KR890017009A - 고 플럭스의 활성 종 제조방법 - Google Patents

고 플럭스의 활성 종 제조방법 Download PDF

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오브신스키 스탠포드
도터 2세 부디
피딘 레스터
크리스코 제프리
크리스코 앤네트
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바민 에스 · 시스킨드
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Abstract

내용 없음

Description

고 플럭스의 활성 종 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 진공 봉입물의 내부를 설명하며, 에너지 전달가스로부터 나온 깃털모양의 활성종이, 강력하게 주입된 데포지션 종의 생성과 멀리 위치한 기판 표면상에 그 데포지션 종의 데포지션용 전구물질 데포지션 가스와 충돌하는 것에 관하여 설명하는 부분적으로 절취된 사시도. 제 2 도는 제 1 도관의 위치를 설명하며, 이것을 통해 에너지 전달 가스가 마이크로파도포제에 관하여 봉입물내로 유입되는 것을 설명하는 부분 절취된 확대 측단면도. 제 3 도는 제 2 도에 도시된 제 1 도관과 마이크로파도포제에 관하여 봉입물내로 유입되는 것을 설명하는 부분 절취된 확대 측단면도. 제 3 도는 제 2 도에 도시된 제 1 도관과 마이크로파 도포제에 있어서, 상기 도관은, 상기 도포제의 내부로 대략 통로의 반이 쭉뻗쳐지도록 수정된 확대 부분 절취도. 제 4 도는 수정된 파센 곡선을 그래피로 표시한것이며, 다른 부피를 가진 깃털 모양의 활성종에 대하여 가로축에 표시된 압력과 세로축에 표시된 파워를 나타내는 파센 곡선은 "물리 평론"75권 411 페이지(1949)에서 발표되고, 에이.디 맥도날드와 에스.씨 브라운에 의해 저술된 논설로부터 재현된 곡선.

Claims (29)

