KR20240034549A - 기판 처리 방법 - Google Patents

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유광성
김건종
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피에스케이 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은, 플라즈마를 이용하여 기판의 가장자리 영역을 처리하는 처리 단계; 및 상기 처리 단계에서 처리가 완료된 기판을 촬상하여 판정 대상 이미지를 획득하고, 상기 판정 대상 이미지와 데이터 베이스에 저장된 이미지를 비교하여, 상기 처리 단계에서 처리된 기판의 처리 불량 여부를 판정하는 판정 단계를 포함하되, 상기 데이터 베이스에 저장된 이미지는, 상기 판정 단계에서 불량으로 판정되어 상기 데이터 베이스에 기 저장된 기판의 불량 이미지일 수 있다.

Description

기판 처리 방법{A METHOD FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.
플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 매우 높은 온도나, 강한 전계(Electric fields) 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 이용하여 기판 상의 막질을 제거하는 애싱 또는 식각 공정을 포함한다. 애싱 또는 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 및 라디칼 입자들이 기판 상의 막질과 충돌 또는 반응함으로써 수행된다.
애싱 또는 식각 공정은 프로세스 챔버에서 수행된다. 프로세스 챔버에서 처리가 완료된 기판의 처리 불량 여부를 판정하기 위해서는 작업자가 수작업으로 기판을 확인해야 한다. 작업자가 기판을 일일이 확인하면, 확인 작업에 소요되는 시간이 증가하고, 작업자마다 기판의 불량 여부 판정의 기준이 상이하여, 판정의 객관성을 확보하기 어렵다.
또한, 프로세스 챔버에는 유전체로 이루어진 부품들이 설치된다. 이러한 부품들은 프로세스 챔버 내에 형성되는 플라즈마에 의해 기판에 대한 처리가 수행되는 과정에서 파손된다. 또한, 이러한 부품들에는 기판에 대한 처리가 수행되는 과정에서 발생하는 불순물(Byproduct)이 부착되고 증착된다. 부품들이 파손되거나 부품들에 불순물이 다량으로 부착되면, 작업자는 이상 있는 부품들에 대한 유지 보수 작업을 수행해야 한다. 그러나, 부품들에 불순물이 다량으로 부착되더라도, 사전에 이를 확인할 수 있는 방법은 전무하다. 부품들에 불순물이 다량으로 부착된 상태에서 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 경우, 기판 상에 형성된 막질을 요구되는 레시피에 따라 제거할 수 없다.
본 발명은 플라즈마를 이용하여 처리가 완료된 기판의 처리 불량 여부를 효율적으로 판정할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치에 포함되는 부품들의 교체 시기를 효율적으로 판정할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면들로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은, 플라즈마를 이용하여 기판의 가장자리 영역을 처리하는 처리 단계; 및 상기 처리 단계에서 처리가 완료된 기판을 촬상하여 판정 대상 이미지를 획득하고, 상기 판정 대상 이미지와 데이터 베이스에 저장된 이미지를 비교하여, 상기 처리 단계에서 처리된 기판의 처리 불량 여부를 판정하는 판정 단계를 포함하되, 상기 데이터 베이스에 저장된 이미지는, 상기 판정 단계에서 불량으로 판정되어 상기 데이터 베이스에 기 저장된 기판의 불량 이미지일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 판정 단계에서, 상기 판정 대상 이미지가 상기 불량 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하면, 상기 처리 단계에서의 처리가 불량한 것으로 판정할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 판정 대상 이미지가 상기 불량 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하면, 상기 판정 대상 이미지는 상기 데이터 베이스에 저장될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 판정 대상 이미지가 상기 불량 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하면, 상기 처리 단계를 수행하는 프로세스 챔버에 포함되는 부품에 대한 유지 보수 작업을 수행할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 프로세스 챔버는, 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛의 상측에서 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 중앙 영역과 마주보게 배치된 유전체 플레이트; 및 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 상기 가장자리 영역에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하고, 상기 부품은 유전체 플레이트를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 판정 대상 이미지가 상기 불량 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하여 상기 데이터 베이스에 상기 판정 대상 이미지가 저장될 때, 상기 판정 대상 이미지에 매칭되는 상기 유전체 플레이트의 현재 상태에 대한 데이터를 상기 데이터 베이스에 저장하고, 후속하는 상기 판정 대상 이미지가 상기 불량 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하는 것으로 판정되면, 후속하는 상기 판정 대상 이미지와 매칭되는 상기 데이터에 근거하여 상기 유전체 플레이트의 교체 시기를 판정할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 판정된 상기 교체 시기에 근거한 상기 유전체 플레이트의 교체 주기를 산출하고, 상기 교체 주기에 따라 상기 처리 단계에서 처리되는 기판의 설정 매수를 산출하고, 산출된 상기 설정 매수의 기판이 상기 처리 단계에서 처리되면 상기 유전체 플레이트를 교체할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 판정 단계에서는, 상기 판정 대상 이미지에 표시된 경계선과, 상기 불량 이미지에 표시된 경계선이 일치하는지 여부를 판정하되, 상기 경계선은, 상기 플라즈마에 의해 처리된 기판의 상기 가장자리 영역과 기판의 중앙 영역 사이에 있을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 처리 단계에서 상기 가장자리 영역이 처리된 기판은 로드락 챔버로 반송되고, 상기 판정 단계는 상기 로드락 챔버에서 수행될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 로드락 챔버에서는, 기판을 회전시키면서 기판의 가장자리 영역을 촬상하여 상기 판정 대상 이미지를 획득할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은, 지지 유닛에 지지된 기판의 가장자리 영역에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스, 