KR20240007662A - 파티클 모니터 시스템, 파티클 모니터 방법 및 모니터 장치 - Google Patents

파티클 모니터 시스템, 파티클 모니터 방법 및 모니터 장치 Download PDF

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KR20240007662A
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사토루 데루우치
준 히로세
가즈야 나가세키
신지 히모리
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

파티클 모니터 시스템은, 플라즈마 처리 장치 내에 광을 조사하는 발광 장치와, 플라즈마 처리 장치 내의 스테이지 상에 재치되는 모니터 장치를 구비한다. 모니터 장치는, 베이스 기판과, 복수의 촬상 장치와, 제어 장치를 포함한다. 베이스 기판은, 판 모양을 이루고 있다. 복수의 촬상 장치는, 베이스 기판 상에 있어서 상방을 향한 광축을 갖고, 서로 이간되어 배치되며, 광이 조사된 파티클로부터의 산란광을 포함하는 화상을 촬상한다. 제어 장치는, 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 화상 내의 파티클을 판별한다.

Description

파티클 모니터 시스템, 파티클 모니터 방법 및 모니터 장치
본 개시의 예시적 실시형태는, 파티클 모니터 시스템, 파티클 모니터 방법 및 모니터 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 챔버 내의 파티클의 수를 계측하는 기술이 개시되어 있다. 이 기술에서는, 레이저광 발진기 및 광 검출기로 이루어지는 ISPM(In Situ Particle Monitor)이 챔버에 마련되어 있다. ISPM은, 챔버 내를 이동하는 파티클의 수를 계측한다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2011-180015호
본 개시는, 플라즈마 처리 장치 내에 있어서의 파티클의 분포 데이터를 취득하기 위한 기술을 제공한다.
일 예시적 실시형태에 있어서는, 플라즈마 처리 장치 내의 파티클을 계측하는 파티클 모니터 시스템이 제공된다. 당해 시스템은, 플라즈마 처리 장치 내에 광을 조사하는 발광 장치와, 플라즈마 처리 장치 내의 스테이지 상에 재치되는 모니터 장치를 구비한다. 모니터 장치는, 베이스 기판과, 복수의 촬상 장치와, 제어 장치를 포함한다. 베이스 기판은, 판 모양을 이루고 있다. 복수의 촬상 장치는, 베이스 기판 상에 있어서 상방을 향한 광축을 갖고, 서로 이간되어 배치되며, 광이 조사된 파티클로부터의 산란광을 포함하는 화상을 촬상한다. 제어 장치는, 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 화상 내의 파티클을 판별한다.
일 예시적 실시형태에 관한 파티클 모니터 시스템에 의하면, 플라즈마 처리 장치 내에 있어서의 파티클의 분포 데이터를 취득할 수 있다.
도 1은, 처리 시스템을 예시하는 도이다.
도 2는, 얼라이너를 예시하는 사시도이다.
도 3은, 플라즈마 처리 장치의 일례를 나타내는 도이다.
도 4는, 일례의 모니터 장치를 상면 측에서 본 평면도이다.
도 5는, 일례의 모니터 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 6은, 일례의 모니터 장치에 있어서의 촬상 장치의 촬상 범위를 설명하기 위한 모식도이다.
도 7은, 촬상 장치에 의하여 촬상된 화상에 기초하는 합성 화상의 일례를 모식적으로 나타내는 도이다.
도 8은, 모니터 장치의 동작 방법의 일례를 나타내는 플로차트이다.
이하, 다양한 예시적 실시형태에 대하여 설명한다.
일 예시적 실시형태에 있어서는, 플라즈마 처리 장치 내의 파티클을 계측하는 파티클 모니터 시스템이 제공된다. 당해 시스템은, 플라즈마 처리 장치 내에 광을 조사하는 발광 장치와, 플라즈마 처리 장치 내의 스테이지 상에 재치되는 모니터 장치를 구비한다. 모니터 장치는, 베이스 기판과, 복수의 촬상 장치와, 제어 장치를 포함한다. 베이스 기판은, 판 모양을 이루고 있다. 복수의 촬상 장치는, 베이스 기판 상에 있어서 상방을 향한 광축을 갖고, 서로 이간되어 배치되며, 광이 조사된 파티클로부터의 산란광을 포함하는 화상(畵像)을 촬상한다. 제어 장치는, 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 화상 내의 파티클을 판별한다.
일 예시적 실시형태에 있어서는, 모니터 장치를 이용하여 플라즈마 처리 장치 내의 파티클을 계측하는 파티클 모니터 방법이 제공된다. 모니터 장치는, 판상의 베이스 기판과, 베이스 기판 상에 있어서 상방을 향한 광축을 갖고, 서로 이간되어 배치된 복수의 촬상 장치를 포함한다. 그 방법은, 플라즈마 처리 장치의 챔버 내의 스테이지 상에 모니터 장치를 재치하는 공정을 포함한다. 그 방법은, 플라즈마 처리 장치의 챔버 내에 광을 조사하는 공정을 포함한다. 그 방법은, 광이 조사된 파티클로부터의 산란광을 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상하는 공정을 포함한다. 그 방법은, 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 화상 내의 파티클을 판별하는 공정을 포함한다.
상기 실시형태의 파티클 모니터 시스템 및 파티클 모니터 방법에서는, 스테이지 상에 재치된 모니터 장치의 복수의 촬상 장치에 의하여, 플라즈마 처리 장치 내의 파티클이 촬상된다. 복수의 촬상 장치는, 베이스 기판 상에 서로 이간되어 배치되어 있다. 그 때문에, 각각의 촬상 장치에 의하여 촬상되는 촬상 범위는, 서로 상이하다. 즉, 각각의 촬상 장치는, 플라즈마 처리 장치 내의 상이한 영역의 파티클을 촬상할 수 있다. 따라서, 파티클 모니터 시스템 및 파티클 모니터 방법에서는, 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 화상 내의 파티클을 판별함으로써, 플라즈마 처리 장치 내의 파티클의 분포를 취득할 수 있다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 발광 장치는, 광으로서 레이저광을 조사하는 레이저 발진기여도 된다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 제어 장치는, 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 화상 내의 파티클을 계수(計數)해도 된다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 제어 장치는, 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 화상 내의 파티클의 위치를 취득해도 된다. 이 구성에서는, 보다 상세한 파티클의 분포가 취득될 수 있다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 제어 장치는, 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 화상으로부터 파티클의 사이즈를 취득해도 된다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 장치 내에 있어서의 복수의 촬상 장치의 각각의 촬상 범위는, 서로 중복된 영역을 포함하지 않아도 된다. 이 구성에서는, 파티클이 중복하여 계수되는 것이 억제된다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상하는 공정은, 챔버 내에 가스가 공급되어 있는 상태에서 실시되어도 된다. 이 구성에서는, 챔버 내에 가스가 공급되어 있는 환경 하에 있어서의 파티클이 계수될 수 있다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상하는 공정은, 챔버 내에서 플라즈마가 생성되어 있는 상태에서 실시되어도 된다. 이 구성에서는, 플라즈마가 생성되어 있는 환경 하에 있어서의 파티클이 계수될 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 다양한 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당한 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이는 것으로 한다.
일 예시적 실시형태에 관한 모니터 장치(100)는, 반도체 제조 장치(S1)로서의 기능을 갖는 처리 시스템(1)과 협동함으로써 파티클 모니터 시스템을 구성한다. 먼저, 피가공물을 처리하기 위한 처리 장치, 및, 당해 처리 장치로 피가공물을 반송하기 위한 반송 장치를 갖는 처리 시스템에 대하여 설명한다. 도 1은, 처리 시스템을 예시하는 도이다. 처리 시스템(1)은, 받침대(2a~2d), 용기(4a~4d), 로더 모듈(LM), 얼라이너(AN), 로드록 모듈(LL1, LL2), 프로세스 모듈(PM1~PM5), 트랜스퍼 모듈(TF), 및, 제어부(MC)를 구비하고 있다. 또한, 받침대(2a~2d)의 개수, 용기(4a~4d)의 개수, 로드록 모듈(LL1, LL2)의 개수, 및, 프로세스 모듈(PM1~PM5)의 개수는 한정되는 것은 아니고, 하나 이상의 임의의 개수일 수 있다.
받침대(2a~2d)는, 로더 모듈(LM)의 일 가장자리를 따라 배열되어 있다. 용기(4a~4d)는 각각, 받침대(2a~2d) 상에 탑재되어 있다. 용기(4a~4d)의 각각은, 예를 들면, FOUP(Front Opening Unified Pod)라고 칭해지는 용기이다. 용기(4a~4d)의 각각은, 피가공물(W)을 수용하도록 구성될 수 있다. 피가공물(W)은, 웨이퍼와 같이 대략 원반 형상을 갖는다.
