KR900002704B1 - 광학유리소자의 프레스성형틀 및 그것을 사용한 성형방법 - Google Patents
광학유리소자의 프레스성형틀 및 그것을 사용한 성형방법 Download PDFInfo
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Abstract
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Description
제 1 도 및 제 3 도는 본 발명에 의한 성형틀의 실시예에 대한 단면도.
제 2 도는 본 발명에 이용되는 성형장치의 부분절개사시도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 기본재 2 : 프레스면박층
3 : 프레스면 11 : 상부성형틀
12 : 하부성형틀 13, 14 : 히이터
15 : 상부성형틀용 피스톤실린더
16 : 하부성형틀용 피스톤실린더
본 발명은 광학유리소자의 프레스성형틀 및 그것을 사용한 성형방법에 관한것으로, 특히 프레스성형부 연마공정등의 추가공정을 필요로함이 없이 고정도로 공학유리소자를 프레스성형하기 위한 성형틀 및 그것을 사용한 성형방법에 관한 것이다.
근년, 비데오 테이프 레코더 및 콤펙트 디스크플레이어용 카메라는 소형화, 경량화 및 염가화가 요망되고 있으며, 이에 부응하여 렌즈장치를 단순화할 필요가 있다. 종래의 구면렌즈는 더이상 단순화하는 것이 곤란하기 때문에 비구면렌즈를 사용해야 한다. 그러나, 종래의 연마방법에 의해 비구면렌즈를 제조함에 있어서는 대량생산이 곤란한 문제점이 있다.
이 때문에 근래에는 직접프레스성형방법에 의해 비구면렌즈를 제조하려는 경향이 대두되고 있다.
직접프레스법에 의해 고정도로 비구면렌즈를 성형하는데 있어 중요한 기술요인중의 하나는 성형용 재료이다. 즉 성형용 재료는 (1) 성형틀 표면의 재료가 고온도에서 유리와 반응하지 않은것(또는 유리가 성형틀 표면에 고착되지 않은 것), (2) 성형틀의 프레스면이 찰과상등을 입지 않을 정도로 충분히 견고할 것, (3)고온에서 성형틀이 변형을 일으키지 않을 것, (4) 고온에서 성형틀이 충분한 강도를 가질 것, (5) 내열충역성이 우수할것등의 요건을 충족시킬 수 있는 것이어야 한다.
지금가지의 광학유리소자의 직접프레스성형용 성형틀은, 실리콘카바이드(SiC), 실리콘나이트라이드(Si3N4), 티탄나이트라이드(TiN), 티탄카바이드(TiC), 유리카아본, 텅스텐카바이드(WC) 또는 니켈계 합금을 사용하는 것으로 알려져 있다.
그러나, SiC, Si3N4및 TiC는 극히 높은 경도를 가지기 때문에 이들 재료를 사용하여 고정밀도로 비구면형상을 성형하는 것은 매우 곤란하다. 더우기, 이들 물질 및 WC는 소결해야하는 것이므로 제 3의 성분을 소결제로서 첨가해야 한다. 제 3의 성분은 유리와 반응하기 쉽기 때문에 고정밀도로 광학유리소자를 성형할 수 없다. 또, 상기 물질과 유리카아본 및 티탄나이트라이드를 사용한 프레스 성형틀은, O2의 농도를 맞게 제어하지 않으면 성형틀의 프레스면이 산화되어 버리는 결점이 있다. 니켈계 합금을 사용할 경우에는 약 500℃에서 압력을 받으면 결정이 성장하게되어 성형틀의 프레스면이 거칠어진다. 또, 유리, 특히 산화납계 유리는 니켈계합금에 고착되기 쉽다. 따라서, 니켈합금은 고정밀도의 광학유리소자를 성형하는데에 부적당하다.