그리고 상기 지지 유닛의 상측에서, 상기 지지 유닛과 마주보게 배치된 유전체 플레이트를 포함하는 프로세스 챔버에서 상기 플라즈마를 이용하여 기판의 상기 가장자리 영역을 처리하되, 상기 처리가 완료된 기판을 촬상하여 판정 대상 이미지를 획득하고, 상기 판정 대상 이미지와 데이터 베이스에 저장된 이미지가 일치하는지 여부를 판정하고, 상기 판정 대상 이미지가 상기 데이터 베이스에 저장된 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하면, 상기 유전체 플레이트에 대한 유지 보수 작업을 수행할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 데이터 베이스에 저장된 이미지는, 상기 유지 보수 작업이 필요하다고 판정되어 상기 데이터 베이스에 기 저장된 기판의 불량 이미지일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 판정 대상 이미지가 상기 불량 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하여 상기 데이터 베이스에 상기 판정 대상 이미지가 저장될 때, 상기 판정 대상 이미지에 매칭되는 상기 유전체 플레이트의 현재 상태에 대한 데이터를 상기 데이터 베이스에 저장하고, 후속하는 상기 판정 대상 이미지가 상기 불량 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하는 것으로 판정되면, 후속하는 상기 판정 대상 이미지와 매칭되는 상기 데이터에 근거하여 상기 유전체 플레이트의 교체 시기를 판정할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 판정된 상기 교체 시기에 근거하여, 상기 유전체 플레이트의 교체 주기를 산출할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 교체 주기에 따라 상기 플라즈마를 이용하여 처리되는 기판의 설정 매수를 산출하고, 산출된 상기 설정 매수의 기판이 처리되면 상기 유전체 플레이트를 교체할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 판정 대상 이미지와 상기 불량 이미지의 일치 여부는, 상기 판정 대상 이미지에 표시된 경계선과, 상기 불량 이미지에 표시된 경계선이 일치하는지 여부로 판정하되, 상기 경계선은, 상기 플라즈마에 의해 처리된 기판의 상기 가장자리 영역과 기판의 중앙 영역 사이에 있을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 플라즈마를 이용하여 처리가 완료된 기판의 처리 불량 여부를 효율적으로 판정할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치에 포함되는 부품들의 교체 시기를 효율적으로 판정할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치에 포함되는 부품들의 최적의 교체 주기를 설정할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 일 실시예에 따른 로드락 챔버를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1의 일 실시예에 따른 프로세스 챔버를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 플로우 차트이다.
도 5는 일 실시예에 따른 처리 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 처리 단계가 완료된 기판의 모습을 위에서 바라본 도면이다.
도 7은 일 실시예에 따른 불량 이미지를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8 내지 도 10은 판정 대상 이미지가 불량 이미지들과 비교되는 일 실시예들을 개략적으로 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 2는 도 1의 일 실시예에 따른 로드락 챔버를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 3은 도 1의 일 실시예에 따른 프로세스 챔버를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
이하에서는, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대해 설명한다.
기판 처리 장치(1)는 전방 단부 모듈(20, Equipment Front End Module)과 처리 모듈(30, Treating Module)을 가진다. 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)은 일 방향으로 배치된다.
이하에서는, 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)이 배치된 방향을 제1방향(11)이라 정의한다. 또한, 위에서 바라볼 때, 제1방향(11)과 수직한 방향을 제2방향(12)이라 정의하고, 제1방향(11) 및 제2방향(12)을 모두 포함한 평면에 수직한 방향을 제3방향(13)이라 정의한다. 예컨대, 제3방향(13)은 지면에 대해 수직한 방향일 수 있다.
전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(10, Load port)와 반송 프레임(21)을 가진다. 로드 포트(10)는 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 각각의 지지부(6)는 제2방향(12)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 각각의 지지부(6)에는 용기(4)가 안착될 수 있다. 일 실시예에 의한 용기(4)는 카세트 또는 FOUP 등을 포함할 수 있다. 용기(4)에는 후술하는 프로세스 챔버(60)에서 소정의 처리가 예정된 기판(W)과 프로세스 챔버(60)에서 소정의 처리가 완료된 기판(W)이 수납될 수 있다.
반송 프레임(21)은 로드 포트(10)와 처리 모듈(30)의 사이에 배치된다. 반송 프레임(21)은 내부 공간을 가진다. 반송 프레임(21)의 내부 공간은 대체로 대기압 분위기로 유지될 수 있다. 반송 프레임(21)의 내부에는 제1반송 로봇(25)과 반송 레일(27)이 배치된다. 제1반송 로봇(25)은 제2방향(12)과 수평한 길이 방향을 가지는 반송 레일(27) 상에서 전진 및 후진 이동하면서, 용기(4)와 처리 모듈(30) 간에 기판(W)을 반송한다.
일 실시예에 의한 처리 모듈(30)은 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 그리고 프로세스 챔버(60)를 포함할 수 있다.
로드락 챔버(40)는 전방 단부 모듈(20)에 인접하게 배치된다. 예컨대, 로드락 챔버(40)는 반송 프레임(21)과 트랜스퍼 챔버(50) 사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 복수 개 구비될 수 있다. 예컨대, 로드락 챔버(40)는 제2방향(12) 및 제3방향(13)으로 2×2의 배열로 구비될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 로드락 챔버(40)의 개수 및 배열은 다양하게 변경될 수 있다. 복수 개의 로드락 챔버(40)들의 구조는 대부분 동일 또는 유사하므로, 이하에서는 설명의 편의를 위해 복수 개의 로드락 챔버(40)들 중 어느 하나의 로드락 챔버(40)에 대해 설명한다.
로드락 챔버(40)는 하우징(410), 지지체(420), 비전 유닛(430), 그리고 분위기 전환 유닛(440)을 포함할 수 있다.