로더 모듈(LM)은, 대기압 상태의 반송 공간을 그 내부에 구획형성하는 챔버벽을 갖고 있다. 이 반송 공간 내에는 반송 장치(TU1)가 마련되어 있다. 반송 장치(TU1)는, 예를 들면, 다관절 로봇이며, 제어부(MC)에 의하여 제어된다. 반송 장치(TU1)는, 용기(4a~4d)와 얼라이너(AN)의 사이, 얼라이너(AN)와 로드록 모듈(LL1~LL2)의 사이, 로드록 모듈(LL1~LL2)과 용기(4a~4d)의 사이에서 피가공물(W)을 반송하도록 구성되어 있다.
얼라이너(AN)는, 로더 모듈(LM)과 접속되어 있다. 얼라이너(AN)는, 피가공물(W)의 위치의 조정(위치의 교정)을 행하도록 구성되어 있다. 도 2는, 얼라이너를 예시하는 사시도이다. 얼라이너(AN)는, 지지대(6T), 구동 장치(6D), 및, 센서(6S)를 갖고 있다. 지지대(6T)는, 연직 방향으로 연장되는 축선 중심으로 회전 가능한 받침대이며, 그 위에 피가공물(W)을 지지하도록 구성되어 있다. 지지대(6T)는, 구동 장치(6D)에 의하여 회전된다. 구동 장치(6D)는, 제어부(MC)에 의하여 제어된다. 구동 장치(6D)로부터의 동력에 의하여 지지대(6T)가 회전하면, 당해 지지대(6T) 상에 재치된 피가공물(W)도 회전하도록 되어 있다.
센서(6S)는, 광학 센서이며, 피가공물(W)이 회전되고 있는 동안, 피가공물(W)의 에지를 검출한다. 센서(6S)는, 에지의 검출 결과로부터, 기준 각도 위치에 대한 피가공물(W)의 노치(WN)(혹은, 다른 마커)의 각도 위치의 어긋남량, 및, 기준 위치에 대한 피가공물(W)의 중심 위치의 어긋남량을 검출한다. 센서(6S)는, 노치(WN)의 각도 위치의 어긋남량 및 피가공물(W)의 중심 위치의 어긋남량을 제어부(MC)에 출력한다. 제어부(MC)는, 노치(WN)의 각도 위치의 어긋남량에 기초하여, 노치(WN)의 각도 위치를 기준 각도 위치로 보정하기 위한 지지대(6T)의 회전량을 산출한다. 제어부(MC)는, 이 회전량의 정도만큼 지지대(6T)를 회전시키도록, 구동 장치(6D)를 제어한다. 이로써, 노치(WN)의 각도 위치를 기준 각도 위치로 보정할 수 있다. 또, 제어부(MC)는, 노치(WN)의 각도 위치를 임의의 각도 위치로 보정해도 된다. 또, 제어부(MC)는, 얼라이너(AN)로부터 피가공물(W)을 수취할 때의 반송 장치(TU1)의 엔드 이펙터(end effector)의 위치를, 피가공물(W)의 중심 위치의 어긋남량에 기초하여, 제어한다. 이로써, 반송 장치(TU1)의 엔드 이펙터 상의 소정 위치에 피가공물(W)의 중심 위치가 일치한다.
도 1로 되돌아가, 로드록 모듈(LL1) 및 로드록 모듈(LL2)의 각각은, 로더 모듈(LM)과 트랜스퍼 모듈(TF)의 사이에 마련되어 있다. 로드록 모듈(LL1) 및 로드록 모듈(LL2)의 각각은, 예비 감압실을 제공하고 있다.
트랜스퍼 모듈(TF)은, 로드록 모듈(LL1) 및 로드록 모듈(LL2)에 게이트 밸브를 개재하여 기밀하게 접속되어 있다. 트랜스퍼 모듈(TF)은, 감압 가능한 감압실을 제공하고 있다. 이 감압실에는, 반송 장치(TU2)가 마련되어 있다. 반송 장치(TU2)는, 예를 들면, 반송 암(TUa)을 갖는 다관절 로봇이며, 제어부(MC)에 의하여 제어된다. 반송 장치(TU2)는, 로드록 모듈(LL1~LL2)과 프로세스 모듈(PM1~PM5)의 사이, 및, 프로세스 모듈(PM1~PM5) 중 임의의 2개의 프로세스 모듈 사이에 있어서, 피가공물(W)을 반송하도록 구성되어 있다.
프로세스 모듈(PM1~PM5)은, 트랜스퍼 모듈(TF)에 게이트 밸브를 개재하여 기밀하게 접속되어 있다. 프로세스 모듈(PM1~PM5)의 각각은, 피가공물(W)에 대하여 플라즈마 처리와 같은 전용의 처리를 행하도록 구성된 처리 장치이다.
이 처리 시스템(1)에 있어서 피가공물(W)의 처리가 행해질 때의 일련의 동작은 이하와 같이 예시된다. 로더 모듈(LM)의 반송 장치(TU1)가, 용기(4a~4d) 중 어느 하나로부터 피가공물(W)을 취출하여, 당해 피가공물(W)을 얼라이너(AN)로 반송한다. 이어서, 반송 장치(TU1)는, 그 위치가 조정된 피가공물(W)을 얼라이너(AN)로부터 취출하여, 당해 피가공물(W)을 로드록 모듈(LL1) 및 로드록 모듈(LL2) 중 일방의 로드록 모듈로 반송한다. 이어서, 일방의 로드록 모듈이, 예비 감압실의 압력을 소정의 압력으로 감압한다. 이어서, 트랜스퍼 모듈(TF)의 반송 장치(TU2)가, 일방의 로드록 모듈로부터 피가공물(W)을 취출하여, 당해 피가공물(W)을 프로세스 모듈(PM1~PM5) 중 어느 하나로 반송한다. 그리고, 프로세스 모듈(PM1~PM5) 중 하나 이상의 프로세스 모듈이 피가공물(W)을 처리한다. 그리고, 반송 장치(TU2)가, 처리 후의 피가공물(W)을 프로세스 모듈로부터 로드록 모듈(LL1) 및 로드록 모듈(LL2) 중 일방의 로드록 모듈로 반송한다. 이어서, 반송 장치(TU1)가 피가공물(W)을 일방의 로드록 모듈로부터 용기(4a~4d) 중 어느 하나로 반송한다.
이 처리 시스템(1)은, 상술한 바와 같이 제어부(MC)를 구비하고 있다. 제어부(MC)는, 프로세서, 메모리와 같은 기억 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 통신 장치 등을 구비하는 컴퓨터일 수 있다. 상술한 처리 시스템(1)의 일련의 동작은, 기억 장치에 기억된 프로그램에 따른 제어부(MC)에 의한 처리 시스템(1)의 각부(各部)의 제어에 의하여, 실현되도록 되어 있다.
도 3은, 프로세스 모듈(PM1~PM5) 중 어느 하나로서 채용될 수 있는 플라즈마 처리 장치의 일례를 나타내는 도이다. 도 3에 나타내는 플라즈마 처리 장치(10)는, 용량 결합형 플라즈마 에칭 장치이다. 플라즈마 처리 장치(10)는, 대략 원통 형상의 챔버 본체(12)를 구비하고 있다. 챔버 본체(12)는, 예를 들면, 알루미늄으로 형성되어 있고, 그 내벽면에는, 양극 산화 처리가 실시될 수 있다. 이 챔버 본체(12)는 보안 접지되어 있다.
챔버 본체(12)의 바닥부 상에는, 대략 원통 형상의 지지부(14)가 마련되어 있다. 지지부(14)는, 예를 들면, 절연 재료로 구성되어 있다. 지지부(14)는, 챔버 본체(12) 내에 마련되어 있으며, 챔버 본체(12)의 바닥부로부터 상방으로 연재되어 있다. 또, 챔버 본체(12)에 의하여 제공되는 챔버(S) 내에는, 스테이지(ST)가 마련되어 있다. 스테이지(ST)는, 지지부(14)에 의하여 지지되어 있다.
