KR850001970B1 - 망목판화상의 형성방법 - Google Patents

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내용 없음.

Description

망목판화상의 형성방법

제1도는 스크린 각도가 영도인 단위 망점 영역을 복수개의 화소로 세분할하여, 그의 중심부 화소로부터 주연부 화소까지 순차적으로 증가하는 수치를 달은 스크린 패턴의 일례.

제2도는 제1도의 스크린 패턴을 참조치와 비교한 결과를 나타내는 도표.

제3도는 제2도의 결과에 입각하여 노광되는 광속(光束)의 강도를 나타내는 도표.

제4도는 본 발명에 관계되는 제1의 방법을 실시하기 위한 회로예를 나타내는 도표.

제5도는 제4도의 회로의 기능을 확대한 일례를 나타내는 브록도.

제6도는 제5도의 관수 테이블 메모리의 입출력 특성도.

제7도는 본 발명에 관계되는 제2의 방법을 실시하기 위한 회로예를 나타내는 브록도.

제8도는 제7도의 테이블 메모리의 입출력 특성도.

제9도는 제7도의 테이블 메모리의 메모리 설명도.

제10도는 본 발명에 관계되는 제3의 방법의 원리를 설명하기 위한 제1도와 같은 스크린 패턴의 일례.

제11도는 본 발명에 관계되는 제3의 방법을 실시하기 위한 회로예를 나타내는 브록도.

제12도는 제10도의 스크린 패턴을 붙인 각 테이블 메모리의 아드레스 설명도.

제13도는 제11도의 테이블 메모리의 메모리 설명도.

제14도는 제11도의 연상 아드레스 발생회로의 일례를 나타내는 도표.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 아드레스 발생기 2 : 테이블 메모리

3 : 가산기 5 : 상한치 설정회로

7 : 하한치 설정회로 12 : 디지탈아나로그 변환기

13 : 관수 테이블 14 : 승산기

15 : 아드레스 발생기 16,7: 테이블 메모리

22 : 가산기 23 : 디지탈, 아나로그 변환기

25 : 아드레스발생기 26 : 연상 아드레스 발생회로

(27_A),(27_B),(27_C),(27_D),(28_A),(28_B),(28_C),(28_D) : 테이블 메모리

29 : 가산기 30 : 디지탈, 아나로그 변환기

31 : F/F회로 33 : 카운타

35 : 카운타 37,38 : 가산기

39 : 카운타 41,42 : 가산기

43 : 카운타 45,46,47 : 가산기

본 발명은 연속조원화로부터, 인쇄물을 작성하는 경우에 필요한 망목판화상을 작성하는 방법에 관한 것으로서, 특히, 돗드엣징이 가능한 망점에 의하여 형성된 망목판화상의 작성방법에 관한 것이다. 종래에는, 칼라스캐너등의 화상주사(走査)기록장치를 사용하여 연속조 화상으로부터 망목판 화상을 작성하는 방법으로서는, 기록용 석판 필름에 콘덕트 스크린을 밀착 중첩하여, 화상신호에 의하여변조된 광속에 의하여 콘덕트 스크린을 개입시켜 기록용 필름을 노광하는 방법 혹은 원환와 콘덕트 스크린을 동기 관계로 별개로 사주하여 전기적으로 합성하여 망목판 화상을 기록하는 방법등이 알리워져 있다.

그러나 이와같이 콘덕트 스크린을 사용하는 경우에는 코스트가 높아지고 밀착 불량에 의한 망점의 불균일이 발생하기 쉬워지고 노광용 광원에 대광양의 것이 필요하거나 또는 장치 자체의 복잡화, 대형화를 피할수 없는 등의 난점이 있다.

