KR900003617A - 적외선 검출기 - Google Patents
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Links
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 8
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims 5
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims 5
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical group [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
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- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
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- G—PHYSICS
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- G08B—SIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
- G08B13/00—Burglar, theft or intruder alarms
- G08B13/18—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength
- G08B13/189—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems
- G08B13/19—Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using passive radiation detection systems using infrared-radiation detection systems
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14669—Infrared imagers
- H01L27/1467—Infrared imagers of the hybrid type
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
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- G—PHYSICS
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
- G01J2005/202—Arrays
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 양호한 제1실시예 어레이 평면도.
제3도는 양호한 제1실시예 어레이 단일 볼로메터의 사시도.
제4a-b도는 양호한 제1실시예 어레이 단일 볼로메터의 단면 입력도.
제6도는 양호한 제1실시예의 동작 분석을 위한 모델을 도시한 도면.
제7도는 이론적 흡수, 반사 및 전송곡선을 도시한 도면.
제8a-g도는 양호한 실시예에 따른 제조방법 단계의 단면입면도.
Claims (22)
- 제1표면에 인접한 볼로메터 회로 소자의 어레이를 포함하는 기판, 각 저항기가 복사를 수신하도록 배향되고, 상기 회로 소자의 해당 셋트상에 배치되며 전기적으로 접속되고, 상기 표면으로부터 일정간격 떨어진 저항기들의 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 스펙트럼의 범위내에서 복사를 검출하기 위한 볼로메터 어레이.
- 제1항에 있어서, 상기 저항기들에 의해 수신된 복사용 초퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이.
- 제1항에 있어서, 상기 저항기들 각각은 리드부를 갖고, 상기 저항기들 및 리드부들은 제1전도층, 저항층 및 상기 표면에 가장 가까운 제2전도층을 포함하는 스택으로 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이.
- 제3항에 있어서, 상기 저항기들 각각은 상기 제1전도층상의 상기 리드부들에 부착되는 접속부에 의해 상기 표면에 기계적으로 접속되고, 상기 스택이 상기 스택이 상기 접속부에 의해 단독으로 지지되는 것을 특징으로 하는 어레이.
- 제3항에 있어서, 상기 제1전도층이 2개의 영역으로 분할되고, 상기 2개의 영역이 상기 리드부를 및 통교들에 의해 해당 회로 소자들에 접속되는 것을 특징으로 하는 어레이.
- 제3항에 있어서, 상기 제2전도층으로부터 상기 표면까지의 거리가 스팩트럼 범위의 중앙파장의 약 1/4인 것을 특징으로 하는 어레이.
- 제6항에 있어서, 상기 제2전도층이 표면 안정화층을 갖고, 상기 표면이 반사성이며, 상기 표면과 반사성이며, 상기 표면과 상기 표면 안정화층 사이의 공간이 진공으로 되는 것을 특징으로 하는 어레이.
- 제6항에 있어서, 제1 및 제2전도층의 시트 저항값이 상기 스팩트럼 대역내의 최소한 50% 흡수율을 제공하는 것을 특징으로 하는 어레이.
- 제3항에 있어서, 상기 스택이 제1전도층 상의 제1표면 안정화층 및 제2전도층상의 제2표면 안정하층을 포함하고, 제1 및 제2표면 안정화층의 이산화 실리콘이며, 제1 및 제2전도층이 티타늄 질화물이고, 저항층이 비결정성 실리콘인 것을 특징으로 하는 어레이.
- 저항성 물질의 저항율이 온도에 의존하고 제1 및 제2표면을 갖는 저항성 물질의 평탄층, 제1표면에 접하는 제1전도물질의 제1층, 상기 제1층이 저항기의 2개의 단자를 형성하는 제1 및 제2영역으로 분활되고 상기 제2표면에 접하는 제2전도물질의 제2층을 포함하는 평탄 스택으로부터 형성된 저항기, 스팩트럼 범위내에서 복사를 수선하도록 배향된 저항기, 및 상기 저항기의 저항율 위한 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 스펙트럼 범위내에서 복사를 검출하기 위한 볼로메터.
- 제10항에 있어서, 제1 및 제2층에 인접한 고 저항율을 갖고 있는 저항성 물질의 층을 포함되는 것을 특징으로 하는 볼로메터.
- 제10항에 있어서, 상기 저항기에 수신된 복사용 초퍼를 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로메터.
- 제10항에 있어서, 상기 스팩트럼의 범위의 중앙 파장의 약 1/4과 동일한 거리만큼 상기 제2층으로부터 수평으로 떨어져 배치된 제3전도 물질의 제3층을 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로메터.
- 제13항에 있어서, 상기 제1층 및 제2층의 두께 및 전도율이 상기 저항기에 의해 스팩트럼 범위의 중앙에서 최소한 50% 흡수율로 특성화되는 것을 특징으로 하는 볼로메터.
- 제10항에 있어서, 저항성 물질이 비결정성 실리콘이고, 제1및 제2전도물질이 티타늄 질화물이며, 상기 스택이 상기 제2층, 상기 평탄층, 및 상기 제1층의 제자리 피착에 의해 특성화되는 것을 특징으로 하는 볼로메터.
- 제10항에 있어서, 상기 2개의 영역이 리드부들 및 통교들에 의해 상기 검출기에 접속되는 것을 특징으로 하는 볼로메터.
- 스펙트럼 범위내에서 복사를 검출하는 방법에 있어서, 스펙트럼 범위내에서 복사에 거의 투명한 저항성 물질을 제공하는 단계, 상기 저항성 물질상에 전도 물질을 제공하는 단계, 상기 전도 물질로부터 떨어져 배치된 반사 물질을 제공하는 단계, 상기 전도 물질의 두께 및 전도율과 상기 반사 물질 공간이 스펙트럼 범위의 중앙의 최소한 약 50% 흡수율로 특성되는 단계, 및 스펙트럼 범위에서 복사에 노출될 때 상기 저항성 물질의 온도를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 물질들에 의해 수신된 복사를 초핑하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 전도 물질이 티타늄 질화물이고, 상기 저항성 물질이 비결정성 실리콘이며, 상기 반사 물질이 알루미늄인 것을 특징으로 하는 방법.
- 적외선 영상기의 제조 방법에 있어서, 기판의 표면에서 볼로메터 회로의 어레이를 형성하는 단계, 상기 회로상에 스페이서 층을 형성하는 단계, 상기 스페이서 층상에 저항기 스택을 형성하는 단계, 상기 저항기 스택으로부터 상기 회로에 접속부를 형성하는 단계, 및 상기 스페이서 층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제20항에 있어서, 상기 스페이서 층을 형성하기 전에 상기 볼로메터 회로상에 반사성 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제20항에 있어서, 저항기 스택의 형성이 적소에 표면 안정화층, 전도층, 저항성층, 다른 전도층, 및 다른 표면 안정화층의 피착에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US23179788A | 1988-08-12 | 1988-08-12 | |
US231797 | 1988-08-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR900003617A true KR900003617A (ko) | 1990-03-26 |
KR0135119B1 KR0135119B1 (ko) | 1998-04-20 |
Family
ID=22870680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019890011449A KR0135119B1 (ko) | 1988-08-12 | 1989-08-11 | 적외선 검출기 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0354369B1 (ko) |
JP (1) | JP2834202B2 (ko) |
KR (1) | KR0135119B1 (ko) |
DE (1) | DE68923589T2 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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- 1989-07-12 EP EP89112731A patent/EP0354369B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-12 DE DE68923589T patent/DE68923589T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-11 JP JP1209496A patent/JP2834202B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-11 KR KR1019890011449A patent/KR0135119B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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