KR890017009A - 고 플럭스의 활성 종 제조방법 - Google Patents

고 플럭스의 활성 종 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR890017009A
KR890017009A KR1019890007060A KR890007060A KR890017009A KR 890017009 A KR890017009 A KR 890017009A KR 1019890007060 A KR1019890007060 A KR 1019890007060A KR 890007060 A KR890007060 A KR 890007060A KR 890017009 A KR890017009 A KR 890017009A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
pressure
enclosure
conduit
active species
Prior art date
Application number
KR1019890007060A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0136863B1 (ko
Inventor
도엘러 요힘
휴젼스 스테펀
오브신스키 스탠포드
도터 2세 부디
피딘 레스터
크리스코 제프리
크리스코 앤네트
Original Assignee
바민 에스 · 시스킨드
에너지 컨버션 디바이시즈, 인코퍼레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 바민 에스 · 시스킨드, 에너지 컨버션 디바이시즈, 인코퍼레이션 filed Critical 바민 에스 · 시스킨드
Publication of KR890017009A publication Critical patent/KR890017009A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0136863B1 publication Critical patent/KR0136863B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/4551—Jet streams
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45514—Mixing in close vicinity to the substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
    • Y10S505/739—Molding, coating, shaping, or casting of superconducting material
    • Y10S505/741—Coating or casting onto a substrate, e.g. screen printing, tape casting

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

고 플럭스의 활성 종 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 진공 봉입물의 내부를 설명하며, 에너지 전달가스로부터 나온 깃털모양의 활성종이, 강력하게 주입된 데포지션 종의 생성과 멀리 위치한 기판 표면상에 그 데포지션 종의 데포지션용 전구물질 데포지션 가스와 충돌하는 것에 관하여 설명하는 부분적으로 절취된 사시도. 제 2 도는 제 1 도관의 위치를 설명하며, 이것을 통해 에너지 전달 가스가 마이크로파도포제에 관하여 봉입물내로 유입되는 것을 설명하는 부분 절취된 확대 측단면도. 제 3 도는 제 2 도에 도시된 제 1 도관과 마이크로파도포제에 관하여 봉입물내로 유입되는 것을 설명하는 부분 절취된 확대 측단면도. 제 3 도는 제 2 도에 도시된 제 1 도관과 마이크로파 도포제에 있어서, 상기 도관은, 상기 도포제의 내부로 대략 통로의 반이 쭉뻗쳐지도록 수정된 확대 부분 절취도. 제 4 도는 수정된 파센 곡선을 그래피로 표시한것이며, 다른 부피를 가진 깃털 모양의 활성종에 대하여 가로축에 표시된 압력과 세로축에 표시된 파워를 나타내는 파센 곡선은 "물리 평론"75권 411 페이지(1949)에서 발표되고, 에이.디 맥도날드와 에스.씨 브라운에 의해 저술된 논설로부터 재현된 곡선.

Claims (29)

