KR100704948B1 - 열센서 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR100704948B1
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허니웰 인크.
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Abstract

본 발명의 2레벨 마이크로브릿지 적외선 열감지기는 (a)높은 TCR 및 면 저항이 20 ㏀/square 내지 50 ㏀/square 범위의 저항을 갖는 바나듐산화물로 이루어진 온도반응 감지기를 포함하면서, (b)면 저항이 약 500Ω/square의 저항인 바나듐산화물로 이루어진 레그부에 의해 하부섹션 상에 지지되는, 상부 검출기 평면섹션을 구비한다.
바나듐산화물, 적외선 열검출기

Description

열센서 및 그 제조방법{THERMAL SENSOR AND METHOD OF MAKING SAME}
본 발명은 미국 특허 제 RE. 36,136호를 종래기술로 갖는 2레벨 적외선 감지기 및 그 제조방법에 관한 것이다.
미국 특허 제 Re. 36,136호. 제 5,286,976호 및 제 5,450,053호 등 2레벨 적외선 열감지기에 대한 다수의 종래기술이 알려져 있다.
미국 특허 제 Re. 36,136호, 제 5,286,976호 및 제 5,450,053호에 기재된 기술(도1은 상기 종래기술을 사용한 픽셀의 단면도이다)은 상업적인 성공을 거두었다. 그러나, 이러한 기술은 습식 에칭공정을 사용하기 때문에 제조공정이 복잡하다는 문제점을 갖는다. 또한, 픽셀 어레이를 제조하기 위해서는 다수의 마스크를 사용하여야 하고, 이로 인해 부피가 커지고 온도를 변화시키기 위해서 더 많은 에너지가 요구되는 문제점이 있다.
미국 특허 제 Re. 36,136호, 제5,286,976호 및 제 5,450,053호의 개시내용은 본 발명을 설명하기 위한 참고자료로서 본 발명의 기재에 포함된다.
본 발명의 일 실시형태는 반도체 기판 상에 픽셀을 갖는 2레벨 마이크로 브리지(microbridge) 적외선 열감지기를 제공한다.
상기 픽셀은 기판의 표면상에 집적회로수단을 포함한 하부섹션을 갖는다. 또한, 픽셀은 상기 하부섹션으로부터 이격되며 하부섹션의 바로 상단부에 상부 감지기 평면섹션을 갖는다. 상부 감지기 평면섹션은, 높은 저항온도계수(Temperature Coefficient of Resistance; TCR)와 면 저항(sheet resistance) 당 5㏀/스퀘어(square) 내지 300㏀/스퀘어 범위의 저항의 바나듐산화물(oxide of vanadium)로 이루어진 온도반응형 감지기(temperature responsive detector)를 포함한다. 또한, 상부 감지기 평면섹션은, 면 저항이 약 250 Ω/square 내지 1,000 Ω/square 범위의 저항의 바나듐 산화물로 이루어진 레그부(leg)를 갖는 수단에 의해 하부 섹션의 상부에 기계적으로 지지된다. 상기 레그부는 상기 감지기 및 집적회로 수단에 전기적으로 연결된다. 또한 레그부는 온도반응형 감지기에 열 차단(thermal isolation)를 행한다. 전형적인 응용형태에서, 본 발명은 하나의 어레이로 배열되고 일반 반도체 기판 상에 위치하는 복수의 픽셀 형태를 갖는다. 본 발명의 열감지장치의 보다 전형적인 특징은 흡수수단(absorber means)을 갖는 픽셀 각각을 위한 상부 감지기 평면섹션을 갖는 것이다. 또한, 본 발명의 열 감지장치는 그 감도 및 효율을 증대시키기 위해서 상부 감지기 섹션 하단의 기판 상에 반사층을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명은 최소의 영역을 사용하는 서포트 레그(support leg) 및 컨택부를 제공하여 열 감지 흡수영역을 최대화시킨다. 이는 본 발명이 중요한 특징이다.