본 발명의 목적은 표면의 질 및 정밀도가 양호한 광학유리소자를 염가로 제조하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 표면의 질 및 정밀도가 양호한 광학유리소자를 프레스성형하기 위한 성형틀을 제공하는데 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, (1) 텅스텐카바이드(WC)를 주성분으로 소결결화합금, (2) TiC, TiN, Cr3C2혹은 Al2O3를 주성분으로 하는 도성합금, 또는 (3) 실리콘으로 제조된 것으로 우수한 내열성, 가공성 및 접착성을 가지는 모재와 : (1) 이리듐(Ir), (2) 루테륨(Ru), (3)이리듐(Ir)과 백금(Pt), 레늄(Re), 로듐(Rh), 오스뮴(Os) 및 류테늄(Ru)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종류의 금속원소와의 합금, 또는 (4) 루테늄(Ru)과 백금(Pt), 레늄(Re), 로듐(Rh) 및 오스뮴(Os)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종류의 금속원소와의 합금으로 구성된 것으로서 상기 모 재상에 형성되는 프레스면 박층을 가지는 한쌍의 성형틀을 이용한다. 유리괴는 적어도 그 연화온도까지 가열하여 연화시킨후, 연화된 유리괴를 가압하여 양호한 결상질 및 고정밀도의 광학유리소자를 성형한다.
상술한 본 발명의 목적과 기타 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 후술하는 실시예의 설명으로부터 명백히 이해할 수 있을 것이다.
[실시예 1]
먼저, 제 1 도, 제 2 도 및 표 1을 참조하여 본 발명에 의한 광학유리 소자의 프레스성형틀의 일실시예를 설명한다.
제 1 도는 본 발명에 의한 광학유리소자의 프레스성형용 성형틀의 일실시예에 대한 단면도이다. 본 실시예의 성형틀은, 텅스텐카바이드(WC)를 주성분으로 하는 소결경화합금을 다이아몬드 절삭공구를 사용한 절삭방법에 의해 소정의 형상으로 가공한 모재(1)와, 이리듐(Ir)막 또는 이리듐 계합금막을 스퍼터링방법에 의해 상기 WC 모재(1)상에 약 5㎛의 두께로 형성한 프레스면막층(2)으로 구성된다. 그리하여 프레스면(3)이 형성된다. 제 2 도는 상술한 바와같이 제조된 한쌍의 성형틀을 내부에 설치한 성형장치의 부분절개사시도이다.
57중량%의 산화납(Pbo), 37중량%의 산화실리콘(SiO2) 및 미량의 기타성분으로 조성된 산화납계유리괴(17)를 유리괴예열로(20)에서 2분간 530℃에서 예열한후, 히이터(13)(14)에 의해 530℃로 예열된 상부성형틀(11)및 하부 성형틀(12) 사이로 운반하였다. 이어서, 하부성형틀(12) 상에 놓여진 유리괴(17)를 40kg/㎠의 압력으로 프레스성형하고, 상부성형틀(11)및 하부성형틀(12)과 함께 400℃까지 냉각하였다. 상부성형틀용 피스통실린더(15)의 압력을 제거하여 상부성형틀(11)이 상승하도록한 다음, 취출구(19)로부터 성형된 광학유리 소자를 취출하므로써 광학유리소자의 프레스성형을 완료하였다. 프레스성형실(12)의 내부는 O2농도 0.01~1.0%로 N2가스와 O2가스를 혼합한 혼합가스분위기로 하였다. 하부성형틀용 피스톤실린더(16)은 하부성형틀(12)을 움직이기위한 것이고, 공급아암(18)은 유리괴(17)를 호울딩하기 위한 것이다.
상술한 프레스성형을 500회 반복한후, 상부성형틀(11) 및 하부성형틀(12)의 프레스면(11')(12')을 검사하여 그 표면의 거칠기 및 정밀도를 측정하였다. 또한, 500회의 성형작업에 의해 성형한 광학유리소자의 광학성능을 측정하여 성형틀의 질을 평가하였다.