이와 같이 콘덕트 스크린을 이용하는 사진적 방법에 대하여 전기적으로 망점을 작성하는 수단으로서 다음에 기술하는 것과 같은 것이 알리워져 있다. 즉, 기록용 필름을 노광하는 광속의 폭과 해광속 폭의 중심위치를 화상신호에 응하여 제어하는 것에 의하여 망목판 화상을 기록하는 방법 및 기록 필름상에 광속의 주사 방향과 교차하는 방향에 형성된 복수의 미소한 광점을 화상신호에 입각하여 각기독립적으로 점멀 제어하는 것에 의하여 망목판화상을 기록하는 방법 등에 있다.

상기 제2의 방법을 개시한 일예로서, 일본국 특공소 52-33523 공보가 있다. 이 공보에 기재된 방법에 의하여 형성된 망점은 종래의 망점에서 보여지는 바와 같은 프린지가 극히 적다. 즉, 대단히 하아드한 망점으로 되어 인쇄판 작성용의 필름원판으로서 부적당한 경우가 발생한다. 즉, 상기 제2의 방법에 의하여 색분해 망목판을 작성한다 해도 항상 완벽한 망목판이 작성된다고는 할 수 없으며, 또 인간의 감각적 요인으로 망목판화상의 일부 혹은 망목판 전체를 수정하고 싶은 경우가 발생한다.

이런 경우에는 돗드엣칭이라 칭하며 망목판 필름상의 망점을 형성하고 있는 온을 부분적으로 혹은 전체적으로 엣칭하여 망점을 적게(크게)하는 수단이 종래로부터 많이 이용되어 왔다.

그러나, 전기와 같은 하아드한 망점은 그의 중앙부가 주연부가 거의 동일한 광양으로 노광되기 때문에 필름상에 석출되는 은양에 차가 없으며 돗드엣칭으로 망점의 주연부터 서서히 적게하려 하여도 잘 적게 되지 않으며 다시 엣칭을 계속하면 주연부와 거의 동시에 중앙부의 온양이 지나치게 적어져 사용하기 힘든 망목판 화상이 되는 난점이 있다. 여사한 불편을 해소한 것의 일예로서, 미국특허 제4025189호 명세서에 개시된 방법이 있다. 이 방법은 원화로부터의 화상신호치와 스크린 패턴 발생기로부터의 신호치와의 가(감)산치를 사용하는 것으로서, 병행하는 복수의 광속중의 각 광속중의 각 광속이 그에 인접하는 좌우의 광속에 대응하는 전기 가(감)산 치를 비교하여 양자가 공히 노광 또는 비노광의 어느 안쪽의 동일 조건을 만족한 경우에는 그에 따라 광속을 제어하여 그 이외의 경우, 즉 좌와우의 조건이 상이하는 경우에는 좌우 각기의 가(감)산치를 a,b로 하여

의 계산을 하여 C의 크기에 따라 중각적인 강도의 광속으로 노광하게끔 한 것이다. 그러나 여사한 방법으로서는, 가(감)산 회로외에 절대치 회로 및 할산 회로를 필요로 하며 회로구성이 복잡하게 되는 동시에 할산을 디지탈 방식으로 처리하려며는 비교적 시간을 요하며 금후 더욱 고속성이 요구되는 제판용 등에 사용하는 데는 적합치 않은 것이다.

본 발명은 여사한 부적성을 해소하며 구성이 비교적 간단하며 더욱이 고속처리가 가능한 광속 제어화로를 사용한 망목판화상의 형성방법을 제공하는 것으로서, 본 발명에 관계되는 방법에 의하여 작성되는 망목판화상은 사진적으로 형성된 망정에 비교적 가까운 돗드엣칭이 가능한 프린지부를 그의 주연부에 가지고 있는 망점으로 형성되어 있다.

그리고 본 발명에 관계되는 방법은 전기의 일본국 특공소 52-33523공보에 기재되어있는 방법과 같이 기록 필름상에 광속의 주사 방향과 교차하는 방향으로 형성된 복수의 미소광점을 화상신호에 입각하여 각기 독립적으로 점멸제어하여 망점판 화상을 기록하는 방법에 적용되는 것으로, 이하 도면에 따라 상술한다.