  1. 봉입물(12)을 제공하는 단계, 분위기 압력보다 낮은 압력에서 상기 봉입물 내부를 유지하는 단계, 제 1 도관(24)(224)(324)에 형성된 적어도 한개의 구멍(26)(226)(326)을 통해 상기 봉입물의 내부로 에너지 전달가스(A)를 유입하는 단계, 상기 에너지 전달가스로부터 나온 고밀도를 가진 깃털모양(34)(231)(331)은 활성종을 형성하도록 활성 영역(36)에서 상기 에너지 전달가스를 활성화시키는 단계, 상기 봉입물의 내부에 기판 수단(50)을 효과적으로 배치하는 단계, 대체로 전자 손실을 방지하기에 충분한 거리를 상기 활성 영영으로부터 일정 간으로 위치된 상기 기판을 포함하여, 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 쵸크상태를 제작하고, 그것을 통해 국부화된 고압력의 에너지전달가스를 제공하며, 그것에 의하여 실질적으로 차동압력이 상기 제 1 도관의 구멍압력과 상기 봉입물의 압력사이에서 유지되는 것을 특징으로 하는 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  2. 봉입물(12)을 제공하는 단계, 분위기 압력보다 낮은 압력에서 상기 봉입물 내부를 유지하는 단계, 제 1 도관(24)(224)(324)에서 형성된 적어도 한개의 구멍(26)(226)(326)을 통해 상기 봉입물의 내부로 에너지 전달가스를 유입하는 단계, 상기 에너지 전달가스로부터 나온 고밀도를 가진 깃털모양(34)(231)(331)의 활성종을 형성하도록 활성영역(36)에 상기 에너지 전달가스를 활성화하는 단계, 제 2 도관(60)을 통해 상기 봉입물 내부로 전구물질 데포지션가스를 유입하는 단계, 상기 제 2 도관으로부터 나온 상기 전구 물질 데포지션가스가 상기 봉입물로 유입하는 뽀족한 단 (62)은 상기 활성 영역에 관하여 일정한 간격으로 배치되며, 그것에 의하여 상기 전구물질의 데포지션가스와 상기 고밀도를 가진 활성종의 충돌은, 상기 전구 물질 데포지션 가스에 강력주입된 고밀도의 활성종이 발생되는 충돌영역을 한정하는 단계, 상기 봉입물의 내부에 기판수단(50)을 효과적으로 배치하는 단계, 상기 기판수단이 실질적으로 전자 손실을 방해하기에 충분한 거리를 상기 활성 영역으로부터 일정하게 위치된 단계를 포함하며, 제 1 도관의 구멍에 인접한 쵸크상태를 제작하여, 그것을 통해 유출하는 국부화된 고압력의 에너지 전달가스를 제공하며, 그것에 의하여 실질적 압력이 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 압력과 상기 봉입물의 압력간의 차이로 유진되는 것을 특징으로 하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 파센곡선(1)(2)(3)(4)의 실제 최소치에 있는 파워-압력-구멍크기의 통제로 상기 에너지 전달가스로부터 나온 플라즈마를 개시하는 상기 구멍에 인접한 상기 에너지 전달가스의 충분한 압력을 제공하도록 상기 제 1 도관의 에너지 전달가스의 유량속도를 선택하는 수단을 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  4. 상기 구멍에 인접한 전자의 주재시간을 증가시키며, 그것에 의하여 상기 구멍에 인접한 상기 활성종의 밀도도 증가되는 단계를 포함하는, 비교적 고속데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 구멍에 인접한 상기 전자의 주재시간을 증가하도록 자계를 제공하는 단계를 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 도관을 냉각하는 수단(228)(328)이 제공되는 단계를 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  7. 제 2 항에 있어서, 수소, 회유가스, CH4및 그것의 조합으로 본래 구성하는 그룹으로부터 상기 에너지 전달가스가 선택되는 단계를 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  8. 실리콘을 포함하는 가스, 탄소를 포함하는 가스, 게르마늄을 포함하는 가스 및 그것의 조합으로 본래 구성하는 그룹으로부터 전구물질의 데포지션 가스를 선택하는 단계를 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  9. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 압력보다 적어도 5배가 더 작은 요소를 상기 봉입물의 이면 압력으로 유지하며, 그것에 의하여 깃털모양의 압력동중원소(23la)(231b)(231c)(331a)(331b)(331c)는 상기 에너지전달가스로부터 나온 활성종으로 형성되는 단계를 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  10. 제 2 항에 있어서, 봉입물의 압력과 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 압력간의 차동압력을 컨트롤하여 상기 활성종의 부피를 컨트롤하는 단게를 포함하는 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 주어진 에너지 전달가스가 상기 제 1 도관의 구멍부분에 인접하여 발생하는 약 0.5압력의 동중원소를 유지하는 단계를 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  12. 