상기 프레스성형실험은, WC모재상의 프레스 면막층으로서 이리듐(Ir)막을 가지는 성형틀과, 이리듐(Ir)과 백금(Pt), 레늄(Re), 로듐(Rh), 오스뮴(Os), 루테늄(Ru)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 합금원소로 조성된 합금막을 가지는 성형틀에 대하여 행하였다. 실험결과는 표 1에 나타낸 바와 같다.
[표 1] 산화납계유리의 성형실험결과(1)
① * : 각각의 비교예를 나타낸다.
② o : 표면거칠기 및 표면정밀도의 변화가 없고, 적절한 광학성능을 발휘하는 것을 나타낸다.
③ x : 표면이 거칠고, 표면정밀도가 저하해서 광학성능이 불량해진것을 나타낸다.
Ir 피막을 가진 성형틀은 표 1에서 알 수 있는 바와같이 프레스면을 손상시키는 일없이 양질의 광학유리 소자를 프레스성형할 수 있다. Ir함량 71중량% 이상, Pt함량 29중량% 이하로 이루어진 Ir-Pt 이원합금피막 및 Ir-Os 이원합금피막도 만족스러운 결과를 나타내었으며, Ir함량 45중량% 이상, Rh함량 55중량% 이하인 Ir-Rh 이원합금 피막도 역시 마친가지였다. Ir-Ru 이원합금피막은 전 조성범위에서 만족스러운 결과를 나타내었다. 20중량% 이상의 Ir과 Pt, Re, Ph, Os 및 Ru로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 금속원소로 조성된 합금피막은, Pt함량의 29중량%이다. Re함량이 50중량% 이하, Rh함량이 55중량% 이하, Os함량이 50중량% 이하인 조건하에서 만족스러운 결과를 나타내었다. 한편, 합금피막의 Ir 함량이 20중량% 미만이고 Ru를 함유하지 않는 경우에는 프레스면의 거칠어지고 표면정밀도가 저하되었다. 그러나, 20중량% 미만의 Ir과, 이 Ir 함량을 합한층 함량이 25중량% 이상으로 될 수 있는 양의 Ru로 조성된 합금피막을 가진 성형틀의 경우에 있어서는 프레스면이 거칠어지지 않았고 표면정밀도가 저하하지 않았기 때문에 고정밀도의 광학유리소자를 성형할 수 있었다.
또한, 제 1 도에 도시한 볼록면상 프레스성형틀은 설명의 편의상 이용한것이므로, 본 발명에 의한 성형틀의 프레스면이 이 실시예의 형상에만 국한되는 것은 아니고, 프리즘등과 같은 어떠한 형태의 광학유리소자에도 응용할 수 있다.
[실시예 2]
본 실시예는 WC모재상에 Ru피막이나 또는 Ru와 Pt, Re, Ph 및 Os로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 금속원소로 조성된 합금피막을 형성시킨 성형틀을 사용한다. 이 성형틀에 대하여도 실시예 1에서와 동일한 실험을 행하고, 그 결과를 표 2에 나타낸다.
[표 2] 산화납계유리의 성형시험결과 (1)
① * : 비교예
② o : 표면거칠기 및 표면정밀도에 변화가 없고 적절한 광학성능을 발휘함.
③ x : 표면이 거칠고, 표면정밀도가 저하며, 광학성능이 불량해짐.