스테이지(ST)는, 하부 전극(LE) 및 정전 척(ESC)을 갖고 있다. 하부 전극(LE)은, 제1 플레이트(18a) 및 제2 플레이트(18b)를 포함하고 있다. 제1 플레이트(18a) 및 제2 플레이트(18b)는, 예를 들면 알루미늄과 같은 금속으로 구성되어 있고, 대략 원반 형상을 이루고 있다. 제2 플레이트(18b)는, 제1 플레이트(18a) 상에 마련되어 있고, 제1 플레이트(18a)에 전기적으로 접속되어 있다.
제2 플레이트(18b) 상에는, 정전 척(ESC)이 마련되어 있다. 정전 척(ESC)은, 도전막인 전극을 한 쌍의 절연층 또는 절연 시트 사이에 배치한 구조를 갖고 있으며, 대략 원반 형상을 갖고 있다. 정전 척(ESC)의 전극에는, 직류 전원(22)이 스위치(23)를 통하여 전기적으로 접속되어 있다. 이 정전 척(ESC)은, 직류 전원(22)으로부터의 직류 전압에 의하여 발생한 쿨롱력 등의 정전기력에 의하여 피가공물(W)을 흡착한다. 이로써, 정전 척(ESC)은, 피가공물(W)을 지지할 수 있다.
제2 플레이트(18b)의 둘레 가장자리부 상에는, 포커스 링(FR)이 마련되어 있다. 이 포커스 링(FR)은, 피가공물(W)의 에지 및 정전 척(ESC)을 둘러싸도록 마련되어 있다. 이 포커스 링(FR)은, 실리콘, 탄화 규소, 산화 실리콘과 같은 다양한 재료 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
제2 플레이트(18b)의 내부에는, 냉매 유로(24)가 마련되어 있다. 냉매 유로(24)는, 온도 조절 기구를 구성하고 있다. 냉매 유로(24)에는, 챔버 본체(12)의 외부에 마련된 칠러 유닛으로부터 배관(26a)을 통하여 냉매가 공급된다. 냉매 유로(24)에 공급된 냉매는, 배관(26b)을 통하여 칠러 유닛으로 되돌려진다. 이와 같이, 냉매 유로(24)와 칠러 유닛의 사이에서는, 냉매가 순환된다. 이 냉매의 온도를 제어함으로써, 정전 척(ESC)에 의하여 지지된 피가공물(W)의 온도가 제어된다.
스테이지(ST)에는, 당해 스테이지(ST)를 관통하는 복수(예를 들면, 3개)의 관통 구멍(25)이 형성되어 있다. 복수의 관통 구멍(25)은, 평면시에 있어서 정전 척(ESC)의 내측에 형성되어 있다. 이들, 각각의 관통 구멍(25)에는, 리프트 핀(25a)이 삽입되어 있다. 또한, 도 3에 있어서는, 한 개의 리프트 핀(25a)이 삽입된 하나의 관통 구멍(25)이 그려져 있다. 리프트 핀(25a)은, 관통 구멍(25) 내에 있어서 상하 이동 가능하게 마련되어 있다. 리프트 핀(25a)의 상승에 의하여, 정전 척(ESC) 상에 지지된 피가공물(W)이 상승한다.
스테이지(ST)에는, 평면시에 있어서 정전 척(ESC)보다도 외측의 위치에, 당해 스테이지(ST)(하부 전극(LE))를 관통하는 복수(예를 들면, 3개)의 관통 구멍(27)이 형성되어 있다. 이들, 각각의 관통 구멍(27)에는, 리프트 핀(27a)이 삽입되어 있다. 또한, 도 3에 있어서는, 한 개의 리프트 핀(27a)이 삽입된 하나의 관통 구멍(27)이 그려져 있다. 리프트 핀(27a)은, 관통 구멍(27) 내에 있어서 상하 이동 가능하게 마련되어 있다. 리프트 핀(27a)의 상승에 의하여, 제2 플레이트(18b) 상에 지지된 포커스 링(FR)이 상승한다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)에는, 가스 공급 라인(28)이 마련되어 있다. 가스 공급 라인(28)은, 전열 가스 공급 기구로부터의 전열 가스, 예를 들면 He 가스를, 정전 척(ESC)의 상면과 피가공물(W)의 이면(裏面)의 사이에 공급한다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)는, 상부 전극(30)을 구비하고 있다. 상부 전극(30)은, 스테이지(ST)의 상방에 있어서, 당해 스테이지(ST)와 대향 배치되어 있다. 상부 전극(30)은, 절연성 차폐 부재(32)를 통하여, 챔버 본체(12)의 상부에 지지되어 있다. 상부 전극(30)은, 천판(天板)(34) 및 지지체(36)를 포함할 수 있다. 천판(34)은 챔버(S)에 면하고 있으며, 당해 천판(34)에는 복수의 가스 토출 구멍(34a)이 마련되어 있다. 이 천판(34)은, 실리콘 또는 석영으로 형성될 수 있다. 혹은, 천판(34)은, 알루미늄제의 모재(母材)의 표면에 산화 이트륨과 같은 내(耐)플라즈마성의 막을 형성함으로써 구성될 수 있다.
지지체(36)는, 천판(34)을 착탈 자재로 지지하는 것이며, 예를 들면 알루미늄과 같은 도전성 재료로 구성될 수 있다. 이 지지체(36)는, 수냉 구조를 가질 수 있다. 지지체(36)의 내부에는, 가스 확산실(36a)이 마련되어 있다. 이 가스 확산실(36a)로부터는, 가스 토출 구멍(34a)에 연통하는 복수의 가스 통류 구멍(36b)이 하방으로 연장되어 있다. 또, 지지체(36)에는, 가스 확산실(36a)에 처리 가스를 유도하는 가스 도입구(36c)가 형성되어 있으며, 이 가스 도입구(36c)에는, 가스 공급관(38)이 접속되어 있다.
가스 공급관(38)에는, 밸브군(42) 및 유량 제어기군(44)을 통하여, 가스 소스군(40)이 접속되어 있다. 가스 소스군(40)은, 복수 종의 가스용의 복수의 가스 소스를 포함하고 있다. 밸브군(42)은 복수의 밸브를 포함하고 있고, 유량 제어기군(44)은 매스 플로 컨트롤러와 같은 복수의 유량 제어기를 포함하고 있다. 가스 소스군(40)의 복수의 가스 소스는 각각, 밸브군(42)의 대응 밸브 및 유량 제어기군(44)의 대응 유량 제어기를 통하여, 가스 공급관(38)에 접속되어 있다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 챔버 본체(12)의 내벽을 따라 디포지션 실드(46)가 착탈 가능하게 마련되어 있다. 디포지션 실드(46)는, 지지부(14)의 외주에도 마련되어 있다. 디포지션 실드(46)는, 챔버 본체(12)에 에칭 부생물(디포지션)이 부착되는 것을 방지하는 것이며, 알루미늄재에 산화 이트륨 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성될 수 있다.
챔버 본체(12)의 바닥부 측, 또한, 지지부(14)와 챔버 본체(12)의 측벽의 사이에는 배기 플레이트(48)가 마련되어 있다. 배기 플레이트(48)는, 예를 들면, 알루미늄재에 산화 이트륨 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성될 수 있다. 배기 플레이트(48)에는, 그 판두께 방향으로 관통하는 복수의 구멍이 형성되어 있다. 이 배기 플레이트(48)의 하방, 또한, 챔버 본체(12)에는, 배기구(12e)가 마련되어 있다. 배기구(12e)에는, 배기관(52)을 통하여 배기 장치(50)가 접속되어 있다. 배기 장치(50)는, 압력 조정 밸브 및 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 갖고 있으며, 챔버 본체(12) 내의 공간을 원하는 진공도까지 감압할 수 있다. 또, 챔버 본체(12)의 측벽에는 피가공물(W)의 반입 출구(12g)가 마련되어 있으며, 이 반입 출구(12g)는 게이트 밸브(54)에 의하여 개폐 가능하게 되어 있다.
또, 플라즈마 처리 장치(10)는, 제1 고주파 전원(62) 및 제2 고주파 전원(64)을 더 구비하고 있다. 제1 고주파 전원(62)은, 플라즈마 생성용의 제1 고주파를 발생하는 전원이며, 예를 들면, 27~100MHz의 주파수를 갖는 고주파를 발생시킨다. 제1 고주파 전원(62)은, 정합기(66)를 통하여 상부 전극(30)에 접속되어 있다. 정합기(66)는, 제1 고주파 전원(62)의 출력 임피던스와 부하 측(상부 전극(30) 측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다. 또한, 제1 고주파 전원(62)은, 정합기(66)를 통하여 하부 전극(LE)에 접속되어 있어도 된다.