제 2 항에 있어서, 초기부터 본래 음속인 속도를 상기 활성종에 부여하는 단계를 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  13. 봉입물을 제공하는 단계, 분위기압력보다 낮은 압력에서 상기 봉입물의 내부를 유지하는 단계, 제 1 도관(24,224,334)에 형성된 적어도 한개의 구멍(26)(226)(326)을 통해 상기 봉입물 내부로 에너지 전달가스를 유입하는 단계, 상기 에너지 전달가스로부터 나온 고밀도를 가진 깃털모양(34)(231)(331)의 활성종을 형성하도록 활성영역의 상기 에너지 전달가스를 활성화시키는 단계, 제 2 도관(60)을 통해 상기 봉입물 내부로 전구 물질 데포지션 가스를 유입하는 단계, 상기 제 2 도관으로부터 나온 상기 전구물질의 데포지션가스를 상기 봉입물로 유입하는 뽀족한 단(62)이 상기 활성 영역에 관하여 일정한 간격으로 배치되며, 그것에 복하여 상기 전구물질의 데포지션 가스와 상기 고밀도를 가진 활성종의 충돌은, 상기 전구물질의 데포지션가스에 강력 주입된 고밀도의 데포지션종이 발생되는 충돌영역(65)을 한정하는 단계, 상기 봉입물 내부에 기판 수단을 효과적으로 배치하는 단계, 상기 기판수단(50)이 전자 손실을 실제로 방지하기에 충분한 거리를 상기 활성영역으로부터 떨어져 일정한 간격으로 위치된 단계를 포함하며, 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 압력보다 작은 적어로 5배의 요소를 상기 봉입물의 압력을 유지하며, 압력을 가진 동중원소로 성형된 깃털모양은 상기 에너지 전달가스로부터 나온 활성종으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  14. 봉입물(12)을 제공하는 단계, 분위기압력보다 작은압력에서 상기 봉입물의 내부를 유지하는 단계, 제 1 도관(24)(224)(334)에 형성된 적어도 하나의 구멍(26)(226)(326)을 통해 상기 봉입물 내부로 에너지 전달 가스(A)를 유입하는 단계, 활성종으로 된 깃털모양(34)(231)(331)을 형성하도록 활성영역(36)의 상기 에너지 전달가스에 전자계를 사용하는 단계, 상기 활성영역으로부터 일정간격을 둔 제 2 도관(60)을 통해 상기 봉입물로 전구 물질 데포지션가스를 유입하며, 그것에 의하여 긋기 전구물질 데포지션가스와 상기 활성종의 충돌은, 상기 전구물질의 데포지션가스에 강력 주입된 고밀도의 데포지션종이 발생되는 충돌영역을 한정한 단계, 상기 강력 주입된 활성종을 그것위에 데포지션 충돌영역에 인접한 기판수단(50)을 효과적으로 배치하는 단계를 포함하며, 구조적이나 자기를 띤것에 국한됨이 없이 상기 에너지 전달가스로부터 나온 상기 깃털보양의 활성종에 의해 차지된 부피를 한정하는 것을 특징으로 하는, 비교적 고속 데포지션에서 고풍질의 박막을 제조하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 봉입불의 압력과 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 압력간의 차동압력을 컨트롤하여 상 기 활성종에 의해 차지된 부피를 컨트롤하는 단계를 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  16. 봉입물(12)을 제공하는 단계, 분위기압력보다 낮은 압력에서 상기 봉입물외 내부를 유지하는 단계, 제 1 도관(24)(224)(334)에 형성된 적어도 하나의 구멍(26)(226)(326)을 통해 상기 봉입물의 내부로 에너지 전달가스를 유입하는 단계, 에너지 전달가스로부터 나은 활성종 플럭스를 형성하도록 활성 영역(36)의 상기 에너지 전달가스(A)를 활성화시키는 단계, 상기 봉입물의 내부에 기판 수단을 효과적으로 배치하는 단계, 상기 기판수단이 상기 환성영역에 관하여 일정한 간격으로 배치된 단계를 포함하며, 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 압력과 상기 봉입물의 압력간에 적어도 5배의 요소로 차동압력을 설정하는 것을 특징으로 하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 파센곡선(1)(2)(3)(4)의 실제 최소치에 있는 파워-압력-구멍크기 통제에서 상기 에너지 전달가스로부터 나온 플라즈마를 개시하는 상기 구멍에 인접한 상기 에저지 전달가스에 충분한 압력을 제공하기 위하여 상기 제 1 도관내에 있는 에너지 전달 가스의 유량속도를 선택하는 단계를 포함하는, 에너지 전달 가스로 부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 에너지 전달가스의 고압력을 제공하는 상기 구멍에 인접한 초크(226)(336)를 형성하도록 제 1 도관의 크기에 비하여 상기 구멍크기를 감소시키는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 구멍에 인접한 전자의 주재시간이 증가되며, 그것에 의하여 상기 구멍에 인접한 상기 활성종의 밀도도 증가되는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  20. 