KR900000949A - 전자 튜브 - Google Patents

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KR900000949A
KR900000949A KR1019890008928A KR890008928A KR900000949A KR 900000949 A KR900000949 A KR 900000949A KR 1019890008928 A KR1019890008928 A KR 1019890008928A KR 890008928 A KR890008928 A KR 890008928A KR 900000949 A KR900000949 A KR 900000949A
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electron
electron tube
tube
electronic
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KR1019890008928A
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Inventor
빌렘 케르크호프 클라스
보츠마 코르넬리스
다니엘 페트루스 카우벤베르크 베르너
Original Assignee
이반 밀러 레르너
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
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Publication date
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    • H01J17/38Cold-cathode tubes
    • H01J17/48Cold-cathode tubes with more than one cathode or anode, e.g. sequence-discharge tube, counting tube, dekatron
    • HELECTRICITY
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    • H01J43/04Electron multipliers
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    • H01J43/22Dynodes consisting of electron-permeable material, e.g. foil, grid, tube, venetian blind

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  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

전자 튜브
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 진공 전자 튜브에 적절하게 사용될 수 있는 전자 증배기의 상세한 단면도.
제4도는 본 발명에 다른 진공 전자 튜브에 적절하게 사용될 수 있고, 편향 전극의 적층으로 제공되는 전자 증배기의 상세한 단면도.

Claims (16)

  1. 상호 접속된 적어도 하나의 관통된 판형 금속 전극 구조와 적어도 하나의 관통된 판형 절연 소자의 스택을 구비하는 전자 튜브에 있어서, 절연 소자는 코어를 구비하고 거의 같은 전극 구조와 코어의 열팽창 계수와 산화된 알루미늄층의 외부층, 전극 구조와 대향하는 측상에 알루미늄층으로 제공된 것을 특징으로 하는 전자 튜브.
  2. 제1항에 있어서, 코어는 전극 구조와 같은 금속으로 제조된 것을 특징으로 하는 전자 튜브.
  3. 제1 또는 2항에 있어서, 코어의 두께는 적어도 알루미늄층 두께의 네배인 것을 특징으로 하는 전자 튜브.
  4. 제3항에 있어서, 알루미늄층은 대략 15㎛의 두께인 것을 특징으로 하는 전자 튜브.
  5. 전항중 어느 한 한 항에 있어서, 알루미늄층은 부분적으로 산화된 것을 특징으로 하는 전자 튜브.
  6. 제1, 2, 3, 4, 또는 5항에 있어서, 전극 구조는 부 전극의 시스템을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 튜브.
  7. 전항중 어느 한 항에 있어서, 스택은 또다른 금속 전구 구조를 구비하고, 절연 소자는 두 금속 전극 구조 사이에 접속되어 정렬된 것을 특징으로 하는 전자 튜브.
  8. 전항중 어느 한 항에 있어서, 전자 튜브는 전자 발생 시스템, 전자 기록용 전자 감지 소자, 전자 발생 시스템과 전자 감지 시스템 사이에 정렬된 전자 증배기, 전자 증배기의 스택 형성부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 튜브.
  9. 제6항에 있어서, 전자 튜브는 한가지 이상의 색상의 형광 패턴을 갖는 표시 스크린을 구비하고, 전자 구조는 형광 패턴으로 전자를 편향시키는 편향 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 튜브.
  10. 제9항에 있어서, 코어는 편향 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 튜브.
  11. 제6 또는 7항에 있어서, 전자 튜브는 전자 발생 시스템, 전자 기록용 전자 감지 소자, 전자 발생 시스템과 전자 감지 시스템 사이에 정렬된 선택 시스템을 구비하며, 선택 시스템은 전자 발생 시스템으로부터 전자 감지 소자로 전자를 선택적으로 통과시키며, 선택 시스템의 일부분을 형성하는 스택과 전극 구조는 스트립형 부 전극의 시스템을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 튜브.
  12. 제6항에 있어서, 코어는 전기적으로 유도성 물질로 제조되고 전극 구조로부터 떨어져 대향한 측상의 전자에 영향을 주는 공통 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 튜브.
  13. 전항중 어느 한 항에 청구된 바와 같은 전자 튜브에 적당히 사용될 수 있는 스택.
  14. 제7, 8 또는 9항에 청구된 바와 같은 전자 튜브에 적당히 사용될 수 있는 전자 증배기.
  15. 제11항에 청구된 바와 같은 전자 튜브에 적당히 사용될 수 있는 선택 시스템.
  16. 제1항에 청구된 바와 같은 전자 튜브에 적당히 사용될 수 있는 스택 제조 방법에 있어서, 개구는 에칭에 의해 금속판에 형성되고 알루미늄층은 전극 위치에 의해 제공되며, 알루미늄층은 완전히 또는 부분적으로 산화된 것을 특징으로 하는 스택 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890008928A 1988-06-30 1989-06-28 전자 튜브 KR900000949A (ko)

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NL8801657 1988-06-30

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JPH0246646A (ja) 1990-02-16
US4998037A (en) 1991-03-05
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