KR890001102A - 펄스로 지울 수 있는 eprom 및 지우는 방법 - Google Patents

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KR890001102A
KR890001102A KR1019880007324A KR880007324A KR890001102A KR 890001102 A KR890001102 A KR 890001102A KR 1019880007324 A KR1019880007324 A KR 1019880007324A KR 880007324 A KR880007324 A KR 880007324A KR 890001102 A KR890001102 A KR 890001102A
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KR
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eprom
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memory cell
memory cells
erased
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KR1019880007324A
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Inventor
깔지 필리뻬
Original Assignee
뿔 발로
에스지에스 톰슨 마이크로일렉트로닉스 소시에떼아노님
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits

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  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
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Abstract

내용 없음

Description

펄스로 지울 수 있는 EPROM 및 지우는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 플로우팅 게이트가 있는 MOS 트랜지스터를 가진 메모리셀의 단면도이다.
제2도는 전장이 적용되는 플로우팅 게이트가 있는 MOS 트랜지스터의 에너지 밴드의 그라프를 나타내는 것이다.
제3도는 웰에 의해 개별적으로 절연된 MOS 트랜지스터를 가진 메모리셀의 단면도이다.

Claims (6)

  1. 플로우팅 게이트가 있으며, 소스와 드레인이 기판에 확산되어서 채널에 의해 분리되어져 있고, 플로우팅 게이트와 제어게이트가 기판의 상단에 차곡차곡 쌓여져 있으며, 플로우팅 게이트는 게이트 산화물층에 의해 기판으로부터 절연되어 있고 또 다른 산화물 층에 의해 제어게이트로부터 절연된 구조로 되어 있고, 일부분은 전자가 플로우팅 게이트에 트랩되게 전기적으로 프로그램 되어있는 MOS 트랜지스터로 구성된 메모리셀의 매트릭스로된 EPROM을 전기적으로 지우는 방법에 있어서, 지워질 메모리셀의 드레인, 소스 및 채널을 함께 결합시키고, 제어 게이트에 대해서는 양극의 크기를 가지는 일련의 전압사각 신호를 상기 드레인, 소스 및 채널에 인가시켜 플로우팅 게이트에 트랩된 전자들이 기판쪽을 향해 게이트 산화물 층을 가로질러가면서 이탈되게 하는 것을 특징으로하는 EPROM을 전기적으로 지우는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 사각신호의 상승 시간이 전자-정공쌍의 발생-재결합을 위해 요구되는 평균 시간에 대응하는 시간 상수보다 더 짧은 것을 특징으로하는 방법.
  3. 메모리셀의 적어도 하나의 그룹이 절연 웰에 포함되어서 메모리셀의 어느 한 그룹을 지울 때 메모리의 제어회로 작동이 방해되지 않도록 된 것을 특징으로하는 제1항 또는 제2항의 방법으로 지울수 있는 EPROM.
  4. 각각의 메모리 셀이 다른 메모리 셀로부터 절연되어서 어느 한 메모리셀을 지울 때 인접하는 메모리셀의 작동이 방해되지 않고 또 메모리의 제어회로의 작동도 방해되지 않게 되어 있는 것을 특징으로하는 제1항 또는 제2항의 방법으로 지울수 있는 EPROM.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서, 메모리셀의 적어도 한 그룹이나 각각의 메모리셀의 절연이 EPROM의 전체기판의 반대형으로된 제1웰의 확산과 그리고 제1웰의 내부에 있고 전체 기판과 같은 형으로된 제2웰의 확산에 의해 행해지는 것을 특징으로하는 EPROM.
  6. 제3항 또는 제4항에 있어서, 메모리셀의 적어도 한 그룹이나 각각의 메모리셀의 절연이 제1단계에서 산화물 플래튜를 얻기위해 메모리의 전체기판에 높은 에너지 산소를 깊이 주입시키고 그리고 제2단계에서 상기의 플래튜의 가장자리에 높은 에너지 산소를 주입시킴에 의해 행해지고, 상기 제2단계의 영향을 받아 에너지가 변화하여서 플래튜와 함께 산화물 웰을 형성하는 수직장벽이 얻어지는 것으로된 것을 특징으로 하는 EPROM.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880007324A 1987-06-16 1988-06-16 펄스로 지울 수 있는 eprom 및 지우는 방법 KR890001102A (ko)

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