제 2 도에서 볼 수 있는 바와같이 Ru 피막을 가진 성형틀은 표면이 거칠어지거나 표면정밀도가 악화되는 일이 없었다. Ru함량 71중량% 이상, Pt 함량 29중량% 이하인 Ru-Pt 이원합금 피막은 양호한 결과를 나타내었다. 또한 Ru함량 50중량% 이상, Re 또는 Os 함량 50중량% 미만인 Ru-Re 이원합금 및 Ru-Os 이원합금피막도 양호한 결과를 나타내었다. Ru함량 45중량% 이상, Rh함량 55중량% 이하인 Ru-Rh 이원합금도 표면거칠기 및 표면정밀도의 면에서 양호하였으며, 그 결과 고정밀도의 광학유리소자를 프레스성형할 수 있었다. 함량 20중량% 이상의 Ru와, Pt, Re, Rh 및 Os로 이루어진 군에서 선택된 적어도 2종류의 금속원소로 조성된 합금피막은, Pt 함량이 29중량% 이하, Re함량이 50중량% 이하, Rh함량이 55중량 이하, 또는 Os 함량이 50중량% 이하인 조건하에서 양호한 결과를 나타내었다. 한편, Ru 함량 20% 이하의 합금 피막을 가진 성형틀은 프레스면이 유화되어버리므로 그 표면의 거칠기 및 정밀도가 열화된다.
[실시예 3]
본 실시예는 TiC, TiN, Cr3C2또는 Al2O3를 주성분으로 하는 도성합금을 모재로서 사용했다. 이 모재를 소정의 형상으로 가공한 다음, 그 표면상에 실시예 1 및 실시예 2에서 사용한 것과 같은 각종 피막을 형성시켜서 각종 프레스성형틀을 제작하였다. 이렇게 얻어진 성형틀에 대하여 실시예 1에서와 같은 실험을 행하였다. 프레스면의 거칠기 및 정밀도를 측정해서 성형틀의 질을 평가하였다. 실험결과는 표 3에 나타낸것과 같다.
[표 3] 산화납계 광학유리의 성형실험결과 (1)
① * : 비교예를 나타낸다.
② o : 프레스면의 표면거칠기 및 표면정밀도가 저하되지 않고, 프레스면막층이 모재로부터 박리되지 않은것을 나타낸다.
③ x : 프레스면이 거칠어지고 표면정밀도가 저하된것을 나타낸다.
표 3에서 알수 있는 바와같이, 모재는 실시예 1 및 실시예 2의 것과 다르더라도 프레스면막층 조성물이 실시예 1 및 실시예 2의 그것과 동일한 경우에는, 성형틀은 실시예 1 및 실시예 2에서와 대략 동일한 결과를 나타내었다. 다시 말해서, WC를 주성분으로 하는 소결경화합금이나 또는 TiC, TiN, Cr3C2혹은 Al2O3를 주성분으로 하는 도성합금으로 성형틀의 모재를 제조하는 경우에는, 프레스면 막층이 모재로부터 박리되지 않는다. 이것은 성형틀의 질이 프레스면 막층 조성물에 의해 결정된다는 것을 의미한다. 본 실시예는 1 및 실시예 2의 모든 조성물에 대하여 검토를 하지는 않았지만, 상기의 이유때문에 TiC, TiN, Cr3C2또는 Al2O3를 주성분으로 하는 도성합금을 모재로서 사용하는 성형틀은 WC를 주성분으로하는 소결정질합금을 모재로서 사용하는 성형틀과 동일한 것으로 간주할 수 있다.
[실시예 4]
본 실시예는 Si를 모재로서 이용하였으며, 프레스면막측과 모재와의 접착성을 강화하기 위하여 Si모재상에는 제 3 도에 도시한 바와 같이 SiC, Si3N4, SiO2, TiC, TiN, BeO, ZrO2, Al2O3, Ti, Ta, Mo 및 W로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2종의 성분으로된 1 또는 2층의 중간층(4층)을 형성시켰다. 이어서, 중간층을 가지는 모재상에는 실시예 1 및 실시예 2에서 사용된것과 같은 조성물로된 각종 피막을 형성시켜서 프레스성형틀을 제작하였다. 이 성형틀에 대하여 실시예 1에서 설명한것과 동일한 실험을 행하였다. 500회의 성형작업후, 프레스면의 거칠기 및 정밀도와 모재로부터의 프레스면막층의 박리량을 측정해서 각 성형틀의 질을 평가한 결과, 표 4에 나타낸 바와같은 결과가 얻어진다.