하우징(410)은 대체로 직육면체 형상을 가질 수 있다. 하우징(410)은 내부 공간을 가진다. 하우징(410)의 내부 공간은, 소정의 처리가 예정된 기판(W)이 프로세스 챔버(60)로 반송되기 이전, 또는 소정의 처리가 완료된 기판(W)이 용기(4)로 반송되기 이전에 대기하는 공간으로 기능한다. 하우징(410)의 일 측벽에는 반송 프레임(21)의 내부 공간과 연통하는 도어(미도시)가 형성된다. 또한, 하우징(410)의 일 측벽과 마주보는 타 측벽에는 후술하는 트랜스퍼 챔버(50)의 내부 공간과 연통하는 도어(미도시)가 형성된다. 또한, 하우징(410)의 상벽에는 광을 투과할 수 있는 투명한 재질로 이루어진 포트(412)가 형성된다.
지지체(420)는 하우징(410)의 내부 공간에 위치한다. 지지체(420)는 원판 형상을 가질 수 있다. 지지체(420)는 기판(W)보다 작은 직경을 가진다. 이에, 기판(W)의 가장자리 영역은 지지체(420)의 바깥에 위치할 수 있다. 지지체(420)의 상면에는 복수 개의 지지 핀(422)이 배치될 수 있다. 복수 개의 지지 핀(422)들은 기판(W)의 저면과 접촉하여, 기판(W)을 지지한다.
회전 축(424)은 로드(Rod) 형상을 가진다. 회전 축(424)의 일단은 지지체(420)의 하단에 결합되고, 회전 축(424)의 타단은 회전 구동기(426)와 연결된다. 회전 구동기(426)는 회전 축(424)을 회전시킨다. 회전 구동기(426)에 의해 회전 축(424)이 회전하면, 지지체(420)와 기판(W)이 함께 회전한다. 회전 구동기(426)는 공지된 모터 중 어느 하나일 수 있다.
비전 유닛(430)은 기판(W) 상에 패턴이 형성된 면을 촬상한다. 또한, 기판(W)의 가장자리 영역을 촬상한다. 보다 구체적으로, 비전 유닛(430)은 후술하는 프로세스 챔버(60)에서 처리가 완료된 기판(W)의 가장자리 영역을 촬상하여 이미지를 획득한다. 후술하는 바와 같이, 비전 유닛(430)이 획득한 이미지는 판정 대상 이미지로 정의될 수 있다.
비전 유닛(430)은 하우징(410)의 상벽에 설치된 브라켓(432)과 결합된다. 이에, 비전 유닛(430)은 브라켓(432)을 매개로 하우징(410)에 결합될 수 있다. 비전 유닛(430)의 촬상 경로 상에는, 전술한 포트(412)가 위치한다. 비전 유닛(430)은 초점이 자동 조정되는 공지된 카메라 모듈일 수 있다. 지지체(420)가 회전하는 동안, 비전 유닛(430)은 기판(W)의 가장자리 전 영역을 촬상할 수 있다.
분위기 전환 유닛(440)은 하우징(410)의 내부 공간의 분위기를 전환시킬 수 있다. 예컨대, 분위기 전환 유닛(440)은 하우징(410)의 내부 공간의 분위기를 대기압과 진공압 사이에서 전환시킬 수 있다. 분위기 전환 유닛(440)은 가스 공급 라인(442) 및 가스 배출 라인(444)을 포함할 수 있다.
가스 공급 라인(442)은 하우징(410)의 내부 공간에 가스를 공급한다. 예컨대, 가스 공급 라인(442)은 비활성 가스를 공급할 수 있다. 또한, 가스 배출 라인(444)은 하우징(410)의 내부 공간의 분위기를 배기한다. 가스 배출 라인(444)에는 도시되지 않은 펌프(미도시)가 설치된다. 펌프(미도시)는 가스 배출 라인(444) 내부에 음압을 가하여, 하우징(410)의 내부 공간의 분위기를 배기할 수 있다.
트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)와 프로세스 챔버(60) 간에 기판(W)을 반송한다. 트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 다각형의 몸체를 가질 수 있다. 로드락 챔버(40)와 복수 개의 프로세스 챔버(60)들은 트랜스퍼 챔버(50)의 몸체의 둘레를 따라 배치될 수 있다.
트랜스퍼 챔버(50)의 내부는 대체로 진고압 분위기로 유지될 수 있다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부에는 제2반송 로봇(55)이 배치된다. 제2반송 로봇(55)은 로드락 챔버(40)와 프로세스 챔버(60)들 간에 기판(W)을 반송한다. 또한, 제2반송 로봇(55)은 프로세스 챔버(60)들 간에 기판(W)을 반송할 수 있다. 보다 구체적으로, 제2반송 로봇(55)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미 처리된 기판(W)을 프로세스 챔버(60)로 반송하거나, 프로세스 챔버(60)에서 소정의 처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(40)로 반송한다.
프로세스 챔버(60)에서는 기판(W)에 대한 처리 공정이 수행될 수 있다. 프로세스 챔버(60)는 복수 개 구비될 수 있다. 프로세스 챔버(60)들에서 수행되는 처리 공정은 각각 상이할 수 있다. 이하에서는, 프로세스 챔버(60)들 중 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 프로세스 챔버(60)를 예로 들어 설명한다.