제2 고주파 전원(64)은, 피가공물(W)에 이온을 끌어들이기 위한 제2 고주파를 발생시키는 전원이며, 예를 들면, 400kHz~13.56MHz의 범위 내의 주파수의 고주파를 발생시킨다. 제2 고주파 전원(64)은, 정합기(68)를 통하여 하부 전극(LE)에 접속되어 있다. 정합기(68)는, 제2 고주파 전원(64)의 출력 임피던스와 부하 측(하부 전극(LE) 측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 갖고 있다.
플라즈마 처리 장치(10)에서는, 복수의 가스 소스 중 선택된 하나 이상의 가스 소스로부터의 가스가 챔버(S)에 공급된다. 또, 챔버(S)의 압력이 배기 장치(50)에 의하여 소정의 압력으로 설정된다. 또한, 제1 고주파 전원(62)으로부터의 제1 고주파에 의하여 챔버(S) 내의 가스가 여기된다. 이로써, 플라즈마가 생성된다. 그리고, 발생시킨 활성종에 의하여 피가공물(W)이 처리된다. 또한, 필요에 따라, 제2 고주파 전원(64)의 제2 고주파에 기초하는 바이어스에 의하여, 피가공물(W)에 이온이 끌어 들여져도 된다.
챔버 본체(12)의 둘레벽에는 광을 투과하는 창(12w)이 마련되어 있다. 창(12w)은, 상하 방향에 있어서 스테이지(ST)보다도 상측의 위치에 마련되어 있다. 창(12w)의 외측에는, 레이저광(70L)을 출사하는 레이저 발진기(70)(발광 장치)가 배치될 수 있다. 레이저 발진기(70)는, 레이저광(70L)이 창(12w)으로부터 챔버(S) 내에 조사되도록, 챔버 본체(12)의 외측에 배치된다. 창(12w)과 레이저 발진기(70)의 사이에는, 광로 상에 다양한 광학 부품이 배치되어 있어도 된다. 레이저 발진기(70)는, 창(12w)을 통하여, 챔버 본체(12) 내에 레이저광(70L)을 조사한다. 레이저 발진기(70)로부터 조사되는 레이저광(70L)의 광축은, 스테이지(ST)의 상방에 있어서 스테이지(ST)와 평행해도 된다.
레이저 발진기(70)는, 예를 들면 펄스 모양의 레이저광(70L)에 의하여, 챔버 본체의 내측을 수평 방향을 따라 주사한다. 즉, 스테이지(ST)로부터 소정의 높이만큼 높은 수평면 내가 레이저광(70L)에 의하여 주사된다. 일례에 있어서, 레이저광(70L)의 파장은, 532nm 정도여도 되지만, 레이저광(70L)의 파장은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 레이저 발진기(70)는, 후술하는 컴퓨터(88)에 접속되어 있으며, 컴퓨터(88)에 의하여 동작 제어되어 있어도 된다.
계속해서, 모니터 장치(100)에 대하여 설명한다. 모니터 장치(100)는, 플라즈마 처리 장치(10)의 챔버 본체(12) 내에 있어서, 파티클을 촬상한다. 일례의 모니터 장치(100)는, 프로세스 모듈(PM)(플라즈마 처리 장치(10)) 내의 스테이지(ST) 상에 있어서, 소정 위치에 촬상 장치를 배치하기 위한 장치이기 때문에, 지그라고 칭해도 된다.
도 4는, 일례에 관한 모니터 장치(100)를 상면 측에서 본 평면 모식도이다. 도 5는, 일례의 모니터 장치(100)를 나타내는 블록도이다. 또한, 도 5에서는, 모니터 장치(100)를 사용할 때에 이용되는 전용의 FOUP(4F)도 모식적으로 나타나 있다. FOUP(4F)는, 용기(4a~4d) 중 어느 하나여도 된다. 모니터 장치(100)는, 베이스 기판(110)과, 제어 기판(120)과, 배터리(140)를 갖는다. 모니터 장치(100)는, 처리 시스템(1)의 반송 장치(TU1, TU2)에 의하여, FOUP(4F)로부터 스테이지(ST) 상(즉, 정전 척(ESC) 상)까지 반송될 수 있다.
즉, 반송 장치(TU1)는, 모니터 장치(100)를 FOUP(4F)로부터 취출하여, 얼라이너(AN)로 반송한다. 이어서, 반송 장치(TU1)는, 그 위치가 조정된 모니터 장치(100)를 얼라이너(AN)로부터 취출하여, 당해 모니터 장치(100)를 로드록 모듈(LL1) 및 로드록 모듈(LL2) 중 일방의 로드록 모듈로 반송한다. 이어서, 트랜스퍼 모듈(TF)의 반송 장치(TU2)가, 일방의 로드록 모듈로부터 모니터 장치(100)를 취출하고, 당해 모니터 장치(100)를 프로세스 모듈(PM1~PM5) 중 어느 하나의 스테이지(ST) 상으로 반송한다.
베이스 기판(110)은, 처리 시스템(1)의 반송 장치(TU1, TU2)에 의하여 반송할 수 있도록, 피가공물(W)과 마찬가지의 원반 모양의 웨이퍼를 일례로 하는 기판이어도 된다. 단, 베이스 기판(110)은, 원반 모양에 한정되지 않고, 피가공물(W)을 반송하는 반송 장치(TU1, TU2)에 의하여 반송할 수 있으면, 다각형, 타원 등, 형상에는 한정되지 않는다. 베이스 기판(110)의 에지에는, 노치(110N)가 형성되어 있다. 그 때문에, 스테이지(ST) 상에 반송되었을 때의 모니터 장치(100)의 회전 위치는 일정하게 제어될 수 있다. 베이스 기판(110)의 재질로서는, 예를 들면 실리콘, 카본 파이버, 석영 유리, 실리콘 카바이드, 실리콘 나이트라이드, 알루미나 등을 들 수 있다.
제어 기판(120)은, 판 모양의 베이스 기판(110)의 상면에 마련되는 회로 기판이다. 제어 기판(120)은, 복수의 촬상 장치(130)와, 커넥터 패드(160)와, 제어 회로(170)를 포함한다.
촬상 장치(130)는, 레이저광(70L)의 조사에 의하여 파티클로부터 발해진 산란광을 검출하기 위한 장치이다. 촬상 장치(130)는, 예를 들면 CCD(Charge Coupled Device) 등의 이미지 센서여도 된다. 촬상 장치(130)는, 촬상 장치(130)의 광축 방향에 있어서, 소정의 촬상 범위에 있어서의 화상을 취득할 수 있다. 복수의 촬상 장치(130)는, 베이스 기판(110)의 상방을 촬상하기 위하여, 베이스 기판(110) 상에 있어서 상방을 향한 광축을 갖는다. 또한, 광축은, 촬상 장치(130)의 광학적인 중심축으로서 정의될 수 있다. 베이스 기판(110) 상에 있어서, 각각의 촬상 장치(130), 서로 이간되어 배치되어 있다. 촬상 장치(130)는, 스테이지(ST)에 재치된 상태에 있어서, 레이저광(70L)이 조사된 파티클로부터의 산란광을 모니터할 수 있다. 일례에 있어서, 복수의 촬상 장치(130)는, 평면시에 있어서, 베이스 기판(110) 상에서 점대칭이 되도록 배치되어 있어도 된다. 또, 복수의 촬상 장치(130)는, 평면시에 있어서, 베이스 기판(110) 상에서 선대칭이 되도록 배치되어 있어도 된다.
일례에 있어서, 촬상 장치(130) 중 하나는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 베이스 기판(110)의 중심에 배치되어 있다. 또, 촬상 장치(130)는, 베이스 기판(110)의 직경 방향의 복수의 위치에 배치되어 있다. 또, 촬상 장치(130)는, 베이스 기판(110)의 둘레 방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 일례에 있어서, 베이스 기판(110)의 둘레 가장자리 측에서는, 중심 측보다도 촬상 장치(130)가 직경 방향으로 기밀해지도록 배치되어 있어도 된다. 도시예에서는, 원반 모양을 이루는 베이스 기판(110)에 있어서, 직경 방향을 따라 중심을 포함하여 8개소에 촬상 장치(130)가 배치되어 있다. 또, 중심을 제외한 위치에서는, 각각 둘레 방향으로 90° 간격으로 4개소에 촬상 장치(130)가 배치되어 있다. 즉, 도시예에서는, 베이스 기판(110) 상에 29개의 촬상 장치(130)가 배치되어 있다. 베이스 기판(110)의 직경이 300mm인 경우, 일례로서, 베이스 기판(110)의 둘레 가장자리로부터, 3mm, 5mm, 10mm, 15mm, 20mm, 50mm, 100mm 및 150mm(중심)의 위치에 촬상 장치(130)가 배치되어 있어도 된다.
