KR900002329A - 에러정정수단을 가진 불휘발성 반도체 메모리 - Google Patents

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KR900002329A
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김진기
도재영
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강진구
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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

에러정정수단을 가진 불휘발성 반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 나타낸 전체블럭도.
제2도는 본 발명에서 데이타라이트시 활성화되는 회로를 나타낸 블럭도.
제3도는 본 발명의 부호발생회로도에 대한 실시예.

Claims (7)

  1. 불휘발성 반도체 메모리에서 각 어드레스에 해당하는 위드나 바이트단위로 틀림정정 패리티부호를 발생시킬수 있는 수단을 구성하고, 데이타의 기록시에는 입력데이타를 데이타 비트용 셀에 기록하는 수단과, 입력데이타에 상응하는 패리티부호를 셀에 기록하는 수단과, 리드시 데이타비트 및 패리티비트를 동시에 읽혀들인 후 복호하는 수단과로 구성되어 워드나 바이트 단위로 발생되는 에러를 정정할 수 있게 한 에러정정수단을 가진 불휘발성 반도체 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 틀림정정수단은 데이타들과 상응하는 패리티부호를 발생시키는 부호발생회로(13)와, 상기 부호발생회로(13)에 연결되고 (10)에 복호된 출력을 공급시키는 복호회로(12)와, -입력버퍼(9)를 통하여 공급되는 데이타중 1비트의 에러가 발생되게 한 에러발생회로(15)와로 구성되게 한 에러정정수단을 가진 불휘발성 반도체 메모리.
  3. 제2항에 있어서, 부호발생회로(13)는 데이타라인(D/L)과 MOS트랜지스터가 연결된 패리티라인(D/L)DM로 구성시킨 후 헤밍코드에 따라 익스크루시버오아게이트(EX1-EX5)들로 구성된 블럭(Bk0-Bk3)들이 연결되게 구성시킨 에러정정수단을 가진 불휘발성 반도체 메모리.
  4. 불휘발성 메모리 셀 어레이(1)와 틀림정정회로와를 분리시키는 수단을 구성시키고 틀림정정회로의 부호발생회로(13), 북호회로(12), 에러발생회로(15)가 각각 분리시킬수 있는 수단과, 상기 틀림정정회로의 각 부분회로가 개별적으로 검증할 수 있는 수단을 가지는 에러정정수단을 가진 불휘발성 반도체 메모리.
  5. 제4항에 있어서, 부호발생회로(13)로 자체의 동작을 검증시키는 수단은 입력버퍼(9), 부호발생회로(13), 출력버퍼(7)로 구성되는 페루프로 구성시켜 검증되게 한 에러정정수단을 가진 불휘발성 반도체 메모리.
  6. 제4항에 있어서, 콘트롤시그널(H1)(H2)이 공급되는 낸드게이트(NB1)와, 인버터(IB1)와, 낸드게이트(NB2-NB4)로 데이타 선택회로(11)로 구성시켜 정정회로(10)의 동작이 정지된 상태에서 데이타비트용 메모리 셀과 패리티비트용 메모리셀을 각각 검증 가능하게 한 에러정정수단을 가진 불휘발성 반도체 메모리.
  7. 제4항에 있어서, 틀림정정회로내에 틀림발생을 제어할 수 있는 에러발생회로(15)를 구성하여 입력어드레스에 의해 틀림이 발생되는 비트의 위치가 제어되게 한 에러정정수단을 가진 불휘발성 반도체 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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