법에 관한 본 발명에 의하여 달성되는데, 이러한 본 발명의 방법은 상기 촉매가 촉매와 실리콘의 고체접촉 매스에 대하여, 주석 및 안티몬 중에서 선택된 1종 이상의 금속, 또는 주석 및/또는 안티몬의 화합물 약 30 내지 1000ppm(주석 및/또는 안티몬 금속으로 계산0, 그리고 리튬, 나트륨, 칼륨 및 루비듐 중에서 선택된 1종 이상의 알칼리금속 또는 이들 알칼리금속 화합물 약 0.05내지 2%, 바람직하게는 0.1 내지 1%(알칼리금속으로 계산)를 추가로 함유함을 특징으로 한다.
이러한 촉매는 접촉 매스의 총중량에 대하여 1 내지 30중량%, 바람직하게는 5 내지 12중량%의 비율로 사용할 수 있다.
상기 촉매는 합금 또는 기계적 혼합물 형태로 실리콘에 혼입할 수 있다.
금속 구리 이외에도, 구리 화합물로서 미합중국 특허 제 2,464,033호에 기재된 바의 구리 할라이드 또는 산화구리, 예를 들어 CuO 및 Cu2O를 사용할 수 있다.
구리 할라이드로서는 염화 제1구리 또는 염화 제2구리를 사용할 수 있다. 본 발명에 따라서 구리를 염화 제1구리 또는 염화 제2구리 형태로 도입할 경우 특히 선택성 및 실리콘의 전환율의 면에서 최선의 결과가 수득된다.
특정 태양에 따르면, 본 발명에 촉매는 금속아연 또는 아연 화합물, 바람직하게는 염화아연 또는 산화아연을 더 함유할 수 있다.
아연은 접촉 매스의 중량에 대해 0.1 내지 3중량%, 바람직하게는 0.2 내지 1중량%(아연금속으로 계산)의 중량 비율로 존재할 수 있다. 90중량% 이하, 바람직하게는 50중량% 이하의 아연을, 구리의 염소화 반응에 촉매 작용을 미치고/미치거나 구리염 및/또는 알칼리금속염과 함께 저융점상(phase of low melting point) 또는 공융물(eutectics)을 형성하는 다른 금속으로 치환할 수 있다.
이러한 금속의 적당한 예로는 카드뮴, 알루미늄, 망간, 니켈 및 은을 들수 있다.
Li, Na, K 및 Rb중에서 선택된 알칼리금속의 화합물로서는 순수금속 또는 금속류 외에 할라이드, 바람직하게는 염화물을 사용할 수 있고, 이들은 단독으로 또는 혼합물로서 사용할 수 있다. 바람직한 첨가제는 개개의 형태 또는 혼합물 형태 또는 바람직하게는 염화물 형태로 사용되는 루비듐, 보다 낮은 정도이지만 칼륨이다.
실리콘의 입자 크기에 관하여는 입자의 50중량% 이상이 10∼500 마이크론의 입경을 가지는 정도인 것이 바람직하다.
마찬가지로 촉매는 평균직경이 1 내지 100 마이크론인 입자의 형태인 것이 유리하다. 이러한 접촉 매스의 입자크기 조건하에서는 직접합성 반응을 유동상(fluidised bed)형태의 접촉 매스로 수행할 수 있다.
본 발명에 따른 직접합성은 일반적으로 미합중국 특허 제 2,449,821호에 기재된 바의 교반상(stirred bed)형의 반응기, 미합중국 특허 제 2,389,931호에 기재된 바의 유동상 형의 반응기 또는 회전로 등의 장치내에서 수행할 수 있다.
본 발명의 촉매는 프랑스공화국 특허 제 1,545,407호에 기재된 바와 같이 모래, 분말 실리카, 실라카겔, 알루미나, 분말 내화벽돌, 석유분해촉매, 제올라이트 및 소성 점토와 같은 특정한 무기재상에 부착 사용할 수 있다.
반응은 280 내지 450℃, 특히 290 내지 370℃의 온도에서 발생하게 된다.
특히 선택 반응온도가 330℃ 정도 또는 그 이상이고 반응을 유동상 내에서 수행하면, 더 높은 온도에서 반응을 개시하지 않고 선택한 온도에서 직접적으로 반응을 수행할 수 있다.
알칼리금속 또는 알칼리금속 화합물의 중량비는 접촉 매스의 중량에 대해 알칼리금속으로 계산하여 약 0.05 내지 2중량%, 바람직하게는 0.1 내지 1.0중량%일 수 있다. 0.05중량% 이하일 경우에는 알칼리금속의 활성이 거의 검출되지 않고, 2중량% 이상일때는 알칼리금속은 선택성을 현저하게 저하시키는 독효과를 갖는다.