각각의 촬상 장치(130)의 광축은, 예를 들면, 평면 모양을 이루는 베이스 기판(110)의 상면에 대하여 실질적으로 직교하고 있다. 또한, 당해 광축은, 베이스 기판(110)의 평면에 대하여 비스듬하게 교차하고 있어도 된다. 또, 촬상 장치(130)는, 플라즈마 처리 장치(10) 내에서 생성되는 플라즈마로부터 내부를 보호하기 위한 투광성의 커버(131)를 갖고 있다. 커버(131)는, 예를 들면, 사파이어 등의 재료에 의하여 형성되어도 된다.
도 6은, 일례의 모니터 장치(100)에 있어서의 촬상 장치(130)의 촬상 범위(135)를 설명하기 위한 도이며, 측방에서 보았을 때의 복수의 촬상 장치(130)의 촬상 범위(135)를 나타낸다. 또한, 도 6에 있어서는, 이해의 용이성을 위하여, 5개의 촬상 장치의 촬상 범위(135)를 모식적으로 나타내고 있다. 일례의 촬상 범위(135)는, 촬상 장치(130)의 화각을 따른 영역(133) 중, 레이저광(70L)의 조사면과 교차하는 범위여도 된다. 촬상 장치(130)는, 촬상 범위(135) 내에 존재하는 파티클(P)로부터의 산란광을 촬상할 수 있다. 챔버 본체(12) 내의 스테이지(ST)에 모니터 장치(100)가 재치된 상태에 있어서, 복수의 촬상 장치(130)의 각각의 촬상 범위(135)는, 각각의 촬상 장치(130)의 바로 위를 포함하는 영역이어도 된다. 일례에 있어서, 복수의 촬상 장치(130)의 각각의 촬상 범위(135)는, 서로 중복된 영역을 포함하지 않는다. 즉, 복수의 촬상 장치(130)의 각각의 촬상 범위(135)끼리는, 서로 분리(이간)된, 독립된 영역이어도 된다.
커넥터 패드(160)는, 배터리(140)를 충전하기 위한 접속부이며, 외부 전원에 접속될 수 있다. 커넥터 패드(160)는, 전용의 FOUP(4F) 내에 모니터 장치(100)가 재치된 상태에서, 전용의 FOUP(4F)에 마련된 커넥터(4FC)를 통하여 외부 전원에 접속된다. 배터리(140)는, 베이스 기판(110) 상에 복수(도시예에서는 4개) 배치되어 있다. 배터리(140)는, 촬상 장치(130) 및 제어 회로(170)에 전력을 공급한다. 도 5에 나타나는 바와 같이, 커넥터 패드(160)와 배터리(140)의 사이에는 충전 회로(177)가 접속되어 있으며, 충전 회로(177)에 의하여 배터리(140)의 충전이 제어되어 있다. 또, 배터리(140)에는 전원 회로(178)가 접속되어 있으며, 전원 회로(178)를 통하여 배터리(140)로부터의 전력이 각 디바이스에 공급되고 있다.
제어 회로(170)는, 제어 기판(120)에 배치되어 있다. 제어 회로(170)는, 프로세서를 포함하는 연산 장치(171), 메모리(172), 컨트롤러(173) 등을 갖고, 메모리(172)에 기억된 프로그램에 기초하여 모니터 장치(100)의 동작을 통괄적으로 제어한다. 제어 회로(170)는, 모니터 장치(100)의 각부를 제어하는 제어부로서 기능한다. 예를 들면 촬상 장치(130)에 의한 촬상은, 컨트롤러(173)에 의하여 제어된다. 또, 외부의 다른 기기와의 통신의 제어를 위하여, 제어 회로(170)에는, 통신 기기(175)가 접속되어 있다. 일례에 있어서, 통신 기기(175)는, 외부의 컴퓨터(88)와의 접속에 이용된다. 통신 기기(175)와 컴퓨터(88)의 접속 방식은, 유선 및 무선 중 어느 것이어도 된다. 또, 일례에 있어서는, 모니터 장치(100)는, 제어 회로(170)에 접속된 커넥터 패드(176)를 포함하고 있다. 커넥터 패드(176)는, 전용의 FOUP(4F)에 마련된 스위치(SW)에 접속된다. 제어 회로(170)는, 스위치(SW)로부터 입력되는 신호에 기초하여 모니터 장치(100)의 제어를 개시할 수 있다. 또한, 일례에 있어서는, 스위치(SW)와 제어부(MC)가 통신 가능하게 접속되어 있으며, 제어부(MC)는, 스위치(SW)로부터 입력되는 신호에 기초하여 처리 시스템(1)의 제어를 개시해도 된다.
일례에 있어서, 컨트롤러(173)는, 모니터 장치(100)가 스테이지(ST) 상에 재치된 상태에서, 레이저 발진기(70)에 의하여 챔버 본체(12) 내에 레이저광(70L)이 조사되어 있을 때에, 촬상 장치(130)에 의한 촬상을 실행한다. 촬상 장치(130)에 의한 촬상은, 레이저 발진기(70)에 의한 레이저광(70L)의 조사에 동기하여 실행되어도 된다. 일례에서는, 수평면 내를 주사하는 펄스 모양의 레이저광(70L)의 조사에 연동하여, 촬상 장치(130)에 의한 촬상이 실행된다. 동일한 레이저 조사 위치에 있어서의 촬상 횟수는, 1회여도 되고, 복수 회여도 된다.
촬상 장치(130)에 의하여 촬상된 화상 데이터는, 예를 들면 메모리(172)에 저장될 수 있다. 촬상의 종료 후, 메모리(172)에 저장된 화상 데이터는, 통신 기기(175)에 접속된 컴퓨터(88)에 송신된다. 컴퓨터(88)(제어 장치)는, 복수의 촬상 장치(130)에 의하여 촬상된 산란광의 화상 내의 파티클(P)을 판별한다. 예를 들면, 컴퓨터(88)는, 화상 처리 기술을 이용함으로써, 화상 내의 파티클(P)을 판별하고, 화상 내의 파티클(P)을 계수한다.
일례의 컴퓨터(88)는, 모니터 장치(100)에 의하여 촬상되는 배경 화상을 미리 취득하고 있다. 배경 화상은, 파티클(P)이 존재하지 않는 챔버 본체(12) 내에 레이저광(70L)이 조사된 상태에서, 촬상 장치(130)에 의하여 촬상된 화상이어도 된다. 예를 들면, 컴퓨터(88)는, 파티클(P)의 촬상 조건에 따라, 복수 종류의 배경 화상을 취득하고 있다. 촬상 조건은, 예를 들면, 챔버(S) 내에 가스가 공급되고, 또한, 상부 전극(30) 및 하부 전극(LE)에 고주파가 인가된 상태를 포함해도 된다. 또, 촬상 조건은, 예를 들면, 챔버(S) 내에 가스가 공급되고, 또한, 상부 전극(30)에만 고주파가 인가된 상태를 포함해도 된다. 또, 촬상 조건은, 예를 들면, 챔버(S) 내에 가스가 공급되고, 또한, 상부 전극(30) 및 하부 전극(LE)에 고주파가 인가되지 않는 상태를 포함해도 된다. 이와 같이, 배경 화상은, 플라즈마 발광이 존재하는 상태, 플라즈마 발광이 존재하지 않는 상태 등의 복수의 촬상 조건에 대응하고 있어도 된다. 플라즈마 발광이 존재하는 상태에서의 배경 화상은, 고주파 전압의 값에 따라 복수 취득되어 있어도 된다.
컴퓨터(88)는, 촬상 장치(130)에 의하여 촬상된 산란광을 포함하는 화상과 배경 화상을 비교하고, 대응하는 화소끼리의 휘돗값의 차가 소정의 임곗값을 초과하는 경우에, 당해 화소를 포함하는 영역을 파티클(P)로서 카운트한다. 또, 컴퓨터(88)는, 화상 내에 있어서의 파티클(P)의 휘돗값(즉, 산란광 강도)에 기초하여, 파티클(P)의 사이즈를 추정해도 된다. 예를 들면, 컴퓨터(88)는, 사전의 계측 등에 의하여 작성된, 파티클(P)의 산란광 강도와 파티클(P)의 사이즈(예를 들면 직경)의 관계를 나타내는 데이터를 기억하고 있어도 된다.
