JP4899715B2 - 赤外線センサユニットの製造方法 - Google Patents
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Description
12、12A 絶縁上層
14、14A 端子パッド
15、15A 端子パッド
17、17A 赤外線反射体
20、20A 半導体装置
30、30A 熱型赤外線センサ
40、40A センサ台座
50、50A 断熱支持部
52、52A ポスト
54、54A 水平ビーム
60、60A 犠牲層
62、62A 透孔
70、70A 多孔質層
134 赤外線吸収体
Claims (2)
- 半導体基材の上面に半導体装置を形成し、
上記半導体基材の上面に絶縁上層を形成して、上記の半導体装置を覆い、
上記絶縁上層の上の一部に一対の端子パッドを形成し、
上記絶縁上層の上面に犠牲層を積層して、犠牲層の一部に上記の端子パッドを露出させる一対の透孔を形成し、
上記犠牲層の上面に多孔質材料の層を塗布すると共にこの多孔質材料で上記の透孔を充填して多孔質層を形成し、
上記多孔質層を所定のパターンにエッチングして断熱構造体を形成し、
上記断熱構造体の上面に熱型赤外線センサを積層し、
上記犠牲層をエッチングで除去する方法であって、
上記断熱構造体は、上記の透孔に充填された多孔質によって形成される一対のポストと、上記熱型赤外線センサを搭載するセンサ台座と、各ポストから上記絶縁上層の上面と平行に延出して上記センサ台座に結合する一対の水平ビームとで構成され、
各水平ビームに沿って上記熱型赤外線センサから上記の端子パッドへそれぞれ上記のポストを通して延出する配線が形成され、
上記犠牲層を除去することで、上記センサ台座が上記半導体装置の直上方に離間された状態で上記水平ビームによって上記半導体基材の上面に支持されることを特徴とする赤外線センサユニットの製造方法。 - 上記多孔質材料のゾルゲル溶液を上記犠牲層の上へスピンコート法によって塗布することを特徴とする請求項1に記載の赤外線センサユニットの製造方法。
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