JP3532551B2 - 熱検出器及びその製造方法 - Google Patents
熱検出器及びその製造方法Info
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、米国特許第Re36,1
36号に説明された２レベルの赤外線検出器の改良、及び
２レベルの赤外線検出器を製造する方法に関する。
36号に説明された２レベルの赤外線検出器の改良、及び
２レベルの赤外線検出器を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】多数の従来技術の２レベルの赤外線感熱
装置があり、例としては、米国特許第Re.36,136号；5,2
86,976号及び米国特許第5,450,053号がある。米国特許
第Re.36,136号；5,286,976号及び米国特許第5,450,053
号に示される技術は、商業的な成功を収めている（この
従来技術を使用するピクセル素子の断面図は、図１に示
されている）が、この技術は、製造時に一部使用される
いわゆるウエットエッチング処理を使用することによっ
て比較的に複雑である。ピクセル素子の配列をつくるた
めに比較的多数のマスクを使用しなければならない。こ
の手順は、多数にわたり、温度を変化するためにさらに
多くのエネルギーを必要とする。米国特許第Re.36,136
号；5,286,976号及び米国特許第5,450,053号は、参照す
ることによってこの明細書に組み込まれる。
装置があり、例としては、米国特許第Re.36,136号；5,2
86,976号及び米国特許第5,450,053号がある。米国特許
第Re.36,136号；5,286,976号及び米国特許第5,450,053
号に示される技術は、商業的な成功を収めている（この
従来技術を使用するピクセル素子の断面図は、図１に示
されている）が、この技術は、製造時に一部使用される
いわゆるウエットエッチング処理を使用することによっ
て比較的に複雑である。ピクセル素子の配列をつくるた
めに比較的多数のマスクを使用しなければならない。こ
の手順は、多数にわたり、温度を変化するためにさらに
多くのエネルギーを必要とする。米国特許第Re.36,136
号；5,286,976号及び米国特許第5,450,053号は、参照す
ることによってこの明細書に組み込まれる。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明は、１つの実施形
態において、半導体基板にピクセル素子を有する２レベ
ルのマイクロブリッジ赤外線熱検出器を提供する。ピク
セル素子は、基板の表面に下方部分を有し、下方部分は
集積回路装置を含む。またピクセル素子は、下方部分か
ら離間し且つ下方部分のすぐ上の上方検出器平面部分を
有する。上方検出器平面部分は、バナジウム酸化物の温
度検出器を有し、バナジウム酸化物は、高温の抵抗係数
（ＴＣＲ）と平方シート抵抗毎の５Ｋオーム乃至３００
Ｋオームの範囲の抵抗を有する。上方検出器平面部分
は、バナジウム酸化物の脚部部分を含む装置によって下
方部分上に機械的に支持され、脚部部分のバナジウム酸
化物は、平方シート毎にほぼ２５０オーム乃至１，００
０オームの範囲の抵抗を有する。脚部部分は、検出器及
び集積回路の双方に電気的に接続されている。さらに重
要なことは、脚部部分は、感温検出器のために断熱を行
うことである。通常の用途において、本発明は、配列と
して配置された多数のピクセル素子の形態をとり、共通
の半導体基板に配置される。熱検出装置は、吸収装置を
含むピクセル素子の各々のために上方検出器平面部分を
有することを特徴とする。また、熱検出器装置は、装置
の感度と効率全体を増大するために上方の検出器部分以
下に基板の反射層を含むことを特徴とする。
態において、半導体基板にピクセル素子を有する２レベ
ルのマイクロブリッジ赤外線熱検出器を提供する。ピク
