KR850006655A - 저잡음 반도체 및 제너 다이오드 제조공정 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

저잡음 반도체 및 제너 다이오드 제조공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 방법에 따라 만들어진 이온주입형순간 작동 제니 다이오드의 단면 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 제너다이오드 11 : 기판
13 : 유전체층 14 : 확산지역
15 : 합금지역 16 : 상부표면접촉부
32 : 하부전극 34 : 도프된지역

Claims (11)

  1. 저잡음 반도체 접합을 만드는 공정에 있어서, 제1 불순물의 제1 농도의 제1 지억을 가진 반도체 기판을 제공하는 단계와; 상기 제1 지역에 제2 불순물의 제2 농도의 제2 지역을 이온주입하는 단계와; 상기 제1 불순물농도에서 제2 불순물 농도의 계단상수를 잠소시키지 않고, 상기 제2 불순물을 활성화시키기 위해 상기 이온 주입지억을 순간 가열 및 냉각하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 저잠음 반도체 제조공정.
  2. 제1항의 공정에 있어서, 상기 가열단계는 1000℃ 이상인 소정의 활성화 온도로 30초 이내에서 기판을 가열하는 단계와; 상기 기판올 1000℃ 이하에서 5초 동안 냉각하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 저 잠음 반도체 제조공정.
  3. 제1항의 공정에 있어서, 상기 제2 농도는 상기 가열 및 냉각단계가 약 1020원자 ㎤를 초과하기 적에 최고치를 갖는 것을 특징으로 하는 저 잡음 올반도체 제조공정.
  4. 저 잡음 반도체 접합을 만드는 공정에 있어서, 소정의 배경 불순물 농도를 가진 반도체 기판을 제공하는 단계와; 불순물 원자의 규정된 비소 주입농도 곡선을 얻기 위해 상기 기판에 불순물 이온을 주입하는 단계와; 주입손실을 줄이면서 상기 불순물 원자를 활성화시키고, 상기 배경 농도에서 상기 불순물 원자 농도 곡선의 기울기를 감소시키지 않고 상기 농도곡선의 투과 길이를 증가 시키도록 하는 온도로 기판을 순간 가열하는 단계와; 상기 기판을 순간적으로 냉각하여, 상기 기판에서 상기 활성화된 불순물 원자가 더 이상의 확산을 하지 않도록 하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 저 잡음 반도체 제조방법.
  5. 제4항의 공정에 있어서, 상기 가열 및 냉각단계는 1000℃ 초과하는 활성화 온도로 기판올 30초 이내에서 가열하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 저 잡음 반도체 제조방법.
  6. 제4항의 공정에 있어서, 상기 비소주입 농도곡선은 약 1020원자/㎤를 넘는 최고값을 갖는 것을 특징으로 하는 저잡음 반도체 제조공정.
  7. 저 잡음 제니 다이오드 제조공정에 있어서, 제1 형태 및 농도의 제1 불순물로 도프된 반도체 기판을 제공하는 단계와; 상기 제1 형태와 반대이며, 약 1020원자/㎤를 넘는 최고치를 가진 제2농도의 제2 불순물로 상기 기판의 부분에 이온주입하는 단계와; 상기 기판보다 큰 활성 불순물 농도를 가진 도프된 지억을 형성하기 위해 제2 불순물을 순간 활성화하는 단계를 구비하여, 상기 순간 활성화는 1000℃가 넘는 온도로 상기 제1 농도에서 상기 제2 분순물의 충분한 계단 상수감소를 위해 필요한 시간에 비해 짧은 시간 동안 일어나는 것을 특징으로 하는 제니 다이오드 제조공정.
  8. 제7항에 공정에 있어서, 상기 순간 활성화 단계는 순간 가열 및 냉각 단계를 구비하여 1000℃이상의 온도에서 총지속시간이 40초 이하인 것을 특징으로 하는 제니 다이오드 제조공정.
  9. 제8항의 공정에 있어서, 1000℃이상의 온도에서 총 시간은 25초 이하인 것을 특징으로 하는 제니다이오드 제조공정.
  10. 반도체 접합의 계단상수를 증가시키는 공정에 있어서, 반도체 기판을 제공하는 단계와 상기 기판에 약 1020원자/㎤를 초과하는 최고치를 가진 농도로 불순물 원자 이온을 주입하는 단계와; 상기 불순물 원제를 활성화 하기 위해 약 30초 보다 짧은 제1 시간동안 약 1000℃를 넘는 온도로 상기 기판을 가열하는 단계와; 상기 기판을 약 5초보다 짧은 시간동안 약 1000℃이하의 온도로 냉각하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 계단상수 증가공정.
  11. 제10항의 공정에 있어서, 상기 가열단계는 가열이 시작된 다음 약 10초 이내에서 약 1000℃로 상기 기판을 가열하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 계단상수 증가공정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR8500608A 1984-03-12 1985-01-31 Manufacture process in a low noise semiconductor and zener diode KR900008819B1 (en)

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