제16항에 있어서, 수소, 희유가스, CH4, CF4및 그것의 조합으로 본래 구성한 그룹으로부터 상기 에너지 전달가스를 선택하는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로붜 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  21. 봉입물(12)을 제공하는 단계, 분위기 압력보다 낮은압력에서 상기 봉입물의 내부를 유지하는 단계, 제 1 도관에 형성된 적어도 하나의 구멍(26)(226)(326)을 통해 상기 봉입물 내부로 에너지 전달가스를 유입하는 단계, 상기 에너지 전달가스로부터 나온 깃털모양(36)(231)(331)의 활성종을 형성하도록 활성영역(36)의 상기 에너지 전달가스를 활성화시키는 단계, 상기 봉입물의 내부에 기판수단(50)을 효과적으로 배치하는 단계, 상기 기판수단(50)이 상기 활성 영역에 관하여 일정간격으로 위치된 단계를 포함하며, 구조적이나 자기를 띤 것에 국한됨이 없이 상기 에너지 전달가스로부터 나온 상기 깃털모양의 활성종에 의해 차지된 부피를 한정하는 것을 특징으로 하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 에너지 전달가스의 고압력을 가진 깃털모양이 제공되는 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 쵸크(226)(326)를 형성하는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  23. 제21항에 있어서, 봉입물의 압력과 제 1 도관의 구멍에 인접한 압력간에 존재하는 차동 압력을 컨트롤하여 깃털모양의 활성종으로 이루어진 부피가 컨트롤되는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  24. 제21항에 있어서, 초기부터 본래 음속인 속도를 상기 활성종에 부여하는 단계를 포함하는 에너지 전달 가스로 부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  25. 봉입물(12)을 제공하는 단계, 분위기압력보다 낮은 압력에서 상기 봉입물의 내부를 유지하느 단계, 제 1 도관에 형성된 적어도 하나의 구멍(26)(226)(326)을 통해 상기 봉입물 내부로 에너지 전달가스(A)를 유입하는 단계, 상기 에너지 전달가스로부터 나온 깃털모양(34)(231)(331)으 활성종을 형성하도록 활성영역(36)의 상기 에너지 전달가스를 활성화시키는 단계를 포함하며, 그것으로부터 구조적이나 자기를 띤것에 국한됨이 없이 상기 활성 영역의 본래 분명한 경계를 한정하도록 본래 음속도에서 상기 제 1 도관을 통해 상기 에너지 전달가스의 유량을 설정함을 특징으로 하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 에너지 전달가스의 고밀도를 가진 깃털모양이 제공되는 상기 구멍에 인접한 쵸크(226)(326)를 형성하도록 제 1 도관의 크기에 비하여 상기 구멍의 크기가 감소되는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  27. 제25항에 있어서, 상기 에너지 전달가스르 활성화시키도록 마이크로파 에너지(32)(232)332)를 이용한는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  28. 제25항에 있어서, 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 압력보다 작은 적어도 약 5배의 요소를 상기 봉입물의 압력으로 유지하며, 그것에 의하여 깃털모양의 압력 동중원소(231a)(231b)(231c)(331a)(331b)(331c)는 상기 에너지 전달가스로부터 나온 활성종으로 형성되는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  29. 제25항에 있어서, 상기 봉입물의 내부에 가판수단(50)을 효과적으로 배치되며 기판수단의 표면과 그것으로 직접 또는 간접 반응에 대하에 상기 에너지 전달 가스로부터 나온 상기 활성종에 지향성 운동량을 부여 한 상기 봉입물의 압력에 관하여 상기 제 1 도관을 통해 상기 에너지 전달가스의 유량속도가 제공되는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890007060A 1988-05-24 1989-05-26 고플럭스의 활성종 제조방법 KR0136863B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US199062 1988-05-24
US07/199,062 US4883686A (en) 1988-05-26 1988-05-26 Method for the high rate plasma deposition of high quality material