セル素子は、基板の表面に下方部分を有し、下方部分は
集積回路装置を含む。またピクセル素子は、下方部分か
ら離間し且つ下方部分のすぐ上の上方検出器平面部分を
有する。上方検出器平面部分は、バナジウム酸化物の温
度検出器を有し、バナジウム酸化物は、高温の抵抗係数
（ＴＣＲ）と平方シート抵抗毎の５Ｋオーム乃至３００
Ｋオームの範囲の抵抗を有する。上方検出器平面部分
は、バナジウム酸化物の脚部部分を含む装置によって下
方部分上に機械的に支持され、脚部部分のバナジウム酸
化物は、平方シート毎にほぼ２５０オーム乃至１，００
０オームの範囲の抵抗を有する。脚部部分は、検出器及
び集積回路の双方に電気的に接続されている。さらに重
要なことは、脚部部分は、感温検出器のために断熱を行
うことである。通常の用途において、本発明は、配列と
して配置された多数のピクセル素子の形態をとり、共通
の半導体基板に配置される。熱検出装置は、吸収装置を
含むピクセル素子の各々のために上方検出器平面部分を
有することを特徴とする。また、熱検出器装置は、装置
の感度と効率全体を増大するために上方の検出器部分以
下に基板の反射層を含むことを特徴とする。
【０００４】本発明は、熱検出吸収領域を最大限にする
ために、支持脚部及び接触部分が最小限の領域のみを占
めるようにする。これは、大きな特徴である。さらに、
検出器からの熱コンダクタンスが最小限とされる。さら
に、センサをつくる処理は、１３のフォトマスクまで使
用する従来技術の「ウエットエッチ」処理のセンサの能
率を上回るために少数（５）のフォトマスクを使用す
る。したがって、本発明の独得の処理は、（ｉ）サーマ
ルマス、サーマルコンダクタンス及びピクセル素子寸法
制限を最小限にし、（ii）低いコストのより小さい検出
器を提供する。
ために、支持脚部及び接触部分が最小限の領域のみを占
めるようにする。これは、大きな特徴である。さらに、
検出器からの熱コンダクタンスが最小限とされる。さら
に、センサをつくる処理は、１３のフォトマスクまで使
用する従来技術の「ウエットエッチ」処理のセンサの能
率を上回るために少数（５）のフォトマスクを使用す
る。したがって、本発明の独得の処理は、（ｉ）サーマ
ルマス、サーマルコンダクタンス及びピクセル素子寸法
制限を最小限にし、（ii）低いコストのより小さい検出
器を提供する。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１に示す従来技術の２レベルの
マイクロブリッジ型ピクセル素子１０は、一部に基板１
２を有し、この基板１２は、集積回路装置１２′を含
み、したがってピクセル素子の下方部分を含む。集積回
路装置は、米国特許第Re36,136号の内容に従うものであ
る。上方部分１１は、米国特許第Re.36,136号；5,286,9
76号及び米国特許第5,450,053号に示す次の工程を使用
することによってつくられた複数の多層構造であり、そ
の結果は、上方検出部分１１は、下方部分１２から間隔
を置き、下方部分１２のすぐ上に垂下され、当業者によ
ってよく理解されているように１．８ミクロンの空隙が
多くの用途及び利用について望ましい空隙である。
マイクロブリッジ型ピクセル素子１０は、一部に基板１
２を有し、この基板１２は、集積回路装置１２′を含
み、したがってピクセル素子の下方部分を含む。集積回
路装置は、米国特許第Re36,136号の内容に従うものであ
る。上方部分１１は、米国特許第Re.36,136号；5,286,9
76号及び米国特許第5,450,053号に示す次の工程を使用
することによってつくられた複数の多層構造であり、そ
の結果は、上方検出部分１１は、下方部分１２から間隔
を置き、下方部分１２のすぐ上に垂下され、当業者によ
ってよく理解されているように１．８ミクロンの空隙が
多くの用途及び利用について望ましい空隙である。
【０００６】より詳細には、従来技術の検知器１０は、