또한, 상기 감지기로부터의 열 전도성을 최소화시킨다. 또한, 센서를 제조하는 공정은 종래기술에 비하여 훨씬 적은 수(5개)의 포토마스크를 사용한다. 따라서, 포토 마스크를 13개까지 사용하던 종래의 "습식 에칭" 공정의 감지기의 성능보다 우수하다.
이와 같이, 본 발명의 공정은 (1) 열 부피, 열전도도 및 픽셀크기의 한계를 최소화하고, 또한 (2) 소형화되면서도 보다 저렴한 감지기를 제공한다.
도 1은 미국 특허 제 Re. 36,136호, 제 5,286,976호 및 제 5,450,053호에 개시된 기술을 부분적으로 사용하는 종래기술의 픽셀을 단면도를 도시하고 있다.
도 2는 본 발명의 기술에 의해서 제조된 픽셀의 단면도를 도시하고 있다.
도 3은 온도에 반응하는 감지기(40)의 상면도 또는 투시도이다.
도 4는 도 2의 장치를 상좌측으로부터 본 등척도이다.
첨부된 도 1, 2 및 4는 본 발명에 기재된 픽셀의 수직크기를 만족스럽게 도시하기 위해서 수평 방향으로 축소하여 도시되었다.
도1에 도시된 종래의 2레벨 마이크로브릿지 픽셀(10)은 집적회로 수단(12')를 갖는 기판(12)을 일부로 포함하고, 상기 기판(12)은 픽셀의 하부 섹션을 구성한다. 상기 집적회로수단은 미국 특허 제 Re. 36,136호에 기재된 구성으로 이루어진다. 상부 섹션(11)은 미국 특허 제 Re. 36,136호, 제5,286,976호 및 제5,450,053호에 개시된 복수의 단계로 이루어진 기술을 이용하여 제조된 복잡한 다층 구조를 가지며, 그 결과로, 상부 감지기 섹션(11)이 하부 섹션(12)로부터 이격되어, 그 바로 하부섹션(12)상에 지지된다. 그 이격된 간격은 1.8 마이크론 정도로 본 발명이 속하는 기술분야의 통상이 지식을 가진 사람에 의해서 응용되거나 사용될 수 있는 바람직한 간격을 갖는다.
보다 상세하게는, 종래 기술의 감지기(10)은 일련의 연속층(13-19)을 포함한다. 상기 연속층은 그 위에 얇은 VOx(바나듐산화물)층(14), NiCr층(15), Si3N4층(16), Cr층(17), Cu플러그(18) 및 NiCr층(19)이 적층된, Si3N4 로 이루어진 제1 층(13)으로 이루어진다. 이와 같이, 도1의 종래 픽셀은 다수의 층을 가지므로, 그 픽셀에는 비교적 무거운 질량(mass)이 달려 있게 된다. 이는 이후 픽셀의 온도를 변화시키는 많은 양의 에너지를 요구하게 된다.
본 발명의 기술에 따라 제조된 픽셀(30)은 도2에 도시되어 있다. 종래 장치와 같이, 상기 픽셀은 반도체기판(31)을 갖는 하부섹션(33)을 포함하며, 그 반도체기판(31)은 집적회로(32)를 포함한다. 그 집적회로수단은 미국 특허 Re. 36,136호의 기재내용을 이용하여 구현될 수 있다.
반사층(34)를 상기 기판(31)의 상면에 적용할 수 있다. 이러한 층으로 얇은 인듐-주석 산화물층을 선택할 수도 있다. 상기 반사층은 미국특허 제5,286,976호의 기재된 바와 같이 상기 감지기의 감도를 증가시키는 기능을 한다. 수직포스트(36)를 제공하여 픽셀의 하부섹션(33)과 상부 감지기 평면섹션(38)을 기계적 전기적으로 연결시킨다. 보다 상세하게는, 상기 포스트(36)은 알루미늄과 같은 전도체로 이루어지며, 도2와 같이 그 하단이 상기 기판(31)상에 기계적으로 지지되면서 상기 집적회로수단(32)에 전기적으로 연결된다. 도4를 참조하면, 대각선상에 위치한 두개의 포스트(36,36AA)가 있다. 그 포스트(36,36AA)의 상단은 아래에서 설명되는 감지기(40)의 레그부(41,42) 끝단에 연결된다.