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR890017009A true KR890017009A (ko) 1989-12-14
KR0136863B1 KR0136863B1 (ko) 1998-04-25

Family

ID=22736050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890007060A KR0136863B1 (ko) 1988-05-24 1989-05-26 고플럭스의 활성종 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4883686A (ko)
EP (1) EP0343355B1 (ko)
JP (1) JP2854603B2 (ko)
KR (1) KR0136863B1 (ko)
CA (1) CA1339914C (ko)
DE (1) DE68911373T2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190003094U (ko) 2018-06-07 2019-12-17 김준호 장식용 뱃지

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3725700A1 (de) * 1987-08-03 1989-02-16 Siemens Ag Neues halbleitergrundmaterial
US5231073A (en) * 1987-11-18 1993-07-27 Massachusetts Institute Of Technology Microwave/far infrared cavities and waveguides using high temperature superconductors
US5180436A (en) * 1988-07-26 1993-01-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Microwave plasma film deposition system
US5125358A (en) * 1988-07-26 1992-06-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Microwave plasma film deposition system
US4988644A (en) * 1989-05-23 1991-01-29 Texas Instruments Incorporated Method for etching semiconductor materials using a remote plasma generator
DE69005938T2 (de) * 1989-07-31 1994-05-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Vorrichtung zur Herstellung von einer dünnen diamantartigen Kohlenstoffschicht.
US5258207A (en) * 1989-08-31 1993-11-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Amorphous silicon film, its production and photo semiconductor device utilizing such a film
US5068124A (en) * 1989-11-17 1991-11-26 International Business Machines Corporation Method for depositing high quality silicon dioxide by pecvd
JP2770544B2 (ja) * 1990-03-23 1998-07-02 松下電器産業株式会社 Ｍｉｓ型半導体装置の製造方法
EP0470274A1 (en) * 1990-08-06 1992-02-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of depositing directly activated species onto a remotely located substrate
KR950007197B1 (ko) * 1990-10-05 1995-07-03 후지쓰 가부시기가이샤 수증기의 공급장치 및 그 제어방법
US5334277A (en) * 1990-10-25 1994-08-02 Nichia Kagaky Kogyo K.K. Method of vapor-growing semiconductor crystal and apparatus for vapor-growing the same
US5433169A (en) * 1990-10-25 1995-07-18 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of depositing a gallium nitride-based III-V group compound semiconductor crystal layer
US5087297A (en) * 1991-01-17 1992-02-11 Johnson Matthey Inc. Aluminum target for magnetron sputtering and method of making same
US5073507A (en) * 1991-03-04 1991-12-17 Motorola, Inc. Producing a plasma containing beryllium and beryllium fluoride
JP2764472B2 (ja) * 1991-03-25 1998-06-11 東京エレクトロン株式会社 半導体の成膜方法
US5231048A (en) * 1991-12-23 1993-07-27 United Solar Systems Corporation Microwave energized deposition process wherein the deposition is carried out at a pressure less than the pressure of the minimum point on the deposition system's paschen curve
MX9303141A (es) * 1992-05-28 1994-04-29 Polar Materials Inc Metodos y aparatos para depositar recubrimientos de barrera.
US5334423A (en) * 1993-01-28 1994-08-02 United Solar Systems Corp. Microwave energized process for the preparation of high quality semiconductor material