주석 및/또는안티몬, 또는 주석 화합물 및/또는 안티몬 화합물(주석 및/또는 안티몬 금속으로 계산)의 중량비는 접촉 매스에 대해 약 30 내지 1000ppm, 바람직하게는 80 내지 250ppm이 유리하다.
30ppm이상의 주석 및/또는 안티몬을 사용하는 것이 필요하다. 본 발명에 의하면, 주석 및/또는 안티몬이 존재할때에만 알칼리금속 또는 알칼리금속 화합물의 유리한 효과를 얻을 수 있음이 밝혀졌다. 더욱이, 중량비가 1000ppm 이상일때는 반응 및 특히 선택성에 역효과를 미친다. 주석이 보다 바람직하며, 이는 청동 또는 주석 화합물 예를 들어 염화주석 형태로 첨가할 수 있다.
실질적으로 동일한 잇점을 유지하면서 반응을 350 내지 360℃ 이하의 온도에서 수행해야할 필요가 있을 경우에는, 아연 또는 아연 화합물, 바람직하게는 염화아연을 접촉 매스에 대해 0.01 내지 3중량%, 바람직하게는 0.2 내지 1중량%의 중량비율로 첨가할 수 있음이 본 발명에 의해 밝혀졌다.
반응을 교반상내에서 330 내지 350℃의 온도에서 수행할 경우, 본 발명의 촉매를 사용함으로써 높은 선택성을 얻을 수 있다.
즉, 일반적으로 0.05 내지 0.15, 바람직하게는 0.07 내지 1.2의 MTCS/DMCS 평균 중량비, 80% 이상, 최대로는 90% 이상의 실란 총수득량에 대한 DMCS의 평균몰 백분율, 55% 이상, 최대로는 70%의 실리콘의 최대 전환율, 및 125g MCS/h/kg(Si) 이상, 최대로는 180g MCS/h/k(Si) 이상의 평균활성을 얻을 수 있다.
80% 이상의 선택도라고 하는 것은 프랑스공화국 특히 제 1,545,407호의 실시예에 제시된 바와 같이 동일한 타입이기는 하지만 알칼리금속은 함유하지 않는 촉매 매스를 사용하여 얻은 선택성과 비교할 때 특히 놀라운 것이다.
또한, 본 발명에 따른, 그러나 주석 및/또는 안티몬을 함유하지 않는 접촉 매스를 사용할 경우에는, 활성이 매우 낮아서 공업적으로 이용할 수 없는 접촉 매스가 생성된다.
MCS수득량에 대한 수득된 비휘발성 물질의 백분율은 2% 정도이며, 일반적으로 약 4%이하이다.
반응온도를 상승시킬 경우 상기 결과를 더 개선시킬 수 있으며, 유동상내에서 반응을 수행할 경우 비슷한 결과가 얻어진다.
반응을 교반상내에서 340℃이하의 온도에서 수행할 경우에는 340℃이상의 온도에서 약 20내지 30분 동안 반응을 개시하는 것이 바람직하다. 만일 반응을 교반상 내에서 340℃이상의 온도에서 수행할 경우에는 이러한 개시단계는 필요하지 않다.
다른 본 발명의 잇점 및 특징은 후술되는 실시예로부터 명확하게 될것이며, 이는 본 발명을 제한하려는 의도가 아니라 단순히 설명하기 위하여 제공한 것이다.
후술되는 실시예에서는 다른 설명이 없는한 기저부에 소결유리가스 분배가가 장치된 내경 60mm, 높이 250mm의 실린더형 파이롯트 반응기가 사용된다. 실리콘 및 촉매는 입자의 50% 이상이 60 내지 200㎛의 평균입도를 갖는 분말형태로 도입한다.
반응은 교반상 내에서 수행하며, 반응기에는 외부 가열장치가 설비되어 있다.
[실시예 1]
촉매시스템 CuCl/ZnCl2/Sn/KCl
접촉 매스에 대한 KCl의 중량%가 0.36인, 실리콘 210g, 염화제1구리 16.37g, 염화칼륨 0.835g, ZnCl21.53g 및 주석 1.9%를 함유하는 청동 1.99g으로 조성된 분말을 금속교반기 및 소결유리가스 분배기가 장치된 유리제의 수직 실린더형 반응기에 도입한다.
반응기를 질소기류하에서 200℃로 서서히 가열한 후, 반응기의 온도를 계속 상승시키면서 질소 밸브를 폐쇄하고, 염화메틸을 16l/h의 유량(20℃에서 측정)으로 도입하기 시작한다.