[표 4] 산화납계유리의 성형실험결과 (1)
① o : 프레스면이 거칠어지지않고, 표면정밀도가 저하되지 않았으며, 모재로부터 프레스면막층이 박리되지 않은것을 나타낸다.
② x : 비교예를 나타내는 것으로, 프레스면이 거칠어지고, 표면정밀도가 저하되었으며, 모재로부터 프레스면막층이 박리된것을 나타낸다.
[표 4] 산화납계유리의 성형실험결과 (2)
① o : 프레스면이 거칠어지지않고, 표면정밀도가 저하되지 않았으며, 모재로부터 프레스면막층이 박리되지 않은것을 나타낸다.
② x : 비교예를 나타내는 것으로, 프레스면이 거칠어지고, 표면정밀도가 저하되었으며, 모재로부터 프레스면막층이 박리된것을 나타낸다.
표 4에 있어서 표시 X는 본 발명의 방법에서 제외되는 비교예를 나타내는 것으로서, 프레스면이 유화되거나 또는 프레스면막층이 모재에서 박리되는 등의 결점이 있다. 또, 표시 O는 500회의 성형작업후에도 표면이 거칠어지지 않고 프레스면의 정밀도가 저하되지 않을 뿐만 아니라 모재로부터 프레스면막층이 박리되지 않으므로써 고정밀도로 광학유리소자를 성형할 수 있는 적당한 성형틀의 실시예를 나타낸다. 또한, Ir피막, Ru피막, Ir계합금피막 또는 Ru계합금피막을 직접 또는 Au중간층을 개재하여 모재상에 형성시켜서 성형틀을 제조하는 경우에는, 2 또는 3회의 프레스성형후 피막이 모재에서 박리되어 버린다. 한편, 모재와 프레스면막층간의 접착력을 증가시킨 경우의 실험결과를 상술한 것과 같은 조성물을 프레스면막층으로 하고 WC 또는 도성합금을 모재로 하는 성형틀의 경우와 동일하다. 이상에서 알 수 있는 바와같이, Si를 모재로서 사용하는 경우에는 단지 중간층만을 형성시키면 막층과 모재간의 접착성이 향상된다. 상술한 것 이외의 막층의 예로는 W/SiC/Si, W/Si3N4/Si, Ti/SiO2/Si, W/TiC/Si, Mo/BeO/Si, Mo/Al2O3/Si, 또는 W/ZrO2/Si등이 있다.
이상, 몇 가지 실시예의 의거하여 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 이에 극한되지 않고 첨부된 특허청구의 범위에 기재된 한도내에서 다양하게 변경실시할 수 있다.
Claims (21)
- 텅스텐카바이드를 주성분으로 하는 초경합금, 탄화티탄을 주성분으로 하는 도성합금, 탄화크롬을 주성분으로 하는 도성합금, 질화티탄을 주성분으로 하는 도성합금, 산화알루미늄을 주성분으로 하는 도성합금, 또는 실리콘을 모재로 하여, 상기 모재를 소정형상으로 가공한뒤, 이 모재위에 이리듐막 ; 루데늄막 ; Ir-Pt 합금막 ; Ru-Pt 합금막 ; Ir-Rh 합금막 ; Ru-Rh 합금막 ; Ir-Re 합금막 ; Ru-Re 합금막 ; Ir-Os 합금막 ; Ru-Os 합금막 ; Ir-Ru 합금막 ; 상기 합금계에 제 3 성분으로서 Pt, Re, Rh 또는 Os로 이루어지는 금속을 1종류 가하여 이루어지는 3성분합금막 ; 상기 3성분합금계에 제 4 성분으로서 Pt, Re, Rh 또는 Os로 이루어지는 금속을 1종류 가하여 이루어지는 4성분합금막 ; 상기 4성분합금계에 제 5 성분으로서 Pt, Re, Rh 또는 Os로 이루어지는 금속을 1종류 가하여 이루어지는 5성분합금막 ; 또는 Ir-Pt-Rh-Re-Os-Ru 6성분합금막을 피복하여 구성되는 프레스성형틀을 사용하여, 유리괴를 상하의 상기 프레스성형틀 사이에 설치한 후, 가열함으로써 유리괴를 연화시킨다음, 상하의 프레스성형틀로 가압성형하고, 이어서, 상하의 프레스성형틀 및 성형된 광학유리소자를 냉각한 후, 광학유리소자를 상하의 프레스성형틀에서 꺼내어 광학유리소자를 제조하는 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 제조방법.