보다 구체적으로, 프로세스 챔버(60)들 중 기판(W)의 가장자리 영역 상의 막질을 제거하는 베벨 에치(Bevel Etch) 공정을 수행하는 프로세스 챔버(60)를 예로 들어 설명한다. 막질은 폴리 실리콘 막, 산화막, 그리고 실리콘 질화막 등 다양한 종류의 막을 포함할 수 있다. 선택적으로, 막질은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다. 막질은 기판을 처리하는 과정에서 발생되는 불순물(Byproduct)일 수 있다. 선택적으로, 막질은 기판의 상면과 하면에 부착 및/또는 잔류하는 불순물일 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 이하에서 설명하는 프로세스 챔버(60)는 기판(W)을 처리하는 다양한 공정을 수행하는 챔버에 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다. 또한, 이하에서 설명하는 프로세스 챔버(60)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리하는 다양한 챔버에 동일 또는 유사하게 적용될 수 있다.
프로세스 챔버(60)는 하우징(610), 지지 유닛(620), 유전체 플레이트(640), 그리고 상부 전극 유닛(650)을 포함할 수 있다.
하우징(610)은 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간(601)을 가진다. 하우징(610)은 대체로 육면체 형상을 가질 수 있다. 또한, 하우징(610)은 접지될 수 있다. 하우징(610)의 일 측벽에는 기판(W)이 반출입되는 개구(미도시)가 형성될 수 있다.
지지 유닛(620)은 처리 공간(601)에 위치하고, 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(620)은 지지 플레이트(621), 절연 링(623), 그리고 하부 엣지 전극(625)을 포함할 수 있다.
지지 플레이트(621)의 상면에는 기판(W)이 안착된다. 지지 플레이트(621)는 위에서 바라볼 때, 대체로 원 형상을 가진다. 또한, 지지 플레이트(621)는 기판(W)보다 작은 직경을 가질 수 있다.
지지 플레이트(621)의 하단에는 지지 축(627)이 결합된다. 지지 축(627)은 상하의 길이 방향을 가진다. 지지 축(627)의 일단은 지지 플레이트(621)의 하단에 결합되고, 타단은 축 구동기(629)와 연결된다. 축 구동기(629)는 지지 축(627)을 상하 방향으로 이동시키고, 이에 따라 지지 플레이트(621)와 기판(W)은 상하 방향으로 이동된다.
전원부(630)는 지지 플레이트(621)에 전력을 인가한다. 전원부(630)는 전원(632), 정합기(634), 그리고 전원 라인(636)을 포함할 수 있다. 전원(632)은 지지 플레이트(621)에 바이어스 전압 또는 고주파 전압을 인가할 수 있다. 전원(632)은 전원 라인(636)을 매개로 지지 플레이트(621)와 전기적으로 연결된다. 정합기(634)는 전원 라인(636)에 설치되어, 임피던스를 매칭시킬 수 있다.
절연 링(623)은 링 형상을 가진다. 절연 링(623)은 지지 플레이트(621)와 후술하는 하부 엣지 전극(625) 사이에 배치된다. 보다 구체적으로, 절연 링(623)은 지지 플레이트(621)의 외주면을 감싸도록 배치된다. 일 실시예에 의하면, 절연 링(623)은 절연성의 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 절연 링(623)은 상면이 단차지게 형성될 수 있다. 예컨대, 절연 링(623)은, 그 내측 영역의 상면 높이가, 외측 영역의 상면 높이보다 높도록 단차질 수 있다. 또한, 절연 링(623)의 내측 영역의 상면은 지지 플레이트(621)의 상면과 동일한 높이에 위치할 수 있다.
하부 엣지 전극(625)은 링 형상을 가진다. 하부 엣지 전극(625)은 절연 링(623)의 외주면을 감싸도록 배치된다. 하부 엣지 전극(625)은 위에서 바라볼 때, 지지 플레이트(621)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역에 배치된다. 즉, 하부 엣지 전극(625)은 지지 플레이트(621)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역 하측에 위치한다. 또한, 하부 엣지 전극(625)의 상면은 절연 링(623)의 외측 영역의 상면과 동일한 높이에 위치할 수 있다. 하부 엣지 전극(625)은 접지될 수 있다.
유전체 플레이트(640)는 원판 형상의 유전체(Dielectric substance)일 수 있다. 유전체 플레이트(640)는 지지 플레이트(621)의 상측에서, 지지 플레이트(621)와 마주보게 배치된다. 이에, 유전체 플레이트(640)의 하면과 지지 플레이트(621)에 지지된 기판(W)의 상면은 대향된다. 유전체 플레이트(640)는 상부 전극 유닛(650)의 하단에 결합한다.
상부 전극 유닛(650)은 지지 유닛(620)의 상측에 배치된다. 상부 전극 유닛(650)은 유전체 플레이트(640)를 감싸도록 배치된다. 보다 구체적으로, 상부 전극 유닛(650)은 유전체 플레이트(640)의 측단과 상단을 감쌀 수 있다.
상부 전극 유닛(650)은 상부(upper portion)와 하부(lower portion)으로 구성될 수 있다. 상부 전극 유닛(650)의 상부는 원판 형상을 가질 수 있다. 또한, 상부 전극 유닛(650)의 하부는 상부로부터 아래 방향으로 돌출되게 형성되고, 링 형상을 가질 수 있다. 상부 전극 유닛(650)의 하부는 전술한 유전체 플레이트(640)의 외주면을 감싸도록 배치될 수 있다. 상부 전극 유닛(650)의 하부는 하부 엣지 전극(625)의 상측에서, 하부 엣지 전극(625)과 마주보게 배치된다. 이에, 상부 전극 유닛(650)의 하부는 지지 플레이트(621)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역의 상측에 위치한다. 상부 전극 유닛(650)의 하부는 하부 엣지 전극(625)의 대향 전극으로 기능할 수 있다.
또한, 상부 전극 유닛(650) 하부의 내주면은 유전체 플레이트(640)의 외주면과 일정 거리 이격되게 배치될 수 있다. 이격 공간에는 가스 라인(660)이 연결된다. 이격 공간은 위에서 바라볼 때, 지지 플레이트(621)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역과 중첩된다. 가스 라인(660)은 처리 공간(601)으로 가스를 공급한다. 처리 공간으로 공급되는 가스는 플라즈마로 여기되는 가스일 수 있다.
