KR880000405A - 벤즈이미다졸 유도체의 안정화 방법 - Google Patents

벤즈이미다졸 유도체의 안정화 방법 Download PDF

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내용 없음

Description

벤즈이미다졸 유도체의 안정화 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (23)

  1. 하기의 일반식(Ⅰ)의 벤즈이미다졸 유도체를 비결정형 상태로 전환시킴을 특징으로 하는 벤즈이미다졸 유도체의 안정화 방법 :
    상기 식에서,
    R1은 수소원자, 탄소수 1 내지 8 의 알킬기, 탄소수 1 내지 6 의 플루오로알킬기, 시클로알킬기, 페닐기 또는 아랄킬기이고,
    R2는 수소원자 또는 저급 알킬기이거나, 또는
    R1및 R2는 인접한 질소 원자와 함께 고리를 형성하고,
    R3a,R3b,R4a,R4b,및 R4c각각은 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 탄소수 1 내지 6 의 플루오로알킬기, 저급알킬기, 저급 알콕시기, 저급 알콕시카르보닐기 또는 아미노기이다.
  2. 제 1 항에 있어서, 언급된 벤즈이미다졸 유도체가 하기의 일반식(Ⅱ)를 갖는 방법.
    상기 식에서,
    R1은 수소원자, 탄소수 1 내지 8 의 알킬기, 시클로알킬기, 페닐기 또는 아랄킬기이고,
    R2는 수소원자 또는 저급 알킬기이거나, 또는
    R1및 R2는 인접한 질소원자와 함께 고리를 형성하고,
    R3및 R4각각은 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 트리플루오로메틸기, 저급 알킬기, 저급 알콕시기, 저급 알콕시카르보닐기 또는 아미노기이다.
  3. 제 1 항에 있어서, 언급된 벤즈이미다졸 유도체를 나타내는 일반식(Ⅰ)중의 R1이 탄소수 1 내지 8 의 알킬기인 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 억급된 벤즈이미다졸 유도체를 나타내는 일반식(Ⅰ)중의 R2가 저급 알킬기인 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 언급된 벤즈이미다졸 유도체를 나타내는 일반식(Ⅰ)중의 R3a및 R3b각각이 수소원자 또는 저급 알콕시기인 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 언급된 벤즈이미다졸 유도체를 나타내는 일반식(Ⅰ)중의 R4a, R4b및 R4c각각이 수소원자 또는 저급 알킬기인 방법.
  7. 하기 일반식(Ⅰ)의 벤즈이미다졸 유도체를 열처리를 경유하여 유기 중합체 중에 분산시켜 비결정형 상태로 전환시킴을 특징으로 하는 벤즈이미다졸 유도체의 안정화 방법.
    상기 식에서,
    R1은 수소원자, 탄소수 1 내지 8 의 알킬기, 탄소수 1 내지 6 의 플루오로알킬기, 시클로알킬기, 페닐기 또는 아랄킬기이고,
    R2는 수소원자 또는 저급 알킬기이거나, 또는
    R1및 R2는 인접한 질소원자와 함께 고리를 형성하고,
    R3a,R3b,R4a,R4b,및 R4c각각은 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 탄소수 1 내지 6 의 플루오로알킬기, 저급 알킬기, 저급 알콕시 카르보닐기 또는 아미노기이다.
  8. 제 7 항에 있어서, 언급된 벤즈이미다졸 유도체가 하기의 일반식(Ⅱ)를 갖는 방법 :
    상기 식에서,
    R1은 수소원자, 탄소수 1 내지 8 의 알킬기, 시클로알킬, 페닐기 또는 아랄킬기이고,
    R2는 수소원자 또는 저급 알킬기이거나, 또는
    R1및 R2는 인접한 질소원자와 함께 고리를 형성하고,
    R3및 R4각각은 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 트리플루오로메틸기, 저급 알킬기, 저급 알콕시기, 저급 알콕시카르보닐기 또는 아미노기이다.
