KR870003576A - 반도체장치 - Google Patents

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KR870003576A
KR870003576A KR1019860007345A KR860007345A KR870003576A KR 870003576 A KR870003576 A KR 870003576A KR 1019860007345 A KR1019860007345 A KR 1019860007345A KR 860007345 A KR860007345 A KR 860007345A KR 870003576 A KR870003576 A KR 870003576A
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iil
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KR1019860007345A
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세즈오 오구라
가즈오 가메가기
고우이지 야마자기
히테오 미야자기
유기노리 기다무라
시로우 마유즈미
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미쓰다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
가모시다 겐이찌
히다찌마이크로콤퓨터 엔지니어링 가부시기가이샤
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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Abstract

내용 없음

Description

반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 개념을 설명하기 위한 일차 배선 LY와 이차 배선 LX가 수직으로 배열되는 상태를 도시하는 개략적인 평면도.
제2도(b)는 본 발명을 적용할 경우에 주요부를 설명하기 위한 평면도이며, 일차 배선 LY와 이차 배선 LV의 각각의 핏치(pitches)들이 규칙적으로 된 상태를 나타낸 도면.
제3도(C)는 본 발명을 다층 배선구조의 제3층의 배선을 응용한 1예를 적용할 반도체장치의 개략적인 평면도.

Claims (28)