제어기(90)는 기판 처리 장치(1)를 제어할 수 있다. 제어기(90)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록, 기판 처리 장치(1)에 포함되는 구성들을 제어할 수 있다. 제어기(90)는 기판 처리 장치(1)의 제어를 실행하는 마이크로 프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치(1)를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(1)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 처리 레시피 또는 이미지 등을 저장하는 데이터 베이스와, 기판 처리 장치(1)에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 저장된 이미지와 획득된 이미지 간의 일치 여부를 판정하는 매칭 프로그램을 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 데이터 베이스는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 이하에서 설명하는 기판 처리 방법은 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 기판 처리 장치(1)에서 수행되므로, 도 1 내지 도 3에서 인용한 참조 부호는 이하에서 동일하게 인용한다.
도 4는 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 플로우 차트이다. 도 5 와 도 6은 각각 일 실시예에 따른 처리 단계를 수행하는 기판 처리 장치와, 처리 단계가 수행된 기판의 모습을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4를 참조하면, 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은, 처리 단계(S10), 반송 단계(S20), 그리고 판정 단계(S30)를 포함할 수 있다. 처리 단계(S10), 반송 단계(S20), 그리고 판정 단계(S30)는 시계열의 순서대로 수행될 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 처리 단계(S10)는 프로세스 챔버(60)에서 수행된다. 처리 단계(S10)에서는, 플라즈마를 이용하여 기판(W)의 가장자리 영역에 형성된 막질을 제거할 수 있다.
처리 단계(S10)에서, 가스 라인(660)을 통해 기판(W)의 가장자리 영역으로 가스를 공급한다. 고주파 전력이 인가되거나, 바이어스 전력이 인가되는 지지 플레이트(621), 접지된 하부 엣지 전극(625), 그리고 접지된 상부 전극 유닛(650)은 서로 전기적으로 상호 작용함으로써, 기판(W)의 가장자리 영역에 전계(Electronic field)를 형성한다. 기판(W)의 가장자리 영역에 형성된 전계에 의해 기판(W)의 가장자리 영역으로 공급된 가스는 기판(W)의 가장자리 영역에서 플라즈마(P)로 여기될 수 있다. 기판(W)의 가장자리 영역에 형성된 플라즈마(P)는 기판(W)의 가장자리 영역에 형성된 막질을 제거할 수 있다. 이에, 일 실시예에 의한 지지 플레이트(621), 하부 엣지 전극(625), 그리고 상부 전극 유닛(650)은 플라즈마 소스로 기능한다.
도 4 및 도 6을 참조하면, 처리 단계(S10)에서는 기판(W)의 가장자리 영역에 플라즈마를 발생시켜 기판(W)의 가장자리 영역에 형성된 막질을 제거하므로, 기판(W)의 가장자리 영역과 기판(W)의 중앙 영역 사이의 단차가 발생할 수 있다. 이에, 처리 단계(S10)가 완료된 기판(W)의 중앙 영역과 가장자리 영역 사이에는 경계선(L)이 표시될 수 있다.
처리 단계(S10)에서 처리가 완료된 기판(W)이 양품(良品)인 경우, 경계선(L)은 기판(W)의 가장자리 둘레를 따라 매끄럽게 표시될 수 있다. 즉, 처리 단계(S10)에서, 기판(W)의 가장자리 영역에 형성된 막질이 양호하게 제거되면, 경계선(L)이 대체로 곡률원(曲率圓) 또는 원 형태로 표시될 수 있다. 이에 반해, 유전체 플레이트(640)에 불순물(Byproduct)이 다량으로 부착되거나, 유전체 플레이트(640)가 플라즈마에 의해 파손되거나, 프로세스 챔버(60)에 포함되는 구성들 중 일부가 파손된 경우, 기판(W)의 가장자리 영역에 형성된 막질이 양호하게 제거되지 못한다. 이러한 경우, 처리가 완료된 기판(W)에 표시된 경계선(L)은 곡률원 또는 원 형태로 표시되지 않고, 굴곡지게 표시된다.
도 4를 참조하면, 또한, 반송 단계(S20)는 처리가 완료된 기판(W)을 프로세스 챔버(60)에서 로드락 챔버(40)로 반송한다. 보다 구체적으로, 제2반송 로봇(55)은 프로세스 챔버(60)에서 처리가 완료된 기판(W)을 인출하여 로드락 챔버(40)로 반송한다. 로드락 챔버(40)에 반송된 기판(W)은 복수 개의 지지 핀(422)들에 의해 지지될 수 있다.
도 7은 일 실시예에 따른 불량 이미지를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 8는 처리가 완료된 기판이 양품으로 판정되는 경우를 보여주는 일 실시예를 보여주는 도면이다. 도 9와 도 10은 처리가 완료된 기판이 불량으로 판정되는 경우를 보여주는 일 실시예들을 보여주는 도면이다.
이하에서는, 도 4, 그리고 도 7 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 판정 단계에 대해 설명한다.
판정 단계(S30)에서는 처리가 완료된 기판(W)의 처리 불량 여부를 판정한다. 또한, 판정 단계(S30)에서는, 유전체 플레이트(640)의 교체 시기를 판정한다.
판정 단계(S30)는 로드락 챔버(40)에서 수행된다. 비전 유닛(430)은 지지 핀(422)에 의해 지지된 기판(W)을 촬상한다. 보다 구체적으로, 비전 유닛(430)은 처리 단계(S10)에서 처리가 완료된 기판(W)을 촬상한다(S310). 비전 유닛(430)은 기판(W)의 가장자리 영역을 촬상하여 판정 대상 이미지를 획득한다.