一連の連続層１３−１９と、VOx（酸化バナジウム）の
薄い層が堆積されているＳｉＮ4の第１の層１３と、Ｎ
ｉＣｒの層１５と、ＳｉＮ4の層１６と、Ｃｒの層１７
と、Ｃｕのプラグ１８と、ＮｉＣｒの層１９とを有す
る。したがって、図１の従来技術のピクセル素子は、多
数の層を有し、これらの層は、ピクセル素子に比較的重
い質量を支持するようにし、この質量は、ピクセル素子
の温度を変化することができるように大量のエネルギー
を必要とする。
一連の連続層１３−１９と、VOx（酸化バナジウム）の
薄い層が堆積されているＳｉＮ4の第１の層１３と、Ｎ
ｉＣｒの層１５と、ＳｉＮ4の層１６と、Ｃｒの層１７
と、Ｃｕのプラグ１８と、ＮｉＣｒの層１９とを有す
る。したがって、図１の従来技術のピクセル素子は、多
数の層を有し、これらの層は、ピクセル素子に比較的重
い質量を支持するようにし、この質量は、ピクセル素子
の温度を変化することができるように大量のエネルギー
を必要とする。
【０００７】本発明の技術によって使用されるピクセル
素子３０を図２に示す。従来技術の装置に示すように、
ピクセル素子は、半導体基板３１を有する下方部分３３
を有し、この半導体基板３１は、集積回路装置３２を含
み、この集積回路装置は、米国特許第Re36,136号の内容
を利用して達成される。
素子３０を図２に示す。従来技術の装置に示すように、
ピクセル素子は、半導体基板３１を有する下方部分３３
を有し、この半導体基板３１は、集積回路装置３２を含
み、この集積回路装置は、米国特許第Re36,136号の内容
を利用して達成される。
【０００８】反射層３４は、基板３１の上面に設けられ
る。この層のためにインジウム錫酸化物を選択すること
ができる。反射層は、米国特許第5,286,976号の内容に
従って検出器の感度を増大するように機能する。ピクセ
ル素子の下方部分３３と上方検出器部分３８とを機械的
電気的に接続するために垂直ポスト部分３６が提供され
る。さらに詳細には、ポスト部分３６は、集積回路装置
３２に電気的に接続され、基板３１に機械的に支持され
ている図２に示すような下端を有するアルミニウムのよ
うな伝導体からつくられる。図４を参照すると、対角線
状に配置されたポスト部分３６及び３６ＡＡがあること
が分かる。ポスト部分３６及び３６ＡＡの上端は、以下
に説明するように検出器４０の脚部部分４１及び４２の
端部に接続されるようになっている。
る。この層のためにインジウム錫酸化物を選択すること
ができる。反射層は、米国特許第5,286,976号の内容に
従って検出器の感度を増大するように機能する。ピクセ
ル素子の下方部分３３と上方検出器部分３８とを機械的
電気的に接続するために垂直ポスト部分３６が提供され
る。さらに詳細には、ポスト部分３６は、集積回路装置
３２に電気的に接続され、基板３１に機械的に支持され
ている図２に示すような下端を有するアルミニウムのよ
うな伝導体からつくられる。図４を参照すると、対角線
状に配置されたポスト部分３６及び３６ＡＡがあること
が分かる。ポスト部分３６及び３６ＡＡの上端は、以下
に説明するように検出器４０の脚部部分４１及び４２の
端部に接続されるようになっている。
【０００９】図２において、上方検出器平面部分３８
は、下方部分３３から離れており、下方部分３３のすぐ
上に配置されることが分かる。好ましい実施形態におい
て、１．８ミクロンの空隙が使用される。上方検出器平
面部分３８は、図２及び図３に示すように一部にＶＯｘ
（バナジウム酸化物）の感温検出器を有する。この材料
は、高温抵抗率（ＴＣＲ）と、平方シート抵抗当たり５
Ｋオーム乃至３００Ｋオームの抵抗率を有することを特
徴とする。例えば、本発明の１つの好ましい実施形態
は、一部が、７００のＶＯｘフィルム厚さと、平方シー
ト抵抗毎に５０Ｋオームの抵抗を有する検出器４０を有
する。温度検出器４０の平面図が図３に示されている。