US5344792A (en) * 1993-03-04 1994-09-06 Micron Technology, Inc. Pulsed plasma enhanced CVD of metal silicide conductive films such as TiSi2
JPH09270421A (ja) 1996-04-01 1997-10-14 Mitsubishi Electric Corp 表面処理装置および表面処理方法
US6112695A (en) 1996-10-08 2000-09-05 Nano Scale Surface Systems, Inc. Apparatus for plasma deposition of a thin film onto the interior surface of a container
DE19643865C2 (de) * 1996-10-30 1999-04-08 Schott Glas Plasmaunterstütztes chemisches Abscheidungsverfahren (CVD) mit entfernter Anregung eines Anregungsgases (Remote-Plasma-CVD-Verfahren) zur Beschichtung oder zur Behandlung großflächiger Substrate und Vorrichtung zur Durchführung desselben
US5851588A (en) * 1996-11-21 1998-12-22 Eaton Corporation Method for making open-mesh carbon-fiber-reinforced carbon composite material
US6028393A (en) * 1998-01-22 2000-02-22 Energy Conversion Devices, Inc. E-beam/microwave gas jet PECVD method and apparatus for depositing and/or surface modification of thin film materials
DE19824364A1 (de) * 1998-05-30 1999-12-02 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Aufbringen eines Verschleißschutz-Schichtsystems mit optischen Eigenschaften auf Oberflächen
US7260051B1 (en) 1998-12-18 2007-08-21 Nanochip, Inc. Molecular memory medium and molecular memory integrated circuit
US6499425B1 (en) 1999-01-22 2002-12-31 Micron Technology, Inc. Quasi-remote plasma processing method and apparatus
US6466881B1 (en) * 1999-04-22 2002-10-15 Applied Materials Inc. Method for monitoring the quality of a protective coating in a reactor chamber
MXPA02008190A (es) * 2000-02-22 2002-11-29 Energy Conversion Devices Inc Metodo y aparato pecvd de chorro de gas por microondas/haz de electrones para deposicion y/o modificacion de la superficie y materiales de pelicula delgada.
JP5010781B2 (ja) * 2001-03-28 2012-08-29 忠弘 大見 プラズマ処理装置
WO2003019645A1 (fr) * 2001-08-30 2003-03-06 Tokyo Electron Limited Procede et appareil de formation d'un film
US6985377B2 (en) 2002-10-15 2006-01-10 Nanochip, Inc. Phase change media for high density data storage
US7233517B2 (en) 2002-10-15 2007-06-19 Nanochip, Inc. Atomic probes and media for high density data storage
US7172792B2 (en) * 2002-12-20 2007-02-06 Applied Materials, Inc. Method for forming a high quality low temperature silicon nitride film
US7972663B2 (en) * 2002-12-20 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming a high quality low temperature silicon nitride layer
JP4495471B2 (ja) * 2004-01-13 2010-07-07 三星電子株式会社 エッチング方法
US20050232061A1 (en) 2004-04-16 2005-10-20 Rust Thomas F Systems for writing and reading highly resolved domains for high density data storage
US7301887B2 (en) 2004-04-16 2007-11-27 Nanochip, Inc. Methods for erasing bit cells in a high density data storage device
US7379412B2 (en) 2004-04-16 2008-05-27 Nanochip, Inc. Methods for writing and reading highly resolved domains for high density data storage
KR100589062B1 (ko) * 2004-06-10 2006-06-12 삼성전자주식회사 원자층 적층 방식의 박막 형성방법 및 이를 이용한 반도체소자의 커패시터 형성방법
US20060185591A1 (en) * 2005-02-18 2006-08-24 General Electric Company High temperature chemical vapor deposition apparatus
US7367119B2 (en) 2005-06-24 2008-05-06 Nanochip, Inc. Method for forming a reinforced tip for a probe storage device
US7463573B2 (en) 2005-06-24 2008-12-09 Nanochip, Inc. Patterned media for a high density data storage device