일 실시예에 의하면, 비전 유닛(430)이 획득하는 판정 대상 이미지는 기판(W)의 가장자리 전 영역 중 일부 영역일 수 있다. 처리가 완료된 기판(W)마다, 비전 유닛(430)이 획득하는 판정 대상 이미지는 복수 개일 수 있다. 예컨대, 비전 유닛(430)은 회전하는 기판(W)을 촬상할 수 있다. 이에 따라, 비전 유닛(430)은 회전하는 기판(W)의 가장자리 전 영역 중 일부 영역을 촬상하는 작업을 반복 수행하여, 기판(W)의 가장자리 전 영역에 대한 복수 개의 판정 대상 이미지를 획득할 수 있다.
비전 유닛(430)은 획득한 판정 대상 이미지를 제어기(90)에 전송한다. 제어기(90)는 판정 대상 이미지와, 데이터 베이스에 기 저장된 복수의 불량 이미지들을 비교한다(S320). 보다 구체적으로, 제어기(90)는 판정 대상 이미지에 표시된 경계선과, 데이터 베이스에 기 저장된 복수의 불량 이미지들에 표시된 경계선들의 일치 여부를 비교한다.
일 실시예에 의한 불량 이미지는, 판정 단계(S30)에서 불량으로 판정되어 데이터 베이스에 저장된 선행하는 기판(W)의 이미지일 수 있다. 초기의 불량 이미지들은, 작업자가 수작업으로 선별하여 데이터 베이스에 저장할 수 있다. 또한, 초기의 불량 이미지들은, 처리 단계(S10)에서 양품으로 판정된 기판(W)의 이미지를 기준 이미지로 하고, 기준 이미지와 판정 대상 이미지를 서로 비교하여 기준 이미지와 일치하지 않는 판정 대상 이미지를 데이터 베이스에 선별적으로 저장하여 초기의 불량 이미지들을 수집할 수 있다. 또한, 어느 정도의 초기 불량 이미지들을 수집한 경우, AI를 통한 딥 러닝 방식으로 후속되는 불량 이미지들에 대한 자료를 확장할 수 있다.
상술한 바와 같이, 처리 단계(S10)에서 기판(W)의 가장자리 영역에 형성된 막질이 양호하게 제거되지 못한 경우, 처리가 완료된 기판(W)에 표시되는 경계선은 굴곡지게 표시된다. 즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 불량 이미지(FI)의 경계선(FL)은 일정한 직경을 가지는 원의 일부 또는 곡률원의 일부의 형태로 표시되지 않고, 굴곡지게 표시된다.
전술한 내용에 이어서, 판정 대상 이미지에 표시된 경계선과 데이터 베이스에 기 저장된 복수의 불량 이미지들에 표시된 경계선들을 각각 비교한다.
판정 대상 이미지에 표시된 경계선이, 데이터 베이스에 기 저장된 복수의 불량 이미지들에 표시된 경계선들 모두와 불일치하는 경우, 기판(W)은 양품(良品)으로 판정되어 로드락 챔버(40)로부터 반출된다(S330). 반출된 기판(W)은 용기(4)에 수납된다.
상술한 바와 같이, 어느 하나의 기판(W)에서 획득되는 판정 대상 이미지는 복수 개일 수 있다. 이에, 어느 하나의 기판(W)에서 획득된 복수 개의 판정 대상 이미지들 모두가, 데이터 베이스에 기 저장된 복수의 불량 이미지들에 표시된 경계선들 모두와 불일치하면, 제어기(90)는 처리 단계(S10)에서 처리가 완료된 기판(W)이 양품인 것으로 판정할 수 있다. 기판(W)이 양품으로 판정되면, 해당 기판(W)은 로드락 챔버(40)로부터 반출된다. 예컨대, 도 8에 도시된 바와 같이, 판정 대상 이미지(I)에 표시된 경계선(L, 실선)과 불량 이미지에 표시된 경계선(FL, 이점 쇄선)이 서로 불일치하므로, 해당 기판(W)은 로드락 챔버(40)로부터 반출될 수 있다. 도 8에서는 이해의 편의를 위해 하나의 불량 이미지에 표시된 경계선을 판정 대상 이미지에 표시된 경계선과 비교하는 예를 도시하였으나, 전술한 바와 같이, 복수의 불량 이미지에 표시된 각각의 경계선들과 판정 대상 이미지에 표시된 경계선을 각각 비교해야 하는 것은 자명하다.
상술한 바와 달리, 판정 대상 이미지에 표시된 경계선이, 복수의 불량 이미지들에 표시된 경계선들 중 적어도 하나 이상의 경계선과 일치하는 경우, 제어기(90)는 처리 단계(S10)에서의 기판(W)의 처리가 불량한 것으로 판정한다. 예컨대, 도 9에 도시된 바와 같이, 판정 대상 이미지(I)에 표시된 경계선(L, 실선)과 불량 이미지에 표시된 경계선(FL, 이점 쇄선)이 완벽히 일치하므로, 해당 기판(W)은 처리가 불량한 것으로 판정될 수 있다.
또한, 판정 대상 이미지에 표시된 경계선과, 불량 이미지에 표시된 경계선이 일부 영역에서 일치하는 경우, 제어기(90)는 처리 단계(S10)에서의 기판(W)의 처리가 불량한 것으로 판정할 수 있다. 예컨대, 도 10에 도시된 바와 같이, 판정 대상 이미지(I)에 표시된 경계선(L, 실선)과 불량 이미지에 표시된 경계선(FL, 이점 쇄선)이 일부 영역(A)에서만 일치하더라도, 해당 기판(W)은 처리가 불량한 것으로 판정될 수 있다.