제1도는 본 발명에 관계되는 방법의 원리를 설명하기 위하여 스크린 각도가 영도의 단위 망점 영역을 스크린패턴으로 하여 나타낸 것으로, 당해 단위 망점 영역은 예컨대 8×8=64개(망점 품질을 울리기 위하여는 예컨대 12×2=144개, 14×14=196개, 16×16=256개 등으로 할 수 있다)의 화소에 미리 세분할되어 있으며 각 화소에는 중심부로부터 주연부에 걸쳐 순차증가하는 수차가 부여되어 있다.

이제 완화를 광전 주사하여 얻을 화상신호를 아나로그, 디지탈 변화한치 n(이하 참조치 n이라 칭함)을 간단히 설명하기 위하여 제1도의 단위 망점영역을 기록하는 사이 일정한 경우 우선 참조치 n과 각 화소에 붙여진 치 m과의 차 n-m을 각 화소마다 산출한 후, n-m의 치를 소요의 상한치 Vmax 및 하한치 Vmin과 비교한다.

그 결과, n-m

Vmax에 상당하는 화소를 노광하는 경우에는 대응하는 광속을 풀 강도의 광속으로 변조하여, n-m

Vmin에 상당하는 화소를 노광하는 경우에는 대응하는 광속의 출력이 영이되게 변조하고, 또 Vmin＜n-m＜max에 상당하는 화소를 노광하는 경우에는, n-m의 치에 응한 강도가 있는 것 같은 광속으로 변조하는 것에 의하여 단위 망점 영역에 있어서의 각 화소는 각기 소요로 하는 노광 강도를 갖고 있는 광속으로 노광되며 그 결과 재래적인 광점에 비교적 가깝고 돗드 엣칭이 가능한 망점을 형성할 수 있는 것이다. 즉, 전기한 참조치 n올 n=32로 하여 상한치 Vmax, 하한치 Vmin을 각각 Vmax=16, Vmin=0로 하면, 제1도의 망점영역에 대하여 n=m의 치를 상한치 Vmax, 하한치 Vmin과 비교한 결과는 제2도에 나타난 바와 같이 되며 각 화소에 있어서는 노광 강도는 제3도에 나타난 바와 같이 된다.

제4도는 이 방법을 실시하기 위한 일예를 표시하는 브록도이며 (1)은 아드레스 발생기(2)는 예컨데 제1도에 표시된 것과 같은 수치가 소정의 아드레스에 적혀진 테이블 메모리(3)은 가산기(4)(6)은 각기 콤페어 레이터(5)는 디지탈 스위치등에 의하여 구성되는 상한치 설정회로(7)은 하한치 설정회로(8)은 낸드 케이트(9)(10)(11)은 트리-스테이트 케이츠(12)는 디지탈 아나로그 변화기를 나타낸다.

제4도에 있어서, 적당한 쌤프링핏치로서 아나로그 디지탈 변환된 화상신호 n이 참조치로서 가산기(3)의 정단자에 입력되는 한편, 크럼펄스에 의하여 아드레스 발생기(1)로부터 테이블 메모리(2)에 대한 아드레스 지정신호가 출력되어 당해 테이블 메모리(2)의 소정아드레스로부터 전기한 바와 같은 화소에 부가된 수치m이 부단자에 입력한다. 가산기(3)에서 연산된 n-m의 치는 다음에 콤페어레이터(4) 및 (6)에 각기 입력되어 콤페어 레이터(4)에 있어서는 상한치 설정회로(5)에 설정된 상한치 Vmax와 콤페어 레이터(6)에 있어서는 하한치 설정회로(7)에 설정된 하한치 Vmin과 각각 비교되어진다.

