KR870001741B1 - 광파이버용 다공질 모재의 제조장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

광파이버용 다공질 모재의 제조장치

제1도는 종래의 VAD장치의 단면도.

제2도는 본 발명의 VAD장치의 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 다공질모재 2 : 표적재료

3 : 산수소버어너 4 : 불꽃

5 : 격벽 6 : 배기구멍

7 : 차폐층

본 발명은 광파이버용의 다공질 모재를 모재를 제조하기 위하여 사용하는 주로 VAD장치의 개량(VAD 이외에도, 그것과 원리를 마찬가지로 하는 외부탄소 미립자 퇴적법에 있어서 효과를 가짐)에 관한 것이다.

VAD 장치에 있어서, SiO₂를 주성분으로하는 광파이버용의 다공질모재를 성장시키고 있을 때에 다공질 모재의 표면의 일부에 이상하게 많은 SiO₂미립자가 부착하거나 균열이 되거나 혹은 그 결과 낙하하는 것과 같은 현상이 잘 일어난다.

그리고, 이와 같은 이상 현상 일어난 다공질 모재는 대개가 불량품이 되는 것이다.

즉, VAD 장치의 다공질 모재와 성장시키고 있는 부분을 둘러싸는 머플이라고 불리어지는 격리실의 격벽은, 일반적으로 유리나 석영으로 만들어져 있다. 그리고, 이부분에 산수소 버어너로부터 나온 대전한 SiO₂의 미립자가 닿으면 격벽의 유리나 석영의 대전을 위한 정전기 효과에 의해, 이것이 흡인되어서 격벽에의 유리나 석영면에 적층된다. 그리고 시간과 함께 그 적층량이 증가하면, 그 일부가 자체무게에 의해 떨어지고, 그 도중에서 성장중의 다공질 모재에 접촉하거나, 또는 하부에 있는 산수소 버어너에 의해 불어 올려져서 다공질모재의 표면상에 이상한 SiO₂의 돌기형상 물체를 형성하기도 한다.

이 때문에 다공질 모재가 가져야할 축길이 방향으로 한결 같아야할 특성이 손상되는 것이다.

이러한 것을 종래 사용되고 있는 광파이버 모재의 제조를 위한 제1도와 같은 장치에 VAD 대해서 설명하면, (2)가 표적재료인 석영봉등이며, 이 표적재료의 선단에 광파이버의 다공질 모재(1)가 성장한다.

(3)은 산수소 버어너로서, 산소와 수소를 연소가스로하며, 또 이산수소버어너(3)는 버어너 내부가 다중관(도시생략)으로 되어 있어서 SiCl₄, GeCl₄, Ar등을 동시에 불어낼 수 있도록 되여 있다.

(4)는 그 불꽃이며, 이 내부에는 산화한 SiO₂, GeO₂등의 미립자가 존재한다.

(5)는 이들을 둘러싸는 머플이라 불리여지는 격벽으로서, 외계와의 격리를 목적으로하고 있으며, 일반적으로는 통상의 유리, 석영질유리등으로 되어 있다.

이 유리류는 일반적으로 대전하기 쉬워, 부근에 미소물체가 날라오면 그들의 대전관계에 의해 흡착해 버린다. 이 때문에 산수소 버어너(3)에 의해 격벽(5)내에서 발생하는 , SiO₂, GeO₂,등의 미립자는, 다공질모재 제조중에 격벽의 내면에 퇴적한다.

또, 이들 미립자 자체도 대전하고 있으므로 격벽의 대전에 대한 다른 종류의 대전입자는 흡착이 가속된다.

이와 같이 해서 퇴적이 발생하고, 그것이 성장하면 중력때문에 그 일부가 낙하하여, 일시적으로 격벽 내부는 불안정한 상태가 되어, 모재의 표면에 다량의 SiO₂가 부착하거나, 낙하물이 다공질모재에 닿음으로서 모재에 균열이 발생하고, 또 일부의 낙하를 볼수 있다.

이로 인해서 VAD생산 수율이 저하된다.

제1도에 있어서, (6)은 격벽에 부착된 배기구멍이며, 산수소버어너(3)에 의해 유입한 가스, 발생된 가스 혹은 폐기 물질이 이 배기구멍(6)에 의해 외부로 배출된다.

이와 같은 종래의 VAD 장치에 있어서의 격벽 표면에서의 SiO₂나 GeO₂의 미립자의 퇴적, 혹은 이들의 낙하에 위한 다공질 모재에의 악영향 이라고 할수 있는 결점을 개선하기 위하여 검토의 결과 얻어진 것이, 본 발명의 격벽 내표면에 도전성 재질의 차폐층을 모재와 산수소 버어너를 둘러싸도록 설치한 VAD 장치이다.