それは、大きなフォームファクタ、すなわち、赤外線エ
ネルギーを検出するために利用可能な領域を提供するた
めに２つの反対側のコーナに設けられた切欠きを除けば
ほぼ正方形を有することが示されている。
は、下方部分３３から離れており、下方部分３３のすぐ
上に配置されることが分かる。好ましい実施形態におい
て、１．８ミクロンの空隙が使用される。上方検出器平
面部分３８は、図２及び図３に示すように一部にＶＯｘ
（バナジウム酸化物）の感温検出器を有する。この材料
は、高温抵抗率（ＴＣＲ）と、平方シート抵抗当たり５
Ｋオーム乃至３００Ｋオームの抵抗率を有することを特
徴とする。例えば、本発明の１つの好ましい実施形態
は、一部が、７００のＶＯｘフィルム厚さと、平方シー
ト抵抗毎に５０Ｋオームの抵抗を有する検出器４０を有
する。温度検出器４０の平面図が図３に示されている。
それは、大きなフォームファクタ、すなわち、赤外線エ
ネルギーを検出するために利用可能な領域を提供するた
めに２つの反対側のコーナに設けられた切欠きを除けば
ほぼ正方形を有することが示されている。
【００１０】参照符号４０′及び４０″は、センサ４０
の間隔を置いている領域を示している。さらに詳細に
は、領域４０′は、ポスト部分３６′に最も近く、領域
４０″は、ポスト部分３６ＡＡの上方部分３６Ａ′３
６′に最も近い位置にある。検出器４０と一体的に接続
（機械的電気的に）されているのは、バナジウム酸化物
でつくられた一対の脚部４１及び４２である。図３に示
すように、脚部４１は、下方に延びる短い部分４１′、
水平方向に延びる部分４１″、垂直方向に延びる長い部
分４１″を備えた領域４０′で検出器４０に接続されて
おり、この垂直方向に延びる長い部分４１′″は、アル
ミニウムポスト部分３６ＡＡの上部ＡＡ′に電気的に接
続されているほぼ中空の正方形の形状部分またはコネク
タ４１″″で終結している。
の間隔を置いている領域を示している。さらに詳細に
は、領域４０′は、ポスト部分３６′に最も近く、領域
４０″は、ポスト部分３６ＡＡの上方部分３６Ａ′３
６′に最も近い位置にある。検出器４０と一体的に接続
（機械的電気的に）されているのは、バナジウム酸化物
でつくられた一対の脚部４１及び４２である。図３に示
すように、脚部４１は、下方に延びる短い部分４１′、
水平方向に延びる部分４１″、垂直方向に延びる長い部
分４１″を備えた領域４０′で検出器４０に接続されて
おり、この垂直方向に延びる長い部分４１′″は、アル
ミニウムポスト部分３６ＡＡの上部ＡＡ′に電気的に接
続されているほぼ中空の正方形の形状部分またはコネク
タ４１″″で終結している。
【００１１】同様の態様で、脚部４２は、参照符号４
０″でセンサ層４０に接続されており、図３に示すよう
に上方に延びる短い垂直部分４２′、水平方向部分４
２′、水平方向に延びる部分４２″垂直方向に下に延び
る部分４２′″を有し、垂直方向に下に延びる部分４
２′″は、アルミニウムポスト部分３６の上部に電気的
に接続されるようになっているほぼ中空の形状部分また
はコネクタ４２′″で終結している。
０″でセンサ層４０に接続されており、図３に示すよう
に上方に延びる短い垂直部分４２′、水平方向部分４
２′、水平方向に延びる部分４２″垂直方向に下に延び
る部分４２′″を有し、垂直方向に下に延びる部分４
２′″は、アルミニウムポスト部分３６の上部に電気的
に接続されるようになっているほぼ中空の形状部分また
はコネクタ４２′″で終結している。
【００１２】脚部４１及び４２を含むセンサ層４０の下
側に誘電層４９が設けられている。それは、脚部４１及
び４２によるセンサの機械的支持に寄与する。センサの
感度を増大するために図２に示すように吸収層５４が誘
電層の下側に設けられている。窒化シリコンの上方誘電
層５０は、図２及び図４に示すようにセンサ層４０の上
部に付加される。図４に示すように、コネクタ４２″″
及び４１″″（図３参照）の上部にポストキャップ５２