예컨데 지금 가산기(3)에서 연산된 n-m의치가 상한치 Vmax에 같든지 혹은 상한치 Vmax보다 큰 경우에는 콤페어 레이터(4)로부터의 출력에 의하여 게이트(9)가 열려 풀 강도에 상당하는 하이레벨신호「H」가 게이트(9)를 개입시켜 출력되어 n-m의 치가 하한치 Vmin에 같든가 혹은 보다 적은 경우에는 콤페어 레이터(6)로부터의 출력신호에 의하여 게이트(11)가 열려 광속 강도영에 상당하는 로우레벨「L」이 게이트(11)를 개입시켜 출력되어진다. 또 n-m의 치가 상한치 Vmax보다 적고도 하한치 Vmin 보다 큰 경우에는 낸드게이트(8)로부터의 출력신호에 의하여 게이트(10)이 열리며 n-m의 치가 게이트(10)을 개입시켜 출력되여 n-m의 치에 부응하는 광속강도가 되게끔 대응하는 광속을 변조한다.

더욱이 제4도에 나타나는 바와 같은 광속의 변조 제어회로는 실제로는 기록되는 광속의 수만큼 병설된다.

제5도는 제4도가 나타내는 실시예에 관수 테이블 메모리(13) 및 승산기(14)를 부설하며 그의 기능을 확장한 실시예를 나타내는 것이다. 즉, 관수 테이블 메모리(13)에 제6도에 일예를 표시하는 바와 같은 출력 특성을 갖게 하므로서 원화의 하이라이트 부분, 샤도우 부분, 중간조 부분을 주사한시의 화상신호치에 대응하여 출력되는 해관수 테이블 메모리(13)로부터의 출력신호치를 상이하게 하며 전기 제4도의 실시예의 경우와 같이 n-m의 치가 상한치 Vmax보다 적고, 하한치 Vmin보다 큰 경우에 n-m의 치에 관수 테이블(13)로부터의 출력치를 승산기(14)로서 승산함으로 하이가이트 부분, 샤도우 부분, 중간조부분에 있어 프린지의 폭, 환언하면 돗드엣칭할 수 있는 폭이 다른 망점으로 망목판 화상을 형성할 수 있다. 또, 여사히 기록해야 될 망목판 화상의 하이라이트 부분, 샤도우 부분, 중간조 부분에 있어서, 돗드엣칭할 수 있는 폭을 다르게 하기 위하여 다음과 같이 할 수도 있다.

즉, 하이라이트 부분, 샤도우부분, 중간조 부분 등 화상신호 레벨에 다응하여 상이하는 상대차를 갖는 복수개의 참조치 예컨대 n₁,n₂,n₃,n₄가 병열하여 출력되게끔 하고 이들 참조치 n₁,n₂,n₃,n₄를 각기 전술한 바와 같은 스크린 패턴의 치 m과 비교하여 n₁-m,n₂-m,n₃-m,n₄-m의 치중 그 치가 영 혹은 그 이상이되는 갯수에 따라 노광범의 강도를 제어하게끔 한 것이다.

제7도는 그러한 방법을 실시하기 위한 일예를 나타내는 브록도이며, 동 그림중 (15) 및 (16)은 각기 아드레스 발생기 및 테이를 메모리로서, 제4도의 실시예에 기재한 것과 같이 아드레스 발생기(15)로부터는 크록펄스에 의하여 아드레스 지정신호가 출력되어, 해 아드레스 지정신호에 응하여 레이블 메모리(16)로부터 제1도에 표시된 바와 같은 스크린 패턴의 소요 수치 m이 출력이되어 콤페어레이터(18)(19)(20)(21)의 부단자에 입력된다.

한편, 테이블 메모리(17)에는 제8도에 그 일예를 나타내는 바와 같은 입출력 특성 데이타가 제9도에 표시된 바와같은 병열적으로 쓰어져 있기 때문에 아나로그 디지탈 변환된 화상신호가 테이블 메모리(17)에 입력되면 해 화상신호의 레벨에 대응하는 아드레스 번지로부터 소요의 참조지 n₁,n₂,n₃,n₄가 병열적으로 독출되어 콤페어레이터(18)(19)(20)(21)의 각 정단자에 전기수치 m과 동기로서 입력된다.