또, 컴퓨터(88)는, 화상 내에 있어서의 파티클(P)의 위치를 특정한다. 즉, 컴퓨터(88)는, 파티클(P)로서 카운트된 화소의 위치를 파티클(P)의 위치로서 취득한다. 복수의 화소로 이루어지는 화소군이 하나의 파티클(P)로서 판별되는 경우에는, 화소군의 중심이 파티클(P)의 위치로서 특정되어도 된다.
예를 들면, 컴퓨터(88)는, 복수의 촬상 장치(130)에 의하여 촬상된 복수의 화상을, 스테이지(ST)에 대향하는 평면을 형성하도록, 하나의 화상으로서 합성해도 된다. 도 7은, 합성된 화상의 일례를 모식적으로 나타내는 도이다. 도 7에 있어서는, 이해의 용이성을 위하여, 9개의 촬상 장치에 기초하는 합성 화상(G)을 모식적으로 나타내고 있다. 도 7의 합성 화상(G)에는, 스테이지(ST) 상의 모니터 장치(100)에 대향하는 영역이 실선으로 나타나 있으며, 각각의 촬상 장치(130)에 의한 촬상 범위가 파선으로 나타나 있다. 상술한 바와 같이, 복수의 촬상 장치(130)의 각각의 촬상 범위는, 서로 중복되어 있지 않다. 그 때문에, 합성 화상은, 복수의 촬상 범위가 서로 분리된 화상으로 되어 있어도 된다. 컴퓨터(88)는, 합성 화상 내에 있어서의 파티클(P)의 위치를 특정하고, 파티클(P)의 위치에 크기 등을 표시해도 된다.
계속해서, 모니터 장치(100)를 이용하여 파티클을 계측하는 모니터 방법에 대하여 설명한다. 도 8은, 모니터 방법의 일례를 나타내는 플로차트이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 일례의 모니터 방법에서는, 반송 장치(TU1, TU2)에 의하여 모니터 장치(100)가 모니터의 대상이 되는 플라즈마 처리 장치(10)(프로세스 모듈(PM)) 내에 반송된다(재치 공정: 스텝 ST1). 당해 플라즈마 처리 장치(10)에는, 사전에 레이저 발진기(70)가 장착되어 있어도 된다. 모니터 장치(100)를 동작시키는 경우, 먼저, 전용의 FOUP(4F) 내에 재치된 모니터 장치(100)를 기동시킨다. 상술한 바와 같이, 전용의 FOUP(4F)에는, 모니터 장치(100)를 기동시키기 위한 스위치(SW)가 마련되어 있기 때문에, 당해 스위치(SW)에 의하여 모니터 장치(100)의 기동이 가능해진다. 모니터 장치(100)를 이용하여 챔버 본체(12) 내의 파티클(P)을 모니터하는 경우, 먼저, 스위치(SW)에 의하여 모니터 장치(100)가 기동된다. 또한, 모니터 장치(100)는, 반송 장치(TU2)에 접속된 감압 가능한 스토커(3) 중에 감압 환경 하에서 보관되어 있으며, 당해 스토커(3)로부터 플라즈마 처리 장치(10)에 반송되어도 된다. 도 1에 나타내는 예에서는, 예를 들면, 프로세스 모듈(PM1~PM5)의 배열 사이에 스토커(3)가 배치되어 있다. 모니터 장치(100)는, 이 스토커(3)로부터 반송 장치(TU2)에 의하여 플라즈마 처리 장치(10)에 반송되어도 된다. 스토커(3)는, FOUP(4F)와 마찬가지로 스위치(SW) 등을 갖고 있어도 된다.
스위치(SW)가 조작된 경우, 스위치(SW)로부터의 신호는, 제어부(MC)에도 출력된다. 스위치(SW)로부터의 신호가 입력된 제어부(MC)는, 반송 장치(TU1, TU2)가 모니터 장치(100)를 FOUP(4F)로부터 프로세스 모듈(PM) 내의 스테이지(ST) 상까지 반송하도록, 처리 시스템(1)을 제어한다. 일례에 있어서, 제어부(MC)는, 스테이지(ST)의 정전 척(ESC) 상에 모니터 장치(100)를 반송한 후에, 챔버(S)에 가스를 공급하고, 상부 전극(30) 및 하부 전극(LE)에 고주파를 인가하여, 플라즈마를 생성해도 된다.
계속해서, 플라즈마 처리 장치(10) 내에 레이저광(70L)이 조사된다(조사 공정: 스텝 ST2). 일례에 있어서는, 스위치(SW)에 의하여 모니터 장치(100)가 기동된 경우, 모니터 장치(100)의 기동을 통지하는 신호가 컴퓨터(88)에도 출력된다. 컴퓨터(88)는, 모니터 장치(100)가 프로세스 모듈(PM1)에 반송되었다고 판정되었을 때에, 레이저 발진기(70)에 의한 레이저광(70L)의 조사가 개시되도록 레이저 발진기(70)를 제어한다. 예를 들면, 컴퓨터(88)는, 모니터 장치(100)의 기동을 통지하는 신호가 입력되고 나서 소정 시간(이하, 제1 시간이라고 한다)이 경과한 경우에, 모니터 장치(100)가 프로세스 모듈(PM1)에 반송되었다고 판정해도 된다. 레이저 발진기(70)에 의한 레이저광(70L)의 조사는, 조사의 개시로부터 소정 시간 경과 후에 종료되어도 된다.
계속해서, 레이저광(70L)이 조사된 파티클(P)로부터의 산란광이 촬상 장치(130)에 의하여 촬상된다(촬상 공정: 스텝 ST3). 컨트롤러(173)는, 모니터 장치(100)가 정전 척(ESC) 상에 반송되었다고 판정되었을 때에, 촬상 장치(130)에 의한 파티클(P)의 촬상 동작이 개시되도록 촬상 장치(130)를 제어한다. 예를 들면, 컨트롤러(173)는, 스위치(SW)의 신호가 입력되고 나서 소정 시간(이하, 제2 시간이라고 한다)이 경과했을 때에, 모니터 장치(100)가 정전 척(ESC) 상에 재치되었다고 판정해도 된다. 일례에서는, 제1 시간과 제2 시간은 동일한 길이여도 된다. 즉, 촬상 장치(130)는, 레이저 발진기(70)에 의한 레이저광(70L)의 조사의 개시에 따라, 촬상을 개시해도 된다.
컨트롤러(173)는, 일례로서, 수평면 내를 주사하는 펄스 모양의 레이저광(70L)의 조사 타이밍에 촬상의 타이밍이 동기하도록, 촬상 장치(130)를 제어한다. 촬상 장치(130)에 의한 촬상 동작은, 촬상의 개시로부터 소정 시간 경과 후에 종료된다. 촬상 장치(130)에 의한 촬상 시간은, 레이저 발진기(70)에 의한 레이저광(70L)의 조사 시간과 일치하고 있어도 된다. 촬상 동작은, 레이저광(70L)에 의한 수평면 내의 주사가 종료할 때까지 계속된다.
제어부(MC)는, 모니터 장치(100)에 의한 촬상이 종료된 후에, 반송 장치(TU1, TU2)가 모니터 장치(100)를 스테이지(ST) 상으로부터 FOUP(4F)까지 반송하도록, 처리 시스템(1)을 제어한다. 즉, 반송 장치(TU2)는, 모니터 장치(100)를 프로세스 모듈로부터 취출하고, 로드록 모듈(LL1) 및 로드록 모듈(LL2) 중 일방의 로드록 모듈에 반송한다. 이어서, 반송 장치(TU1)가 모니터 장치(100)를 일방의 로드록 모듈로부터 취출하여, FOUP(4F)로 반송한다. 예를 들면, 모니터 장치(100)를 스테이지(ST) 상에 반송하고 나서, 소정 시간 경과한 경우에, 제어부(MC)는, 모니터 장치(100)에 의한 촬상이 종료되었다고 판정해도 된다.
계속해서, 화상 내의 파티클(P)이 판별된다(계측 공정: 스텝 ST4). 일례에 있어서는, 모니터 장치(100)가 FOUP(4F)로 되돌아오면, 모니터 장치(100)의 메모리(172)에 저장된 화상 데이터가, 컴퓨터(88)에 송신된다. 컴퓨터(88)는, 취득한 화상 데이터에 기초하여, 파티클(P)을 계측한다. 일례에 있어서, 컴퓨터(88)는, 복수의 촬상 장치(130)에 의하여 촬상된 복수의 화상을 합성한다. 그리고, 컴퓨터(88)는, 합성된 화상 내의 파티클(P)의 위치를 특정하고, 파티클(P)의 계수를 실행한다. 또, 컴퓨터(88)는, 판별된 각 파티클(P)의 사이즈를 추정한다. 컴퓨터(88)는, 합성된 화상에 대하여, 판별된 파티클(P)의 위치를 중첩시켜 표시해도 된다. 또, 컴퓨터(88)는, 합성된 화상과 함께, 파티클(P)의 수, 및, 각각의 파티클(P)의 사이즈를 출력해도 된다.