도2에 도시된 바와 같이, 상부 감지기 평면섹션(38)이 하부섹션(33)로부터 이격되어 그 바로 위에 배치된다. 바람직한 실시형태에서 상기 이격된 간격은 1.8마이크론이다.
상기 상부 감지기 평면섹션(38)은 도2 및 도3에 도시된, VOx물질로 이루어진 온도반응 감지기(temperature responsive detector)를 일부로 포함하고 있다. 이 물질은 높은 저항온도계수(TCR)을 가지며 면 저항이 5㏀/square 내지 300㏀/square 범위의 저항률을 갖는 특징이 있다. 예를 들어, 본 발명의 바람직한 일 실시형태는 두께가 700이고 면저항이 50㏀/square인 VOx막을 갖는 감지기(40)를 일부로 포함한다.
도3은 온도반응형 감지기(40)의 평면도를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 대향하는 두 코너부에 있는 노치를 제외하고 거의 사각형을 이루고 있으며, 이로써 높은 형태인자(form factor)를 제공한다. 즉, 적외선에너지를 감지하는 유용면적이 크다. 참조부호(40',40")는 상기 센서(40)의 영역으로 분리되는 것으로 식별된다. 보다 상세하게는, 영역(40')은 포스트(36)의 상단(36')와 가장 근접해 있으며, 상기 영역(40")은 포스트(36AA)의 상단(36AA")에 가장 근접해 있다. 상기 감지기(40)에는 바나듐산화물로 이루어진 한쌍의 레그부(41,42)가 집중적으로 (기계적, 전기적으로) 연결된다. 도3에 도시된 바와 같이, 레그(41)는 짧은 하향확장부(41')를 통해 영역(40')에서 감지기(40)에 연결된다. 그 연장된 부분(41')으로부터 수평확장부(41")가 연장되고, 수평확장부(41")로부터 수직확장부(41"')가 연장되어, 알루미늄포스트(36AA)의 상단(36AA')에 전기적으로 연결되도록 채택된 연결부(41"") 또는 거의 정방형인 공동(hollow)부에서 종료한다.
동일한 방식으로, 레그(42)는 영역(40")에서 감지기(40)에 연결되며, 짧은 상향수직확장부(42')와, 그로부터 연장된 수평확장부(42")와, 그로부터 연장되어 알루미늄포스트(36)의 상단(36')에 전기적으로 연결되도록 채택된 연결부(42"") 또는 거의 직사각형인 공동부에서 종료하는 하향수평확장부(42"')로 이루어진다.
유전체층(49)은 레그(41,42)를 포함하는 센서층(40)의 하면 상에 제공될 수 있으며, 이로써 레그(41,42)에 의해 센서를 기계적으로 지지할 수 있다.
도2에 도시된 바와 같이, 흡수층(54)은 상기 유전체층의 하면에 제공되어 센서의 감도를 증가시킬 수 있다.
도2 및 도4에 도시된 바와 같이, 실리콘 질화물로 이루어진 상부 유전체(50)을 층(40)의 상부에 추가한다. 도4와 같이, 포스트캡(post cap: 52A, 52AA)은 연결부(42"" 및 41"")의 상단에 각각 추가하며, 중간층(56)은 바람직하게는 Cr과 같은 물질로 구성한다.