- 텅스텐카바이드를 주성분으로 하는 초경합금, 탄화티탄을 주성분으로 하는 도성합금, 탄화크롬을 주성분으로 하는 도성합금, 질화티탄을 주성분으로 하는 도성합금, 산화알루미늄을 주성분으로 하는 도성합금, 또는 실리콘을 모재로 하여, 상기 모재를 소정형상으로 가공한뒤, 이 모재위에 이리듐막 ; 루데늄막 ; Ir-Pt 합금막 ; Ir-Rh 합금막 ; Ir-Re 합금막 ; Ir-Os 합금막 ; Ir-Ru 합금막 ; 상기 합금계에 제 3 성분으로서 Pt, Re, Rh 또는 Os로 이루어지는 금속을 1종류 가하여 이루어지는 3성분합금막 ; 상기 3성분합금계에 제 4 성분으로서 Pt, Re, Rh 또는 Os로 이루어지는 금속을 1종류 가하여 이루어지는 4성분합금막 ; 상기 4성분합금계에 제 5 성분으로서 Pt, Re, Rh 또는 Os로 이루어지는 금속을 1종류 가하여 이루어지는 5성분합금막 ; 또는 Ir-Pt-Rh-Re-Os-Ru 6성분합금막을 피복하여 구성되는 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 2 항에 있어서, Ir-Pt 합금막은 Ir을 71wt%이상 함유하는 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 2 항에 있어서, Ir-Re 합금막은 Ir을 50wt%이상 함유하는 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 2 항에 있어서, Ir-Rh 합금막은 Ir을 45wt%이상 함유하는 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 2 항에 있어서, Ir-Os 합금막은 Ir을 50wt%이상 함유하는 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 2 항에 있어서, Ir-Ru 합금막인 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 2 항에 있어서, 이리듐을 함유하는 3성분합금막은, Ir을 20wt%이상 함유하고, 잔여성분은 Pt, Rh, Re, Os 및 Ru중의 2종류로 이루어지며, 그때의 각 원소의 함유율은 Pt : 0~29wt%이내, Rh : 0~55wt%이내, Re : 0~50wt%이내, Os : 0~50wt%이내, Ru : 0~80wt%이내인 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 2 항에 있어서, 이리듐을 함유하는 4성분합금막은, Ir을 20wt%이상 함유하고, 잔여성분은 Pt, Rh, Re, Os 및 Ru중의 3종류로 이루어지며, 그때의 각 원소의 함유율은 Pt : 0~29wt%이내, Rh : 0~55wt%이내, Re : 0~50wt%이내, Os : 0~50wt%이내, Ru : 0~80wt%이내인 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 2 항에 있어서, 이리듐을 함유하는 5성분합금막은, Ir을 20wt%이상 함유하고, 잔여성분은 Pt, Rh, Re, Os 및 Ru중의 4종류로 이루어지며, 그때의 각 원소의 함유율은 Pt : 0~29wt%이내, Rh : 0~55wt%이내, Re : 0~50wt%이내, Os : 0~50wt%이내, Ru : 0~80wt%이내인 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 2 항에 있어서, 이리듐을 함유하는 6성분합금막은, Ir을 20wt%이상 함유하고, 잔여성분은 Pt, Rh, Re, Os 및 Ru로 이루어지며, 그때의 각 원소의 함유율은 Pt : 0~29wt%이내, Rh : 0~55wt%이내, Re : 0~50wt%이내, Os : 0~50wt%이내, Ru : 0~80wt%이내인 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 텅스텐카바이드를 주성분으로 하는 초경합금, 탄화티탄을 주성분으로 하는 도성합금, 탄화크롬을 주성분으로 하는 도성합금, 질화티탄을 주성분으로 하는 도성합금, 산화알루미늄을 주성분으로 하는 도성합금, 또는 실리콘을 모재로 하여, 상기 모재를 소정형상으로 가공한뒤, 이 모재위에 