  1. 봉입물(12)을 제공하는 단계, 분위기 압력보다 낮은 압력에서 상기 봉입물 내부를 유지하는 단계, 제 1 도관(24)(224)(324)에 형성된 적어도 한개의 구멍(26)(226)(326)을 통해 상기 봉입물의 내부로 에너지 전달가스(A)를 유입하는 단계, 상기 에너지 전달가스로부터 나온 고밀도를 가진 깃털모양(34)(231)(331)은 활성종을 형성하도록 활성 영역(36)에서 상기 에너지 전달가스를 활성화시키는 단계, 상기 봉입물의 내부에 기판 수단(50)을 효과적으로 배치하는 단계, 대체로 전자 손실을 방지하기에 충분한 거리를 상기 활성 영영으로부터 일정 간으로 위치된 상기 기판을 포함하여, 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 쵸크상태를 제작하고, 그것을 통해 국부화된 고압력의 에너지전달가스를 제공하며, 그것에 의하여 실질적으로 차동압력이 상기 제 1 도관의 구멍압력과 상기 봉입물의 압력사이에서 유지되는 것을 특징으로 하는 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  2. 봉입물(12)을 제공하는 단계, 분위기 압력보다 낮은 압력에서 상기 봉입물 내부를 유지하는 단계, 제 1 도관(24)(224)(324)에서 형성된 적어도 한개의 구멍(26)(226)(326)을 통해 상기 봉입물의 내부로 에너지 전달가스를 유입하는 단계, 상기 에너지 전달가스로부터 나온 고밀도를 가진 깃털모양(34)(231)(331)의 활성종을 형성하도록 활성영역(36)에 상기 에너지 전달가스를 활성화하는 단계, 제 2 도관(60)을 통해 상기 봉입물 내부로 전구물질 데포지션가스를 유입하는 단계, 상기 제 2 도관으로부터 나온 상기 전구 물질 데포지션가스가 상기 봉입물로 유입하는 뽀족한 단 (62)은 상기 활성 영역에 관하여 일정한 간격으로 배치되며, 그것에 의하여 상기 전구물질의 데포지션가스와 상기 고밀도를 가진 활성종의 충돌은, 상기 전구 물질 데포지션 가스에 강력주입된 고밀도의 활성종이 발생되는 충돌영역을 한정하는 단계, 상기 봉입물의 내부에 기판수단(50)을 효과적으로 배치하는 단계, 상기 기판수단이 실질적으로 전자 손실을 방해하기에 충분한 거리를 상기 활성 영역으로부터 일정하게 위치된 단계를 포함하며, 제 1 도관의 구멍에 인접한 쵸크상태를 제작하여, 그것을 통해 유출하는 국부화된 고압력의 에너지 전달가스를 제공하며, 그것에 의하여 실질적 압력이 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 압력과 상기 봉입물의 압력간의 차이로 유진되는 것을 특징으로 하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 파센곡선(1)(2)(3)(4)의 실제 최소치에 있는 파워-압력-구멍크기의 통제로 상기 에너지 전달가스로부터 나온 플라즈마를 개시하는 상기 구멍에 인접한 상기 에너지 전달가스의 충분한 압력을 제공하도록 상기 제 1 도관의 에너지 전달가스의 유량속도를 선택하는 수단을 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  4. 상기 구멍에 인접한 전자의 주재시간을 증가시키며, 그것에 의하여 상기 구멍에 인접한 상기 활성종의 밀도도 증가되는 단계를 포함하는, 비교적 고속데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 구멍에 인접한 상기 전자의 주재시간을 증가하도록 자계를 제공하는 단계를 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 도관을 냉각하는 수단(228)(328)이 제공되는 단계를 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  7. 제 2 항에 있어서, 수소, 회유가스, CH4및 그것의 조합으로 본래 구성하는 그룹으로부터 상기 에너지 전달가스가 선택되는 단계를 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  8. 실리콘을 포함하는 가스, 탄소를 포함하는 가스, 게르마늄을 포함하는 가스 및 그것의 조합으로 본래 구성하는 그룹으로부터 전구물질의 데포지션 가스를 선택하는 단계를 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  9. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 압력보다 적어도 5배가 더 작은 요소를 상기 봉입물의 이면 압력으로 유지하며, 그것에 의하여 깃털모양의 압력동중원소(23la)(231b)(231c)(331a)(331b)(331c)는 상기 에너지전달가스로부터 나온 활성종으로 형성되는 단계를 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  10. 