다음에 각 콤페어 레이터(18)(19)(20)(21)에서 각기 n₁-m,n₂-m,n₃-m,n₄-m의 인산이 이루어져 연산 결과가 영 혹은 정인 경우에 한하여 하이레벨 신호가 각각 출력된다. 이 하이레벨신호는 가산기(22)에 의하여 가산되어 해 가신회로(22)로부터는 하이레벨신호의 수에 따라 상이한 신호가 디지탈 아나로그 변환기을 통하여 출력되어 망목판 화상의 노광에 제공될 광속의 강도를 하이레벨신호의 수에 응하여 제어하는 것이다. 더욱이 제7도에서 설명한 실시예에 있어서는 테이블(17)이 제8도에서 표시되는 바와같은 입출력 특성을 같고 있는 고로 환언하면 입력신호에 대한 n₁-n₄의 치가 입력신호의 크기에 따라 변화가기 때문에 기록해야 될 망목판 화상의 하이라이트 부분, 샤도우부분, 중간조 부분에 있어 돗드엣칭할 수 있는 폭을 변하게 할 수 있다. 더욱이 제8도에 있어서의 특성 곡선 n₁로부터n₄사이에 특성곡선 n₂및 n₃이 개설되어 n₁,n₂,n₃,n₄의 치를 각기 m의 치와 대소를 비교하기 때문에 돗드엣칭할 수 있는 망점의 프린지 부분의 농도단계를 3단계로 제어할 수 있다.

제10도는 본 발명에 관계되는 또 다른 실시예를 설명하기 위한 스크린 패턴을 나타내는 것으로 스크린 패턴을 구성하는 단위 망점 영역의 각 화소에는 제1도와 같은 모양의 수치가 부설되어있다. 이 방법은 제10도에 ○표를 달은 각 격자 위치를 공유하는 각 화소에 적힌 수치 m과 원화로부터의 참조치 n과를 비교하여 당해 참조치보다 큰(혹은 적은)수치가 적힌 화소수에 따라 각 격자의 위치를 노광하는 기록 광속의 강도를 제어하게끔 한 것이다.

예컨데 지금 참조치 n이 n=15라 하면 제10도중의 P,Q,R각 점을 기록하는 광속의 강도는 다음과 같이 결정할 수 있는 것이다.

즉, P점에 대해서는 m 우상-n=2-15<0, m 우하-n=1-15<0, m좌상-n=0-15<0, m좌하-n=3-15<0으로 전부 m<n로 되며 P점은 풀 강도의 광속으로 기록된다. Q점에 대해서는 m우상-n=20-15>0, m우하-n=8-15<0, m좌상-n=16-15>0, m좌하-n=4-15<0으로, m<n의 화소수는 2가 되며 Q점은 풀강도의

의 강도를 갖는 광속으로 기록된다. 다시 R점에 대하여 전기 P,Q점의 경우와 마찬가지로 m<n가 되는 화소수를 구하자면 그 화소수는 1로 된며 점은 풀강도의 1/4의 강도를 갖는 광속으로 기록된다.

제11도는 이 방법을 실시하기 위한 일예를 나타내는 브록도로서(25)는 예컨데 제12도에 0표를 적은 격자 위치를 주사선 순번으로 아드레스 아드레스를 지정하기 위한 아드레스 발생기(26)은 아드레스 발생기(25)로 부터의 출력신호에 따라 아드레스의 각 조합 A₁₁, B₁₁, C₁₁, D₁₁: A₁₂, B₁₁, C₁₂, D₁₁: A_nn, B_nn, C_nn, D_nn의 각 아드레스 지정신호의 조합을 출력하는 연상 아드레스 발생회로이며, 여사한 연상 아드레스 발생회로(26)에 대하여는 후에 상술한다.