본 발명의 고유한 특징은 바나듐산화물로 이루어진 감지기를 포함한 상부 감지기 평면섹션(38)을 지지하기 위한 레그로 바나듐산화물을 사용하는 것이다. 우선적으로, 레그(41,42)는 알루미늄포스트(36,36AA)로부터, 나아가 관련 집적회로수단을 갖는 하부기판(31)의 상부표면으로부터 상부 감지기 평면섹션을 탁월하게 열적으로 차단시킨다. 그러나, 레그(41,42)에 바나듐산화물 처리를 하지 않는 경우에는 센서(40)와 기판의 집적회로수단 사이에 전기적 연결을 허용할 수 없을 정도의 높은 임피던스가 발생된다. 이러한 명백한 단점을 제거하였고, 실제로, 그 단점을 매우 높은 면저항으로 수반되는 특성과 함께 높은 TCR을 갖는 바나듐산화물막의 적층 및 패터닝공정으로 이어지는 고유의 처리단계를 이용하여 장점으로 전환시켰다. 상기 문제를 해결하기 위해, 우선 바나듐산화물을 페시베이팅하고 이어 낮은 전기적 저항을 구현하고자 하는 영역, 예를 들어 레그(41,42)을 노출시키는 단계가 요구된다. 이어, 상기 노출된 레그를 아르곤가스 백 스퍼터링(back sputtering)공정에 적용하여 그 노출된 막의 저항을 면 저항이 250 Ω/square 내지 1000 Ω/square의 범위인 저항까지 급격히 저하시킨다. 본 발명의 바람직한 실시형태의 일예는, 막두께가 700Å이고 면 저항이 500 Ω/square인 레그(41,42)를 갖는 것이다.
본 발명의 장점은, 미국재발행특허 36,136에 기재된 바와 같이 종래의 마이크로 미터 "습식에칭"에서는 기판 상에 구현된 판독전자장치 또는 반도체수단을 제조하기 전에 12회 포토리소그래피공정과 14회 적층공정이 요구되어 있다는 사실로 부분적으로 평가될 수 있다. 비교적 다수의 포토리스그래피공정 및 적층공정은 바로, 일치하는 에지형상을 피할 때에 형상밀도를 통한 크기 최소화의 한계와 소자제조비용증가로 해석된다.
반면에, 본 발명에서는, "건식에칭(산소 플라즈마)"공정을 사용하여 독립적인 프로세스 단계수를 감소시켰다. 나아가, 종래의 장치 및 방법은 매우 협소한 NiCr층(14)을 사용하여 높은 저항온도계수 VOx물질(14)과 판독전자장치(12) 사이에 상호연결부를 형성하였으나, 본 발명에서는 종래의 소모적인 복잡성을 방지하기 위해, 센서(40)를 지지하면서 센서(40)에 열격리를 제공하고 전기적 연결수단을 제공하는 레그(41,42)를 포함한다.
이와 같이, 본 명세서에 기재된 본 발명은 본 발명의 사상과 일반적인 특징에 벗어나지 않으면서 다른 특정한 형태로 구현될 수도 있다. 여기에 기재된 실시형태는 한정하고자 하는 것이 아니라 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발며의 범위는 상세한 설명에서보다는 첨부된 명세서에서 지시하고자 하며, 청구범위의 균등한 범위와 의미에 있는 모든 변경형태도 본 발명에 포함하고자 한다.