판정 대상 이미지에 표시된 경계선과, 불량 이미지에 표시된 경계선이 일치하는 것으로 판정되면, 해당 판정 대상 이미지는 데이터 베이스에 저장된다(S340). 이에, 데이터 베이스에 저장된 판정 대상 이미지는, 불량 이미지로서 기능할 수 있다. 즉, 데이터 베이스에 저장된 판정 대상 이미지는, 후속하는 기판(W)으로부터 획득한 판정 대상 이미지와 비교되는 불량 이미지 중 어느 하나로 기능할 수 있다. 이에, 기판(W)에 대한 처리 불량 여부를 판정하는 동시에, 불량 이미지에 대한 데이터 베이스의 자료를 확장시켜 판정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 판정 대상 이미지에 표시된 경계선과, 불량 이미지에 표시된 경계선이 일치하는 것으로 판정되면, 제어기(90)는 품질 알람을 발생시킨다(S350). 품질 알람이 발생되면, 작업자는 해당 기판(W)을 파기할 수 있다. 선택적으로, 품질 알람이 발생하면, 제1반송 로봇(25)은 복수 개의 용기(4)들 중 폐기 대상 기판(W)이 수납되는 어느 하나의 용기(4)로 해당 기판(W)을 선별적으로 반송할 수 있다.
또한, 판정 대상 이미지에 표시된 경계선과, 불량 이미지에 표시된 경계선이 일치하는 것으로 판정되면, 프로세스 챔버(60)에 대한 유지 보수 작업을 수행할 수 있다(S360). 예컨대, 프로세스 챔버(60)에 포함되는 부품에 대한 유지 보수 작업을 수행할 수 있다. 일 실시예에 의한 부품은, 유전체 플레이트(640)일 수 있다. 또한, 일 실시예에 의한 부품은, 절연 링(623)일 수 있다. 이하에서는, 이해의 편의를 위해 부품이 유전체 플레이트(640)인 경우를 예로 들어 설명한다.
판정 대상 이미지에 표시된 경계선과, 불량 이미지에 표시된 경계선이 일치하는 것으로 판정되어, 해당 판정 대상 이미지가 데이터 베이스에 저장될 때, 해당 판정 대상 이미지에 매칭되는 유전체 플레이트(640)의 현재 상태에 대한 데이터를 데이터 베이스에 함께 저장할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 유전체 플레이트(640)의 현재 상태에 대한 데이터는 작업자가 직접 유전체 플레이트(640)의 현재 상태를 검측하고, 이에 대한 데이터(예컨대, 그레이드)를 데이터 베이스에 입력시킬 수 있다. 예컨대, 데이터는 숫자가 높을수록 유전체 플레이트(640)의 현재 상태가 양호하고, 숫자가 낮을수록 유전체 플레이트(640)의 현재 상태가 불량한지 여부에 대한 수치 범위의 표현일 수 있다.
다만, 이에 한정되지 않고, 불량으로 판정되어 데이터 베이스에 저장되는 판정 대상 이미지와 매칭되는 유전체 플레이트(640)의 현재 상태에 대한 데이터는 다양한 방식으로 변경될 수 있다. 예컨대, 유전체 플레이트(640)의 현재 상태에 대한 데이터는, 현재 프로세스 챔버(60) 내에 장착된 유전체 플레이트(640)의 이미지로 가시화되어 작업자에게 보여 질 수 있다.
프로세스 챔버(60)에서 후속 기판(W)이 처리된 이후, 로드락 챔버(40)로 반송되어 판정 단계(S30)를 수행할 수 있다. 후속 기판(W)으로부터 획득된 판정 대상 이미지가 데이터 베이스에 저장된 불량 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하는 것으로 판정되면, 제어기(90)는 후속하는 판정 대상 이미지와 매칭되는 데이터(예컨대, 그레이드)를 작업자에게 전달할 수 있다. 이 경우, 작업자는 전달받은 데이터에 근거하여 유전체 플레이트(640)의 현재 상태를 파악하고, 유전체 플레이트(640)에 대한 유지 보수 작업 수행 여부를 결정할 수 있다. 또한, 작업자는 전달받은 데이터에 근거하여 유전체 플레이트(640)의 교체 시기를 판정할 수 있다.
또한, 제어기(90)는 전달받은 데이터에 따른 유전체 플레이트(640)의 교체 시기에 근거하여, 유전체 플레이트(640)의 교체 주기를 산출할 수 있다. 산출된 유전체 플레이트(640)의 교체 주기에 따라, 프로세스 챔버(60)에서 처리되는 기판(W)의 설정 매수를 산출할 수 있다. 즉, 1주기당 프로세스 챔버(60)에서 처리될 수 있는 기판(W)의 평균 매수를 산출할 수 있다. 유전체 플레이트(640)가 교체된 이후, 프로세스 챔버(60)에서 설정 매수의 기판(W)이 처리되면, 제어기(90)는 알람 또는 인터락을 발생시킨다. 이에, 작업자는 유전체 플레이트(640)를 즉시 교체할 수 있다.
