KR890013543A - 벤드-갭 기준 전압 장치 - Google Patents
벤드-갭 기준 전압 장치 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 차동 증폭기의 원래 성분을 도시한 개략도
제 3 도는 본 발명에 따른 장치의 제 1실시예를 도시한 도면.
제 4 또는 두개의 트랜지스터를 각각 구비하여 두 개의 배열을 이용한 본 발명에 따른 장치한 한 실시예를 도시한 도면.
제 5 도는 본 발명에 따른 장치의 다른 실시예를 도시한 도면.
Claims (4)
- 두 입력 및 한 출력을 갖는 MOS기술에서 차동 증폭기와, 베이스 이미터 경로가 차동 증폭기의 한 입력과 특정 점합점 사이에 배열되고, 이미터 콜렉터 경로가 제 1전류를 전송하기 위해 제 1전류 경로에 배열되어 있는 제 1쌍극성 트랜지스터와, 베이스 이미터 경로가 차동 증폭기의 다른 입력과 상기 접함점 사이에 한 저항기와 직렬로 배열되고, 이미터 콜렉터 경로가 제 2전류를 전송하기 위해 제 2전류 경로에 배열된 제 2쌍극성 트랜지스터와 차동 증폭기이 출력에서 제 1접합점으로 신호를 피드백하기 위한 피트백 경로와, 상기 제 1 및 제 2전류 경로를 통해 상기 제 1 및 제 2전류를 공급하기 위한 수단을 구비하는 밴드- 갭 기준 전압 장치에 있어서, 상기 저항기는 상기 접합점과 제 2트랜지스터의 베이스 사이에 배열되고, 피드백 경로는 베이스 이미터 경로가 상기 접합점과 차동 증폭기이 출력 사이에 배열된 제 3트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 밴드-갭 기준 전압장치.
- 제1항에 있어서, 제 1 및 제 2트랜지스터는 트랜지스터의 제 1 및 제 2 배열에 의해 재배치되고, 각각의 배열에서의 다수 트랜지스터는 같고, 각각의 배열에서의 트랜지스터는 각각의 트랜지스터가 제 1 및 제 2전류를 각각 전송하기 위해 전류 경로에 배열된 이미터 콜렉터 경로를 갖는 방식으로 상호 접속되고, 다음 트랜지스터 이미터에 접속된 베이스를 가지며, 각각의 배열에 최종 트랜지스터의 이미터는 차동 증폭기의 입력에 저속되어 있으며, 각각의 배열에 제 1트랜지스터의 베이스는 상기 접합점 및 상기 저항에 각각 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 밴드-갭 기준 전압장치.
- 제2항에 있어서, 각각의 배열에 다수의 트랜지스터가 2개인 것을 특징으로 하는 밴드- 갭 기준 전압장치.
- 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 전압 분리기는 전압 분리기 저항중 하나가 제 3트랜지스터의 베이스와 제2배열의 최종 트랜지스터의 베이스 사이에 접속되고, 다른 전압 분리기 저항기가 차등 증폭기의 출력과 제 2배열의 최종 트랜지스터 베이스 사이에 접속되는 방식으로 차동 증폭기의 출력과 제 3트랜지스터의 베이스 사이에 배열되는 것을 특징으로 하는 밴드-갭 기준 전압 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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