제 2 항에 있어서, 봉입물의 압력과 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 압력간의 차동압력을 컨트롤하여 상기 활성종의 부피를 컨트롤하는 단게를 포함하는 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 주어진 에너지 전달가스가 상기 제 1 도관의 구멍부분에 인접하여 발생하는 약 0.5압력의 동중원소를 유지하는 단계를 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  12. 제 2 항에 있어서, 초기부터 본래 음속인 속도를 상기 활성종에 부여하는 단계를 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  13. 봉입물을 제공하는 단계, 분위기압력보다 낮은 압력에서 상기 봉입물의 내부를 유지하는 단계, 제 1 도관(24,224,334)에 형성된 적어도 한개의 구멍(26)(226)(326)을 통해 상기 봉입물 내부로 에너지 전달가스를 유입하는 단계, 상기 에너지 전달가스로부터 나온 고밀도를 가진 깃털모양(34)(231)(331)의 활성종을 형성하도록 활성영역의 상기 에너지 전달가스를 활성화시키는 단계, 제 2 도관(60)을 통해 상기 봉입물 내부로 전구 물질 데포지션 가스를 유입하는 단계, 상기 제 2 도관으로부터 나온 상기 전구물질의 데포지션가스를 상기 봉입물로 유입하는 뽀족한 단(62)이 상기 활성 영역에 관하여 일정한 간격으로 배치되며, 그것에 복하여 상기 전구물질의 데포지션 가스와 상기 고밀도를 가진 활성종의 충돌은, 상기 전구물질의 데포지션가스에 강력 주입된 고밀도의 데포지션종이 발생되는 충돌영역(65)을 한정하는 단계, 상기 봉입물 내부에 기판 수단을 효과적으로 배치하는 단계, 상기 기판수단(50)이 전자 손실을 실제로 방지하기에 충분한 거리를 상기 활성영역으로부터 떨어져 일정한 간격으로 위치된 단계를 포함하며, 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 압력보다 작은 적어로 5배의 요소를 상기 봉입물의 압력을 유지하며, 압력을 가진 동중원소로 성형된 깃털모양은 상기 에너지 전달가스로부터 나온 활성종으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  14. 봉입물(12)을 제공하는 단계, 분위기압력보다 작은압력에서 상기 봉입물의 내부를 유지하는 단계, 제 1 도관(24)(224)(334)에 형성된 적어도 하나의 구멍(26)(226)(326)을 통해 상기 봉입물 내부로 에너지 전달 가스(A)를 유입하는 단계, 활성종으로 된 깃털모양(34)(231)(331)을 형성하도록 활성영역(36)의 상기 에너지 전달가스에 전자계를 사용하는 단계, 상기 활성영역으로부터 일정간격을 둔 제 2 도관(60)을 통해 상기 봉입물로 전구 물질 데포지션가스를 유입하며, 그것에 의하여 긋기 전구물질 데포지션가스와 상기 활성종의 충돌은, 상기 전구물질의 데포지션가스에 강력 주입된 고밀도의 데포지션종이 발생되는 충돌영역을 한정한 단계, 상기 강력 주입된 활성종을 그것위에 데포지션 충돌영역에 인접한 기판수단(50)을 효과적으로 배치하는 단계를 포함하며, 구조적이나 자기를 띤것에 국한됨이 없이 상기 에너지 전달가스로부터 나온 상기 깃털보양의 활성종에 의해 차지된 부피를 한정하는 것을 특징으로 하는, 비교적 고속 데포지션에서 고풍질의 박막을 제조하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 봉입불의 압력과 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 압력간의 차동압력을 컨트롤하여 상 기 활성종에 의해 차지된 부피를 컨트롤하는 단계를 포함하는, 비교적 고속 데포지션에서 고품질의 박막을 제조하는 방법.
  16. 봉입물(12)을 제공하는 단계, 분위기압력보다 낮은 압력에서 상기 봉입물외 내부를 유지하는 단계, 제 1 도관(24)(224)(334)에 형성된 적어도 하나의 구멍(26)(226)(326)을 통해 상기 봉입물의 내부로 에너지 전달가스를 유입하는 단계, 에너지 전달가스로부터 나은 활성종 플럭스를 형성하도록 활성 영역(36)의 상기 에너지 전달가스(A)를 활성화시키는 단계, 상기 봉입물의 내부에 기판 수단을 효과적으로 배치하는 단계, 상기 기판수단이 상기 환성영역에 관하여 일정한 간격으로 배치된 단계를 포함하며, 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 압력과 상기 봉입물의 압력간에 적어도 5배의 요소로 차동압력을 설정하는 것을 특징으로 하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 파센곡선(1)(2)(3)(4)의 실제 최소치에 있는 파워-압력-구멍크기 통제에서 상기 에너지 전달가스로부터 나온 플라즈마를 개시하는 상기 구멍에 인접한 상기 에저지 전달가스에 충분한 압력을 제공하기 위하여 상기 제 1 도관내에 있는 에너지 전달 가스의 유량속도를 선택하는 단계를 포함하는, 에너지 전달 가스로 부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 에너지 전달가스의 고압력을 제공하는 상기 구멍에 인접한 초크(226)(336)를 형성하도록 제 1 도관의 크기에 비하여 상기 구멍크기를 감소시키는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 구멍에 인접한 전자의 주재시간이 증가되며, 그것에 의하여 상기 구멍에 인접한 상기 활성종의 밀도도 증가되는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  20. 