Claims (23)

  1. 2 레벨 마이크로 브릿지 적외선 열감지장치에 있어서,
    반도체 기판 상에 배치되는 픽셀, 상기 픽셀은 상기 기판 표면 상에 위치한 하부섹션과, 상기 하부섹션으로부터 이격되어 상기 하부섹션의 바로 위에 위치한 상부 감지기 평면섹션을 갖고;
    상기 하부 섹션은 집적회로수단을 포함하고;
    상기 상부 감지기 평면섹션은,
    (a) 높은 TCR과 면 저항이 5㏀/스퀘어 내지 300㏀/스퀘어 범위인 저항을 갖는 바나듐 산화물의 온도반응 감지기를 포함하며,
    (b) 바나듐 산화물의 레그부에 의해 상기 하부섹션 상에 지지되고, 상기 레그부의 바나듐 산화물은 면 저항이 250 내지 1,000 Ω/스퀘어의 범위의 저항을 갖고,
    상기 레그부는,
    (a) 상기 감지기와 상기 집적회로수단에 전기적으로 연결되며,
    (b) 또한, 상기 온도반응 감지기에 대해서는 열 차단(thermal isolation)을 행하는 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 픽셀들의 어레이는 일반 반도체기판 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 픽셀 각각의 상부 감지기 평면섹션은 흡수수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 상부 감지기 섹션 아래의 상기 기판 상에 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  5. 2 레벨 마이크로 브릿지 적외선 열감지장치에 있어서,
    반도체 기판 상에 배치되는 픽셀, 상기 픽셀은 상기 기판 표면 상에 위치한 하부섹션과, 상기 하부섹션으로부터 이격되어 상기 하부섹션의 바로 위에 위치한 상부 감지기 평면섹션을 갖고;
    상기 하부 섹션은 집적회로수단을 포함하고;
    상기 상부 감지기 평면섹션은,
    (a) 높은 TCR과 면 저항이 20㏀/스퀘어 내지 50㏀/스퀘어 범위인 저항을 갖는 바나듐 산화물의 온도반응 감지기를 포함하며,
    (b) 바나듐 산화물의 레그부에 의해 상기 하부섹션 상에 지지되고, 상기 레그부의 바나듐 산화물은 비교적 낮은 저항을 갖고,
    상기 레그부는,
    (a) 상기 감지기와 상기 집적회로수단에 전기적으로 연결되며,
    (b) 또한, 상기 온도반응 감지기에 대해서는 열 차단(thermal isolation)을 행하는 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 상부 감지기 평면섹션의 저항 대 상기 레그부의 저항의 비가 10:1에서 600:1의 범위인 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 픽셀들의 어레이는 일반 반도체 기판 상에 배치된 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 픽셀 각각의 상부 감지기 평면섹션은 흡수수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 상부 감지기 섹션 아래의 상기 기판 상에 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  10. 2 레벨 마이크로 브릿지 적외선 열감지장치에 있어서,
    반도체 기판 상에 배치되는 픽셀 어레이, 상기 픽셀의 각각은 상기 기판 표면 상에 위치한 하부섹션과, 상기 하부섹션으로부터 이격되어 상기 하부섹션의 바로 위에 위치한 연관된 상부 감지기 평면섹션을 갖고,
    상기 하부 섹션의 각각은 집적회로수단을 포함하고;
    상기 상부 감지기 평면섹션의 각각은,
    (a) 높은 TCR과 면 저항이 5㏀/스퀘어 내지 300㏀/스퀘어 범위인 저항을 갖는 바나듐 산화물의 온도반응 감지기를 포함하며,
    (b) 바나듐 산화물의 도체부에 의해 상기 상부 감지기 평면섹션의 연관된 하부 섹션의 집적회로수단에 전기적으로 연결되며, 상기 도체부의 바나듐 산화물은 면 저항이 250 내지 1,000 Ω/스퀘어 범위의 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 도체부는 상기 픽셀 각각의 하부섹션 위에 있는 상기 상부 감지기 평면섹션을 지지하는 레그부인 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 도체부는, (ⅰ) 상기 픽셀 각각의 하부섹션 위에 있는 상기 상부 감지기 평면섹션을 지지하고, (ⅱ) 상기 온도반응 감지기에 열격리를 제공하는 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 상부 감지기 평면섹션은 흡수수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 상부 감지기 평면섹션 각각의 아래에 있는 상기 기판 상에 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  15. 2 레벨 마이크로 브릿지 적외선 열감지장치에 있어서,
    반도체 기판 상에 배치되며, 그 각각의 픽셀이 상기 기판표면상에 위치한 하부섹션과 상기 하부섹션으로부터 이격되어 그 바로 위에 위치한 연관된 상부 감지기 평면섹션을 포함하는 픽셀 어레이를 포함하고;
    상기 하부섹션은, 그 각각이 집적회로수단을 포함하고;
    상기 상부 감지기 평면섹션의 각각은,
    (a)높은 TCR과 면 저항이 5㏀/스퀘어 내지 300㏀/스퀘어 범위인 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 바나듐 산화물로 이루어진 온도반응 감지기를 포함하며,
    (b) 비교적 낮은 저항의 바나듐 산화물로 이루어진 도체부에 의해 그와 관련된 하부섹션의 집적회로수단과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로하는 열감지장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 도체부는 상기 픽셀 각각의 하부섹션 위에 있는 상기 상부 감지기 평면섹션을 지지하는 레그부인 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 도체부는, (ⅰ) 상기 픽셀 각각의 하부섹션 위에 있는 상기 상부 감지기 평면섹션을 지지하고, (ⅱ) 상기 온도반응 감지기에 대해서는 열 차단(thermal isolation)을 행하는 것을 특징으로 하는 열감지장치
  18. 제17항에 있어서,
    상기 상부 감지기 평면섹션의 저항 대 상기 레그부의 저항의 비가 10:1에서 600:1의 범위인 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 상부 감지기 평면섹션은 흡수수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 상부 감지기 평면섹션 각각의 아래에 있는 상기 기판상에 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 열감지장치.