Ａ及び５２ＡＡが付加され、中間層５２は、Ｃｕのよう
な適当な材料である。
側に誘電層４９が設けられている。それは、脚部４１及
び４２によるセンサの機械的支持に寄与する。センサの
感度を増大するために図２に示すように吸収層５４が誘
電層の下側に設けられている。窒化シリコンの上方誘電
層５０は、図２及び図４に示すようにセンサ層４０の上
部に付加される。図４に示すように、コネクタ４２″″
及び４１″″（図３参照）の上部にポストキャップ５２
Ａ及び５２ＡＡが付加され、中間層５２は、Ｃｕのよう
な適当な材料である。
【００１３】本発明の非常に独得の側面は、バナジウム
酸化物の検出器４０を含む上方検出器平面部分３８を支
持するための脚部にバナジウム酸化物を使用することで
ある。まず第１に脚部４１及び４２は、アルミニウムポ
スト部分３６及び３６ＡＡから、また、伸長によって、
関連する集積回路３２を備えた下側の基板３１の上面か
ら、上方の検出器平面部分の優れた断熱性を提供する。
しかしながら、脚部４１及び４２に未処理のバナジウム
酸化物を使用することによって、センサ４０と基板の集
積回路との間に電気的な接続が提供される容認しがたい
高インピーダンスが発生する。この明らかな欠点は除か
れ、事実、非常に高抵抗の付随特性を有するバナジウム
のＴＣＲ酸化物のフィルムの堆積及びパターニングの後
で独得の処理工程を使用することによって１つの利点に
変換される。
酸化物の検出器４０を含む上方検出器平面部分３８を支
持するための脚部にバナジウム酸化物を使用することで
ある。まず第１に脚部４１及び４２は、アルミニウムポ
スト部分３６及び３６ＡＡから、また、伸長によって、
関連する集積回路３２を備えた下側の基板３１の上面か
ら、上方の検出器平面部分の優れた断熱性を提供する。
しかしながら、脚部４１及び４２に未処理のバナジウム
酸化物を使用することによって、センサ４０と基板の集
積回路との間に電気的な接続が提供される容認しがたい
高インピーダンスが発生する。この明らかな欠点は除か
れ、事実、非常に高抵抗の付随特性を有するバナジウム
のＴＣＲ酸化物のフィルムの堆積及びパターニングの後
で独得の処理工程を使用することによって１つの利点に
変換される。
【００１４】この問題の解決に必要な工程は、まず、バ
ナジウム酸化物を皮膜で保護し、低い電気抵抗を有する
ことが望ましい領域、例えば、脚部４１及び４２を露出
する。露出された脚部は、アルゴンガスのバックスパッ
タリング処理を受け、この処理は、露出されたフィルム
の抵抗を平行シート抵抗毎に２５０オーム乃至１，００
０オームの範囲のシート抵抗に著しく低下する。本発明
の好ましい実施形態は、７００オングストロームのフィ
ルム厚さと５００オームのシート抵抗とを有する脚部４
１及び４２を有する。
ナジウム酸化物を皮膜で保護し、低い電気抵抗を有する
ことが望ましい領域、例えば、脚部４１及び４２を露出
する。露出された脚部は、アルゴンガスのバックスパッ
タリング処理を受け、この処理は、露出されたフィルム
の抵抗を平行シート抵抗毎に２５０オーム乃至１，００
０オームの範囲のシート抵抗に著しく低下する。本発明
の好ましい実施形態は、７００オングストロームのフィ
ルム厚さと５００オームのシート抵抗とを有する脚部４
１及び４２を有する。
【００１５】本発明の利点は、米国再発行特許第36,136
号に一部説明されている従来技術のマイクロボロメータ
の「ウエットエッチ」が、基板のリードアウト電子機器
または半導体装置の製造に続いて１２のフォトリソグラ
フィ工程と、１４工程の堆積とを必要とすることに対比
して評価される。比較的多数の工程及び堆積は、一致し
たエッジフィーチャーを避けようとするとき、フィーチ
ャーの密度を通して、構成のための装置の製造コスト並
びに最小限の寸法の拘束として直接現れる。
号に一部説明されている従来技術のマイクロボロメータ
