KR890011082A - 스위치형 캐패시터 회로망 - Google Patents

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KR890011082A
KR890011082A KR1019880017443A KR880017443A KR890011082A KR 890011082 A KR890011082 A KR 890011082A KR 1019880017443 A KR1019880017443 A KR 1019880017443A KR 880017443 A KR880017443 A KR 880017443A KR 890011082 A KR890011082 A KR 890011082A
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switching
transistors
substrate
switching transistors
switched capacitor
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KR1019880017443A
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Inventor
요하네스 마리아 캄프 페트루스
헤르마누스 마리아 반 뢰르문트 아더
Original Assignee
이반 밀러 레르너
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H19/00—Networks using time-varying elements, e.g. N-path filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H19/00—Networks using time-varying elements, e.g. N-path filters
    • H03H19/004—Switched capacitor networks

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

스위치형 캐패시터 회로망
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 제 1 실시예의 도시도.
제 1a 도는 제 1 실시예에서 스위칭 트랜지스터를 위한 2개의 스위칭 신호 도시도.
제 2 도는 스위칭 트랜지스터의 기생 캐패시턴스 도시도.
제 3 도는 회로 기판을 통한 수직 단면에서의 제 1 도의 회로망 구조 도시도.

Claims (8)

  1. 입력 단자 및 출력 단자, 상기 입력 단자와 출력 단자 사이에 배열된 최소의 제1 및 제2의 연속적인 스위칭 트랜지스터의 직렬 배열을 구비하며, 각각의 스위칭 트랜지스터는 스위칭 신호를 수신하기 위한 제어 전극을 갖으며, 정 전위점 및 직렬 배열에서 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터의 정션점사이에서 커패시턴스를 갖고, 제1및 제2스위칭 트랜지스터의 제어 전극은 제1 및 제2스위칭 신호를 수신하기 위해 채택되고, 각각 2개의 스위칭 신호는 하나 또는 더 많은 연속적인 펄스의 형태이며, 넘버는 2개의 스위칭 신호에 대해 동일하며, 제1스위칭 신호의 펄스는 시간에 따라 제2스위칭 신호의 이들과 겹쳐지지 않으며 상기 펄스 넘버가 2또는 더 많은 경우에 2개의 스위칭 신호에서 펄스 발생 주파수가 거의 동일한 스위치형 캐패시터 회로망에 있어서, 상기 직렬 배열된 2개의 연속적인 제1 및 제2스위칭 트랜지스터는 공통 죤을 가지며 상기 캐패시턴스는 오로지 공통 죤의 기생 캐패시턴스에 의해 구성되는 것을 특징으로하는 스위치형 캐패시터 회로망.
  2. 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 직렬 배열을 구비하는 제1항에 있어서, 상기 회로망은 스위칭 신호 수신용제어 전극을 갖는 제3 및 제4스위칭 트랜지스터의 직렬 배열과, 공통 죤을 갖는 제3 및 제4스위칭 트랜지스터 및 제1및 제2스위칭 트랜지스터의 직렬 배열과 함께 병렬로 배열된 제2의 직렬 배열을 구비하는 것을 특징으로하는 스위치형 캐패시터 회로망.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 및 제3스위칭 트랜지스터의 제어 전극은 함께 연결되고 제2및 제4의 스위칭 트랜지스터의 제어 전극도 함께 연결되어 있는 것을 특징으로하는 스위치형 캐패시터 회로망.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 및 제4스위칭 트랜지스터의 제어 전극은 함께 연결되고 제2및 제3스위칭 트랜지스터의 제어 전극도 함께 연결된 것을 특징으로하는 스위치형 캐패시터 회로망.
  5. 제 3 항 또는 4항에 있어서, 상기 4개의 트랜지스터는 일직선 라인에 따라 기판 위에 배열되어 있는 것을 특징으로하는 스위치형 캐패시터 회로망.
  6. 제 3 항 또는 4항에 있어서, 상기 2개의 트랜지스터의 2개의 직렬 배열은 기판 위의 다른 것에 인접하고 병렬로 배열된 것을 특징으로하는 스위치형 캐패시터 회로망.
  7. n-직렬 배열 스위칭 트랜지스터를 구비하는 제1항에 있어서, 상기 2개의 연속적인 트랜지스터의 각 셋은 공통 죤을 가지며, 서수 i(i기수 및 제로보다 크다)를 갖는 상기 스위칭 트랜지스터는 제1스위칭 신호 수신을 위해 전기적으로 함께 연결된 제어 전극을 구비하며, 서수 i+1을 갖는 상기 스위칭 트랜지스터 또한 제2스위칭 신호 수신을 위해 전기적으로 함께 연결된 제어 전극을 구비하는 것을 특징으로하는 스위치형 캐패시터 회로망.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 n스위칭 트랜지스터는 기판 위의 U형 라인에 따라 배열되어 있으며, 기수 스위칭 트랜지스터 1내지의 n은 기판 위의 U의 한 다리에 따라 배열되어 있으며, 상기 스위칭 트랜지스터내지 n은 기판 위의 U의 다른 다리에 따라 배열되고번째 스위칭 트랜지스터는 U의 남은 부분에 배열되어 있으며 우수 스위칭 트랜지스터 1 내지의 n은 기판위의 U의 한 다리에 따라 배열되고 스위칭 트랜지스터내지 n은 기판 위의 U의 다른 다리에 따라 배열된 것을 특징으로하는 스위치형 캐패시터 회로망.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880017443A 1987-12-29 1988-12-26 스위치형 캐패시터 회로망 KR970009242B1 (ko)

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