KR840000982A - 과부하 보호 집적회로 - Google Patents

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KR840000982A
KR840000982A KR1019820002667A KR820002667A KR840000982A KR 840000982 A KR840000982 A KR 840000982A KR 1019820002667 A KR1019820002667 A KR 1019820002667A KR 820002667 A KR820002667 A KR 820002667A KR 840000982 A KR840000982 A KR 840000982A
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루돌프 하아포드 잭
Original Assignee
글렌 에이취. 브루스톨
알. 씨. 에이 코오포레이숀
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Abstract

내용 없음

Description

과부하 보호 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 보호회로를 포함하는 피보호 증폭회로의 구성도. 제3도는 본 발명의 보호장치를 나타내는 적당한 실시예의 평면도.

Claims (10)

1차 도전형태의 반도체 기저와; 상기 기저위에 있는 2차 도전형태의 반도체 재질층과; 이 층을 통해 기저로 연장되며 상기층의 어떤 부분을 완전히 둘러싸며 이에 의해 재질층의 한 부분이 나머지 부분과 절연되는 1차 도전형태로 구성된 첫번째의 높게 도우프된 영역과; 표면에서 재질 층의 절연부로 부분적으로 연장되고 있는 1차 도선 형태로 된 웰(well) 영역과; 표면에서 재질층의 절연부로 연장되며 웰 영역과는 재질층부에 의해 분리되는 2차 도전형태의 2번째의 높게 도우프된 영역과; 표면에서 웰영역으로 연장되며 웰영역으로 둘러싸인 2차 도전형으로 된 3번째의 높게 도우프된 영역과; 상기 층의 절연부와 기저 사이에 절장되며 적어도 2번째 및 3번째의 도우프된 영역 밑에 위치하는 2차 도전형태의 4번째의 높게 도우프된 영역으로 구성되는 과부하 집적회로 장치로써 상기 1차 도전형의 5번째의 높게 도우프된 영역이 상기 재질층(24)과 웰영역(26)의 교차점으로 웰영역 표면으로부터 절장되고 이 웰영역(26)보다 더 높게 도우프되어 있고, 표면에서 보았을 때 2번째의 높게 도우프된 영역(28)과 5번째의 높게 도우프된 영역(30) 사이에 3번째의 높게 도우프된 영역이 있는 것을 특징으로 하는 과부하 보호 집적회로 장치.
제1항에 있어서, 내부의 반도체기저(22)는 P형 도전성이고 4번째의 높게 도우프된 영역(34)은 5번째의 높게 도우프된 영역(30) 밑까지 절장되어 있지 않고 이에 의해 2번째의 높게 도우프된 영역(28)은 NPN형 트랜지스터 Q1의 콜렉터를 구성하고 3번째의 높게 도우프된 영역(32)은 NPN형 트랜지스터(Q1)의 에미터를 구성하고 웰영역(26)은 NPN형 트랜지스터(Q1)의 베이스를 구성하고 5번째의 높게 도우프된 영역(30)은 NPN형 트랜지스터(Q1)의 베이스에 접점을 구성하는 과부하 보호 집적회로장치.
제2항에 있어서, 내부의 웰영역(26)이 위에서 보았을 때 3번째의 높게 도우프된 영역(32)와 5번째의 높게 도우프된 영역(30) 사이에 협부(36)가 있는 과부하 보호 집적회로장치.
제3항에 있어서, 내부의 4번째의 높게 도우프된 영역(34)는 2번째와 3번째의 높게 도우프된 영역(28,32) 밑에 연장되어 있고 부분적으로만 웰 영역(26)의 협부까지 연장된 4번째의 높게 도우프된 영역을 갖는 과부하 보호집적회로장치.
내부 보호 트랜지스터의 에미터는 증폭트랜지스터의 베이스에 연결되고 보호 트랜지스터의 베이스는 증폭트랜지스터의 콜렉터에 연결되는 한 형태의 도전성을 가진 바이폴라(bipolar) 보호 트랜지스터로 보호되는 반대형태의 바이폴라 증폭트랜지스터로 구성되는 과부하 보호집적회로로써; 증폭트랜지스터(Q1)의 콜렉터(28)에 연결된 부하단자(RL)는 에미터접지 증폭형태에 연결되어 있고 이와 연결된 전력공급단자(+V)와 반대의 전력공급단자에 보호트랜지스터(Q2)의 콜렉터(38)가 연결되고 보호트랜지스터(Q2)의 β값이 비교적 큰 값을 갖는 과부하 보호 집적회로.
제5항에 있어서, 비교적 큰 임피던스 값을 갖고 보호트랜지스터(Q2)의 에미터(30)와 증폭트랜지스터(Q1)의 베이스 사이에 직렬로 연결된 보호저항(RP)과 보호 트랜지스터(Q2)의 에미터에 입력신호(Vi)와를 결합하는 장치(Rs)를 더 포함하는 과부하 보호 집적회로.
제6항에 있어서, 내부의 증폭트랜지스터(Q1)는 NPN형 트랜지스터이고 보호 트랜지스터(Q2)는 PNP형 트랜지스터인 과부하 보호집적회로.
제7항에 있어서, PNP형 트랜지스터(Q2)의 콜렉터가 접지에 연결되는 과부하 보호집적회로.
제7항에 있어서, 상기회로(12)가 모노리식 집적회로로 구성된 과부하 보호 집적회로.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019820002667A 1981-06-15 1982-06-15 과부하 보호 집적회로 KR840000982A (ko)

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