の「ウエットエッチ」が、基板のリードアウト電子機器
または半導体装置の製造に続いて１２のフォトリソグラ
フィ工程と、１４工程の堆積とを必要とすることに対比
して評価される。比較的多数の工程及び堆積は、一致し
たエッジフィーチャーを避けようとするとき、フィーチ
ャーの密度を通して、構成のための装置の製造コスト並
びに最小限の寸法の拘束として直接現れる。
【００１６】それに対し、「ドライエッチ」（酸素プラ
ズマ）を用いる本発明は、少数の独立した処理工程を有
する。さらに、従来技術の装置/処理は、高いTCRVOx材
料１４とリードアウト電子部品１２′との間に相互接続
を形成するために非常に狭いＮｉＣｒ層１４を使用し
た。本発明は、センサ４０を支持し、センサ用の断熱を
行い、電気接続装置を提供する脚部４１及び４２を設け
ることによって高価な複雑な構造を回避する。
ズマ）を用いる本発明は、少数の独立した処理工程を有
する。さらに、従来技術の装置/処理は、高いTCRVOx材
料１４とリードアウト電子部品１２′との間に相互接続
を形成するために非常に狭いＮｉＣｒ層１４を使用し
た。本発明は、センサ４０を支持し、センサ用の断熱を
行い、電気接続装置を提供する脚部４１及び４２を設け
ることによって高価な複雑な構造を回避する。
【００１７】この明細書に示した本発明は、その精神及
び特徴から逸脱することなく他の特定の形態において実
施され、そのいくつかは、好ましい実施形態であり、こ
の明細書に示した実施形態は制限することを意味するも
のではない。本発明の範囲は、前述の詳細な説明ととも
に特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意
味及び範囲内にあるすべての変更が含まれるものと解さ
れる。 ［図面の簡単な説明］
び特徴から逸脱することなく他の特定の形態において実
施され、そのいくつかは、好ましい実施形態であり、こ
の明細書に示した実施形態は制限することを意味するも
のではない。本発明の範囲は、前述の詳細な説明ととも
に特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意
味及び範囲内にあるすべての変更が含まれるものと解さ
れる。 ［図面の簡単な説明］
【図１】一部に米国特許第Re.36,136号；5,286,976号及
び米国特許第5,450,053号を使用した従来技術のピクセ
ル素子の断面図である。
び米国特許第5,450,053号を使用した従来技術のピクセ
ル素子の断面図である。
【図２】本発明の技術によって製造されるピクセル素子
の断面図である。
の断面図である。
【図３】感温検出装置４０の平面図である。
【図４】平面図の上方左側から見た図２の装置の斜視図
である。図１、２及び図４は、開示されたピクセル素子
の垂直方向を十分に示すことができるように水平方向が
縮尺されている。
である。図１、２及び図４は、開示されたピクセル素子
の垂直方向を十分に示すことができるように水平方向が
縮尺されている。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平10−185681（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−111178（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−145481（ＪＰ，Ａ)
米国特許5900799（ＵＳ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01J 1/00 - 1/60
G01J 5/00 - 5/62
Claims (3)
- 【請求項１】 ２レベル・マイクロブリッジ型赤外線熱
検出器装置であって、 半導体基板（３１）上のピクセル素子（３０）を有し、 該ピクセル素子は、前記基板の表面の下方部分（３