또, (27_A) (27_B) (27_C) (27_D)는 제13도에표시되는 메모리 맵이 있는 테이블메모리, (28_A) (28_B) (28_C) (28_D)는 콤페어레이터이며, (29)는 가산기, (30)은 디지탈 아나로그 변환기이다.

이제, 아드레스 발생기(25)에 크록펄스가 입력되면, 제12도의 각 격자위치에 상당하는 아드레스 지정신호가 순차적으로 출력되어, 해출력신호에 따라 연상아드레스 발생회로(26)으로부터는, A₁₁, B₁₁, C₁₁, D₁₁: A₁₂, B₁₁, C₁₂, D₁₁: A_1n, B_1n, C_1n, D_1n: A₂₁, B₂₁, C₁₁, D₁₁A_nn, B_nn, C_nn, D_nn,로 되는 아드레스 지정신호의 조합이 순차적으로 출력되어 대응하는 테이블메모리(27_A)(27_B)(27_C)(27_D)의 각 아드레스로부터 제10도에 도시된 바와 같은 수치가 콤페어레이터(28_A)(28_B)(28_C)(28_D)의 한쪽 단자에 각기 입력된다.

한편 각 콤페어레이터(28_A)(28_B)(28_C)(28_D)의 다른 쪽 단지에는, 디지탈 변환된 화상신호가 참조치로서 입력되어 각각 비교되어, 그 결과가 정 및 영의 경우, 하이레벨신호가 출력되어, 부의 경우, 로우레벨신호가 출력된다.

이 하이레벨 신호 혹은 로우레벨 신호의 수는, 가산기(29)로서 가산되어, 그 수에 따른 신호가 디지탈 아나로그 변환기(30)를 개입시켜 각기록 광속의 변조기에 표 찍힌다.

제14도는 전기한 연상아드레스 발생기(26)의 1 실시예를 나타내는 것으로, 제12도를 참조하면서, 그 기능에 대하여 간단히 설명한다.

이제. 제12도의 r이 가르키는 격자위치에 상당하는 아드레스 지정신호가 아드레스 발생기(25)로부터 입력한 경우를 상상한다.

프림프럽회로(이하, F/F회로라 칭함)(31) 및 셋트리셋트 형 F/F회로(32)가, 최초, Q=0

=1이라하면 우선 크록 펄스가 F/F회로(31)에 입력함으로 인하여 그 출력은 Q=1,

=0으로 발전된다.

한편, 셋트 리셋트형 F/F회로(32)는 Q=0,

=1의 상태를 유지하고 있기 때문에, 그 크록펄스는 카운터(33)에서 카운트된다.

또 게이트군(34)는, F/F회로(31) 및 셋트 리셋트 형 F/F회로(32)의 AND 조건에 의하여 열리기 때문에, 카운터(33)의 출력이 게이트군 (34)를 개입시켜 아드레스에 찍히어, 각 테이블 메모리 (27_A)(27_B)(27_C)(27_D)의 최초의 아드레스번지에 상당하는 A₁₁, B₁₁, C₁₁, D₁₁를 액세스하여, 각 데이타를 독출한다.

다음에 r₂에서 가리키는 격자위치에 상당하는 아드레서)지정신호가 아드레스 발생기(25)로부터 입력되면, F/회로(31)의 출력은 반전되어 FQ=0,

=1로 되고, 셋트 리셋트 형 F/F회로(32)는 Q=0,

=0,

=1의 상태를 유지하고 있기 때문에, 입력된 크록펄스는 카운타(35)에서 카운트된다. 한편 게이트군(36)은 F/F회로(31) 및 셋트 리셋트형 F/F회로(32)의 AND 조건에 의하여 열리기 때문에, 카운타(35)의 출력에 의하여, 테이블메모리(27_B)(27_D)는 아드레스번지 B₁₁, D₁₁이 그대로 액세스되어, 테이블메모리(27_A)(27_C)는 가산기(37)(38)에 있어서 지금까지의 아드레스번지에 「1」이 가산된 A₁₂, C₁₂가 액세스된다.