제16항에 있어서, 수소, 희유가스, CH4, CF4및 그것의 조합으로 본래 구성한 그룹으로부터 상기 에너지 전달가스를 선택하는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로붜 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  21. 봉입물(12)을 제공하는 단계, 분위기 압력보다 낮은압력에서 상기 봉입물의 내부를 유지하는 단계, 제 1 도관에 형성된 적어도 하나의 구멍(26)(226)(326)을 통해 상기 봉입물 내부로 에너지 전달가스를 유입하는 단계, 상기 에너지 전달가스로부터 나온 깃털모양(36)(231)(331)의 활성종을 형성하도록 활성영역(36)의 상기 에너지 전달가스를 활성화시키는 단계, 상기 봉입물의 내부에 기판수단(50)을 효과적으로 배치하는 단계, 상기 기판수단(50)이 상기 활성 영역에 관하여 일정간격으로 위치된 단계를 포함하며, 구조적이나 자기를 띤 것에 국한됨이 없이 상기 에너지 전달가스로부터 나온 상기 깃털모양의 활성종에 의해 차지된 부피를 한정하는 것을 특징으로 하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 에너지 전달가스의 고압력을 가진 깃털모양이 제공되는 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 쵸크(226)(326)를 형성하는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  23. 제21항에 있어서, 봉입물의 압력과 제 1 도관의 구멍에 인접한 압력간에 존재하는 차동 압력을 컨트롤하여 깃털모양의 활성종으로 이루어진 부피가 컨트롤되는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  24. 제21항에 있어서, 초기부터 본래 음속인 속도를 상기 활성종에 부여하는 단계를 포함하는 에너지 전달 가스로 부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  25. 봉입물(12)을 제공하는 단계, 분위기압력보다 낮은 압력에서 상기 봉입물의 내부를 유지하느 단계, 제 1 도관에 형성된 적어도 하나의 구멍(26)(226)(326)을 통해 상기 봉입물 내부로 에너지 전달가스(A)를 유입하는 단계, 상기 에너지 전달가스로부터 나온 깃털모양(34)(231)(331)으 활성종을 형성하도록 활성영역(36)의 상기 에너지 전달가스를 활성화시키는 단계를 포함하며, 그것으로부터 구조적이나 자기를 띤것에 국한됨이 없이 상기 활성 영역의 본래 분명한 경계를 한정하도록 본래 음속도에서 상기 제 1 도관을 통해 상기 에너지 전달가스의 유량을 설정함을 특징으로 하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 에너지 전달가스의 고밀도를 가진 깃털모양이 제공되는 상기 구멍에 인접한 쵸크(226)(326)를 형성하도록 제 1 도관의 크기에 비하여 상기 구멍의 크기가 감소되는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  27. 제25항에 있어서, 상기 에너지 전달가스르 활성화시키도록 마이크로파 에너지(32)(232)332)를 이용한는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  28. 제25항에 있어서, 상기 제 1 도관의 구멍에 인접한 압력보다 작은 적어도 약 5배의 요소를 상기 봉입물의 압력으로 유지하며, 그것에 의하여 깃털모양의 압력 동중원소(231a)(231b)(231c)(331a)(331b)(331c)는 상기 에너지 전달가스로부터 나온 활성종으로 형성되는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
  29. 제25항에 있어서, 상기 봉입물의 내부에 가판수단(50)을 효과적으로 배치되며 기판수단의 표면과 그것으로 직접 또는 간접 반응에 대하에 상기 에너지 전달 가스로부터 나온 상기 활성종에 지향성 운동량을 부여 한 상기 봉입물의 압력에 관하여 상기 제 1 도관을 통해 상기 에너지 전달가스의 유량속도가 제공되는 단계를 포함하는, 에너지 전달가스로부터 나온 고플럭스의 활성종을 발생시키는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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