KR890017708A - 소명성 메모리 보존 시스템 - Google Patents

소명성 메모리 보존 시스템 Download PDF

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KR890017708A
KR890017708A KR1019890005889A KR890005889A KR890017708A KR 890017708 A KR890017708 A KR 890017708A KR 1019890005889 A KR1019890005889 A KR 1019890005889A KR 890005889 A KR890005889 A KR 890005889A KR 890017708 A KR890017708 A KR 890017708A
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알랜 스파크스 브래들리
Original Assignee
유진 엠.휘태커
톰슨 컨슈머 일렉트로닉스 인코포레이티드
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    • G11—INFORMATION STORAGE
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    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
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    • G—PHYSICS
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Abstract

내용 없음

Description

소명성 메모리 보존 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 가장 단순하면서 가장 값싼 본 발명의 양호한 실시예의 블록 다이어그램. 제2도는 본 발명의 제2의 양호한 실시예 도면.

Claims (8)

  1. 로직 장치의 하나에 연결된 일체적 공동 발진기에 의해 클럭된 제1 및 제2로직 장치를 구비하며, 로직장치의 각각은 로직 장치가 바이어싱 전압을 수신할 때의 제1임피던스와 바이어싱전압이 수락할 만한 레벨밑으로 떨어질때의 제1임피던스를 가지는 발진기 입력단자를 구비하며,각각의 로직 장치는 메모리를 구비하며, 상기 제1로직 장치의 메모리는 소멸성이 되며 기억된 데이타는 상기 바이어싱 전압이 수락할만한 레벨 밑으로 떨어질 때 잃어버리며, 상기 메모리 보존 시스템은 상기 바이어싱 전압이 수락할만한 레벨 밑으로 떨어진 후에 미리 선택된 시간에 대해 상기 소멸성 메모리 전압 보존을 위해, 소멸성 메모리를 구비하는 제1의 로직장치에 연결되고 바이어싱 전압에 응답한 충전 기억 수단은 구비하는 전자 장치용 메모리 보존 시스템에 있어서, 상기 바이어싱 전압이 수락할만한 레벨 밑으로 떨어질 때 상기 발진기(14)를 정지시키기 위해 상기 로직장치의 발진기 입력단자(12, 19)에 함께 연결된 수단(21)을 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 보존 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 연결용 상기 수단은 레지스터인 것을 특징으로 하는 메모리 보존 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 발진기(14)는 제1로직 장치(11)에 연결되어 있으며 제1로직 장치는 리셋 단자(24)를 구비하며, 상기 제1의 로직장치(18)의 바이어싱용 파워-손실 검출수단(26)과, 상기 리셋단자(24)에 연결되고 파워 손실 검출수단에 응답한 스위치 수단(28)을 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 보존 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 스위칭 수단(28)은 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 메모리 보존 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1의 로직장치(18)는 제1의 로직장치의 발진기 입력과 상기 파워 손실 검출수단(26)사이에 배치된 것을 특징으로 하는메모리 보존 시스템.
  6. 제1항에 있어서 상기 제2의 로직장치(18)의 바이어싱용 파워손실 검출수단(26)과, 상기 제1로직장치의 리셋단자에 연결되고 상기 파워손실 검출수단에 응답한 스위치 수단(28)을 특징으로 하는 메모리 보존시스템.
  7. 제6항에 있어서, 상기 스위칭 수단은 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 메모리 보존 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2의 로직장치는 제1의 로직 장치의 발진기 입력(12)과 상기 파워 손실 검출수단(26)사이에 배치된 것을 특징으로 하는 메모리 보존 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890005889A 1988-05-05 1989-05-02 소멸성 메모리 보존 시스템 KR0138768B1 (ko)

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US190437 1994-02-02

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CN1037611A (zh) 1989-11-29
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US4943961A (en) 1990-07-24
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MY103849A (en) 1993-09-30

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