다시 r₃에서 표시하는 격자위치에 상당하는 아드레스 지정신호가 아드레스 발생기(25)에서 입력되면 r₂의 경우와 마찬가지로 입력되는 크록펄스는 카운트(B5)에서 카운트된다.

한편 게이트군(36)은 F/F회로(3) 및 셋트리셋트형 F/F회로(32)의 AND 조건에 의하여 열리기 때문에, 카운터(35)의 출력에 의하여, 테이블메모리(27_B)(27_D)은 아드레스번지 B_1n, D_1n이 그대로 액세스되어, 테이블메모리(27_A)(27_C)는 가산기 (37)(38)에 의하여 「1」이 가산되어 A_1n,C_1n가 액세스됨과 동시에 카운터(35)로부터는 셋트릿세트형 F/F회로(32)에 셋트신호가 찍히어, 셋트리셋트형 F/F회로(32)는 Q=1,

=0의 상태로 반전된다. 이와같이 카운타(35)는 크록펄스를 n개 카운트 할때마다 셋트신호를 발생한다.

다시 또 r4에서 표시하는 격자위치에 상당하는 아드레스 지정신호가 아드레스발생기(25)로부터 입력되면 F/F회로(31)의 출력은 반전되어 Q=1,

=0로 되며 셋트리셋트형 F/F회로(32)의 출력도 Q=1

=0의 상태로 반전되어 있기 때문에, 입력된 크록펄스는 카운타(39)에서 카운트 된다. 한편 게이트군(40)이 열리기 때문에 카운타(39)의 출력에 의하여 테이블메모리(27_C)(27_D)는 아드레스번지 C₁₁,D₁₁가 액세스되어, 테이블 메모리(27_A)(27_B)는 가산기((41)(42)에 의하여 「n」이 가산되어 A₂₁,B₂₁가 액세스된다.

다시 r₅에서 표시하는 바와같이 다른 단위 망점영역과 인접한 격자위치에 상당하는 아드레스지정신호가 아드레스발생기(25)로부터 입력된 경우에는, 전수한 바와 마찬가지로 테이블메모리(27_C)(27_D)는 아드레스번지 C_n1,D_n1가 액세스된다.

테이블메모리(27_A)(27_B)도 같이 생각하면, 실제로는 존재하지 않은 아드레스번지 A_n+1, B_n+1, 1가 액세스되는 것이되지만, 사실상은 아드레스버스의 번지항수가 n번지까지 밖에 없기 때문에 상위항이 오바프로우하여 A₁₁,B₁₁가 액액세스되게 하는 것이다.

이하, 마찬가지로, 테이블메모리(27_A)(27_B)(27_C)(27_D)의 아드레스가 차례로 액세스된다. 더욱이 동그림중(43)은 카운타(44)는 게이트군리(45)(46)(57)은 가산기이며, 이 카운타(43)는 전술한 카운타(33)(35)(39)와 마찬가지로 카운트수가에 달할때까지 순차적으로 카운트 엎되어, 카운트수가 n₂에 도달했을시 셋트되는 것이다.

상술한 설명에서는 설명을 간단히 하기 위하여 스크린각도가 영의 스크린패턴에 대하여 기재하였지만, 본 발명이 관계되는 방법은, 스크린 각도 1의 정접이 정수비로서 표현할 수 있는 요소의 스크린 각도의 경우에도 용이하게 적용할 수있는 것이다.

또 상술에 있어서는 단위 망점영역을 64개의 화소로 세분할된 스크린패턴에 대하여 기술했지만 실제로는 더욱 다수의 화소로의 분할이 소망스럽다.