３）、及び前記下方部分から離間し且つ前記下方部分の
すぐ上の上方検出器平面部分（３８）を有し、 前記下方部分（３３）は集積回路装置（３２）を含み、 前記上方検出器平面部分（３８）は、（ａ）平方シート
抵抗毎に５Ｋオーム乃至３００Ｋオームの範囲の抵抗を
有するバナジウム酸化物の感温検出器（４０）を有し、
且つ（ｂ）バナジウム酸化物の脚部部分（４１、４２）
によって前記下方部分（３３）上に支持され、前記脚部
部分のバナジウム酸化物は、平方シート抵抗毎に２５０
オーム乃至１０００オームの範囲の抵抗を有し、 前記脚部部分（４１、４２）は、（ａ）前記感温検出器
（４０）及び前記集積回路装置（３２）に電気的に接続
され、且つ（ｂ）前記感温検出器のために断熱を行う赤
外線熱検出器装置。 - 【請求項２】 ２レベル・マイクロブリッジ型赤外線熱
検出器装置であって、 半導体基板（３１）上のピクセル素子（３０）の配列を
含み、前記ピクセル素子の各々は、前記基板の表面の下
方部分（３３）、及び前記下方部分から離間し且つ前記
下方部分のすぐ上の上方検出器平面部分（３８）を有
し、 前記下方部分の各々は、集積回路装置（３２）を含み、 前記上方検出器平面部分（３８）の各々は、（ａ）平方
シート抵抗毎に５Ｋオーム乃至３００Ｋオームの範囲の
抵抗を有するバナジウム酸化物の感温検出器（４０）を
有し、且つ（ｂ）バナジウム酸化物のコンダクタによっ
て関連する下方部分（３３）の集積回路装置（３２）に
電気的に接続され、前記コンダクタのバナジウム酸化物
は、平方シート抵抗毎に２５０オーム乃至１，０００オ
ームの範囲の抵抗を有することを特徴とする赤外線熱検
出器装置。 - 【請求項３】 基板（３１）上に２レベルマイクロブリ
ッジ型赤外線熱検出器ピクセル素子（３０）の配列を製
造する方法であって、 前記ピクセル素子の各々は、前記基板の表面上の下方部
分（３３）及び前記下方部分から離間し前記下方部分の
すぐ上のマイクロブリッジ型上方検出器部分（３８）を
有し、前記下方部分（３３）の各々は、集積回路装置
（３２）を有し、 前記方法は、平方シート抵抗毎に５Ｋオーム乃至３００Ｋオームの抵
抗を有する バナジウム酸化物の薄いフィルムを前記マイ
クロブリッジ型上方検出器部分（３８）上に堆積し感温
検出器（４０）を形成する工程と、 前記感温検出器（４０）を関連する集積回路装置（３
２）に電気的に接続すると共にバナジウム酸化物の薄い
フィルムである少なくとも２つの脚部（４１、４２）を
堆積する工程と、 前記脚部を皮膜で保護する工程と、 前記被膜で保護された脚部の選択された部分を露出する
工程と、 前記脚部の露出された部分の抵抗を平方シート抵抗毎に
２５０オーム乃至１，０００オームの範囲の抵抗に低減
するために前記脚部の露出された部分にアルゴンガスで
バックスパッタ処理を実行する工程と、を含む方法。
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| PCT/US2000/024957 WO2001020280A1 (en) | 1999-09-13 | 2000-09-13 | Thermal sensor and method of making same |
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|---|---|
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1999
- 1999-09-13 US US09/394,154 patent/US6144285A/en not_active Expired - Lifetime
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2000
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