  9. 제 7 항에 있어서, 언급된 유기 중합체가 히드로시프로필셀룰로오스, 히드록시프로필메틸셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 카르복시메틸 셀룰로오스 소듐, 폴리(비닐 피롤리돈), 폴리 (비닐 알코올), 폴리(소듐 아크릴레이트), 소듐 알기네이트, 겔라틴, 아라비아고무, α-전분, 산화된 전분, 열처리된 전분, 효소-처리된 전분 및 한천으로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 언급된 유기 중합체가 셀룰로오스 유도체인 방법.
  11. 제 7 항에 있어서, 언급된 유기 중합체가 수용성 중합체인 방법.
  12. 제 7 항에 있어서, 언급된 유기 중합체가 벤즈이미다졸 유도체의 중량의 0.5배 이상의 양으로 사용되는 방법.
  13. 제 7 항에 있어서, 언급된 유기 중합체가 벤즈이미다졸 유도체의 중량의 2배 이상의 양으로 사용되는 방법.
  14. 하기 일반식(Ⅰ)의 벤즈이미다졸 유도체를 이익 양을 기준으로 5중량% 이상의 염기성 물질과 접촉시킴을 특징으로 하는 벤즈이미다졸 유도체의 안정화 방법 :
    상기 식에서,
    R1은 수소원자, 탄소수 1 내지 8 의 알킬기, 탄소수 1 내지 6 의 플루오로알킬기, 시클로알킬기, 페닐기 또는 아랄킬기이고,
    R2는 수소원자 또는 저급알킬기이거나, 또는
    R1및 R2는 인접한 질소원자와 함께 고리를 형성하고,
    R3a,R3b,R4a,R4b,및 R4c각각은 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 탄소수 1내지 6의 플루오로알킬기, 저급 알킬기, 저급 알콕시기, 저급 알콕시카르보닐기 또는 아미노기이다.
  15. 제14항에 있어서, 언급된 벤즈이미다졸 유도체가 하기의 일반식 (Ⅱ)를 갖는 방법 :
    상기 식에서,
    R1은 수소원자, 탄소수 1 내지 8 의 알킬기, 시클로알킬기, 페닐기 또는 아랄킬기이고,
    R2는 수소원자 또는 저급 알킬기이거나, 또는
    R1및 R2는 인접한 질소원자와 함께 고리를 형성하고,
    R3및 R4각각은 독립적으로 수소원자, 할로겐 원자, 트리플루오로메틸기, 저급 알킬기, 저급 알콕시기, 저급 알콕시카르보닐기 또는 아미노기이다.
  16. 제14항에 있어서, 언급된 염기성 물질이 알칼리 금속, 알칼리 토금속 및 알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속의 수산화물 또는 약무기산과의 염인방법.
  17. 제14항에 있어서, 언급된 염기성 물질이 알루미나 마그네슘 히드록사이드,수산화 알루미늄및 탄산 마그네슘으로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  18. 제14항에 있어서, 언급된 염기성 물질이 유기산과 알칼리금속, 알칼리토금속, 알루미늄 및 아민과의 염인방법.
  19. 제14항에 있어서, 언급된 염기성 물질이 아미드, 염기성 아미노산, 티아민류 및 아민류로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법.
  20. 제14항에 있어서, 언급된 염기성 물질이 고급 지방산과 알칼리금속 또는 알칼리토금속과의 염인 방법.
  21. 제14항에 있어서, 언급된 염기성 물질이 벤즈이미다졸 유도체의 양을 기준으로 10중량% 이상의 양으로 사용되는 방법.
  22. 제14항에 있어서, 언급된 염기성 물질이 벤즈이미다졸 유도체의 양을 기준으로 10내지 200중량% 이상의 양으로 사용되는 방법.
  23. 제14항에 있어서, 언급된 벤즈이미다졸 유도체가 10㎛ 이하의 평균 직경을 갖는 입자의 형태로 사용되는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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