이상 설명한 바와 같이 일 예시적 실시형태에 있어서는, 플라즈마 처리 장치(10) 내의 파티클(P)을 계측하는 파티클 모니터 시스템이 제공된다. 당해 시스템은, 플라즈마 처리 장치(10) 내에 레이저광(70L)을 조사하는 레이저 발진기(70)와, 플라즈마 처리 장치(10) 내의 스테이지(ST) 상에 재치되는 모니터 장치(100)를 구비한다. 모니터 장치(100)는, 베이스 기판(110)과, 복수의 촬상 장치(130)와, 컴퓨터(88)를 포함한다. 복수의 촬상 장치(130)는, 베이스 기판(110) 상에 있어서 상방을 촬상하도록 서로 이간되어 배치되며, 레이저광(70L)이 조사된 파티클(P)로부터의 산란광을 포함하는 화상을 촬상한다. 컴퓨터(88)는, 복수의 촬상 장치(130)에 의하여 촬상된 화상 내의 파티클(P)을 판별한다.
상기 파티클 모니터 시스템에서는, 스테이지(ST) 상에 재치된 모니터 장치(100)의 복수의 촬상 장치(130)에 의하여, 플라즈마 처리 장치(10) 내의 파티클(P)이 촬상된다. 복수의 촬상 장치(130)는, 베이스 기판(110) 상에 서로 이간되어 배치되어 있다. 그 때문에, 각각의 촬상 장치(130)에 의하여 촬상되는 촬상 범위(135)는, 서로 상이하다. 즉, 각각의 촬상 장치(130)는, 플라즈마 처리 장치(10) 내의 상이한 영역의 파티클(P)을 촬상할 수 있다. 따라서, 파티클 모니터 시스템에서는, 복수의 촬상 장치(130)에 의하여 촬상된 화상 내의 파티클(P)을 판별함으로써, 플라즈마 처리 장치(10) 내의 파티클(P)의 분포를 취득할 수 있다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 컴퓨터(88)는, 복수의 촬상 장치(130)에 의하여 촬상된 화상 내의 파티클(P)을 계수해도 된다. 이 구성에서는, 파티클(P)의 분포 패턴이 정량적으로 취득될 수 있다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 컴퓨터(88)는, 복수의 촬상 장치(130)에 의하여 촬상된 화상 내의 파티클(P)의 위치를 취득해도 된다. 이 구성에서는, 보다 상세한 파티클(P)의 분포 패턴이 취득될 수 있다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 컴퓨터(88)는, 복수의 촬상 장치(130)에 의하여 촬상된 화상 내의 파티클(P)의 사이즈를 취득해도 된다. 이 구성에서는, 파티클(P)의 사이즈의 분포를 취득할 수 있다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 플라즈마 처리 장치(10) 내에 있어서의 복수의 촬상 장치(130)의 각각의 촬상 범위(135)는, 서로 중복된 영역을 포함하지 않는다. 이 구성에서는, 파티클(P)이 중복하여 계수되는 것이 억제된다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 베이스 기판(110)의 둘레 가장자리 측에서는, 중심 측보다 촬상 장치(130)가 직경 방향으로 기밀해지도록 배치되어 있어도 된다. 이 구성에서는, 베이스 기판(110)의 둘레 가장자리의 상방에 있어서의 파티클이 관측되기 쉬워진다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 촬상 공정(스텝 ST3)은, 챔버(S) 내에 가스가 공급되어 있는 상태에서 실시되어도 된다. 이 구성에서는, 챔버(S) 내에 가스가 공급되어 있는 환경 하에 있어서의 파티클이 계수될 수 있다.
일 예시적 실시형태에 있어서, 촬상 공정(스텝 ST3)은, 챔버(S) 내에서 플라즈마가 생성되어 있는 상태에서 실시되어도 된다. 이 구성에서는, 플라즈마가 생성되어 있는 환경 하에 있어서의 파티클이 계수될 수 있다.
이상, 다양한 예시적 실시형태에 대하여 설명해 왔지만, 상술한 예시적 실시형태에 한정되지 않고, 다양한 생략, 치환, 및 변경이 이루어져도 된다.
플라즈마 처리 장치로서 용량 결합형 플라즈마 처리 장치를 예시했지만, 플라즈마 처리 장치의 형태는 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 플라즈마 처리 장치는, 유도 결합형 플라즈마 처리 장치여도 된다. 또, 플라즈마 처리 장치는, 마이크로파와 같은 표면파를 이용하여 플라즈마를 생성하는 플라즈마 처리 장치여도 된다.
베이스 기판 상에 있어서, 직경 방향의 소정 위치에, 둘레 방향으로 균등하게 촬상 장치가 배치되어 있는 예를 나타냈지만, 촬상 장치의 배치의 양태는 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 직경 방향에 있어서 중심으로부터의 거리가 커짐에 따라, 둘레 방향으로 배치되는 촬상 장치의 수를 증가시켜도 된다. 또, 촬상 장치는, 격자 모양으로 배치되도록, 베이스 기판 상을 XY 평면으로 하여, X방향 및 Y방향으로 균등하게 배치되어도 된다.
촬상된 화상 데이터가, 모든 촬상의 종료 후에, 컴퓨터(88)에 송신되는 예를 나타냈지만, 예를 들면, 촬상된 화상 데이터는, 촬상 장치(130)에 의한 촬상이 실행되고 있을 때에, 무선 통신 등에 의하여 실시간으로 컴퓨터(88)에 송신되어도 된다. 이 경우, 컴퓨터(88)는, 실시간으로 파티클을 계수해도 된다. 또, 촬상된 화상 데이터는, 모니터 장치(100)에 의한 촬상이 종료된 후에, 반송 장치(TU1, TU2)가 모니터 장치(100)를 스테이지(ST) 상으로부터 FOUP(4F)까지 반송할 때에, 무선 통신 등에 의하여 컴퓨터(88)에 송신되어도 된다. 또, 예를 들면, 모니터 장치(100)에 송신부가 마련되어 있으며, 스테이지(ST)에 수신부가 마련되어 있고, 모니터 장치(100)의 메모리(172)에 저장된 화상 데이터가 모니터 장치(100)의 송신부에서 스테이지(ST)의 수신부에 유선 또는 무선에 의하여 송신되어도 된다. 이 경우, 스테이지(ST)의 수신부는, 외부의 컴퓨터에 접속되어 있어도 된다.
미리 취득된 배경 화상과의 비교에 의하여 파티클(P)로부터의 산란광을 판별하는 예를 나타냈지만, 예를 들면, 레이저광의 파장의 광을 통과시키고, 또한, 플라즈마 발광의 파장의 광은 통과시키지 않는 파장 필터를 구비한 촬상 장치에 의하여 촬상을 실행해도 된다.
예를 들면, 촬상 장치(130)는, 제어 기판(120)에 만들어진 CCD 등의 이미지 센서여도 된다. 즉, 촬상 장치(130)는, 리소그래피 프로세스를 포함하는 반도체 제조 프로세스에 의하여, 제어 기판(120)에 만들어져도 된다.
촬상 장치(130)에 의하여 촬상된 화상의 파티클을 컴퓨터(88)가 카운트하는 예를 나타냈지만, 예를 들면, 모니터 장치(100)의 연산 장치(171)에 의하여 화상의 파티클이 카운트되어도 된다.
광을 조사하는 발광 장치로서 레이저 발진기(70)를 예시했지만, 예를 들면, 발광 장치는, LED(Light-Emitting Diode) 광원 등이어도 된다. 이 경우, LED 광원은, 모니터 장치(100)의 상면에 마련되고, 챔버(S)의 내부를 조사 가능하게 구성되어도 된다.
여기에서, 본 개시에 포함되는 다양한 예시적 실시형태를, 이하의 [E1]~[E5]에 기재한다.