루데늄막 ; Ru-Pt 합금막 ; Ru-Re 합금막 ; Ru-Os 합금막 ; 상기 합금계에 제 3 성분으로서 Pt, Re, Rh 또는 Os로 이루어지는 금속을 1종류 가하여 이루어지는 3성분합금막 ; 상기 3성분합금계에 제 4 성분으로서 Pt, Re, Rh 또는 Os로 이루어지는 금속을 1종류 가하여 이루어지는 4성분합금막 ; 또는 상기 4성분합금계에 제 5 성분으로서 Pt, Re, Rh 또는 Os로 이루어지는 금속을 1종류 가하여 이루어지는 5성분합금막을 피복하여 구성되는 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 12 항에 있어서, Ru-Pt 합금막은 Ru를 71wt%이상 함유하는 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 12 항에 있어서, Ru-Re 합금막은 Ru를 50wt%이상 함유하는 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 12 항에 있어서, Ru-Rh 합금막은 Ru를 45wt%이상 함유하는 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 12 항에 있어서, Ru-Os 합금막은 Ru를 50wt%이상 함유하는 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 12 항에 있어서, 루데늄을 함유하는 3성분합금막은, Ru를 20wt%이상 함유하고, 잔여성분은 Pt, Rh, Re 및 Os 중의 2종류로 이루어지며, 그때의 각 원소의 함유율은 Pt : 0~29wt%이내, Rh : 0~55wt%이내, Re : 0~50wt%이내, Os : 0~50wt%이내인 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 12 항에 있어서, 루데늄을 함유하는 4성분합금막은, Ru를 20wt%이상 함유하고, 잔여성분은 Pt, Rh, Re 및 Os 중의 3종류로 이루어지며, 그때의 각 원소의 함유율은 Pt : 0~29wt%이내, Rh : 0~55wt%이내, Re : 0~50wt%이내, Os : 0~50wt%이내인 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 12 항에 있어서, 루데늄을 함유하는 5성분합금막은, Ru를 20wt%이상 함유하고, 잔여성분은 Pt, Rh, Re 및 Os 중의 4종류로 이루어지며, 그때의 각 원소의 함유율은 Pt : 0~29wt%이내, Rh : 0~55wt%이내, Re : 0~50wt%이내, Os : 0~50wt%이내인 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 2 항에 있어서, 상기 실리콘(Si)이고, 상기 모재와 상기 피복층사이에 1 또는 2층의 중간층을 형성하고, 상기 각각의 중간층은 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘 나이트라이드(Si3N4), 실리콘 디옥사이드(SiO2), 티탄카바이드(TiC), 티탄나이트라이드(TiN), 베릴리아(BeO), 지르코니아(ZrO2), 알루미나(Al2O3), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종이상의 원소로 조성된 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
- 제 12 항에 있어서, 상기 모재는 실리콘(Si)이고, 상기 모재와 상기 피복층사이에 1 또는 2층의 중간층을 형성하고, 상기 각각의 중간층은 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘 나이트라이드(Si3N4), 실리콘 디옥사이드(SiO2), 티탄카바이드(TiC), 티탄나이트라이드(TiN), 베릴리아(BeO), 지르코니아(ZrO2), 알루미나(Al2O3), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종이상의 원소로 조성된 것을 특징으로 하는 광학유리소자의 프레스성형틀.
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