KR850004358A - 초전도 장치 - Google Patents

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KR850004358A
KR850004358A KR1019840007547A KR840007547A KR850004358A KR 850004358 A KR850004358 A KR 850004358A KR 1019840007547 A KR1019840007547 A KR 1019840007547A KR 840007547 A KR840007547 A KR 840007547A KR 850004358 A KR850004358 A KR 850004358A
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superconducting device
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히로다까 다무라
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야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼가이샤
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    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/10—Junction-based devices
    • H—ELECTRICITY
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Abstract

내용 없음

Description

초전도 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 유사입자(quasiparticle)콜렉터 정션을 소유하는 초전도 장치의 원리를 설명하는 에너지 다이어그램.
제2A도는 본 발명에 따른 유사입자 에미터 정션(junction)과 유사입자 콜렉터 정션을 소유하는 초전도 장치의 원리를 설명하는 다이어그램.
제2B도는 제2A도의 동작원리를 설명하는 에너지 다이어 그램.
제2C도는 장벽높이(barrier height)를 설명하는 에너지 다이어그램.
제2D도는 바이어스(bias)가 없는 상태에서의 에너지 다이어그램.
제3도는 에미터영역과 베이스영역이 초전도체로 만들어진 구조를 설명하는 다이어그램.
제4도는 본 발명의 실시예의 단면도.
제5도는 본 발명의 다른 실시예의 단면도.

Claims (6)

  1. 초전도 장치에 있어서, 초전도체의 베이스영역, 유사입자(quasiparticles)를 초전도체에 주입하기 위한 수단 및 유사입자를 베이스영역으로부터 묶어두는(capture)콜렉터영역으로 구성되어 있으며, 콜렉터영역은 실제로 쿠퍼(cooper)쌍을 봉쇄하며 유사입자가 통과하는 장벽높이를 갖는 것을 특징으로 하는 초전도 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유사입자주입수단은 1개의 전극으로서 상기 초전도체를 갖는 터널정션인 것을 특징으로 하는 초전도장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유사입자 주입수단은 1개의 전극으로서 상기 초전도체를 갖는 반도체-초전도체 접속인 것을 특징으로 하는 초전도장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유사입자 주입수단은 1개의 전극으로서 상기 초전도체를 가지며 정상전도전극에 장벽층을 통하여 초전도체를 제공하며, 페트미준위로부터 장벽층의 장벽높이는 상기 초전도체의 에너지 갭(gap)과 실제로 동일한 것을 특징으로 하는 초전도장치.
  5. 제1항에 있어서, 반도체-초전도체 접속인 상기 콜렉터 영역은 1개의 전극으로서 상기 초전도체를 갖는 것을 특징으로 하는 초전도 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 콜렉터 영역은 1개의 전극으로서 상기 초전도체를 가지며, 정상전도전극에 장벽층을 통하여 초저도체를 제공하며, 페트리 준위로부터 장벽층의 장벽높이는 상기 초전도체의 에너지 갭과 실제로 동일한 것을 특징으로하는 초전도장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840007547A 1983-11-30 1984-11-30 초전도장치 KR910003836B1 (ko)

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EP0144217A2 (en) 1985-06-12
US5012303A (en) 1991-04-30
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