[E1]
플라즈마 처리 장치 내의 파티클을 계측하는 시스템으로서,
플라즈마 처리 장치 내에 광을 조사하는 발광 장치와,
플라즈마 처리 장치 내의 스테이지 상에 재치되는 모니터 장치로서, 판 모양의 베이스 기판과, 상기 베이스 기판 상에 있어서 상방을 향한 광축을 갖고, 서로 이간되어 배치되며, 상기 광이 조사된 상기 파티클로부터의 산란광을 포함하는 화상을 촬상하는 복수의 촬상 장치를 포함하는 상기 모니터 장치와,
상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 상기 화상 내의 상기 파티클을 판별하는 제어 장치를 포함하는, 파티클 모니터 시스템.
[E2]
상기 발광 장치는, 상기 광으로서 레이저광을 조사하는 레이저 발진기인, E1에 기재된 파티클 모니터 시스템.
[E3]
상기 제어 장치는, 상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 상기 화상 내의 상기 파티클을 계수하는, E1 또는 E2에 기재된 파티클 모니터 시스템.
[E4]
상기 제어 장치는, 상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 상기 화상 내의 상기 파티클의 위치를 취득하는, E1 내지 E3 중 어느 한 항에 기재된 파티클 모니터 시스템.
[E5]
상기 제어 장치는, 상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 상기 화상 내의 상기 파티클의 사이즈를 취득하는, E1 내지 E4 중 어느 한 항에 기재된 파티클 모니터 시스템.
[E6]
플라즈마 처리 장치 내에 있어서의 상기 복수의 촬상 장치의 각각의 촬상 범위는, 서로 중복된 영역을 포함하지 않는, E1 내지 E5 중 어느 한 항에 기재된 파티클 모니터 시스템.
[E7]
모니터 장치를 이용하여 플라즈마 처리 장치 내의 파티클을 계측하는 방법으로서,
상기 모니터 장치는,
판 모양의 베이스 기판과,
상기 베이스 기판 상에 있어서 상방을 향한 광축을 갖고, 서로 이간되어 배치된 복수의 촬상 장치를 포함하고,
상기 방법은,
상기 플라즈마 처리 장치의 챔버 내의 스테이지 상에 모니터 장치를 재치하는 공정과,
상기 플라즈마 처리 장치의 챔버 내에 광을 조사하는 공정과,
상기 광이 조사된 상기 파티클로부터의 산란광을 상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상하는 공정과,
상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 화상 내의 상기 파티클을 판별하는 공정을 구비하는, 파티클 모니터 방법.
[E8]
상기 광을 조사하는 공정은, 상기 광으로서 레이저광을 조사하는, E7에 기재된 파티클 모니터 방법.
[E9]
상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상하는 공정은, 상기 챔버 내에 가스가 공급되어 있는 상태에서 실시되는, E7 또는 E8에 기재된 파티클 모니터 방법.
[E10]
상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상하는 공정은, 상기 챔버 내에서 플라즈마가 생성되어 있는 상태에서 실시되는, E7 또는 E8에 기재된 파티클 모니터 방법.
[E11]
플라즈마 처리 장치 내의 파티클을 계측하는 모니터 장치로서,
플라즈마 처리 장치 내에 광을 조사하는 발광 장치와,
플라즈마 처리 장치 내의 스테이지 상에 재치되는 판 모양의 베이스 기판과,
상기 베이스 기판 상에 있어서 상방을 향한 광축을 갖고, 서로 이간되어 배치되며, 상기 플라즈마 처리 장치 내에 입사된 광이 조사된 상기 파티클로부터의 산란광을 포함하는 화상을 촬상하는 복수의 촬상 장치와,
상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 상기 화상 내의 상기 파티클을 판별하는 제어 장치를 포함하는, 모니터 장치.
이상의 설명으로부터, 본 개시의 다양한 실시형태는, 설명의 목적으로 본 명세서에서 설명되어 있으며, 본 개시의 범위 및 주지로부터 벗어나지 않고 다양한 변경을 할 수 있는 것이, 이해될 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시한 다양한 실시형태는 한정하는 것을 의도하고 있지 않고, 실제 범위와 주지는, 첨부된 특허 청구의 범위에 의하여 나타난다.
10…플라즈마 처리 장치
70…레이저 발진기
88…컴퓨터(제어 장치)
100…모니터 장치
110…베이스 기판
130…촬상 장치

Claims (11)

  1. 플라즈마 처리 장치 내의 파티클을 계측하는 시스템으로서,
    플라즈마 처리 장치 내에 광을 조사하는 발광 장치와,
    플라즈마 처리 장치 내의 스테이지 상에 재치되는 모니터 장치로서, 판 모양의 베이스 기판과, 상기 베이스 기판 상에 있어서 상방을 향한 광축을 갖고, 서로 이간되어 배치되며, 상기 광이 조사된 상기 파티클로부터의 산란광을 포함하는 화상(畵像)을 촬상하는 복수의 촬상 장치를 포함하는 상기 모니터 장치와,
    상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 상기 화상 내의 상기 파티클을 판별하는 제어 장치를 포함하는, 파티클 모니터 시스템.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 장치는, 상기 광으로서 레이저광을 조사하는 레이저 발진기인, 파티클 모니터 시스템.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 상기 화상 내의 상기 파티클을 계수(計數)하는, 파티클 모니터 시스템.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 상기 화상 내의 상기 파티클의 위치를 취득하는, 파티클 모니터 시스템.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 상기 화상 내의 상기 파티클의 사이즈를 취득하는, 파티클 모니터 시스템.
  6. 청구항 1에 있어서,
    플라즈마 처리 장치 내에 있어서의 상기 복수의 촬상 장치의 각각의 촬상 범위는, 서로 중복된 영역을 포함하지 않는, 파티클 모니터 시스템.
  7. 모니터 장치를 이용하여 플라즈마 처리 장치 내의 파티클을 계측하는 방법으로서,
    상기 모니터 장치는,
    판 모양의 베이스 기판과,
    상기 베이스 기판 상에 있어서 상방을 향한 광축을 갖고, 서로 이간되어 배치된 복수의 촬상 장치를 포함하고,
    상기 방법은,
    상기 플라즈마 처리 장치의 챔버 내의 스테이지 상에 모니터 장치를 재치하는 공정과,
    상기 플라즈마 처리 장치의 챔버 내에 광을 조사하는 공정과,
    상기 광이 조사된 상기 파티클로부터의 산란광을 상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상하는 공정과,
    상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 화상 내의 상기 파티클을 판별하는 공정을 구비하는, 파티클 모니터 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 광을 조사하는 공정은, 상기 광으로서 레이저광을 조사하는, 파티클 모니터 방법.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상하는 공정은, 상기 챔버 내에 가스가 공급되고 있는 상태에서 실시되는, 파티클 모니터 방법.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상하는 공정은, 상기 챔버 내에서 플라즈마가 생성되고 있는 상태에서 실시되는, 파티클 모니터 방법.
  11. 플라즈마 처리 장치 내의 파티클을 계측하는 모니터 장치로서,
    플라즈마 처리 장치 내에 광을 조사하는 발광 장치와,
    플라즈마 처리 장치 내의 스테이지 상에 재치되는 판 모양의 베이스 기판과,
    상기 베이스 기판 상에 있어서 상방을 향한 광축을 갖고, 서로 이간되어 배치되며, 상기 플라즈마 처리 장치 내에 입사된 광이 조사된 상기 파티클로부터의 산란광을 포함하는 화상을 촬상하는 복수의 촬상 장치와,
    상기 복수의 촬상 장치에 의하여 촬상된 상기 화상 내의 상기 파티클을 판별하는 제어 장치를 포함하는, 모니터 장치.
KR1020237042594A 2021-05-13 2022-05-11 파티클 모니터 시스템, 파티클 모니터 방법 및 모니터 장치 KR20240007662A (ko)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011180015A (ja) 2010-03-02 2011-09-15 Tokyo Electron Ltd パーティクル数計測方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3317880B2 (ja) * 1997-07-25 2002-08-26 日本電気株式会社 パーティクルモニタ装置
JP3112002B2 (ja) * 1998-11-19 2000-11-27 日本電気株式会社 パーティクルモニタ装置
JP2009231562A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Tokyo Electron Ltd 観測用基板及び観測システム
JP6114129B2 (ja) * 2013-07-09 2017-04-12 株式会社ニューフレアテクノロジー パーティクル測定方法
JP6966858B2 (ja) * 2017-03-30 2021-11-17 倉敷紡績株式会社 性状測定装置及び性状測定方法
JP2019067942A (ja) * 2017-10-02 2019-04-25 国立研究開発法人産業技術総合研究所 材料評価装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011180015A (ja) 2010-03-02 2011-09-15 Tokyo Electron Ltd パーティクル数計測方法

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