상술한 실시예에 의하면, 기판(W)에 대한 처리 불량 여부를 판정할 때, 이와 동시에 불량 이미지에 대한 데이터 베이스의 자료를 보다 용이하게 확장시킬 수 있다. 불량 이미지에 대한 데이터 베이스의 자료를 확장시킴으로써, 처리가 완료된 기판(W)의 처리 불량 여부의 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 내플라즈마성이 상대적으로 약한 유전체 플레이트(640) 등에 대한 적절한 교체 시기 및 교체 주기를 판정할 수 있다. 이에, 기판(W) 처리의 수율을 보다 향상시킬 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
로드 포트: 10
전방 단부 모듈: 20
처리 모듈: 30
로드락 챔버: 40
프로세스 챔버: 60
지지체: 420
비전 유닛: 430
지지 유닛: 620
하부 엣지 전극: 625
유전체 플레이트: 640
상부 전극 유닛: 650
가스 공급 유닛: 660
처리 단계: S10
판정 단계: S30
판정 대상 이미지: I
불량 이미지: FI

Claims (16)

  1. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    플라즈마를 이용하여 기판의 가장자리 영역을 처리하는 처리 단계; 및
    상기 처리 단계에서 처리가 완료된 기판을 촬상하여 판정 대상 이미지를 획득하고, 상기 판정 대상 이미지와 데이터 베이스에 저장된 이미지를 비교하여, 상기 처리 단계에서 처리된 기판의 처리 불량 여부를 판정하는 판정 단계를 포함하되,
    상기 데이터 베이스에 저장된 이미지는,
    상기 판정 단계에서 불량으로 판정되어 상기 데이터 베이스에 기 저장된 기판의 불량 이미지인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 판정 단계에서,
    상기 판정 대상 이미지가 상기 불량 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하면, 상기 처리 단계에서의 처리가 불량한 것으로 판정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 판정 대상 이미지가 상기 불량 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하면, 상기 판정 대상 이미지는 상기 데이터 베이스에 저장되는 기판 처리 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 판정 대상 이미지가 상기 불량 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하면, 상기 처리 단계를 수행하는 프로세스 챔버에 포함되는 부품에 대한 유지 보수 작업을 수행하는 기판 처리 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버는,
    기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 지지 유닛의 상측에서 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 중앙 영역과 마주보게 배치된 유전체 플레이트; 및
    상기 지지 유닛에 지지된 기판의 상기 가장자리 영역에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하고,
    상기 부품은 유전체 플레이트를 포함하는 기판 처리 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 판정 대상 이미지가 상기 불량 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하여 상기 데이터 베이스에 상기 판정 대상 이미지가 저장될 때, 상기 판정 대상 이미지에 매칭되는 상기 유전체 플레이트의 현재 상태에 대한 데이터를 상기 데이터 베이스에 저장하고,
    후속하는 상기 판정 대상 이미지가 상기 불량 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하는 것으로 판정되면, 후속하는 상기 판정 대상 이미지와 매칭되는 상기 데이터에 근거하여 상기 유전체 플레이트의 교체 시기를 판정하는 기판 처리 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    판정된 상기 교체 시기에 근거한 상기 유전체 플레이트의 교체 주기를 산출하고,
    상기 교체 주기에 따라 상기 처리 단계에서 처리되는 기판의 설정 매수를 산출하고, 산출된 상기 설정 매수의 기판이 상기 처리 단계에서 처리되면 상기 유전체 플레이트를 교체하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 판정 단계에서는,
    상기 판정 대상 이미지에 표시된 경계선과, 상기 불량 이미지에 표시된 경계선이 일치하는지 여부를 판정하되,
    상기 경계선은, 상기 플라즈마에 의해 처리된 기판의 상기 가장자리 영역과 기판의 중앙 영역 사이에 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 단계에서 상기 가장자리 영역이 처리된 기판은 로드락 챔버로 반송되고,
    상기 판정 단계는 상기 로드락 챔버에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 로드락 챔버에서는, 기판을 회전시키면서 기판의 가장자리 영역을 촬상하여 상기 판정 대상 이미지를 획득하는 기판 처리 방법.
  11. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    지지 유닛에 지지된 기판의 가장자리 영역에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스, 그리고 상기 지지 유닛의 상측에서, 상기 지지 유닛과 마주보게 배치된 유전체 플레이트를 포함하는 프로세스 챔버에서 상기 플라즈마를 이용하여 기판의 상기 가장자리 영역을 처리하되,
    상기 처리가 완료된 기판을 촬상하여 판정 대상 이미지를 획득하고, 상기 판정 대상 이미지와 데이터 베이스에 저장된 이미지가 일치하는지 여부를 판정하고,
    상기 판정 대상 이미지가 상기 데이터 베이스에 저장된 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하면, 상기 유전체 플레이트에 대한 유지 보수 작업을 수행하는 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 데이터 베이스에 저장된 이미지는,
    상기 유지 보수 작업이 필요하다고 판정되어 상기 데이터 베이스에 기 저장된 기판의 불량 이미지인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 판정 대상 이미지가 상기 불량 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하여 상기 데이터 베이스에 상기 판정 대상 이미지가 저장될 때, 상기 판정 대상 이미지에 매칭되는 상기 유전체 플레이트의 현재 상태에 대한 데이터를 상기 데이터 베이스에 저장하고,
    후속하는 상기 판정 대상 이미지가 상기 불량 이미지들 중 적어도 어느 하나와 일치하는 것으로 판정되면, 후속하는 상기 판정 대상 이미지와 매칭되는 상기 데이터에 근거하여 상기 유전체 플레이트의 교체 시기를 판정하는 기판 처리 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    판정된 상기 교체 시기에 근거하여, 상기 유전체 플레이트의 교체 주기를 산출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 교체 주기에 따라 상기 플라즈마를 이용하여 처리되는 기판의 설정 매수를 산출하고, 산출된 상기 설정 매수의 기판이 처리되면 상기 유전체 플레이트를 교체하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  16. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 판정 대상 이미지와 상기 불량 이미지의 일치 여부는, 상기 판정 대상 이미지에 표시된 경계선과, 상기 불량 이미지에 표시된 경계선이 일치하는지 여부로 판정하되,
    상기 경계선은, 상기 플라즈마에 의해 처리된 기판의 상기 가장자리 영역과 기판의 중앙 영역 사이에 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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