KR860700314A - 반도체 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 소자 및 그 제조방법

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KR860700314A
KR860700314A KR1019860700312A KR860700312A KR860700314A KR 860700314 A KR860700314 A KR 860700314A KR 1019860700312 A KR1019860700312 A KR 1019860700312A KR 860700312 A KR860700312 A KR 860700312A KR 860700314 A KR860700314 A KR 860700314A
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semiconductor device
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KR1019860700312A
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Inventor
제이. 바커 챨스
알. 윌슨 시드
Original Assignee
빈센트 죠셉로너
모토로라 인코포레이티드
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 전하 축적 소자영역을 포함하는 반도체 기판의 횡단면도, 제3도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전하축적 소자와 바이폴라 소자영역을 포함하는 반도체 기판의 횡단면도, 제4도는 본 발명의 제2 실시예에 따른 전하축적 소자영역을 포함하는 반도체 기판의 횡단면도.

Claims (10)

  1. 제1 및 제2 주표면을 갖는 반도체 기판과, 상기 제1 표면에 인접하며, 저하 축적소자를 포함하도록 선택되는 높은 수명을 갖는 제1 영역과, 상기 제1 영역 아래에 위치하며, 상기 기판내 깊은 재결합 중심부를 제공하는 반응불순물을 포함하며, 상기 기판의 용융점에서 상기 기판내 상기 불순물의 고체용해한계를 초과하는 상기 불순물의 피크농도를 갖는 제2 영역으로 이루어진 반도체 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판이 주기율표 4a족의 원소이며, 상기 불순물이 주기율표 3a 또는 5a족의 원소가 아닌 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판이 실리콘이며, 상기 불순물은 산소이고 상기 농도는 ㎤당 1×1019이상의 피크치를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판이 실리콘이며, 상기 제2 영역이 400kev이상의 에너지에서 ㎠당 1×1015이상의 양으로 산소이온을 주입시키므로써 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반도체가 실리콘이며, 상기 불순물이 900°내지 1300℃의 온도에당미크론의 관계에 따른 실리콘내 확산도 D를 갖는 원소의 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  6. 주표면과 전하축적 소자를 수용하도록 선택된 상기 표면에 인접한 제1 영역을 갖는 반도체 기판을 제공하는 단계와, 상기 제1 영역 아래의 제2 영역에 상기 기판의 용융점에서 상기 기판내 상기 반응이온의 고체 용해한계를 초과하는 양으로 반응수명 킬링이온을 주입시키는 단계와, 상기 주입된 기판을 제1 온도로 가열하여 상기 반응이온 이을 활성화시키므로써 상기 제2 영역내 감소된 캐리어 수명을 갖는 영역을 형성시키는 단계로 이루어진 반도체 소자 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 900℃ 내지 1300℃의 온도 범위내에서당의 관계에 따른 실리콘내 확산도 D를 갖는 원소그룹으로부터 수명킬링이온을 선택하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  8. 반도체 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판의 표면 아래 선정된 거리에서 상기 기판의 용융점에서 상기 이온의 고체 용해도를 초과하는 농도의 반응이온층을 주입시키는 단계와, 상기 기판을 선정된 상승온도로 가열시켜 상기 기판과 상기 이온을 반응시키므로써 높은 캐리어 재결합 차폐층을 형성시키는 단계로 이루어진 반도체 기판내 높은 캐리어 재결합 차폐층 형성방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 주입단계에 최소한 1차 크기의 상기 용해한계를 초과하는 양으로 상기 반응이온을 주입시키는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판내 높은 캐리어 재결합 차폐층 형성방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 반응이온을 900°내지 1300℃의 온도범위에서당의 관계에 따른 실리콘내 확산도 D를 갖는 원소그룹으로부터 선택하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판내 높은 캐리어 재결합 차폐층 형성방법.
    ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860700312A 1984-09-28 1985-08-12 반도체 소자 및 그 제조방법 KR860700314A (ko)

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US65611284A 1984-09-28 1984-09-28
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