즉, 본 발명의 VAD 장치에서는 격벽이 대전하며, 또한 이 대전때문에 발생하는 전계를 격벽 내부까지 미치지 않게 차폐함으로서 모재를 제조중인 공간을 외부전계의 영향을 없애고 안정화하는 것이다.

이 때문에 모재제조에서, 그 모든 과정중에 있어서 안정된 탕소미립자 퇴적이 가능해지는 것이다.

이하, 본 발명으로 이루어진 장치를 그 일실시예를 표시한 제2도를 참조해서 구체적으로 설명한다.

또한, 제2도에서, 제1도와 같은 부위로서 같은 작용을 하는 부분에 대해서는 제1도와 동일한 부호를 붙이고 그 설명을 생략한다.

제2도에 있어서, 격벽(5)과 다공질의 광파이버용 모재(1), 산수소 버어너(3)로 부터 나오는 불꽃(4)과의 사이를 대전성 재질로 이루어진 차폐층(7)으로 둘러싼다. (단, 광파이버 모재의 표적재료(2)에 가까운 쪽은 일부 둘레의 속에 물리적으로 넣는 것은 무리이나) 이 경우, 가장 현실적으로 차폐층(7)을 격벽(5)내면에 부착을 용이하게 하는 형상은 망(網) 형상의 대체로 둥근 형상의 물체로서, 이것을 차폐층(7)으로해서 부착하는 것이다.

이 경우, 둥근 형상의 망형상 차폐층(7)은 산수소 버어너(3)의 부착이나 광파이버모재(1)의 통과를 위한 소정의 구멍을 뚫러놓는 것이 바람직하다.

이와 같은 망형상의 둥근 형상인 도전성 재료로 이루어진 차폐층(7)을 격벽(5)의 내면에 부착하였을 경우는, 그 바깥쪽에 존재하는 전게가 차폐층(7)의 내부에는 전혀 영향을 미치지 않는다. 다시 말하면, 격벽(5)의 유리가 대전하였기 때문에, 그것에 의한 주변에 죤재하는 전계, 격벽(5)의 안쪽에부착, 형성된 SiO₂의 미립자에 의한 전계는, 이 차폐층(7)이 가지는 차폐 효과에 의해 내부에 전계가 미치지 않는다.

또한, 상기에서는 도전성 재질로 이루어진 차폐층으로서 망형상의 둥근형상인 것을 사용하였을 경우에 대해서 설명하였으나, 격벽(5)이, 예를들면 원주 형상과 같은 경우에 있어서는, 이것에 균형이 맞는 원주형상 또는 그것에 밑바닥이 붙은 도전성 재질로서, 망형상이거나 또는 구멍이 뚫린 금속 형상의 차폐층을 사용해도 마찬가지의 효과가 얻어진다.

이와 같은 상황하에서 광파이버의 다공질 모재(1)의 제조중에 격벽(5)내에 부유하는 SiO₂나 GeO₂의 미립자는, 차폐층(7)의 밖에 있는 전기적인 영향을 받지 않는다.

즉, 외부 전계에 끌어 당겨져서 격벽(5)의 내벽면에 부착하는 일은 있어도, 퇴적하는 일은 없다.

또, 산수소 버어너(3)로 부터의 SiO₂, GeO₂등의 미립자의 흐름도 외란(外亂)을 받지 않고 흐르기 때문에, 광파이버의 다공질 모재를 제조하는데 있어서, 안정된 품질로 예정한데로의 형상의 것이 나오게되고, 제조도중에 격벽 내면을 SiO₂를 주체로 하는 미립자의 퇴적물의 낙하에 의한 파손이라는 위험도 없어지며, 또 동시에 모재표면에 국부적으로 미립자가 부착한다는 이상 현상도 볼수 없는 것이다.

또한, 본 발명에서 차폐를 구성하는 도전성 재질로서는, 도전성을 가지는 것이면, 그 목적을 달성할 수 있으나, 광파이버를 제조하는 장치내에 장전한다고 하는 점에서는 그 재질을 음미하는 것도 필요하며, 그와 같은 점에서 알루미늄이 가장 양호하다.

그리고, 본 발명의 차폐층의 형상으로서는, 상술한 둥근형상의 바구니형이 적당하다.

Claims (2)

1. 광파이버용 다공질모재의 제조장치에 있어서, 선단에서 다공질모재를 성장시키는 표적 재료와 산수소 버어너를 수용하는 격리실의 내벽면에 도전성 재질로된 차폐층을 착설한 것을 특징으로하는 광파이버용 다공질 모재의 제조장치.
2. 제1항에 있어서, 도전성 재질로된 차폐층이 바구니형 형상으로 이루어진 것을 특징으로하는 광파이버용 다공질 모재의 제조장치.

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