US7309630B2 (en) 2005-07-08 2007-12-18 Nanochip, Inc. Method for forming patterned media for a high density data storage device
JP4534041B2 (ja) * 2005-08-02 2010-09-01 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
US7704887B2 (en) * 2005-11-22 2010-04-27 Applied Materials, Inc. Remote plasma pre-clean with low hydrogen pressure
US20090130337A1 (en) * 2006-10-12 2009-05-21 Ovshinsky Stanford R Programmed high speed deposition of amorphous, nanocrystalline, microcrystalline, or polycrystalline materials having low intrinsic defect density
US20090050058A1 (en) * 2006-10-12 2009-02-26 Ovshinsky Stanford R Programmed high speed deposition of amorphous, nanocrystalline, microcrystalline, or polycrystalline materials having low intrinsic defect density
US20090053428A1 (en) * 2006-10-12 2009-02-26 Ovshinsky Stanford R Programmed high speed deposition of amorphous, nanocrystalline, microcrystalline, or polycrystalline materials having low intrinsic defect density
US20090031951A1 (en) * 2006-10-12 2009-02-05 Ovshinsky Stanford R Programmed high speed deposition of amorphous, nanocrystalline, microcrystalline, or polycrystalline materials having low intrinsic defect density
US20080090022A1 (en) * 2006-10-12 2008-04-17 Energy Conversion Devices, Inc. High rate, continuous deposition of high quality amorphous, nanocrystalline, microcrystalline or polycrystalline materials
US8252112B2 (en) * 2008-09-12 2012-08-28 Ovshinsky Innovation, Llc High speed thin film deposition via pre-selected intermediate
EP2251452B1 (en) 2009-05-13 2018-07-18 SiO2 Medical Products, Inc. Pecvd apparatus for vessel coating
US7985188B2 (en) * 2009-05-13 2011-07-26 Cv Holdings Llc Vessel, coating, inspection and processing apparatus
WO2013170052A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
WO2011116991A1 (de) * 2010-03-26 2011-09-29 Hq-Dielectrics Gmbh Vorrichtung und verfahren zum behandeln von substraten
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
EP2776603B1 (en) 2011-11-11 2019-03-06 SiO2 Medical Products, Inc. PASSIVATION, pH PROTECTIVE OR LUBRICITY COATING FOR PHARMACEUTICAL PACKAGE, COATING PROCESS AND APPARATUS
JP6022276B2 (ja) * 2012-09-20 2016-11-09 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
CN104854257B (zh) 2012-11-01 2018-04-13 Sio2医药产品公司 涂层检查方法
EP2920567B1 (en) 2012-11-16 2020-08-19 SiO2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
EP2925903B1 (en) 2012-11-30 2022-04-13 Si02 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of pecvd deposition on medical syringes, cartridges, and the like
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
WO2014134577A1 (en) 2013-03-01 2014-09-04 Sio2 Medical Products, Inc. Plasma or cvd pre-treatment for lubricated pharmaceutical package, coating process and apparatus
KR102336796B1 (ko) 2013-03-11 2021-12-10 에스아이오2 메디컬 프로덕츠, 인크. 코팅된 패키징
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
WO2014144926A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Sio2 Medical Products, Inc. Coating method
EP3122917B1 (en) 2014-03-28 2020-05-06 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
US9837254B2 (en) * 2014-08-12 2017-12-05 Lam Research Corporation Differentially pumped reactive gas injector
JP2018523538A (ja) 2015-08-18 2018-08-23 エスアイオーツー・メディカル・プロダクツ・インコーポレイテッド 低酸素透過速度を有する薬剤包装及び他の包装