더욱이 상기한 설명에서는, 화상신호에 대응한 참조치와 단위망점 영역의 노광위치에 따라 신호치와의 차에 입각하여, 각광속의 노광강도를 제어하는 경우의 예를 들어 기술하였지만 같은 식으로 양신호치의 화에 입각하여 제어할 수도 있다.

이런 경우 어떤 것이든 화상신호에 대응하는 참조치가 농도신호인 경우이며, 당해 참조치가 원화로부터의 투과도 혹은 반사도인 경우에는 양신호치의 승산치 혹은 할산치에 입각하여 제어할 수도 있다.

이상과 같이 본 발명에 관계되는 방법은 기록필름상에 광속의 주사방향과 교차하는 방향으로 형성된 복수의 미소광점을 화상신호에 입각하여 각각 독적으로 점멸제어하여 망목판화상을 형성함에 제하여 망목판화상을 구성하는 각 망점의 주연부를 식별하여 그렇한 주연부를 돗드 엣집이 가능한 프린지부로서 노광할 수 있게끔 각기록 광속을 제어하는 것으로서 종래 방법에서는 회구로 구성이 복잡하고도, 비교적 장시간을 요한 연산처리가 비교적 간단한 회로구성으로서 뿐만 아니라 고속으로 행할 수 있는 등, 실용상 다대한 이점을 갖이고 있는 것이다.

Claims (7)

1. 기록필름상에 광속의 주사(走査)방향과 교차하는 방향에 형성된 복수개의 미소광점을 화상신호에 따라 각각 독립적으로 점멸제어함으로서 망목판화상을 형성함에 있어, 광속을 제어하는 화상신호에 대응하는 참조치와, 해광속에 의하여 노광되는 단위망점영역의 노광위치에 따라 변화하는 신호치에 입각하여, 각 광속의 노광강도를 제어하는 것을 특징으로 하는 망목판 화상의 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 광속(光束)을 제어하는 화상신호에 대응하는 참조치와 해광속에 의하여 노광되는 단위 망점영역의 노광위치에 따라 변화하는 신호치와의 차 또는 합에입각하여 각 광속의 노광강도를 제어하는 것을 특징으로 하는 방법.
3. 제1항에 있어서, 광속을 제어하는 화상신호에 대응하는 참조치와 해광속에 의하여 노광되는 단위망점 영역의 노광위치에 따라 변화하는 신호치와의 승산치 또는 할산치에 입각하여 각 광속의 노광강도를 제어하는 것을 특징으로 하는 방법.
4. 제1,2 또는 3항에 있어서, 광속을 제어하는 화상신호에 대응하는 참조치를 복수개로 한 것을 특징으로 하는 방법.
5. 기록 필름상에 광속의 주사방향과 교차하는 방향에 형성된 복수개의 미소광점을 화상신호에 따라 각기 독립적으로 점멸제어함으로서 망목판 화상을 형성함에 있어, 광속을 제어하는 화상신호에 대응하는 참조치와 해광속에 의하여 노광되는 단위 망점영역의 노광위치에 따른 복수개의 신호치와에 입각하여 각 광속의 노광강도를 제어하는 것을 특징으로 하는 망목판화상의 형성방법.
6. 제5항에 있어서, 광속을 제어하는 화상신호에 대응하는 참조치와 해광속에 의하여 노광되는 단위망점 영역의 노광위치에 따라 복수개의 신호치와의 차 또는 합에 입각하여 각 광속의 노광강도를 제어하는 것을 특징으로 하는 방법.
7. 제5항에 있어서, 광속을 제어하는 화상신호에 대응하는 참조치와 해광속에 의하여 노광되는 단위망점 영역의 노광위치에 따라 복수개의 신호치와의 승산치 또는 할산치에 입각하여 각 광속의 노광강도를 제어하는 것을 특징으로 하는 방법.

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