1시간 가열 후, 345℃로 조절하고, 염화메틸의 유량을 26l/h로 증가시킨 다음, 반응이 자발적으로 완전히 정지할 때까지 이 수준을 유지한다. 반응온도는 330℃이다.
이 실험은 반응기내로 도입된 Si의 kg당, 시간당 184g의 MCS의 평균활성 또는 평균 생산성에서 21시간 동안 클로로실란을 제조한다. 제조된 혼합물은 0.126의 MTCS/DMCS 평균 중량비 및 82.23의 DMCS 평균 몰%를 특징으로 한다.
"비-휘발성"(폴리실란)의 수득 비율은 3.62중량%에 상당한다.
증기상 크로마토그래피는 하기의 평균 몰 선택도를 나타낸다.
Me3SiCl : 5.58%
MeSiCl3: 8.97%
실리콘 최대 전환율은 84.3%이다.
[실시예 2]
촉매시스템 CuCl2/ZnCl2/Sn/RbCl
실리콘 210g, ZnCl21.53g, 염화제1구리 16.37g, 염화칼륨 1.355g, 및 주석 1.9%를 함유하는 청동 1.99g으로 조성된 분말을 금속 교반기 및 소결이 유리가스 분배기가 장치된 유리제의 수직 실린더형 반응기에 도입한다.
접촉 매스에 대한 RbCl의 중량%는 0.58이다.
반응기는 질소 기류하에서 200℃로 서서히 가열한다. 이어서, 반응기의 온도를 계속 상승시키면서, 질소 밸브를 폐쇄하고, 염화메틸을 16l/h의 유량(20℃에서 측정)으로 도입하기 시작한다.
1시간 가열후, 345℃로 소결하고, 염화메틸의 유량을 26l/h로 증가시킨 다음, 반응이 자발적으로 완결될때까지 동일수준으로 유지한다. 반응속도는 330℃이다.
이 실험은 반응기내로 도입된 실리콘의 kg당, 시간당 178g의 MCS 평균활성 또는 평균 생산성에서 20시간동안 클로로실란을 제조한다. 제조된 혼합물은 메틸트리클로로실란 대 디메틸디클로로실란의 평균 중량비, MTCS/DMCS가 0.113이고 DMCS의 평균몰%가 84.44%임을 특징으로 한다.
"비-휘발성"(폴리실란)의 수득 비율은 3.16중량%에 상당한다.
증기상 크로마토그래피는 하기의 평균몰 선택도를 나타낸다.
Me3SiCl : 4.32%
MeSiCl3: 8.26%
실리콘의 최대 전환율은 77.5%이다.
[실시예 3 및 4]
촉매의 조성을 변화시키는 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘 21gg을 사용하여 반응을 수행한다.
결과는 다음표 1에 요약하였다.
[표 1]
Claims (8)
- 구리 또는 구리 화합물을 함유하는 촉매 및 실리콘으로 이루어진 고체 접촉 매스상에서 염화메틸을 반응시켜 디메틸클로로실란을 제조하는 방법에 있어서, 상기 촉매가 촉매와 실리콘의 고체 접촉 매스에 대하여, 주석 금속, 또는 주석 화합물 30 내지 1,000ppm(주석으로 계산), 그리고 라튬, 나트륨, 칼륨 및 루비듐중에서 선택된 1종 이상의 알칼리금속 또는 알칼리금속의 화합물 0.05 내지 2%(알칼리금속으로 계산)를 더 함유함을 특징으로 하는 디메틸디클로로실란의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 언급된 알칼리금속의 함량(알칼리금속으로서 계산)이 0.1 내지 1중량%임을 특징으로 하는 방법.
- 제1 또는 2항에 있어서, 언급된 주석의 함량이 80 내지 250ppm임을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 언급된 알칼리금속이 칼륨 및 루비듐으로부터 선택됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 언급된 촉매가 고체 접촉 매스에 대하여 0.1 내지 3%(아연금속으로 계산)의 아연 또는 아연 화합물을 더 함유함을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 사용된 촉매가 구리, 염화 제1구리 및 염화 제2구리로부터 선택됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 아연의 중량비가 0.2 내지 1%임을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 반응을 교반기 반응기, 유동상 반응기 또는 회전로 중에서 선택된 반응기내에서 수행함을 특징으로 하는 방법.