  21. 각 픽셀이 기판의 표면상에 위치하며 집적회로를 포함하는 하부섹션과 그 하부섹션으로부터 이격되어 그 바로 위에 위치한 마이크로브릿지 상부 감지기 섹션을 포함하는 2레벨 마이크로브릿지 적외선 열감지기 픽셀 어레이를 제조하는 방법에 있어서,
    온도반응 감지기를 형성하기 위해, 상기 마이크로 브릿지 상부 감지기 섹션 위에, 높은 TCR을 갖고 면 저항이 5㏀/스퀘어 내지 300㏀/스퀘어 범위인 저항을 갖는 바나듐 산화물로 이루어진 막을 적층하는 단계;
    면 저항이 20㏀/스퀘어 내지 50㏀/스퀘어 범위를 갖는 바나듐 산화물의 박막으로 이루어지며, 상기 온도 반응 감지기를 그와 관련된 집적회로수단에 전기적으로 연결하는 적어도 2개의 레그부를 적층하는 단계;
    상기 박막을 패시베이션하는 단계;
    상기 패시베이션된 박막 레그부 중 저평면섹션이 요구되는 선택된 부분을 노출시키는 단계; 및
    면 저항이 250Ω/스퀘어 내지 1,000Ω/스퀘어 범위로 저항이 감소되도록, 상기 박막 레그부 중 상기 선택되어 노출된 부분에 대해 아르곤 가스 백 스퍼터링을 수행하는 단계를 포함하는 제조방법
  22. 각 픽셀이 기판의 표면 상에 위치하며 집적회로를 포함하는 하부섹션과 그 하부섹션으로부터 이격되어 그 바로 위에 위치한 마이크로브릿지 상부 감지기 섹션을 포함하는 2 레벨 마이크로브릿지 적외선 열감지기 픽셀 어레이를 제조하는 방법에 있어서,
    온도반응 감지기를 형성하기 위해, 상기 마이크로 브릿지 상부 감지기 섹션 위에, 높은 TCR을 갖고 면저항이 5㏀/square 내지 300㏀/square 범위의 바나듐 산화물로 이루어진 막을 적층하는 단계;
    면 저항이 5㏀/square에서 300㏀/square 범위의 바나듐 산화물로 이루어진 박막으로 이루어지며, 상기 온도 반응 감지기를 그와 관련된 집적회로수단에 전기적으로 연결하는 적어도 2개의 레그부를 적층하는 단계;
    상기 박막을 패시베이션하는 단계;
    상기 패시베이션된 박막 레그부 중 저평면섹션이 요구되는 선택된 부분을 노출시키는 단계;및
    비교적 낮은 면저항으로 저항률이 감소되도록, 상기 박막 레그부 중 상기 선택되어 노출된 부분에 대해 아르곤가스 백 스퍼터링을 수행하는 단계를 포함하는 제조방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 온도반응 감지기의 저항률 대 상기 박막 레그부의 저항률의 비가 10:1에서 600:1의 범위인 것을 특징으로 하는 제조방법.
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