KR850005006A - 수정된 필드 구성을 갖는 플레너 마그네트론 스퍼터링 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

수정된 필드 구성을 갖는 플래너 마그네트론 스퍼터링

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 평평한 스퍼터링(sputtering)표면과 다중환상 형상으로 이루어진 스퍼터링 타겟(target) 구조를 갖는 표준 플래너 마그네트론(plannar magneton) 스퍼터링 전극 구조를 나타내는 단면도.

제2도는 제1도에서 나타낸 스퍼터링 타겟을 위에서 본 평면도.

제3도는 스퍼터링 타겟의 타겟 구성체들 간의 경계영역을 나타내는 대표적인 단면도.

Claims (18)

1. 주요 표면으로 부터 다수의 타겟 구성체를 포함하는 스퍼터링 타겟을 스퍼터링 하는 단계를 표함하고, 상기 다수의 타겟 구성체들이 전극위에 나란히 배열되어 있고, 전계와 자계의 방향이 상기 다수의 타겟 구성체의 경계 영역에서 실질적으로 평행하게 만들어진 플래너 마그네트론 스퍼터링 방법.
2. 상기 다수의 타겟 구성체들 중의 적어도 하나가 다른 타겟 구성체들과는 다른 물질로 만들어진 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제1항 기재의 플래너마그네트론 스퍼터링 방법.
3. 상기 경계 영역들중의 적어도 하나가 환상 형태인 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제2항 기재의 플래너 마그 네트론 스퍼터링 방법.
4. 상기 경계 영역들의 중심이 서로 일치하는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제3항 기재의 플래너마그네트론 스퍼터링 방법.
5. 양면에 중심이 일치하는 내부와 외부의 경계 영역을 갖는 첫번째 터겟 구성체의 환상 형태의 첫번째 주요 표면이 첫번째 타겟 구성체의 상기 내부 경계영역으로 둘러싸인 두번째 타겟 구성체의 두번째 주요표면이나, 첫번째 타겟 구성체의 상기 외부 영역에 인접한 세번째 타겟 구성체의 세번째 주요 표면과는 다른 평면 위에 놓여진 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제4항 기재의 플래너 마그네트론 스퍼터링 방법.
6. 상기 두번재 타겟 구성째와 세번째 타겟 구성체가 같은 물질로 만들어진 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제5항 기재의 플래너 마그네트론 스퍼터링 방법.
7. 나란히 배열된 다수의 타겟 구성체로 구성체로 스퍼터링 타겟 구조를 포함하는 플래너 마그네트론 스퍼터링 전극 구조를 갖고, 부분적으로 또는 전체적으로 스퍼터링 되는 주요 표면을 갖는 플래너 마그네트론 스퍼터링 장치, 각 타겟 구성체에 대응되는 주요 표면 위에 생성된 플라즈마가 자기적으로 움직이는 동안 상기 타겟 구성체들이 각각 스터링 되고, 방전을 제한하기 위한 자개와 이온을 가속시키기 위한 전게는 스퍼터링에 의하여 경계 영역을 타겟 물질의 비 부식 영역으로 하기 위하여, 상기 주요 표면위의 상기 타겟 구성체들 사이의 경계 영역들에서 서로 직교하지 않는 플레너마그네트론 스퍼터링 장치.
8. 상기 타겟 구성체들의 주요 표면들 중의 적어도 하나가 또 다른 주요 표면들과는 다른 평면위에 놓이고, 방전을 제한하기 위한 자계와 이온을 가속 시키기 위한 전계는 상기 주요 표면들을 서로 다른 평면에 갖는 상기 타겟 구성체들 사이의 경계 영역에서 서로 직교 하지 않는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제7항 기재의 플래너 마그네트론 스퍼터링 장치.
9. 상기 다수의 타겟 구성체들이 서로 다른 물질로 만들어진 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제7항 기재의 플래너 마그네트론 스퍼터링 장치.
10. 상기 스퍼터링 타겟이 스퍼터링 하는 동안 다수의 점에서 냉각 구성체와 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제1항 기재의 플래너 마그네트론 스퍼터링 방법.
11. 상기 스퍼터링 타겟이 다수의 타겟 구성체로 구성된 특허청구 범위 제10항 기재의 플래너 마그네트론 스퍼터링 방법.
12. 상기 냉각 구성체가 금속망을 포함하는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제10항 기재의 플래너 마그네트론 스퍼터링 방법.
13. 상기 다수의 타겟 구성체들 중의 적어도 하나가 여러점에서 다른 타겟 구성체들 중의 적어도 하나와 접촉하는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제11항 기재의 플래너 마그네트론 스퍼터링 방법.
14. 서브 스트레이트위의 합금 물질을 코스퍼터링 하기 위하여 마그네트론 스퍼터링에 사용되는 타겟구조가 다음을 포함하는 것. 첫번째 도전 물질로 만들어지고, 첫번째 평평한 표면을 갖는 첫번째 타겟 구성체; 두번째 도전 물질로 만들어 지고, 두번째 평평한 표면을 갖는 두번째 타겟 구성체; 상기 두번재 평평한 표면이 상기 첫번째 평평한 표면 위에 나란히 배열된 상기 첫번째와 두번째 타겟 구성체.
15. 상기 첫번째 도전 물질이 실리콘이고, 두번째 도전물질이 몰리브데늄인 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제14항 기재의 타겟 구조.
16. 상기 첫번째 도전 물질이 몰리브데늄이고, 상기 두번째 도전 물질이 실리콘인 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제14항 기재의 타겟 구조.
17. 상기 첫번째와 두번째 타겟 구성체를 지지하고, 그 표면에서 등전위 표면을 만들기 위하여 캐소드(cathode)에 연결된 금속으로 만들어진 백킹 플레이트와, 상기 타겟 구성체 위에 가변 자계를 발생시키기 위한 상기 백킹 플레이트 아래에 놓인 전자석을 포함하는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제14항 기재의 타겟구조.
18. 상기 첫번째 타겟 구성체와 상기 두번째 타겟 구성체와 상기 백킹 플레이트 사이의 연결부들 중의 적어도 하나에 놓여진 전기 전도율과 전도율이 좋은 금속으로 만들어진 연결부 구성체를 포함하는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 제17항 기재의 타겟 구조.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.