KR830003748A - 착색된 유리 포토마스크의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

착색된 유리 포토마스크의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1－6도는 본 발명에 따라 착색된 유리 포토마스크를 제조하는 방법의 구체적인 예에서 일련의 단계를 개략적으로 나타낸 유리판과 그위에 이용한 층의 단면도임.

Claims (17)

  1. 판유리 기판에 유리기판의 첫번째 표면에 은 할로겐화물을 함유하는 사진 유제층을 만들고;
    사진유제 층위에 마스터 마스크를 씌운 다음 마스터 마스크를 통하여 사진 유제의 형태를 갖춘 부분을 활성 방사선에 노출시키고;
    노출된 사진 유제를 사진 현상용액에 접촉시킴으로서 판 유리기판의 첫번째면에 전기 전도성이 있는 은함유 유제부분과 은이 유리된 부분의 패턴을 형성하고;
    첫번째 전극층을 유리기판의 첫번째면위의 현상된 사진 유제에 마련하고 두번째 전극층을 상기 첫번째 표면으로 부터 유리기판의 반대면위의 유리표면에 두번째 전극층을 마련하고;
    상기 첫번째 전극층을 전원의 음극면에 연결하고 상기 두번째 전극층은 전원의 양극면에 연결함과 동시에 약 100－350로 유리와 층들을 가열하고, 반면 전하가 은 함유 유제부분과 유리기판을 통과하고 은 함유 유제부분으로부터 은함유 유부분밑에 있는 유리기판으로 은 이온의 이동을 유도할 수 있도록 두개의 전극층사이에 직류전기장을 부여하고(이때 은이 유리되어 있는 부분 밑에 위치하는 유리기판은 이동된 은 이온으로 부터 근본적으로 유리되어 있음);
    유리내의 이동된 은이온을 집적 및 환원시키기 위해서 충분한 시간동안 환원제 존재하에서 유리를 상승 온도에서 유지시킴으로 유리기판내에 착색된 형태를 만드는 단계를 거쳐 착색된 유리포토마스크를 제조하는 방법.
  2. 판유리기판으로 구성되어 있는 현상된 사진판을 사진유제층의 전기전도성이 있는 은함유부분과 은이 유리된 부분의 형태를 갖는 첫번째 표면위에 부여하고;
    유리기판의 첫번째면위의 현상된 사진유제에 첫번째 전극층을 마련하고, 상기 첫번째 표면으로부터 유리기판의 반대면의 유리표면으로 두번째 전극층을 부여하고;
    상기 첫번째 전극층을 전원 음극에 연결하고, 상기 두번째 전극층을 전원의 양극에 연결하고 약 100℃-350℃로 유리와 층을 동시에 가열하고, 반면 부하가 은함유 유제 부분과 유리기판을 통과하고 은함유 유제 부분으로부터 은함유 유제부분 밑에 있는 유리로 은이온의 이동을 유도할 수 있도록 전기층 사이에 직류전기장을 부여(은이 유리된 지역밑에 있는 유리기판은 이동된 은 이온으로부터 근본적으로 유리된다)하고;
    유리내의 이동된 은 이온을 환원 및 집적하도록 충분한 시간동안 환원제 존재하에 상승온도에서 유리를 유지하는 단계를 거쳐 착색된 유리포토마스크를 제조하는 방법.
  3. 이동된 은 이온을 환원시키는데 이용되는 환원제가 유리표면내에서 제1 주석 이온을 함유하는 청구범위 제1항 또는 제2항에 기재된 방법.
  4. 제1 및 제2 전극층이 흑연으로 구성되어 있는 청구범위 제1항 및 제2항에 기재된 방법.
  5. 전기장이 50－1000V로 이용되는 청구범위 제1항 또는 제2항에 기재된 방법.
  6. 유리가 알카리 금속이온의 실질적인 양을 함유하는 소다－석회－실리카유리인 청구범위 제1항 또는 제2항에 기재된 방법.
  7. 유리가 적어도 한 표면에 제1주석산화물의 실질적인 양을 함유하는 부선유리인 청구범위 제1항 또는 제2항에 기재된 방법.
  8. 사진 유제층이 1㎠당 적어도 은을 약 0.1mg함유하는 청구범위 제1항 또는 제2항에 기재된 방법.
  9. 사진 유제가 고도의 콘트라스트형인 청구범위 제8항에 기재된 방법.
  10. 상기 환원 및 집적 단계가 400℃－525℃에서 이루어지는 청구범위 제3항에 기재된 방법.
  11. 환원 및 집적단계가 475℃－525℃에서 이루어지는 청구범위 제10항에 기재된 방법.
  12. 유리표면의 첫번 5마이크론에서 제1주석 산화물 농도가 적어도 0.5중량%인 청구범위 제7항에 기재된 방법.
  13. 유리표면의 첫번 5마이크론에서 제1주석 산화물 농도가 적어도 1.3중량%인 청구범위 제7항에 기재된 방법.
  14. 상기 환원 및 집적단계가 가스상 환원제를 함유하는 환원대기에서 실시되는 청구범위 1항 또는 제2항에 기재된 방법.
  15. 환원대기가 포밍가스인 청구범위 제14항에 기재된 방법.
  16. 환원 및 집적단계가 약 350℃－400℃에서 실시되는 청구범위 제14항에 기재된 방법.
  17. 환원 및 집적단계가 가스상 부가 환원제를 포함하는 환원 대기에서 실시되는 청구범위 제3항에 기재된 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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