KR850005004A - 제1철 자석 목표물의 비산을 위한 자전관의 음극 - Google Patents

제1철 자석 목표물의 비산을 위한 자전관의 음극 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

제1철 자석 목표물의 비산을 위한 자전관의 음극
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 자전관에 대한 부분들을 도식적으로 나타낸 축의 단면도.
제2도 및 제3도는 본 발명의 전자관에 대하여 다른 형태와 변형 가능성을 예시한 예시도.

Claims (8)

  1. 제1철 자석의 목표물의 비산을 위한 자전관의 음극은 계철(繼鐵)을 가진 자석 시스템과 더불어 음극의 기초물체로 부터 생성되어지며 이렇게 배치된, 즉 주변에 관련있고 대립되어 있는 양극성의 서로 뒤섞여 위치한 자극들에서 생성되어지는데, 이러한 자극들에는 최소한의 자극들의 진행과 더불어 목표물 물질에서 부분적으로 생성된 극편들이 유사한 이탈면에 부속되어지고 있다.
    그리고 그 이면에는 두개의 선회하는 공기의 틈을 그대로 놔둔 가운데 배치의 심층방향으로 비산면과 더불어 제1철 자석의 금속들에서 나온 주변에 관련있는 목표물이 배열되어지며, 자극들과 목표물은 그 투영면을 고려해 볼 때 비산면 쪽을 향해 평행한 평면에서 교차하지 않고 있으며, 극편들과 목표물은 전기적(電氣的)으로 서로 결속되어져 있는데, 위의 것들은 다음과 같은 사실을 통하여 특징지워질 수 있다.
    제1비철 자석의 매개체가 없는 각 간격 “S”를 통해 극편(8)(9)들은 자극(3a)(4a)들에 의해 분리되어지며, 자극(3a)(4a)들은 목표물(7)의 비산면(7a)을 통하여 배치의 심층 방향으로, 이동된 평면에 의하여 알려진 방식에서 확산되어진다. 그리고 극편(8)(9)들과 목표물(7)의 한쪽 방향과 자극(3a)(4a)들의 다른 쪽방향 사이에는 하나의 열 전도성의 금속 물체가(16)마련 되어져 있는데 그것은 최소한 냉각 수단 통로(17)와 함께 결속되어 있으며 제1비철 자석의 작업 재료에서 생성되어 진다.
  2. 청구범위 1항에 있어서, 이에 따라 자전관의 음극은, 목표물로 향한 극편(8)(9)들의 평면은 평탄하다.
  3. 청구범위 1항에 있어서, 이에따른 자전관의 음극은, 극편들의 이탈면(10)(11)은 실제적으로 비산면(7a)쪽으로, 수직으로 위치를 정하고 있다.
  4. 청구의 범위 1항에 있어서, 이에 따른 자전관의 음극은, 극편(8)(9)들의 이탈면(10)(11)과 목표물(7)의 선회하는 측면(7b)(7c)의 투영은 비산면(7a)쪽 평행한 평면으로 한쌍씩 실제상으로 일치하고 있다.
  5. 청구의 범위 1항에 있어서, 이에 따른 자전관의 음극은, 극편(8)(9)들의 이탈면(10)(11)과 측면(7b)(7c)의 투영은 비산면(7a)쪽에 하나의 평행한 평면으로 상호간에 서로 겹치지 않고 있어서의 하나의 간격을 나타내주고 있다.
  6. 청구의 범위 1항에 있어서, 이에따른 자전관의 음극은, 목표물(7)과 극편(8)(9)들의 그 자석 계철을 포함하여 자석 시스템(2)은 전기적으로 절연되어져 있다.
  7. 청구의 범위 1항에 있어서, 이에따른 자전관의 음극은, 금속물체(16)는 횡단면에서 굽어진 선행태로 형성되어져 있다.
  8. 청구의 범위 1항에 있어서, 이에따른 저전관의 음극은, 극편(8)(9)들과 열 전도성의 금속물체(16)사이에는 제1철 자석의 물체(34)(35)가 유출 인도 역할로써 배치되어져 있다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840007652A 1983-12-05 1984-12-04 제1철 자석의 극판을 스퍼어터링하기 위한 자전관 음극 KR910009249B1 (ko)