  1. 다음 사항으로 구성되는 반도체장치에 (1) 주표면을 갖는 기판과, (2) 상기 기판의 주표면위에 만들어지는 다수의 IIL(Integrae Injection Logic)요소와 (3) IIL 요소들이 미리 정해진 IIL 요소들의 전극들을 전기적으로 연결하기 위한 상기 주표면위에 서로 평행하게 만들어지는 다수의 일차 배선과, (4) 상기 IIL 요소들의 미리 정해진 IIL 요소들의 전극들을 전기적으로 연결하기 위한 상기 주표면 위에 서로 평행하게 만들어지는 다수의 이차 배선으로서, 상기 일차배선과 상기 이차 배선의 연장방향이 서로 다른것.
  2. 청구범위 제1항의 반도체장치에 있어서, 상기 일차 배선과 상기 이차 배선이 서로 수직한 것을 특징으로하는 반도체장치.
  3. 청구범위 제1항의 반도체장치에 있어서, 상기 일차배선과 상기 이차배선이 서로 다른 레벨에서 만들어지는 것을 특징으로하는 반도체장치.
  4. 청구범위 제3항의 반도체장치에 있어서, 상기 이차배선과 상기 이차 배선이 서로 분리되어 있으며, 상기기판과는 상기 전기적 연결부분이 없도록 절연물질에 의해 분리되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 청구범위 제1항의 반도체장치에 있어서, 각각의 상기 IIL 요소가 인젝터와 게이트를 포함하며, 상기 인젝터는 주표면위에 길게 만들어지며, 상기 일차 배선은 인젝터의 연장방향과 같은 방향으로 만들어져 상기 IIL 요소들의 미리 정해진 IIL 요소들을 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. 청구범위 제5항의 반도체장치에 있어서, 상기 IIL 요소들이 상기 인젝터들이 불순물을 상기 기판의 상기 주표면내에 선택적으로 임플랜트하여 만들어지는 도우프된 영역들이며, 상기 다수의 일차 배선들중의 선택된 하나를 상기 도우프된 영역을 따라 적기적 접속이 이루어지도록 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 다음의 사항으로 구성되는 반도체장치 ;(1)반도체 기판내에 만들어지며 한 방향으로만 뻗어 있고, 상기 한방향을 따라 상기 기판의 일차표면영역과 이차표면 영역사이에 삽입되는 인젝터 영역과, (2) 상기 인젝터 영역의 상기한 방향을 따라 상기 일차표면 부분에 만들어지며 서로 가까이 배치되는 일차 IIL 게이트를 구성하는 콜렉터들을 갖는 다수의 일차베이스 영역과, (3) 상기 인젝터영역의 상기 한방향을 따라 상기 이차표면부분에 만들어지며, 서로 가까이 배치되는 이차 IIL 게이트를 구성하는 콜렉터들을 갖는 다수의 이차 베이스 영역과, (4) 상기 기판위에 뻗어 있으며, 상기 일차 또는 이차 IIL 게이트들중에 선택된 하나의 전극들에 연결되는 평행한 일차 전도층과, (5) 상기 기판위에 상기 일차 전도층과는 다른 방향으로 뻗어 있으며, 상기 일차 또는 이차 IIIL 게이트들중에 미리 정해진 하나의 전극들에 연결되는 평행한 이차 전도층.
  8. 청구범위 제7항의 반도체장치에 있어서, 상기 일차 전도층의 방향이 상기 인젝터의 상기 한쪽 방향과 평행한 것을 특징으로 하는 반도장치.
  9. 청구범위 제7항의 반도체장치에 있어서, 상기 일차와 이차전도층이 서로 수직한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  10. 청구범위 제7항의 반도체장치에 있어서, 상기 일차 그리고 이차 배선들이 절연 물질에 의해 서로 그리고 상기 기판과 분리되며, 상기 이차 전도층은 상기 절연물질로 만들어지는 관통구멍에서 미리 정해진 이차 IIL 게이트들의 상기 전극들로 상기 선택된 일차 IIL 게이트들의 전극들을 연결하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  11. 청구범위 제7항의 반도체장치에 있어서, 상기 일차전도층의 핏치가 상기 일차 또는 이차 IIL 게이트들중에 하나의 전극들의 핏치와 같은 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  12. 청구범위 제11항의 반도체장치에 있어서, 상기 이차 전도층의 핏치가 일차 또는 이차 IIL 게이트들의 상기 전극들의 핏치와 같은 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  13. 청구범위 제7항의 반도체장치에 있어서, 상기 관통구멍멍이 상기 일차 전도층에 의해 만들어지는 상기 일차 또는 이차 IIL 게이트들의 전극들 위에 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  14. 청구범위 제13항의 반도체장치에 있어서, 상기 관통구멍들을 통해 노출되는 상기 일차 또는 이차 IIL 게이트들의 전극들의 면적이 위에서 내려다본 상기 전극들의 면적과 같거나 작은 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  15. 청구범위 제13항의 반도체장치에 있어서, 상기 일차 관통구멍부분내의 상기 일차와 이차 전도층의 폭이 상기 관통구멍 부분이 아닌 다른 부분내의 일차와 이차 전도층의 각각의 폭과 같은 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  16. 다음 사항으로 구성되는 반도체장치, (1) 각각이 반도체 기판내에 만들어지는 회로 요소들을 갖는 다수의 회로블럭과,(2) 상기 가판을 덮어 씌우는 일차 절연물질위에 만들어지며 각각의 상기 회로블럭내의 상기 회로 요소들중 선택된 것과 연결되는 평행한 일차 전도대와, (3) 적어도 상기 일차 전도대를 덮어 씌우는 이차 절연물질 위에 만들어지며 각각의 상기 회로 블럭내의 상기회로 요소들중에 미리 정해진 하나와 연결되며 상기 일차 전도대와 수직하게 배열되는 평행한 이차 전도대와, (4) 적어도 상기 이차 전도대를 덮어씌우는 삼차 절연물질위에 배치되며, 상기 회로 블럭들중 선택된 것들 사이를 전기적으로 연결하는 삼차 전도대.
  17. 청구범위 제16항의 반도체장치에 있어서, 상기 한 회로 블럭들 중 상기 선택된 것들이 IIL 요소들을 포함하며 상기 IIL 요소들은 하나의 인젝터와 게이트들로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  18. 청구범위 제16항의 반도체장치에 있엇, 상기 한 회로 블럭들 중 상기 선택된 것들이 IIL 요소들을 갖는 하나의 회로 블럭과 바이폴라 요소들을 갖는 또 하나의 블럭을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  19. 청구범위 제16항의 반도체장치에 있어서, 상기 삼차 전도대가 상기 IIL 요소들에 동작전압을 공급하기 위한 전력배선인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  20. 청구범위 제17항의 반도체장치에 있어서, 상기 삼차전도대들이 상기 인젝터와 접촉하도록 만들어지는 상기 일체 전도대의 연장방향으로 상기 이차 절연물질위에 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  21. 청구범위 제17항에의 반도체장치에 있어서, 상기 삼차 전도대가 상기 이차 전도대와 평행하게 만들어져 상기 인젝터이 양끝부분내에 만들어지는 상기 게이트들이 전극을 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  22. 청구범위 제항의 21 반도체장치에 있어서, 상기 이차 전도대와 상기 삼차전도대가 위와 아래로 교대로 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  23. 다음 사항으로 구성되는 반도체장치 : (1) 반도체 기판내에 만들어지는 길게 뻗어 있는 반도체 영역과 (2) 상기 길게 뻗어있는 반도체 영역의 한쪽과 마주보고 있으나 거리가 떨어져 있는 다수의 반도체 영역들과, (3) 상기 반도체 영역들과 회로 성분 기능을 수행하는 상기 길게 뻗어있는 영역과, (4) 상기 기판위에 길게 뻗어있으며, 상기 길게 뻗어있는 영역과 평행한 일차 전도요소와, (5) 상기기판위에 길게 뻗어 있으며, 상기 일차전도대와 각을 이루는 이차전도 요소로서, 상기 일차전도 요소들중 선택된 것들이 상기 간격을 둔 반도체 영역들중 미리 정해진 것들에 연결되며 상기 이차전도 요소들중 선택된 것들은 상기 일차전도 요소들중 미리 정해진 것에 연결되는 것.
  24. 청구범위 제23항이 반도체장치에 있어서, 상기 일차 그리고 이차전도 요소들이 서로 다른 레벨에서 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  25. 청구범위 제23항이 반도체장치에 있어서, 상기 일차 그리고 이차전도 요소들이 서로 수직인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  26. 청구범위 제23항이 반도체장치에 있어서, 상기 반도체영역들이 상기 길게 뻗어 있는 영역들의 다른 쪽에 빽빽히 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  27. 청구범위 제26항이 반도체장치에 있어서, 상기 이차전도 요소들이 상기 길게 뻗어 있는 영역을 횡단하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  28. 청구범위 제25항의 반도체장치에 있어서, 상기 회로성분 기능이 IIL 기능인 것을 특징으로하는 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860007345A 1985-09-20 1986-09-03 반도체장치 KR870003576A (ko)

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5223733A (en) * 1988-10-31 1993-06-29 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit apparatus and method for designing the same
JPH0410624A (ja) * 1990-04-27 1992-01-14 Hitachi Ltd 半導体集積回路
JP2788783B2 (ja) * 1990-08-29 1998-08-20 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 半導体集積回路
FR2702595B1 (fr) * 1993-03-11 1996-05-24 Toshiba Kk Structure de câblage multicouche.
US8779592B2 (en) * 2012-05-01 2014-07-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Via-free interconnect structure with self-aligned metal line interconnections
CN104517963B (zh) * 2013-09-27 2018-09-18 恩智浦美国有限公司 状态保持电源选通单元

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3114679A1 (de) * 1980-04-11 1982-01-14 Hitachi, Ltd., Tokyo Integrierte schaltung mit mehrschichtenverbindungen
JPS5852870A (ja) * 1981-09-25 1983-03-29 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置

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