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| US4500724A (en) * | 1983-07-28 | 1985-02-19 | General Electric Company | Method for making alkylhalosilanes |
| FR2552437B1 (fr) * | 1983-09-28 | 1986-09-12 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede et catalyseur avec le cesium comme additif pour la synthese directe du dimethyldichlorosilane |
| US4864044A (en) * | 1985-02-15 | 1989-09-05 | Union Carbide Corporation | Tin containing activated silicon for the direct reaction |
| FR2577930B1 (fr) * | 1985-02-22 | 1987-06-05 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede et catalyseur avec un metal alcalino-terreux choisi comme additif parmi le calcium, le magnesium et le beryllium pour la synthese directe du dimethyldichlorosilane |
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| US4762940A (en) * | 1987-12-11 | 1988-08-09 | Dow Corning Corporation | Method for preparation of alkylhalosilanes |
| US4973725A (en) * | 1988-06-28 | 1990-11-27 | Union Carbide Chemicals And Plastics Company Inc. | Direct synthesis process for organohalohydrosilanes |
| DE3823308A1 (de) * | 1988-07-09 | 1990-01-11 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von organosilanen |
| DE3841417A1 (de) * | 1988-12-08 | 1990-06-13 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von organosilanen |
| US4965388A (en) * | 1990-01-02 | 1990-10-23 | Dow Corning Corporation | Method for preparing organohalosilanes |
| US5061672A (en) * | 1990-01-30 | 1991-10-29 | Elkem Metals Company | Active mass for making organohalosilanes |
| FR2665446B1 (fr) * | 1990-07-31 | 1992-11-27 | Rhone Poulenc Chimie | Procede et catalyseur comprenant un compose de lanthanide comme additif promoteur pour la synthese directe du dimethyldichlorosilane. |
| KR950002860B1 (ko) * | 1992-06-13 | 1995-03-27 | 한국과학기술연구원 | 클로로알켄닐실란들과그제조방법 |
| DE4408113A1 (de) * | 1994-03-10 | 1995-09-14 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen |
| KR100407518B1 (ko) * | 1995-12-29 | 2004-02-25 | 고려화학 주식회사 | 디메틸디클로로실란의제조방법 |
| DE19817775A1 (de) * | 1998-04-21 | 1999-10-28 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Organochlorsilanen |
| FR2848124B1 (fr) * | 2002-12-09 | 2006-03-10 | Rhodia Chimie Sa | Utilisation d'une composition comprenant cuivre, metal alcalin et phosphore comme systeme catalytique pour conduire la synthese directe d'alkylhalogenosilanes en attenuant la formation de coke |
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| DE102005005052A1 (de) * | 2005-02-03 | 2006-08-10 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen |
| DE102013209604A1 (de) * | 2013-05-23 | 2014-11-27 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen |
| CN113286800A (zh) * | 2019-06-14 | 2021-08-20 | 瓦克化学股份公司 | 采用结构优化的硅颗粒的用于制备甲基氯硅烷的方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2380995A (en) * | 1941-09-26 | 1945-08-07 | Gen Electric | Preparation of organosilicon halides |
| US2466413A (en) * | 1946-02-21 | 1949-04-05 | Gen Electric | Method of preparation of hydrocarbon-substituted halosilanes |
| FR1046295A (fr) * | 1951-12-11 | 1953-12-04 | Nat D Etudes & De Rech S Aeron | Perfectionnements apportés aux procédés pour la fabrication par synthèse de composés organosiliciques halogénés |
| DE1046619B (de) * | 1954-12-07 | 1958-12-18 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Arylchlorsilanen |
| US2917529A (en) * | 1956-07-10 | 1959-12-15 | Du Pont | Preparation of alkyl chlorosilanes |
| DE1161430B (de) * | 1961-03-30 | 1964-01-16 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Alkylchlor-polysilanen und/oder Alkylchlormonosilanen |
| DE1134671B (de) * | 1961-06-22 | 1962-08-16 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Methyl- bzw. AEthylchlorsilanen mit hohem Gehalt an Methyl- bzw. AEthyldichlorsilan |
| SU151336A1 (ru) * | 1961-12-08 | 1962-11-30 | С.А. Голубцов | Способ получени диметилдихлорсилана |
| US3555064A (en) * | 1967-12-22 | 1971-01-12 | Raisa Anatolievna Turetskaya | Method for the manufacture of phenyl and methylphenylchlorosilanes |
| SU810707A1 (ru) * | 1977-02-01 | 1981-03-07 | Предприятие П/Я А-7925 | Способ получени алкилхлорсиланов |
| US4170570A (en) * | 1978-01-03 | 1979-10-09 | Standard Oil Company (Ohio) | Process for preparing oxidation catalysts |
| DE3312775A1 (de) * | 1982-04-16 | 1983-10-27 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. | Verfahren zum herstellen von methylchlorsilanen |
| FR2552437B1 (fr) * | 1983-09-28 | 1986-09-12 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede et catalyseur avec le cesium comme additif pour la synthese directe du dimethyldichlorosilane |
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