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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0689443B2 (ja) * 1984-11-14 1994-11-09 株式会社日立製作所 スパツタリング用タ−ゲツト
KR900001825B1 (ko) * 1984-11-14 1990-03-24 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 성막 지향성을 고려한 스퍼터링장치
DE3527626A1 (de) * 1985-08-01 1987-02-05 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Zerstaeubungskatode nach dem magnetronprinzip
DE3601439C1 (de) * 1986-01-20 1987-04-09 Glyco Metall Werke Schichtverbundwerkstoff,insbesondere fuer Gleit- und Reibelemente,sowie Verfahren zu seiner Herstellung
US4855033A (en) * 1986-04-04 1989-08-08 Materials Research Corporation Cathode and target design for a sputter coating apparatus
DE3787390T2 (de) * 1986-04-04 1994-06-16 Materials Research Corp Kathoden- und Target-Anordnung für eine Beschichtungsvorrichtung zum Zerstäuben.
DE3624150C2 (de) * 1986-07-17 1994-02-24 Leybold Ag Zerstäubungskatode nach dem Magnetronprinzip
JPH07107188B2 (ja) * 1986-09-12 1995-11-15 松下電器産業株式会社 スパッタリングターゲット
DE3810175A1 (de) * 1988-03-25 1989-10-05 Elektronische Anlagen Gmbh Kathodenzerstaeubungsvorrichtung
US4865708A (en) * 1988-11-14 1989-09-12 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetron sputtering cathode
US4892633A (en) * 1988-11-14 1990-01-09 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetron sputtering cathode
JPH02194171A (ja) * 1989-01-20 1990-07-31 Ulvac Corp マグネトロンスパッタリング源
JPH02243761A (ja) * 1989-03-15 1990-09-27 Ulvac Corp マグネトロンスパッタリング源用電磁石の制御方法
DE4018914C1 (ko) * 1990-06-13 1991-06-06 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
US5080772A (en) * 1990-08-24 1992-01-14 Materials Research Corporation Method of improving ion flux distribution uniformity on a substrate
DE4120690A1 (de) * 1991-06-22 1992-12-24 Leybold Ag Targetvorrichtung aus ferromagnetischem material fuer eine magnetron-elektrode
US5174880A (en) * 1991-08-05 1992-12-29 Hmt Technology Corporation Magnetron sputter gun target assembly with distributed magnetic field
DE4135939A1 (de) * 1991-10-31 1993-05-06 Leybold Ag, 6450 Hanau, De Zerstaeubungskathode
US5407551A (en) * 1993-07-13 1995-04-18 The Boc Group, Inc. Planar magnetron sputtering apparatus
DE19648390A1 (de) * 1995-09-27 1998-05-28 Leybold Materials Gmbh Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage
JP3886209B2 (ja) * 1997-06-02 2007-02-28 貞夫 門倉 対向ターゲット式スパッタ装置
US6432286B1 (en) * 1998-06-10 2002-08-13 David A. Glocker Conical sputtering target
US6235170B1 (en) * 1998-06-10 2001-05-22 David A. Glocker Conical sputtering target
US6224725B1 (en) * 1999-02-09 2001-05-01 Isoflux, Inc. Unbalanced magnetron sputtering with auxiliary cathode
US6359388B1 (en) 2000-08-28 2002-03-19 Guardian Industries Corp. Cold cathode ion beam deposition apparatus with segregated gas flow
US6783638B2 (en) * 2001-09-07 2004-08-31 Sputtered Films, Inc. Flat magnetron
GB0126721D0 (en) * 2001-11-07 2002-01-02 Bellido Gonzalez V Ferromagnetic magnetron
US6988463B2 (en) * 2002-10-18 2006-01-24 Guardian Industries Corp. Ion beam source with gas introduced directly into deposition/vacuum chamber
US6812648B2 (en) 2002-10-21 2004-11-02 Guardian Industries Corp. Method of cleaning ion source, and corresponding apparatus/system
EA200900182A1 (ru) * 2006-07-13 2009-06-30 Тиэр Коутингз Лимитед Устройство для нанесения покрытий и способ нанесения покрытий
JP5265149B2 (ja) 2006-07-21 2013-08-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マルチカソード設計用冷却暗部シールド
US20080083611A1 (en) * 2006-10-06 2008-04-10 Tegal Corporation High-adhesive backside metallization
CN101720493B (zh) * 2007-06-15 2012-08-15 Oc欧瑞康巴尔斯公司 多靶溅射源及沉积多层的方法
US8691057B2 (en) * 2008-03-25 2014-04-08 Oem Group Stress adjustment in reactive sputtering
US20090246385A1 (en) * 2008-03-25 2009-10-01 Tegal Corporation Control of crystal orientation and stress in sputter deposited thin films
US20100018857A1 (en) * 2008-07-23 2010-01-28 Seagate Technology Llc Sputter cathode apparatus allowing thick magnetic targets
US8482375B2 (en) * 2009-05-24 2013-07-09 Oem Group, Inc. Sputter deposition of cermet resistor films with low temperature coefficient of resistance
TWI338721B (en) * 2009-10-16 2011-03-11 Suntek Prec Corp A sputtering apparatus with a side target and a method for sputtering a workpiece having non-planer surfaces
JP5853487B2 (ja) * 2010-08-19 2016-02-09 東レ株式会社 放電電極及び放電方法
US8575565B2 (en) 2011-10-10 2013-11-05 Guardian Industries Corp. Ion source apparatus and methods of using the same
DE102013112861B4 (de) * 2013-01-15 2018-11-15 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Magnetronanordnung und Target für eine Magnetronanordnung
US9328410B2 (en) 2013-10-25 2016-05-03 First Solar, Inc. Physical vapor deposition tile arrangement and physical vapor deposition arrangement
TWI618809B (zh) * 2016-08-31 2018-03-21 Linco Technology Co Ltd 具高靶材利用率之磁性靶材陰極裝置
CN111996504A (zh) * 2020-07-10 2020-11-27 包头稀土研究院 铁磁性靶材磁控溅射装置
CN111996505B (zh) * 2020-07-10 2023-07-14 包头稀土研究院 磁控溅射铁磁性靶材的装置
CN114574830B (zh) * 2022-03-11 2024-03-26 陕西理工大学 用于磁控溅射靶阴极的磁铁布置结构
EP4283011B1 (en) * 2022-05-26 2024-08-21 Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk Magnetron device for sputtering target

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4198283A (en) * 1978-11-06 1980-04-15 Materials Research Corporation Magnetron sputtering target and cathode assembly
US4299678A (en) * 1979-07-23 1981-11-10 Spin Physics, Inc. Magnetic target plate for use in magnetron sputtering of magnetic films
JPS5893872A (ja) * 1981-11-30 1983-06-03 Anelva Corp スパツタリング装置
US4391697A (en) * 1982-08-16 1983-07-05 Vac-Tec Systems, Inc. High rate magnetron sputtering of high permeability materials
US4414086A (en) * 1982-11-05 1983-11-08 Varian Associates, Inc. Magnetic targets for use in sputter coating apparatus

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Publication number Publication date
EP0144572B1 (de) 1989-10-18
JPH0373633B2 (ko) 1991-11-22
KR910009249B1 (ko) 1991-11-07
JPS60138070A (ja) 1985-07-22
US4572776A (en) 1986-02-25
EP0144572A3 (en) 1986-07-30
EP0144572A2 (de) 1985-06-19
DE3480245D1 (en) 1989-11-23
ATE47504T1 (de) 1989-11-15

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