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4282267A (en) * 1979-09-20 1981-08-04 Western Electric Co., Inc. Methods and apparatus for generating plasmas
JPS60141869A (ja) * 1983-12-29 1985-07-26 Nissin Electric Co Ltd 膜形成方法および膜形成装置
US4656052A (en) * 1984-02-13 1987-04-07 Kyocera Corporation Process for production of high-hardness boron nitride film
JPS60221566A (ja) * 1984-04-18 1985-11-06 Agency Of Ind Science & Technol 薄膜形成装置
JPH084071B2 (ja) * 1985-12-28 1996-01-17 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
DE3784537T2 (de) * 1986-04-11 1993-09-30 Canon Kk Herstellungsverfahren einer niedergeschlagenen Schicht.
US4778561A (en) * 1987-10-30 1988-10-18 Veeco Instruments, Inc. Electron cyclotron resonance plasma source

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190003094U (ko) 2018-06-07 2019-12-17 김준호 장식용 뱃지

Also Published As

Publication number Publication date
US4883686A (en) 1989-11-28
JPH0219471A (ja) 1990-01-23
EP0343355B1 (en) 1993-12-15
DE68911373D1 (de) 1994-01-27
DE68911373T2 (de) 1994-05-19
JP2854603B2 (ja) 1999-02-03
EP0343355A1 (en) 1989-11-29
CA1339914C (en) 1998-06-16
KR0136863B1 (ko) 1998-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890017009A (ko) 고 플럭스의 활성 종 제조방법
US5204144A (en) Method for plasma deposition on apertured substrates
US5413641A (en) Laser nitriding an element made of titanium alloy by blowing nitrogen and inert gas
CA2320450A1 (en) Method and apparatus of producing liquid disperse systems in liquid
WO2005018817A3 (en) Aerosol created by directed flow of fluids and devices and methods for producing same
HK1063440A1 (en) Apparatus and method for micron and submicron particle formation
US5562841A (en) Methods and apparatus for treating a work surface
Ning et al. Inducing discharges in a micrometer catalyst channel by a helium atmospheric pressure plasma jet
JP2001248803A (ja) 近接した乱流ガスジェット及びコヒーレントガスジェットを提供するためのシステム
US5082685A (en) Method of conducting plasma treatment
US2923590A (en) Production of permanent picture and writing characters by means of electron beams
US3554443A (en) Phase-resonant streaming
Wang et al. Realization and experimental analysis of electron beam Surfi-Sculpt on Ti-6Al-4V alloy
JP2002054504A (ja) スクラムジェットエンジン用燃料混合促進方法並びに装置
US5064989A (en) Surface shaping and finishing apparatus and method
JP2016056413A (ja) ノズル、並びに膜の製造方法、及び膜の製造装置
US10991592B2 (en) Modified etch-and-deposit Bosch process in silicon
CN104975274A (zh) 一种激光微波磁场共同增强的化学气相沉积设备
GB2185129A (en) Flow control device for fine particle stream
Zhang et al. Oblique ion acoustic wave instabilities in a multi-ion plasma and 3He-rich events
KR920005281A (ko) 원거리 배치된 기판상에 활성종을 직접 데포지트시키는 방법
Ferrari et al. Instabilities in pressure confined beams and morphology of extended radio sources
FI62812C (fi) Foerfarande och anordning foer framstaellning av filter fraon ett utdragbart material
JPH04154971A (ja) Ｅｃｒプラズマ装置
JPS6217930A (ja) イオン源

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20051230

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee