KR20230169991A - 유체 핸들링 시스템, 방법 및 리소그래피 장치 - Google Patents

유체 핸들링 시스템, 방법 및 리소그래피 장치 Download PDF

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KR20230169991A
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코르넬리우스 마리아 랍스
지오반니 루카 가토비지오
에릭 헨리쿠스 에기디우스 카타리나 유멜렌
덴 베르그 데니스 반
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

리소그래피 장치용 유체 핸들링 시스템이 개시되며, 유체 핸들링 시스템은 리소그래피 장치 내의 투영 시스템의 일부와 기판의 표면 사이의 액체 제한 공간에 침지 액체를 제한시키도록 구성되며, 그에 의하여 투영 시스템으로부터 투영된 방사선 빔이 침지 액체를 통과함으로써 기판의 표면을 조사할 수 있고, 유체 핸들링 시스템은 유입구 측과 배출구 측을 가지며, 유입구 측에서 배출구 측으로의 유체 흐름에 의해 액체 제한 공간으로부터의 침지 액체를 추출하도록 배열된 액체 추출 부재; 및 배출구 측이 액체 제한 공간과 다른 소스로부터의 액체를 받아들이도록 배열된, 액체 추출 부재의 배출구 측에 대한 추가 액체 공급부를 포함한다.

Description

유체 핸들링 시스템, 방법 및 리소그래피 장치
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2021년 4월 15일에 출원된 EP 출원 21168491.5의 우선권을 주장하며, 이 출원은 원용에 의해 전체적으로 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 유체 핸들링 시스템 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 리소그래피 장치에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 원하는 패턴을 기판 상으로 적용시키도록 구성된 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 패터닝 디바이스 (예를 들어, 마스크)의 패턴 (흔히 "디자인 레이아웃" 또는 "디자인"으로도 지칭됨)을 기판 (예를 들어, 웨이퍼) 상에 제공된 방사선 감응 재료 (레지스트)의 층 상으로 투영시킬 수 있다. 공지된 리소그래피 장치는, 한 번에 전체 패턴을 타겟 부분 상으로 노출시킴으로써 각 타겟 부분이 조사되는 소위 스테퍼 및 주어진 방향 ("스캐닝"-방향)으로 방사선 빔을 통해 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향에 평행하게 또는 역-평행하게 기판을 동시에 스캐닝함으로써 각 타겟 부분이 조사되는 소위 스캐너를 포함한다.
반도체 제조 공정이 계속 발전함에 따라, 통상적으로 "무어(Moore)의 법칙"으로 지칭되는 추세에 따라 회로 요소의 치수는 지속적으로 감소되고 있는 반면, 디바이스마다 트랜지스터와 같은 기능적 요소들의 양은 수십 년 동안 꾸준히 증가하고 있다. 무어의 법칙을 따라가기 위해 반도체 산업은 갈수록 더 작은 피처의 생성을 가능하게 하는 기술을 추구하고 있다. 패턴을 기판 상에 투영하기 위하여, 리소그래피 장치는 전자기 방사선을 이용할 수 있다. 이 방사선의 파장은 기판에 패터닝된 피처의 최소 크기를 결정한다. 현재 사용되고 있는 전형적인 파장은 365㎚ (i-라인), 248㎚, 193㎚ 및 13.5㎚이다.
노광 동안, 상대적으로 높은 굴절률을 갖는 침지 유체, 예를 들어 물을 기판 상에 제공함으로써 더 작은 피처의 분해능의 추가 개선이 달성될 수 있다. 노광 방사선이 가스에서보다 유체에서 더 짧은 파장을 가질 것이기 때문에 침지 유체의 효과는 더 작은 피처의 이미징을 가능하게 하는 것이다. 침지 유체의 효과는 또한 시스템의 유효 개구수(NA)를 증가시키고 또한 초점 심도를 증가시키는 것으로 간주될 수 있다.
침지 유체는 유체 핸들링 구조체에 의하여 리소그래피 장치의 투영 시스템과 기판 사이의 국부적인 영역에 제한될 수 있다. 침지 유체의 흐름은 리소그래피 장치의 작동 중에 적절하게 제어될 필요가 있다.
리소그래피 장치 구성 요소의 처리량을 증가시킬 일반적인 필요성이 있다. 이는 리소그래피 장치 내에서의 침지 유체의 흐름을 적절하게 제어하기 위한 새로운 기술을 필요로 한다.
본 발명의 목적은 처리량을 증가시키고 및/또는 기판 상의 결함을 감소시키기 위한 조치를 취하는 유체 핸들링 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 양태에 따르면, 리소그래피 장치용 유체 핸들링 시스템이 제공되며, 유체 핸들링 시스템은 리소그래피 장치 내의 투영 시스템의 일부와 기판의 표면 사이의 액체 제한 공간에 침지 액체를 제한시키도록 구성되며, 그에 의하여 투영 시스템으로부터 투영된 방사선 빔이 침지 액체를 통과함으로써 기판의 표면을 조사할 수 있고, 본 유체 핸들링 시스템은 유입구 측과 배출구 측을 가지며, 유입구 측에서 배출구 측으로의 유체 흐름에 의해 액체 제한 공간으로부터의 침지 액체를 추출하도록 배열된 액체 추출 부재; 및 배출구 측이 액체 제한 공간과 다른 소스로부터의 액체를 받아들이도록 배열된, 액체 추출 부재의 배출구 측에 대한 추가 액체 공급부를 포함한다.
본 발명의 제2 양태에 따르면, 리소그래피 장치용 유체 핸들링 시스템이 제공되며, 유체 핸들링 시스템은 투영 시스템의 일부와 리소그래피 장치 내의 기판의 표면 사이의 액체 제한 공간에 침지 액체를 제한하도록 구성되며, 그에 의하여 투영 시스템으로부터 투영된 방사선 빔이 침지 액체를 통과함으로써 기판의 표면을 조사할 수 있으며, 유체 핸들링 시스템은 액체 제한 공간에 대한 액체 공급부인 액체 공급부; 및 액체 제한 공간으로부터 실질적으로 액체만을 추출하도록 배열되는 액체 추출 부재를 포함하며, 여기서 액체 공급부는 액체 제한 공간의 둘레의 적어도 일부 주위로 연장되도록 배열되며; 액체 추출 부재는 액체 제한 공간의 둘레의 적어도 일부 주위로 연장되도록 배열되고; 그리고 액체 추출 부재와 액체 공급부는 액체 제한 공간의 둘레 전체를 실질적으로 덮는다.
본 발명의 제3 양태에 따르면, 제1 또는 제2 양태의 유체 핸들링 시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 추가 실시예, 특징 및 이점은 물론, 본 발명의 다양한 실시예의 구조 및 작동, 특징 및 이점이 첨부 도면을 참조하여 아래에서 상세히 설명된다.
본 발명의 실시예가 이제 첨부된 개략도를 참조하여 단지 예로서 설명될 것이며, 도면에서 대응하는 참조 기호는 대응하는 부분을 나타낸다. 도면에서,
도 1은 리소그래피 장치의 개략적인 개요를 도시하고 있다.
도 2a, 도 2b, 도 2c 및 도 2d는 각각 전체 원주 주위로 연장될 수 있는, 각각의 좌측 및 우측에 도시된 상이한 특징부들을 갖는 유체 핸들링 시스템의 2개의 상이한 형태(version)를 단면으로 도시하고 있다.
도 3은 유체 핸들링 시스템의 일부를 통한 개략적인 단면도를 도시하고 있다.
도 4a는 실시예의 제1 구현 형태에 따른 유체 핸들링 시스템의 일부의 개략적인 평면도를 도시하고 있다.
도 4b는 실시예의 제2 구현 형태에 따른 유체 핸들링 시스템의 일부의 대한 개략적인 평면도를 도시하고 있다.
도 5는 실시예에 따른 추출 부재를 통한 단면을 도시하고 있다.
도면에서 보여지는 특징부는 반드시 축적에 맞춰진 것은 아니며, 도시된 크기 및/또는 배열은 제한적이지 않다. 도면이 본 발명에 필수적이지 않을 수 있는 선택적인 특징부를 포함한다는 것이 이해될 것이다. 또한, 장치의 모든 특징부가 도면들의 각각에 도시되지 않으며, 도면은 특정 특징부를 설명하는 데 관련된 구성 요소들 중 일부만을 보여줄 수 있다.
본 문헌에서, 용어 "방사선" 및 "빔"은 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126㎚의 파장을 갖는) 자외 방사선을 포함하는 모든 유형의 전자기 방사선을 포함하도록 사용된다.
본 명세서에서 사용된 바와 같은 용어 "레티클", "마스크" 또는 "패터닝 디바이스"는 기판의 타겟 부분에 생성될 패턴에 대응하는, 입사 방사선 빔에 패터닝된 횡단면을 부여하기 위하여 사용될 수 있는 포괄적인 패터닝 디바이스를 지칭하는 것으로 넓게 해석될 수 있다. 용어 "광 밸브(light valve)"가 또한 본 명세서에서 사용될 수 있다. 전형적인 마스크 (투과형 또는 반사형, 바이너리(binary), 위상-시프팅, 하이브리드(hybrid) 등) 외에, 이러한 패터닝 디바이스의 다른 예는 프로그램 가능한 미러 어레이 및 프로그램 가능한 LCD 어레이를 포함한다.
도 1은 리소그래피 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 리소그래피 장치는 방사선 빔(B) (예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 조정하도록 구성된 조명 시스템 (또한 일루미네이터(illuminator)로 지칭됨)(IL), 패터닝 디바이스 (예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되며 특정 매개변수에 따라서 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치시키도록 구성된 제1 포지셔너(PM)에 연결되어 있는 마스크 지지체 (예를 들어, 마스크 테이블)(MT), 기판 (예를 들어, 레지스트 코팅된 웨이퍼)(W)을 유지시키도록 구성되며 특정 매개변수에 따라서 기판 지지체(WT)를 정확하게 위치시키도록 구성된 제2 포지셔너(PW)에 연결되어 있는 기판 지지체 (예를 들어, 기판 테이블)(WT), 및 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 (예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함하는) 타겟 부분(C) 상으로 투영시키도록 구성된 투영 시스템 (예를 들어, 굴절형 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함하고 있다. 컨트롤러(500)가 장치의 전체 작동을 제어한다. 컨트롤러(500)는 중앙 집중식 제어 시스템 또는 리소그래피 장치의 다양한 서브-시스템 내에 있는 다수의 개별 서브-컨트롤러의 시스템일 수 있다.
작동 시에, 조명 시스템(IL)은 방사선 빔(B)을 방사선 소스(SO)로부터, 예를 들어 빔 전달 시스템(BD)을 통해 받아들인다. 조명 시스템(IL)은 방사선을 지향시키고, 성형(shaping)하고 및/또는 제어하기 위하여, 굴절형, 반사형, 자기형, 전자기형, 정전형 및/또는 다른 유형의 광학 구성 요소 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 유형의 광학 구성 요소를 포함할 수 있다. 일루미네이터(IL)는 방사선 빔(B)이 패터닝 디바이스(MA)의 평면에서 그 단면에 원하는 공간 및 각도 세기 분포를 갖도록 조정하기 위하여 사용될 수도 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어 "투영 시스템"(PS)은 이용되고 있는 노광 방사선에 대하여 및/또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인에 대하여 적합한 것으로서, 굴절형, 반사형, 반사 굴절형(catadioptric), 애너모픽(anamorphic), 자기형, 전자기형, 및/또는 정전형 광학 시스템, 및/또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 다양한 유형의 투영 시스템을 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서의 용어 "투영 렌즈"의 임의의 사용은 더 일반적인 용어 "투영 시스템"(PS)과 동의어로 간주될 수 있다.
리소그래피 장치는, 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 침지 공간(11)을 채우기 위하여 기판(W)의 적어도 일부분이 상대적으로 높은 굴절률을 갖는 침지 액체, 예를 들어 물로 덮일 수 있는 유형일 수 있으며-이는 또한 침지 리소그래피로 지칭된다. 침지 기술에 대한 더 많은 정보가 미국특허 제6,952,253호에 제공되며, 이 특허는 원용에 의해 본 명세서에 포함된다.
리소그래피 장치는 2개 이상의 기판 지지체(WT) ("이중 스테이지"로도 불림)를 갖는 유형일 수도 있다. 이러한 "다중 스테이지" 기계에서, 기판 지지체(WT)들은 동시에 사용될 수 있으며, 및/또는 기판(W)의 후속 노광의 준비 단계가 기판 지지체(WT)들 중 하나에 위치된 기판(W) 상에서 수행될 수 있는 반면에, 다른 기판 지지체(WT) 상의 또 다른 기판(W)이 다른 기판(W) 상의 패턴을 노광시키기 위해 이용되고 있다.
기판 지지체(WT)에 더하여, 리소그래피 장치는 (도면에서는 도시되지 않은) 측정 스테이지를 포함할 수 있다. 측정 스테이지는 센서 및/또는 세정 디바이스를 유지시키도록 배열되어 있다. 센서는 투영 시스템(PS)의 특성 또는 방사선 빔(B)의 특성을 측정하도록 배열될 수 있다. 측정 스테이지는 다수의 센서를 유지시킬 수 있다. 세정 디바이스는 리소그래피 장치의 일부, 예를 들어 투영 시스템(PS)의 일부 또는 침지 액체를 제공하는 시스템의 일부를 세정하도록 배열될 수 있다. 기판 지지체(WT)가 투영 시스템(PS)으로부터 멀리 있을 때 측정 스테이지는 투영 시스템(PS) 아래에서 이동할 수 있다.
작동 시, 방사선 빔(B)은 마스크 지지체(MT) 상에서 유지되는 패터닝 디바이스, 예를 들어 마스크(MA)에 입사되며, 패터닝 디바이스(MA) 상에 존재하는 패턴(디자인 레이아웃)에 의해 패터닝된다. 마스크(MA)를 가로지른 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 투영 시스템은 빔을 기판(W)의 타겟 부분(C) 상으로 집속시킨다. 제2 포지셔너(PW)와 위치 측정 시스템(IF)의 도움으로, 기판 지지체(WT)는, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내의 상이한 타겟 부분(C)들을 집속 및 정렬된 위치에 위치시키기 위하여 정확하게 이동될 수 있다. 마찬가지로, 제1 포지셔너(PM)와 가능하게는 (도 1에는 명확히 도시되지 않은) 또 다른 위치 센서가 사용되어 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시킬 수 있다. 패터닝 디바이스(MA)와 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2)와 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크(P1, P2)는 전용 타겟 부분을 점유하고 있지만, 이들은 타겟 부분들 사이의 공간에 위치될 수 있다. 기판 정렬 마크(P1, P2)가 타겟 부분(C)들 사이에 위치될 때 이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로서 알려져 있다.
본 발명을 명확히 하기 위해, 데카르트 좌표계가 이용된다. 데카르트 좌표계는 3개의 축, 즉 x-축, y-축 및 z-축을 갖고 있다. 3개의 축의 각각은 다른 2개의 축과 직교한다. x-축을 중심으로 하는 회전은 Rx-회전으로 지칭된다. y-축을 중심으로 하는 회전은 Ry-회전으로 지칭된다. z-축을 중심으로 하는 회전은 Rz-회전으로 지칭된다. x-축과 y-축은 수평 평면을 규정하는 반면에, z-축은 수직 방향이다. 데카르트 좌표계는 본 발명을 제한하지 않으며 단지 명확함을 위하여 사용된다. 대신에, 원통 좌표계와 같은 또 다른 좌표계가 본 발명을 명확하게 하기 위하여 사용될 수 있다. 데카르트 좌표계의 배향은, 예를 들어 z-축이 수평 평면을 따른 성분을 갖도록 상이할 수 있다.
더 작은 피처의 개선된 분해능을 가능하게 하기 위해 침지 기술이 리소그래피 시스템에 도입되어 왔다. 침지 리소그래피 장치에서, 비교적 높은 굴절률을 갖는 침지 액체의 액체층이 장치의 투영 시스템(PS) (패터닝된 빔은 이를 통하여 기판(W)을 향해 투영된다)과 기판(W) 사이의 침지 공간(11)에 개재된다. 침지 액체는 투영 시스템(PS)의 최종 요소 아래에서 기판(W)의 적어도 일부를 덮는다. 따라서, 노광을 겪는 기판(W)의 적어도 일부분은 침지 액체 내에 침지된다.
상업적인 침지 리소그래피에서, 침지 액체는 물이다. 전형적으로, 물은 반도체 제조 플랜트에서 일반적으로 사용되는, 초순수(UPW)와 같은 고순도의 증류수이다. 침지 시스템에서, UPW는 흔히 정수되며 이는 침지 액체로서 침지 공간(11)에 공급되기 전에 부가적인 처리 단계를 거칠 수 있다. 물 이외에, 높은 굴절률을 갖는 다른 액체, 예를 들어 플루오로 탄화수소와 같은 탄화수소; 및/또는 수용액이 침지 액체로서 사용될 수 있다. 또한, 침지 리소그래피에서의 사용을 위하여 액체 이외의 다른 유체가 구상되고 있다.
본 명세서에서, 사용시에 침지 액체가 최종 요소(100)와 최종 요소(100)를 향하는 표면 사이의 침지 공간(11)에 제한되는 국소 침지에 대한 참고가 본 설명에서 이루어질 것이다. 대향 표면은 기판(W)의 표면, 또는 기판(W)의 표면과 동일 평면 상에 있는 지지 스테이지 (또는 기판 지지체(WT))의 표면이다. (명확하게 달리 설명되지 않는 한, 다음 문맥에서의 기판(W)의 표면에 대한 참조가 또한 부가적으로 또는 대안적으로 기판 지지체(WT)의 표면을 언급하며; 그 반대도 마찬가지라는 점을 주목한다) 투영 시스템(PS)과 기판 지지체(WT) 사이에 존재하는 유체 핸들링 구조체(12)는 침지 액체를 침지 공간(11)에 제한하기 위해 사용된다. 침지 액체로 채워진 침지 공간(11)은 평면에서 기판(W)의 최상부 표면보다 작으며, 침지 공간(11)은 투영 시스템(PS)에 대해 실질적으로 고정된 상태로 유지되는 반면, 기판(W)과 기판 지지체(WT)는 아래에서 이동한다.
제한되지 않은 침지 시스템 (소위 "전습식(all-wet)" 침지 시스템) 및 배스(bath) 침지 시스템과 같은 다른 침지 시스템이 구상되고 있다. 비제한 침지 시스템에서, 침지 액체는 최종 요소(100) 아래의 표면보다 더 많은 것을 덮는다. 침지 공간(11) 외부의 액체는 얇은 액체 필름으로서 존재한다. 액체는 기판(W)의 전체 표면 또는 심지어 기판(W) 및 기판(W)과 동일 평면 상에 있는 기판 지지체(WT)를 덮을 수 있다. 배스 유형 시스템에서, 기판(W)은 침지 액체의 배스 내에 완전히 침지된다.
유체 핸들링 구조체(12)는 침지 액체를 침지 공간(11)에 공급하고, 침지 액체를 침지 공간(11)으로부터 제거하며 그에 의하여 침지 액체를 침지 공간(11)에 제한하는 구조체이다. 이는 유체 공급 시스템의 일부인 특징부를 포함하고 있다. PCT 특허출원 공고 제WO99/49504호에 개시된 구성은 침지 공간(11)으로부터 침지 액체를 공급 또는 회수하고 투영 시스템(PS) 아래에서의 스테이지의 상대적인 이동에 따라 작동하는 파이프를 포함하는 초기 유체 핸들링 구조체이다. 더 최근의 디자인에서, 침지 공간(11)을 부분적으로 규정하기 위하여, 유체 핸들링 구조체는 투영 시스템(PS)의 최종 요소(100)와 기판 지지체(WT) 또는 기판(W) 사이의 침지 공간(11)의 경계의 적어도 일부를 따라 연장된다.
유체 핸들링 구조체(12)는 상이한 기능들을 선택할 수 있다. 각 기능은 유체 핸들링 구조체(12)가 그 기능을 달성할 수 있게 하는 대응하는 특징부로부터 얻어질 수 있다. 유체 핸들링 구조체(12)는 복수의 상이한 용어에 의하여 지칭될 수 있으며, 이들의 각각은 배리어 부재(barrier member), 시일 부재, 유체 공급 시스템, 유체 제거 시스템, 액체 제한 구조체 등과 같은 기능을 지칭한다.
배리어 부재로서, 유체 핸들링 구조체(12)는 침지 공간(11)으로부터의 침지 액체의 흐름에 대한 장애물이다. 액체 제한 구조체로서, 구조체는 침지 액체를 침지 공간(11)에 제한한다. 시일 부재로서, 유체 핸들링 구조체의 실링 특징부는 시일을 형성하여 침지 액체를 침지 공간(11)에 제한한다. 실링 특징부는 가스 나이프(gas knife)와 같은, 시일 부재의 표면의 개구부로부터의 부가적인 가스 유동을 포함할 수 있다.
실시예에서, 유체 핸들링 구조체(12)는 침지 유체를 공급할 수 있으며 따라서 유체 공급 시스템일 수 있다.
실시예에서, 유체 핸들링 구조체(12)는 침지 유체를 적어도 부분적으로 제한할 수 있으며, 이에 의하여 유체 제한 시스템일 수 있다.
실시예에서, 유체 핸들링 구조체(12)는 침지 유체에 대한 장애물을 제공할 수 있으며, 그에 의하여 유체 제한 구조체와 같은 배리어 부재일 수 있다.
실시예에서, 유체 핸들링 구조체(12)는, 예를 들어 침지 유체의 흐름 및/또는 위치를 제어하는 것을 돕기 위해 가스의 흐름을 생성 또는 이용할 수 있다.
가스의 흐름은 시일을 형성하여 침지 유체를 제한할 수 있으며, 따라서 유체 핸들링 구조체(12)는 시일 부재로 지칭될 수 있고; 이러한 시일 부재는 유체 제한 구조체일 수 있다.
실시예에서, 침지 액체는 침지 유체로서 사용된다. 그 경우에, 유체 핸들링 구조체(12)는 액체 핸들링 시스템일 수 있다. 앞서 언급된 설명을 참고하여, 이 단락에서의 유체에 대하여 규정된 특징부에 대한 참고는 액체에 대해 규정된 특징부를 포함하는 것으로 이해될 수 있다.
리소그래피 장치는 투영 시스템(PS)을 갖고 있다. 기판(W)의 노광 동안, 투영 시스템(PS)은 패터닝된 방사선의 빔을 기판(W) 상으로 투영시킨다. 기판(W)에 도달하기 위해, 방사선 빔(B)의 경로는 투영 시스템(PS)으로부터, 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이의 유체 핸들링 구조체(12)에 의해 제한된 침지 액체를 통과한다. 투영 시스템(PS)은 빔의 경로 내의 마지막 요소인 렌즈 요소를 가지며, 이 렌즈 요소는 침지 액체와 접촉 상태에 있다. 침지 액체와 접촉하는 상태에 있는 이 렌즈 요소는 "마지막 렌즈 요소" 또는 "최종 요소"로 지칭될 수 있다. 최종 요소(100)는 유체 핸들링 구조체(12)에 적어도 부분적으로 둘러싸여 있다. 유체 핸들링 구조체(12)는 최종 요소(100) 아래 그리고 대향 표면 위에서 침지 액체를 제한할 수 있다.
도 2a, 도 2b, 도 2c 및 도 2d는 유체 핸들링 시스템의 변형에 존재할 수 있는 상이한 특징부들을 보여주고 있다. 다르게 설명되지 않는 한, 이 디자인들은 도 2a, 도 2b, 도 2c 및 도 2d와 동일한 특징부들 중 일부를 공유할 수 있다. 본 명세서에 설명된 특징부들은 보여지는 바와 같이 또는 필요에 따라 개별적으로 또는 조합하여 선택될 수 있다. 도면들은 좌측과 우측에 도시된 상이한 특징부들을 갖는 유체 핸들링 시스템의 상이한 형태(version)들을 도시하고 있으며, 이 특징부들은 전체 원주 주위로 연장될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 유체 핸들링 시스템은 전체 원주 주위로 연장되는 동일한 특징부들을 가질 수 있다. 예를 들어, 유체 핸들링 시스템은 도 2a의 좌측, 또는 도 2a의 우측, 또는 도 2b의 좌측, 또는 도 2b의 우측, 또는 도 2c의 좌측, 또는 도 2c의 우측, 또는 도 2d의 좌측, 또는 도 2d의 우측의 특징부만을 가질 수 있다. 대안적으로, 유체 핸들링 시스템은 원주 주위의 상이한 위치들에서 이 도면들로부터의 특징부들의 임의의 조합을 구비할 수 있다. 유체 핸들링 시스템은 아래의 변형 예에서 설명되는 바와 같은 유체 핸들링 구조체(12)를 포함할 수 있다.
도 2a는 최종 요소(100)의 최하부 표면 주위의 유체 핸들링 구조체(12)를 보여주고 있다. 최종 요소(100)는 역 절두 원추 형상을 갖고 있다. 절두 원추형 형상은 평면의 최하부 표면 및 원추형 표면을 갖고 있다. 절두 원추형 형상은 평면 표면으로부터 돌출되며 최하부 평면 표면을 갖고 있다. 최하부 평면 표면은 방사선 빔(B)이 통과할 수 있는, 최종 요소(100)의 최하부 표면의 광학적 활성 부분이다. 최종 요소(100)는 코팅부(30)를 가질 수 있다. 유체 핸들링 구조체(12)는 절두 원추형 형상의 적어도 일부를 둘러싸고 있다. 유체 핸들링 구조체(12)는 절두 원추형 형상의 원추형 표면을 향하는 내부 표면을 갖고 있다. 내부 표면과 원추형 표면은 상보적인 형상들을 가질 수 있다. 유체 핸들링 구조체(12)의 최상부 표면은 실질적으로 평면형일 수 있다. 유체 핸들링 구조체(12)는 최종 요소(100)의 절두 원추형 형상에 맞을 수 있다. 유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면은 실질적으로 평면형이며, 사용시 최하부 표면은 기판 지지체(WT) 및/또는 기판(W)의 대향 표면과 평행할 수 있다. 따라서 유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면은 기판(W)의 표면을 향하는 표면으로 지칭될 수 있다. 최하부 표면과 대향 표면 간의 거리는 30 내지 500마이크로미터의 범위 내, 바람직하게는 80 내지 200마이크로미터의 범위 내일 수 있다.
유체 핸들링 구조체(12)는 최종 요소(100)보다 기판(W)과 기판 지지체(WT)의 대향 표면에 더 가깝게 연장된다. 따라서 유체 핸들링 구조체(12)의 내부 표면, 절두 원추형 부분의 평면 표면 그리고 대향 표면 사이에 침지 공간(11)이 규정된다. 사용하는 동안, 침지 공간(11)은 침지 액체로 채워진다. 침지 액체는 최종 요소(100)와 유체 핸들링 구조체(12) 사이의 상보적인 표면들 간의 버퍼 공간(buffer space)의 적어도 일부, 실시예에서는 상보적인 내부 표면과 원추형 표면 사이의 공간의 적어도 일부를 채운다.
침지 액체는 유체 핸들링 구조체(12)의 표면에 형성된 개구부를 통해 침지 공간(11)에 공급된다. 침지 액체는 유체 핸들링 구조체(12)의 내부 표면의 공급 개구부(20)를 통해 공급될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 침지 액체는 유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면에 형성된 하부 공급 개구부(23)로부터 공급된다. 하부 공급 개구부(23)는 방사선 빔(B)의 경로를 둘러쌀 수 있으며 또한 어레이 또는 단일 슬릿(slit)의 일련의 개구들로 형성될 수 있다. 투영 시스템(PS) 아래의 침지 공간(11)을 통한 유동이 층류(laminar)이도록 또는 적어도 잘 규정되도록 침지 액체가 공급되어 침지 공간(11)을 채운다. 하부 공급 개구부(23)로부터의 침지 액체의 공급은 부가적으로 침지 공간(11) 내로의 기포의 유입을 방지한다. 침지 액체의 이 공급은 액체 시일의 역할을 할 수 있다.
침지 액체는 내부 표면에 형성된 회수 개구부(21)로부터 회수될 수 있다. 회수 개구부(21)를 통한 침지 액체의 회수는 과소 압력(underpressure)의 적용에 의한 것일 수 있으며; 침지 공간(11)을 통한 침지 액체 흐름의 속도의 결과로서 회수 개구부(21)를 통한 회수일 수 있고; 또는 회수는 둘 모두의 결과일 수 있다. 평면에서 보여질 볼 때, 회수 개구부(21)는 공급 개구부(20)의 반대 측에 위치될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 침지 액체는 유체 핸들링 구조체(12)의 최상부 표면 상에 위치된 오버플로우 회수부(overflow recovery)(24)를 통해 회수될 수 있다. 공급 개구부(20)와 회수 개구부(21)는 그들의 기능을 바꿀 수 있다 (즉, 액체의 흐름 방향이 반전된다). 이는 흐름의 방향이 유체 핸들링 구조체(12)와 기판(W)의 상대적인 움직임에 따라 바뀌는 것을 허용한다.
부가적으로 또는 대안적으로, 침지 액체는 유체 핸들링 구조체의 최하부 표면에 형성된 회수 개구부(25)를 통해 유체 핸들링 구조체(12) 아래로부터 회수될 수 있다. 회수 개구부(25)는 침지 액체의 메니스커스(meniscus)(33)를 유체 핸들링 구조체(12)에 유지시키는 역할을 할 수 있다. 메니스커스(33)는 유체 핸들링 구조체(12)와 대향 표면 사이에 형성되며 또한 이는 액체 공간과 가스상 외부 환경 사이의 경계부의 역할을 한다. 회수 개구부(25)는 침지 액체를 단일 상 흐름으로 회수할 수 있는 다공성 플레이트일 수 있다. 최하부 표면의 회수 개구부는 침지 액체가 회수되는 일련의 고정 개구부(pinning opening)(32)일 수 있다. 고정 개구부(32)는 2상 흐름으로 침지 액체를 회수할 수 있다.
선택적으로, 가스 나이프 개구부(26)는 유체 핸들링 구조체(12)의 내부 표면에 대하여 반경 방향으로 외측에 있다. 가스는 가스 나이프 개구부(26)를 통해 높은 속도로 공급되어 침지 공간(11)에서의 침지 액체의 액체 제한(confinement)을 도울 수 있다. 공급된 가스는 가습될 수 있으며, 이는 실질적으로 이산화탄소를 함유할 수 있다. 가스 나이프 개구부(26)를 통해 공급된 가스를 회수하기 위하여 가스 회수 개구부(28)가 가스 나이프 개구부(26)의 반경 방향으로 외측에 있다.
예를 들어 대기에 또는 가스 소스에 또는 진공에 개방된 추가 개구부가 유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면에, 즉 기판(W)을 향하는 유체 핸들링 구조체(12)의 표면에 존재할 수 있다. 이러한 선택적인 추가 개구부(50)의 예가 도 2a의 우측에 파선으로 보여지고 있다. 보여지는 바와 같이, 추가 개구부(50)는 공급 또는 추출 부재일 수 있으며, 이는 양방향 화살표로 표시되어 있다. 예를 들어, 공급부로서 구성되는 경우, 추가 개구부(50)는 공급 부재들 중 임의의 것과 같이 액체 공급부 또는 가스 공급부에 연결될 수 있다. 대안적으로, 추출부로서 구성된다면, 추가 개구부(50)는 유체를 추출하기 위해 사용될 수 있으며, 또한 예를 들어 대기에 또는 가스 소스에 또는 진공에 연결될 수 있다. 예를 들어, 적어도 하나의 추가 개구부(50)는 가스 나이프 개구부(26)와 가스 회수 개구부(28) 사이, 및/또는 고정 개구부(32)와 가스 나이프 개구부(26) 사이에 존재할 수 있다. 대안적인 배열체에서, 유체 핸들링 구조체(12)는 고정 개구부(32), 가스 나이프 개구부(26) 그리고 선택적으로 하부 공급 개구부(23)를 포함할 수 있다. 공급 개구부(20) 또는 회수 개구부(21)는 유체 핸들링 구조체(12)의 내부 표면에 형성될 수 있다.
도 2a의 좌측 및 우측의 유체 핸들링 구조체(12)의 2개의 상이한 형태(version)의 메니스커스(33)를 고정시킨다. 도 2a의 우측에 있는 유체 핸들링 구조체(12)의 형태는, 고정 개구부(32)의 고정 위치로 인하여 최종 요소(100)에 대해 실질적으로 고정된 위치에서 메니스커스(33)를 고정시킬 수 있다. 도 2a의 좌측에 있는 유체 핸들링 구조체(12)의 형태는 회수 개구부(25) 아래에 메니스커스(33)를 고정시킬 수 있으며, 따라서 메니스커스(33)는 회수 개구부(25)의 길이 및/또는 폭을 따라 이동할 수 있다. 노광 하에서 방사선 빔(B)이 기판(W)의 전면(full side)으로 향하도록 하기 위하여, 기판(W)을 지지하는 기판 지지체(WT)는 투영 시스템(PS)에 대해 이동된다. 리소그래피 장치에 의해 노광된 기판(W)의 산출(output)을 최대화하기 위하여, 기판 지지체(WT) (및 따라서 기판(W))는 가능한 한 빠르게 이동된다. 그러나, (흔히 임계 스캔 속도로 지칭되는) 임계 상대 속도가 있으며, 이 속도 위에서 유체 핸들링 구조체(12)와 기판(W) 사이의 메니스커스(33)가 불안정해진다. 불안정한 메니스커스(33)는 침지 액체를, 예를 들어 하나 이상의 액적의 형태로 잃을 위험이 더 크다. 더욱이, 특히 제한된 침지 액체가 기판(W)의 에지를 가로지를 때, 불안정한 메니스커스(33)는 침지 액체 내의 가스 기포의 포함을 야기할 위험이 더 크다.
기판(W)의 표면 상에 존재하는 액적은 열 부하를 가할 수 있으며 또한 결함의 원인일 수 있다. 액적은 증발하여 건조 얼룩(drying stain)을 남길 수 있으며, 이는 입자와 같은 운반 오염을 이동시킬 수 있고, 이는 더 큰(a larger body) 침지 액체와 충돌하여 더 큰 침지 액체 내로 가스의 기포를 도입시킬 수 있으며, 이는 증발하여 액적이 위치된 표면에 열적 열 부하를 가할 수 있다. 표면이 이미징되고 있는 기판(W)에 대한 리소그래피 장치의 구성 요소의 위치 설정과 연관된다면, 이러한 열 부하는 뒤틀림의 원인 및/또는 위치 설정 오차의 소스일 수 있다. 따라서 표면 상에서의 액적의 형성은 바람직하지 않다. 이러한 액적의 형성을 방지하기 위해, 기판 지지체(WT)의 속도는 따라서 메니스커스(33)가 안정적으로 유지되는 임계 스캔 속도로 제한된다. 이는 리소그래피 장치의 처리량을 제한한다.
도 2a의 유체 핸들링 시스템의 좌측은 스프링(60)을 포함할 수 있다. 스프링(60)은 기판(W)의 방향으로 유체 핸들링 구조체(12)에 편향력을 인가하도록 구성된 조정 가능한 수동적 스프링(passive spring)일 수 있다. 따라서, 스프링(60)은 기판(W) 위의 유체 핸들링 구조체(12)의 높이를 제어하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 조정 가능한 수동 스프링은 전체적으로 원용에 의해 본 명세서에 포함된 US 7,199,874에 설명되어 있다. 예를 들어 전자기력을 사용하는 다른 바이어스 디바이스도 적절할 수 있다. 스프링(60)이 도 2a의 좌측에 보여지고 있지만, 이는 선택적이며 도 2a의 좌측의 다른 특징부에 포함될 필요는 없다. 스프링(60)은 다른 도면들 중 어느 것에서도 보이지 않지만, 도 2a, 도 2b, 도 2c, 또는 도 2d와 관련하여 설명된 유체 핸들링 시스템의 다른 변형예에 포함될 수도 있다.
도 2b는 그의 좌측 및 우측에서 유체 핸들링 구조체(12)의 2개의 상이한 형태를 보여주고 있으며, 이들은 최종 요소(100)에 대한 메니스커스(33)의 이동을 허용한다. 메니스커스(33)는 이동하는 기판(W)의 방향으로 이동할 수 있다. 이는 메니스커스(33)와 이동하는 기판(W) 사이의 상대 속도를 감소시키며, 이는 메니스커스(33)의 개선된 안정성 및 감소된 파손 위험의 결과로 이어질 수 있다. 투영 시스템(PS) 아래에서 기판(W)의 더 빠른 이동을 허용하기 위하여 메니스커스(33)가 파괴되는 기판(W)의 속도는 증가된다. 처리량은 따라서 증가된다.
도 2a와 공통적인, 도 2b에 보여지고 있는 특징부들은 동일한 참조 번호를 공유한다. 유체 핸들링 구조체(12)는 절두 원추형 형상의 원추형 표면과 상보적인 내부 표면을 갖고 있다. 유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면은 절두 원추 형상의 최하부 평면 표면보다 대향 표면에 더 가깝다.
침지 액체는 유체 핸들링 구조체(12)의 내부 표면에 형성된 공급 개구부(34)를 통해 침지 공간(11)으로 공급된다. 공급 개구부(34)는 내부 표면의 최하부를 향하여, 아마도 절두 원추 형상의 최하부 표면 아래에 위치된다. 공급 개구부(34)는 방사선 빔(B)의 경로 주위에서 이격되어 내부 표면 주위에 위치된다.
침지 액체는 유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면에 있는 회수 개구부(25)를 통해 침지 공간(11)으로부터 회수된다. 대향 표면이 유체 핸들링 구조체(12) 아래로 이동함에 따라, 메니스커스(33)는 대향 표면의 이동과 동일한 방향으로 회수 개구부(25)의 표면 위로 이동할 수 있다. 회수 개구부(25)는 다공성 부재로 형성될 수 있다. 침지 액체는 단일 상으로 회수될 수 있다. 침지 액체는 2상 흐름으로 회수될 수 있다. 2상 흐름은 흐름이 액체와 가스로 분리되는 유체 핸들링 구조체(12) 내의 챔버(35)에 수용된다. 액체 및 가스는 챔버(35)로부터 별도의 채널(36, 38)들을 통해 회수된다.
유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면의 내측 주변부(39)는 내부 표면으로부터 멀리 침지 공간(11) 내로 연장되어 플레이트(40)를 형성한다. 내측 주변부(39)는 방사선 빔(B)의 형상 및 크기와 일치하도록 크기가 이루어질 수 있는 작은 애퍼처를 형성한다. 플레이트(40)는 그의 양측에서 침지 액체를 격리시키는 역할을 할 수 있다. 공급된 침지 액체는 내부 애퍼처를 통해 애퍼처를 향해 안쪽으로 흐르며, 그후 플레이트(40) 아래에서 회수 개구부(25)의 주위를 향하여 반경 방향 외측으로 흐른다.
유체 핸들링 구조체(12)는 도 2b의 우측에서 보여지는 바와 같이 2개의 부분: 내측 부분(12a)과 외측 부분(12b)으로 이루어질 수 있다. 내측 부분(12a)과 외측 부분(12b)은 주로, 대향 표면에 평행한 평면에서 서로에 대해 상대적으로 이동할 수 있다. 내측 부분(12a)은 공급 개구부(34)를 가질 수 있으며 또한 오버플로 회수부(24)를 가질 수 있다. 외측 부분(12b)은 플레이트(40)와 회수 개구부(25)를 가질 수 있다. 내측 부분(12a)은 내측 부분(12a)과 외측 부분(12b) 사이를 흐르는 침지 액체를 회수하기 위한 중간 회수부(42)를 가질 수 있다.
따라서, 도 2b의 유체 핸들링 구조체의 2개의 상이한 형태는 기판(W)과 동일한 방향으로의 메니스커스(33)의 이동을 허용하여, 리소그래피 장치의 더 빠른 스캔 속도 및 증가된 처리량을 가능하게 한다. 그러나 도 2b의 좌측의 유체 핸들링 구조체(12)에서 회수 개구부(25)의 표면 위의 메니스커스(33)의 이동 속도는 느릴 수 있다. 내측 부분(12a) 및 최종 요소(100)에 대해 외측 부분(12b)을 이동시킴으로써 도 2b의 우측의 유체 핸들링 구조체(12)는 메니스커스(33)의 더 빠른 이동을 허용한다. 그러나 내측 부분(12a)과 외측 부분(12b) 사이에 충분한 침지 액체가 제공되어 그들 간의 접촉을 방지하는 것을 보장하기 위하여 중간 회수부(42)를 제어하는 것이 어려울 수 있다. 구현 형태는 또한 이동하는 외측 부분(12b)에 제공되는 액체 공급부를 포함할 수 있다.
도 2c는 그의 좌측 및 그의 우측에서 유체 핸들링 구조체(12)의 2개의 상이한 형태를 보여주고 있으며, 이들은 도 2a 및/또는 도 2b와 관련하여 위에서 설명된 바와 같이 침지 액체의 메니스커스(33)를 유체 핸들링 구조체(12)에 고정시키기 위해 사용될 수 있다. 도 2c에서 보여지는, 도 2a 및/또는 도 2b에 공통적인 특징들은 동일한 참조 번호들을 공유한다.
유체 핸들링 구조체(12)는 절두 원추 형상의 원추형 표면을 보완하는 내부 표면을 갖고 있다. 유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면은 절두 원추 형상의 최하부 평면 표면보다 대향 표면에 더 가깝다. 유체 핸들링 구조체(12)의 표면에 형성된 개구부를 통해 전달되는 침지 액체는 침지 공간(11)으로 공급된다. 침지 액체는 유체 핸들링 구조체(12)의 내부 표면에 있는 공급 개구부(34)를 통해 공급될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 침지 액체는 유체 핸들링 구조체(12)의 내부 표면의 공급 개구부(20)를 통해 공급될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 침지 액체는 하부 공급 개구부(23)를 통해 공급된다. 침지 액체는 추출 부재를 통하여, 예를 들어 내부 표면 및/또는 오버플로우 회수부(24)에 형성된 회수 개구부(21) 및/또는 아래에서 설명되는 바와 같이 유체 핸들링 구조체(12)의 표면의 하나 이상의 개구부를 통하여 회수될 수 있다.
도 2c의 좌측 및 우측의 유체 핸들링 구조체(12)의 2개의 상이한 형태는 메니스커스(33)를 고정시킨다. 도 2c의 우측에 있는 유체 핸들링 구조체(12)의 형태는 회수 개구부(32a)의 고정된 위치로 인하여, 최종 요소(100)에 대해 실질적으로 고정된 위치에서 메니스커스(33)를 고정시킬 수 있다. 도 2c의 좌측에 있는 유체 핸들링 구조체(12)의 형태는 회수 개구부(25) 아래에 메니스커스(33)를 고정시킬 수 있으며, 따라서 메니스커스(33)는 회수 개구부(25)의 길이 및/또는 폭을 따라 이동할 수 있다.
도 2b와 관련하여 위에서 설명된 바와 같이, 유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면의 내부 주변부는 내부 표면에서 멀리 침지 공간(11) 내로 연장되어 좌측에서 보여지는 바와 같이 플레이트(40)를 형성할 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 이는 작은 애퍼처를 형성할 수 있으며, 또한 양측에서 침지 액체를 격리시킬 수 있고 및/ 또는 침지 액체를 내부 애퍼처를 통하여 애퍼처를 향해 안쪽으로 그리고 그 후 플레이트(40) 아래에서 회수 개구부(25)의 주위를 향하여 반경 방향 외측으로 흐르게 할 수 있다. 이 특징부는 도 2c의 좌측에서 보여지고 있지만, 이는 보여지는 다른 특징부들과 조합하여 선택적이다. 바람직하게는, 좌측에서 보여지는 바와 같이, 침지 액체는 유체 핸들링 구조체(12)의 내부 표면에 형성된 공급 개구부(34)를 통해 침지 공간(11)으로 공급된다. 공급 개구부(34)는 내부 표면의 최하부를 향하여, 아마도 절두 원추 형상의 최하부 표면 아래에 위치된다. 공급 개구부(34)들은 방사선 빔(B)의 경로 주위에서 이격되어 내부 표면 주위에 위치된다. 대안적으로 또는 부가적으로, 침지 액체는 유체 핸들링 구조체(12)의 내부 표면의 공급 개구부(20)를 통해 공급될 수 있다. 대안적으로 또는 부가적으로, 침지 액체는 하부 공급 개구부(23)를 통하여 공급된다. 공급 개구부(34)가 바람직한 액체 공급부이지만, 공급 개구부(34), 공급 개구부(20) 및/또는 하부 공급 개구부(23)의 임의의 조합이 제공될 수 있다.
도 2c의 좌측에서 보여지는 바와 같이, 유체 핸들링 시스템은 위에서 설명된 바와 같은 유체 핸들링 구조체(12) 및 추가 디바이스(3000)를 포함할 수 있다. 유체 핸들링 구조체(12)는 추출 부재, 예를 들어 회수 개구부(25) 및 액체 공급 개구부, 예를 들어 하부 공급 개구부(23)를 가질 수 있다. 유체 핸들링 구조체(12)는 추가 디바이스(3000)와 조합하여, 도 2a의 좌측, 도 2a의 우측, 도 2b의 좌측, 도 2b의 우측 또는 (아래에서 설명되는 바와 같이) 도 2c의 우측과 관련하여 개시된 바와 같은 임의의 구성을 포함할 수 있다는 점이 이해될 것이다.
추가 디바이스(3000)는 그렇지 않으면 액적 캐처(droplet catcher)로 지칭될 수 있다. 추가 디바이스(3000)는 유체 핸들링 구조체(12)가 표면 위로 이동한 후 기판(W)의 표면 상에서의 액체의 발생을 감소시키기 위해 제공된다. 추가 디바이스(3000)는 액체 공급 부재(3010) 및 적어도 하나의 추출 부재(3020)를 포함할 수 있다. 적어도 하나의 추출 부재(3020)는 평면에서 적어도 하나의 공급 부재(3010)를 둘러싸는 형상으로 형성될 수 있다. 적어도 하나의 액체 공급 부재(3010)는 추가 디바이스(3000)의 적어도 일부와 기판(W)의 표면 사이의 공간(3110)에 추가 액체를 제공하도록 구성될 수 있다. 추가 디바이스(3000)는 적어도 하나의 추출 부재(3020)를 통하여 액체의 적어도 일부를 회수하도록 구성될 수 있다. 추가 디바이스(3000)는 기판(W)의 표면에 남아 있는 임의의 액체를 공간(3110) 내의 액체와 통합시키기 위해 사용될 수 있으며, 그 후 기판(W)의 표면에 남아 있는 액체의 양이 감소되도록 액체를 추출하기 위해 추가 디바이스(3000)를 사용할 수 있다.
추가 디바이스(3000)는 도 2c에서 유체 핸들링 구조체(12)와 별개의 디바이스로 보여지고 있다. 추가 디바이스(3000)는 유체 핸들링 구조체(12)에 인접하게 위치될 수 있다. 대안적으로, 추가 디바이스(3000)는 유체 핸들링 구조체(12)의 일부, 즉 이에 일체화될 수 있다 (그러나 도 2d에서 보여지는 바와 같이, 둘 중 어느 하나의 배열체가 선택될 수 있다).
추가 디바이스(3000)는 유체 핸들링 구조체(12)에 의하여 제공되는 액체와 별개의 공간(3110)에 액체를 제공하도록 구성될 수 있다.
부가적으로 또는 대안적으로, 유체 핸들링 구조체(12)는 도 2c의 우측에서 보여지는 바와 같은 구성 요소들을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 유체 핸들링 구조체(12)는 유체 핸들링 구조체(12)의 표면에 형성된 적어도 하나의 액체 공급 부재, 2개의 추출 부재 (예를 들어, 회수 개구부(32a 및 32b)) 및 2개의 가스 공급 부재 (예를 들어, 가스 공급 개구부(27a 및 27b))를 포함할 수 있다. 가스 공급 개구부(27a)는 생략될 수 있으며, 즉 선택적인 것이다. 적어도 하나의 액체 공급 부재는 위에서 설명된 유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면의 하부 공급 개구부(23) 또는 도 2b의 좌측과 관련하여 설명된 유체 핸들링 구조체(12)의 내부 표면에 형성된 공급 개구부(20) 또는 액체 공급 개구부(34)와 동일할 수 있다. 액체 공급 부재, 추출 부재 및 가스 공급 부재는 유체 핸들링 구조체(12)의 표면에 형성될 수 있다. 구체적으로, 이 구성 요소들은 기판(W)을 향하는 유체 핸들링 구조체(12)의 표면, 즉 유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면 상에 형성될 수 있다.
2개의 추출 부재 중 적어도 하나는 그 안에 다공성 재료(37)를 포함할 수 있다. 다공성 재료(37)는 개구부, 예를 들어 회수 개구부(32a) 내에 제공될 수 있으며, 여기서 유체 핸들링 구조체(12)는 이 회수 개구부를 통하여 유체 핸들링 구조체(12) 아래로부터 유체를 추출하고 또한 침지 액체를 단일 상 흐름으로 회수할 수 있다. 2개의 추출 부재 중 다른 하나, 예를 들어 회수 개구부(32b)는 이중 상(dual phase) 추출기로서 침지 유체를 회수할 수 있다. 다공성 재료(37)는 유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면과 동일 평면에 있을 필요는 없다.
구체적으로, 유체 핸들링 구조체(12)는 액체 공급 부재 (예를 들어, 하부 공급 개구부(23))를 포함할 수 있으며, 제1 추출 부재 (예를 들어, 회수 개구부(32a))는 액체 공급 부재의 반경 방향 외측에 있고, 제1 가스 공급 부재 (예를 들어, 가스 공급 개구부(27a))는 제1 추출 부재의 반경 방향 외측에 있으며, 제2 추출 부재 (예를 들어, 회수 개구부(32b))는 제1 가스 공급 부재의 반경 방향 외측에 있고, 그리고 제2 가스 공급 부재 (예를 들어, 가스 공급 개구부(27a))는 제2 추출 부재의 반경 방향 외측에 있다. 도 2a와 유사하게, 예를 들어 대기에 또는 가스 소스에 또는 진공에 개방된 추가 개구부는 (유체 핸들링 구조체(12)와 관련하여) 이전에 설명된 바와 같이 유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면에 존재할 수 있다.
예를 들어, 적어도 하나의 추가 개구부 (보이지 않음)가 유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면에 제공될 수 있다. 추가 개구부는 선택적이다. 추가 개구부는 위의 배열체에서 설명된 바와 같이 제1 추출 부재 (예를 들어, 회수 개구부(32a))와 제1 가스 공급 부재 (예를 들어, 가스 공급 개구부(27a)) 사이에 배열될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 추가 개구부는 위의 배열체에서 설명된 바와 같이 제2 추출 부재 (예를 들어, 회수 개구부(32b))와 제2 가스 공급 부재 (예를 들어, 가스 공급 개구부(27b)) 사이에 배열될 수 있다. 추가 개구부는 위에서 설명된 추가 개구부(50)와 동일할 수 있다.
선택적으로, 유체 핸들링 구조체(12)는 리세스(recess)(29)를 포함한다. 리세스(29)는 회수 개구부(32a)와 회수 개구부(32b) 사이 또는 가스 공급 개구부(27a)와 회수 개구부(32b) 사이에 제공될 수 있다. 리세스(29)의 형상은 유체 핸들링 구조체(12) 주위에서 균일할 수 있으며 또한 선택적으로 경사 표면을 포함할 수 있다. 회수 개구부(32a)와 회수 개구부(32b) 사이에 제공된 리세스(29)의 경우, 도 2c에서 보여지는 바와 같이 가스 공급 개구부(27b)가 경사 표면 상에 제공될 수 있다. 공급 개구부(27a)와 회수 개구부(32b) 사이에 제공된 리세스(29)의 경우, 가스 공급 개구부(27b)는 경사 표면 또는 기판(W)의 표면과 평행한 유체 핸들링 구조체(12)의 최하부 표면의 일부에 제공될 수 있다. 대안적으로, 리세스(29)의 형상은 유체 핸들링 구조체(12)의 원주 주위에서 달라질 수 있다. 리세스(29)의 형상은 유체 핸들링 구조체(12) 아래의 유체에 대한 가스 공급 부재로부터 공급된 가스의 영향을 변경하기 위해 달라질 수 있다. 리세스(29)는 대안적으로 음의 리세스, 즉 유체 핸들링 구조체(12)와 기판(W) 사이의 간격을 좁히는 돌출된 구조체일 수 있다.
도 2d는 유체 핸들링 구조체(12)의 2가지 다른 형태를 그의 좌측 및 우측 반분에서 보여주고 있다. 도 2d의 좌측 반분의 유체 핸들링 구조체(12)는, 침지 액체의 버퍼량을 유지하는 액체 주입 버퍼(41a), 및 액체 주입 버퍼로부터 침지 액체를 공간(11)에 공급하는 액체 주입 구멍(41)을 포함한다. 액체 주입 구멍(41)의 외측에는, 다공성 부재를 구비한 내측 회수 버퍼(43a)에 액체를 안내하기 위한 내측 액체 회수 애퍼처(43)가 있다. 도 2c와 관련하여 설명된 것과 유사한 리세스(29)가 내측 액체 회수 애퍼처(43)의 외측에 제공된다. 오목부(29)의 외측에서, 유체 핸들링 구조체(12)의 하부 면에는 가스 안내 그루브(44)가 있으며, 외측 회수 구멍(44a)이 그 가스 안내 그루브 내로 개방되어 있다. 외측 회수 구멍(44a)은, 다공성 부재를 또한 구비한 외측 회수 버퍼(44b)에 2-상(phase) 회수 흐름을 안내한다. 최외측에는 가스 실링 구멍(45)이 있으며, 이 가스 실링 구멍은 가스 실링 버퍼 체적부(45a)와 유체 핸들링 구조체(12) 아래의 공간 사이를 연통시켜 침지 액체를 포함하도록 가스 흐름을 제공한다. 위에서 설명된 실시예에서, 메니스커스(33)는 회수 개구부(32a)에 고정될 수 있거나 이동 가능할 수 있다.
도 2d의 우측 반분의 유체 핸들링 구조체(12)는 그의 내측 경사면에 액체 공급 개구부(20)를 갖는다. 유체 핸들링 구조체(12)의 밑면에는, (내측에서 외측으로) 다공성 부재(37)를 구비한 추출 개구부(25), 제1 가스 나이프 개구부(26a), 제2 가스 나이프 개구부(26b) 및 제3 가스 나이프 개구부(26c)가 있다. 이 개구부들의 각각은 버퍼 체적부를 제공하는 유체 핸들링 구조체(12)의 밑면에 있는 그루브 내로 개방되어 있다. 유체 핸들링 구조체(12)의 최외측 부분은 유체 핸들링 구조체(12)와 기판(W) 사이에 더 큰 간격을 제공하도록 계단형(stepped)이다.
도 2a 내지 도 2d는 유체 핸들링 시스템의 일부로 사용될 수 있는 상이한 구성들의 예를 보여주고 있다. 위에 제공된 예는 특정 추출 부재 및 회수 부재를 언급하지만, 정확한 유형의 추출 부재 및/또는 회수 부재를 사용할 필요가 없다는 점이 이해될 것이다. 일부 경우에, 부재의 위치를 나타내기 위하여 상이한 용어가 사용되지만, 동일한 기능적 특징부가 제공될 수 있다. 위에서 언급된 추출 부재의 예는 회수 개구부(21), 오버플로우 회수부(24), (가능하게는 다공성 플레이트 및/또는 챔버(35)를 포함하는) 회수 개구부(25), 가스 회수 개구부(28), 고정 개구부(32), 회수 개구부(32a), 회수 개구부(32b) 및/또는 중간 회수부(42)를 포함한다. 위에서 언급된 공급 부재의 예는 공급 개구부(20), 하부 공급 개구부(23), 가스 나이프 개구부(26), 가스 공급 개구부(27a), 가스 공급 개구부(27b), 및/또는 공급 개구부(34)를 포함한다. 일반적으로, 유체, 액체 또는 가스를 추출/회수하기 위해 사용되는 추출 부재는 유체, 액체 또는 가스를 각각 추출/회수하는 사용된 다른 예들 중 적어도 임의의 것과 상호 교환 가능하다. 유사하게, 유체, 액체 또는 가스를 공급하기 위해 사용되는 공급 부재는 유체, 액체 또는 가스를 각각 공급하는 다른 사용된 예들 중 적어도 임의의 것과 상호 교환 가능하다. 추출 부재는 유체, 액체 또는 가스를 추출 부재로 끌어들이는 과소 압력에 연결됨으로써 공간으로부터 유체, 액체 또는 가스를 추출/회수할 수 있다. 공급 부재는 관련된 공급부에 연결됨으로써 유체, 액체 또는 가스를 공간에 공급할 수 있다.
앞서 설명된 바와 같이, 침지 액체는 추출 부재에 의하여 침지 공간(11)으로부터 추출될 수 있으며, 이 침지 공간은 또한 본 명세서에서 액체 제한 공간(11)으로 지칭된다. 도 2a, 도 2c 및 도 2d에서 보여지는 바와 같이, 추출 부재는 회수 개구부(21) 일 수 있다. 추출 부재는 평면에서 보여질 때 공급 개구부(20)의 반대 측에 위치될 수 있다. 추출 부재는 액체와 기체를 모두 추출할 수 있다. 공급 개구부(20)는 액체를 공급할 수 있다. 추출 부재와 공급 개구부(20)는 모두 최종 요소(100)의 절두 원추 형상의 원추형 표면을 향하는 내부 표면, 즉 벽에 제공될 수 있다. 따라서 최종 요소(100) 주위의 액체 제한 공간(11)을 통한 물의 연속적인 흐름이 있을 수 있다.
리소그래피 장치의 더 빠른 작동을 허용하기 위해 리소그래피 장치 내에서 이동 속도를 증가시킬 일반적인 필요성이 있다. 이에 의하여 리소그래피 장치의 처리량이 증가될 수 있다. 리소그래피 장치의 작동 중에, 유체 핸들링 시스템은 실질적으로 수평으로, 즉 x-방향 및/또는 y-방향으로 이동하도록 구성되지 않을 수 있다. 유체 핸들링 시스템과 기판(W) 및/또는 기판 지지체(WT) 사이의 주요 상대 이동은 기판 지지체(WT)에 의하여 기판(W)이 수평으로 이동됨으로써 야기될 수 있다. 유체 핸들링 시스템은 수직으로, 즉 z-방향으로 이동될 수 있으며 x-축과 y-축을 중심으로 회전 가능할 수 있다. 즉 Rx와 Ry로 이동될 수 있다. 대안적인 구현 형태에서, 유체 핸들링 시스템은 수평적으로 이동되도록 구성될 수 있다.
리소그래피 장치 내에서의 이동 속도가 증가될 때 경험될 수 있는 문제는 액체 슬로싱(sloshing)의 양이 증가된다는 것이다. 슬로싱은 도 3을 참조하여 아래에 설명된다.
도 3은 최종 요소(100) 주위의 액체 제한 공간(11)의 내부 표면을 포함하는 유체 핸들링 시스템의 일부를 통한 개략적인 단면을 보여주고 있다. 도 3에는 내부 표면에도 존재할 수 있는 추출 부재 또는 공급 개구부(20)가 보여지고 있지 않다. 기판(W) 및/또는 기판 지지체(WT)의 가속뿐만 아니라 이동은 유체 핸들링 시스템의 액체에 항력을 가할 수 있다. 이는 액체가 끌려감에 따라 액체 레벨(302, 303)의 변화를 야기할 수 있다. 예를 들어, 도 3에서 보여지는 바와 같이, 액체 레벨(302, 303)은 액체 고 레벨(303)과 액체 저 레벨(302) 사이에서 변할 수 있다. 액체 레벨(302, 303)의 변화는 본 명세서에서 슬로싱으로 지칭된다. 슬로싱의 양은 액체 고 레벨(303)과 액체 저 레벨(302) 사이의 차이일 수 있다. 슬로싱의 양은 도 3에서 보여진 것보다 클 수 있으며 액체 오버플로우가 발생할 수 있다.
슬로싱은 유체 핸들링 시스템의 성능에 부정적인 영향을 미치는 다수의 문제를 야기할 수 있다. 액체 고 레벨(303)과 액체 저 레벨(302) 사이의 표면은 때때로 액체로 덮이며, 다른 경우에는 가스에 노출된 습윤 표면으로 덮인다. 이 두 가지 다른 조건에서 동일한 표면은 실질적으로 상이한 열 특성을 가질 수 있다. 특히, 가스에 노출된 습윤 표면은 제어되지 않은 증발 냉점(cold spot)일 수 있다. 유체 핸들링 시스템 내의 표면의 열 특성 변화는 열 오버레이 오차를 증가시킬 수 있으며 또한 제어 문제를 야기할 수 있다. 슬로싱은 또한 최종 요소(100)에 제어되지 않은 힘을 가할 수도 있다. 이는, 예를 들어 제어되지 않은 변위, 성능 저하, 이미징 열화 등의 결과로 이어질 수 있다.
본 발명의 실시예는 발생하는 슬로싱의 양을 감소시킬 수 있다. 그에 의하여 기판(W) 및/또는 기판 지지체(WT)의 이동 속도, 가속 및 감속은 금지되어 있는 슬로싱에 의해 야기되는 문제 없이 모두 증가될 수 있다. 본 발명의 실시예는 모든 유형의 국부적인 침지 리소그래피 장치에 사용될 수 있다.
본 발명자들은 발생하는 슬로싱의 양이 내부 표면의, 원주일 수 있는 둘레 주위의 다른 위치에서보다 추출 부재에서 더 적을 수 있다는 것을 인식하였다. 따라서 추출 부재가 내부 표면의 둘레 주위로 연장되는 범위를 증가시킴으로써 슬로싱의 양은 감소될 수 있다.
실시예는 추출 부재가 내부 표면의 둘레 주위로 연장되는 범위를 증가시키기 위한 기술을 포함한다.
본 발명자들은 추출 부재를 통하여 액체만 추출하는 경우에 열적 성능이 향상될 수 있다는 것을 또한 인식하였다. 즉, 추출 부재를 통한 추출은 단일 상 추출과 같은 역할을 한다. 이러한 단일 상 추출은 가스에 노출된 습윤된 표면으로 인하여 발생하는 냉점을 감소 및/또는 방지할 수 있다. 특히, 추출 부재로부터 액체를 받아들이는 유체 추출 채널에는 냉점이 없을 수 있다.
실시예는 또한 실질적으로 액체만이 추출 부재를 통하여 추출되는 것을 보장하기 위한 기술을 포함한다.
도 4a 및 도 4b는 실시예의 제1 및 제2 구현 형태에 따른 유체 핸들링 시스템의 일부의 평면도를 개략적으로 보여주고 있다.
도 4a는 실시예의 제1 구현 형태를 개략적으로 보여주고 있다. 도 4a는 액체 제한 공간(11), 액체 공급 도관(404), 액체 공급 개구부(402), 추출 부재(401), 제1 액체 바이패스 채널(403a) 및 제2 액체 바이패스 채널(403b)을 보여주고 있다. 도 4a에서는 보여지지 않고 있지만, 추출 부재(401)의 배출구 측에 액체를 받아들이기 위한 액체 추출 도관이 있을 수도 있다.
액체 공급 개구부(402)는 앞서 설명된 공급 개구부(20)와 실질적으로 동일할 수 있다. 액체 공급 개구부(402)는 액체 공급 도관(404)으로부터 침지 액체를 받아들인다.
추출 부재(401)는 유입구 측과 배출구 측을 포함한다. 액체는 추출 부재(401)를 통해 유입구 측으로부터 배출구 측으로 흐른다. 도 4a에서 보여지는 바와 같이, 제1 액체 바이패스 채널(403a)과 제2 액체 바이패스 채널(403b)은 각각 액체 공급 도관(404)으로부터 추출 부재(401)의 배출구 측까지 흐름 경로를 제공한다. 따라서 추출 부재의 배출구 측은 제1 액체 흐름과 제2 액체 흐름을 받아들일 수 있다. 추출 부재(401)를 통한 제1 액체 흐름은 액체 제한 공간(11) 내의 액체이다. 제1 액체 바이패스 채널(403a)과 제2 액체 바이패스 채널(403b)을 통한 제2 액체 흐름은 액체 한정 공간(11)과 다른 소스를 갖는 액체이다.
추출 부재(401)는 예를 들어 시브(sieve) 또는 다공성 부재를 포함할 수 있다. 특히, 추출 부재(401)는 다수의 개구를 포함하는 금속 시트일 수 있다. 개구의 수는 예를 들어 1,000 내지 5,0000일 수 있다. 각 개구의 직경은 200㎛ 미만, 바람직하게는 50㎛ 미만일 수 있다.
추출 부재(401)는 개구 내에 및/또는 개구 주위에 소수성 재료를 포함할 수 있다. 이는 추출 부재(401)를 통해 단일 상 흐름을 제공하는데 도움이 될 수 있다.
도 4a에서 보여지는 바와 같이, 추출 부재(401)는 액체 제한 공간(11)의 내부 표면의 둘레의 상당 부분 주위로 연장될 수 있다. 따라서, 추출 부재(401)와 액체 공급 개구부(402)가 동일 평면에 (즉, 기판(W) 및/또는 기판 지지체(WT)에 대해 유사한 높이에) 위치될 때, 그러면 추출 부재(401)와 액체 공급 개구부(402)가 위치된 평면에서, 액체 제한 공간(11)의 내부 표면의 둘레의 상당 부분이 추출 부재(401) 및 액체 공급 개구부(402)에 의해 점유될 수 있다. 실시예는 또한 추출 부재(401)와 액체 공급 개구부(402)가 상이한 평면들에 위치된 구현 형태를 포함한다. 예를 들어, 액체 공급 개구부(402)는 추출 부재(401)보다 기판(W)으로부터 더 멀리 위치될 수 있다. 이러한 구현 형태에 있어서, 평면에서 볼 때, 액체 제한 공간(11)의 내부 표면의 둘레의 상당 부분이 추출 부재(401)와 액체 공급 개구부(402)에 의해 점유될 수 있다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 추출 부재(401)와 액체 공급 개구부(402)가 동일한 평면에 (즉, 기판(W)에 대해 유사한 높이에) 위치될 때, 추출 부재(401)와 액체 공급 개구부(402)의 인접한 종단들 사이에 벽 부분이 있을 수 있다. 실시예는 도 4a에서 보여지는 것보다 액체 제한 공간(11)의 내부 표면의 둘레를 덜 점유하는 벽 부분을 포함한다. 이에 의해 추출 부재(401)는 도 4a에서 보여지는 것보다 액체 제한 공간(11)의 내부 표면의 둘레의 더 큰 범위 주위로 연장될 수 있다.
도 4a에서 보여지는 실시예의 제1 구현 형태에 따른 추출 부재(401)는 공급 개구부(20)와 동일한 또는 유사한 양의 액체 제한 공간(11)의 내부 표면의 둘레를 점유하는 추출 부재의 공지된 구현 형태와 다르다. 유리하게는, 추출 부재(401)가 액체 제한 공간(11)의 내부 표면의 둘레의 상당한 범위 주위로 연장될 때, 슬로싱의 양이 감소될 수 있다.
도 5는 실시예에 따른 추출 부재(401)의 구현을 통한 단면을 개략적으로 보여주고 있다. 도 5의 단면은 도 4a 및 도 4b에서 보여지는 평면 단면에 대한 직교 평면에 있다.
도 5는 추출 부재(401)와 액체 추출 도관(405)을 보여주고 있다. 액체 제한 공간(11)으로부터 추출 부재(401)의 유입구 측까지 액체의 흐름 경로(501)가 있다. 또한, 추출 부재(401)의 배출구 측으로부터 액체 추출 도관(405)을 통과하는 액체의 흐름 경로(502)가 있다.
도 5에서 보여지는 바와 같이, 액체 제한 공간(11) 내의 액체의 레벨은 추출 부재(401)의 유입구 측에 있을 수 있다. 즉, 추출 부재(401)의 유입구 측 일부는 액체와 접촉 상태에 있으며, 추출 부재(401)의 유입구 측의 일부는 기체와 접촉 상태에 있다.
유체 핸들링 시스템과 기판(W) 사이에 상대적인 이동이 없을 때 액체 제한 공간(11) 내의 액체의 레벨이 전체적으로 추출 부재(401)의 유입구 측 모두의 아래에 있도록 추출 부재(401)는 위치될 수 있다. 그러나 기판과 유체 핸들링 시스템 사이에 상대적인 이동이 있을 때 (예를 들어, 기판(W)이 이동될 때), 추출 부재(4501)의 적어도 일부에 대해, 액체의 레벨이 추출 부재(401)의 유입구 측에 있도록 이동은 액체의 레벨의 일부가 상승하게 할 수 있다. 즉, 도 5에서 보여지는 바와 같이, 액체의 레벨이 추출 부재(401)의 유입구 측의 수직 범위의 전체적으로 위도 아니고 전체적으로 아래도 아니기 때문에 액체의 레벨은 추출 부재(401)의 유입구 측에 있다.
유체 핸들링 시스템과 기판(W) 및/또는 기판 지지체(WT) 사이에 상대적인 이동이 없을 때, 액체 제한 공간(11) 내의 액체의 레벨이 전체적으로 추출 부재(401)의 유입구 측 전체 위에 있도록 추출 부재(401)는 대안적으로 위치될 수 있다. 그러나 기판 및/또는 기판 지지체(WT)와 유체 핸들링 시스템 사이에 상대적인 이동이 있을 때 (예를 들어, 기판(W) 및/또는 기판 지지체(WT)가 이동될 때), 추출 부재(401)의 적어도 일부에 대해 액체의 레벨이 추출 부재(401)의 유입구 측에 있도록 이동은 액체의 레벨의 일부를 떨어뜨릴 수 있다. 즉, 도 5에서 보여지는 같이, 액체의 레벨은 추출 부재(401)의 유입구 측의 수직 범위의 전체적으로 위도 아니고 전체적으로 아래도 아니기 때문에 액체의 레벨은 추출 부재(401)의 유입구 측에 있다.
유체 핸들링 시스템과 기판(W) 및/또는 기판 지지체(WT) 사이에 상대적인 이동이 없을 때 액체 제한 공간(11) 내의 액체의 레벨이 추출 부재(401)의 유입구 측에 있도록 추출 부재(401)는 대안적으로 위치될 수 있다. 즉, 도 5에서 보여지는 같이, 액체의 레벨은 추출 부재(401)의 유입구 측의 수직 범위의 전체적으로 위도 아니고 전체적으로 아래도 아니기 때문에 액체의 레벨은 추출 부재(401)의 유입구 측에 있다.
앞서 설명된 바와 같이, 추출 부재(401)를 통과하는 유체 흐름의 실질적으로 전부가 액체인 것이 바람직하다. 따라서, 추출 부재(401)의 유입구 측의 일부 또는 전부가 가스와 접촉 상태에 있을 때, 추출 부재(401)를 통한 유체 흐름이 액체로만 (즉, 단일 상으로) 남아 있는 것이 필요하다.
실시예는 추출 부재(401)의 배출구 측의 실질적으로 전체를 액체로 습윤된/잠긴 상태로 유지시킴으로써 추출 부재(401)를 통한 실질적으로 액체 흐름만을 유지할 수 있다. 추출 부재(401)의 배출구 측은 위에서 설명된 제1 액체 바이패스 채널(403a)과 제2 액체 바이패스 채널(403b)로부터의 액체 흐름에 의하여 액체로 습윤된 상태로 유지될 수 있다. 제1 액체 바이패스 채널(403a)과 제2 액체 바이패스 채널(403b)의 각각은 액체 공급 도관(404)으로부터 추출 부재(401)의 배출구 측까지 액체 흐름 경로를 제공한다. 제1 액체 바이패스 채널(403a)과 제2 액체 바이패스 채널(403b)은 추출 부재(401) 뒤의 채널의 베이스에 액체를 공급할 수 있다. 그에 의하여 액체는 채널을 채워 추출 부재(401)의 배출구 측 전체를 습윤시킬 수 있다.
앞서 설명된 바와 같이, 추출 부재(401)는 예를 들어 시브(sieve) 및/또는 다공성 부재를 포함할 수 있다. 특히, 추출 부재(401)는 다수의 개구를 포함하는 금속 시트를 포함할 수 있다. 개구부의 배출구 측이 액체로 습윤될 때, 모세관력은 추출 부재(401)의 유입구 측으로부터 배출구 측으로의 가스 흐름을 실질적으로 방지할 수 있다.
유리하게는, 추출 부재(401)의 배출구 측으로의 액체의 바이패스 흐름은 추출 부재(401)의 유입구 측의 일부 또는 전부가 가스에 노출될 때 단일 상, 즉 액체만의 액체의 흐름이 유지된다는 것을 보장한다.
도 4b는 실시예의 제2 구현 형태를 보여주고 있다. 도 4b는 액체 제한 공간(11), 액체 공급 도관(404), 액체 공급 개구부(402), 추출 부재(401), 액체 추출 도관(405), 제1 액체 바이패스 채널(403a) 및 제2 액체 바이패스 채널(403b)을 보여주고 있다.
제1 액체 바이패스 채널(403a) 및 제2 액체 바이패스 채널(403b)은 추출 부재(401)의 배출구 측 전체를 습윤시키도록 구성될 수 있다. 이는 도 4a 및 5를 참조하여 앞서 설명된 것과 동일한 또는 유사한 방식으로 수행될 수 있다.
도 4b에서 보여지는 바와 같은 실시예의 제2 구현 형태는 추출 부재(401)가 공급 개구부(20)와 동일한 또는 유사한 양의, 액체 제한 공간(11)의 내부 표면의 둘레를 점유한다는 것에 의하여 도 4a에 도시된 바와 같은 제1 구현 형태와만 다를 수 있다.
도 4b의 구현 형태는 추출 부재(401)를 통한 실질적인 액체만의 흐름으로 인하여 열적 안정성의 개선을 제공할 수 있다. 특히, 실질적인 액체만의 흐름은 유체 도관 및/또는 렌즈 표면에서 냉점의 발생을 감소시키거나 방지할 수 있다.
실시예는 또한 위에서 설명된 기술에 대한 다수의 수정 및 변형을 포함한다.
실시예는 추출 부재(401)의 배출구 측에 액체를 공급하기 위한 단일 바이패스 채널만이 있는 것을 포함한다. 예를 들어, 제1 액체 바이패스 채널(403a)과 제2 액체 바이패스 채널(403b) 중 하나만이 제공될 수 있다.
실시예는 추출 부재(401)의 배출구 측에 액체를 공급하기 위한 2개보다 많은 바이패스 채널이 있는 것을 포함한다.
실시예는 각 액체 바이패스 채널을 통한 액체의 흐름을 제어하기 위한 밸브 배열체의 사용을 포함한다. 유체 핸들링 시스템의 각 도관을 통한 유체 흐름을 제어하기 위하여 밸브 배열체(들)이 제공될 수 있다.
실시예는 습윤 상태를 유지하는 것을 보장하기 위한 추출 부재(401)의 배출구 측에 대한 액체 공급부를 포함하며, 이는 액체 공급 도관(404)과는 별도의 액체 공급부이다. 즉, 습윤 상태를 유지하는 것을 보장하기 위한 추출 부재(401)의 배출구 측에 대한 액체 공급부는 액체 제한 공간(11)에 대한 액체 공급부와는 별도의 액체 소스로부터 일 수 있다. 이는 액체 공급 도관(404)에서 분기되는 하나 이상의 액체 바이패스 흐름에 대한 요구 사항을 회피한다.
실시예는 추출 부재(401)의 유입구 측의 일부 또는 모두가 가스에 노출될 때 추출 부재(401)를 통한 액체의 흐름이 실질적으로 액체로만 유지되는 것을 보장하기 위한 다른 기술의 사용을 포함한다. 예를 들어, 가스가 통과하여 흐르는 것을 허용하지 않는 다공성 부재 또는 시브의 설계가 사용될 수 있다. 이 실시예에서는 추출 부재(401)의 배출구 측으로의 바이패스 흐름 또는 별도의 유체 공급이 없을 수 있다.
실시예는 도 4a 및 도 4b에서 보여진 것과는 다른 형상의 액체 제한 공간(11)을 포함한다. 예를 들어, 평면에서 볼 때, 액체 제한 공간(11)의 둘레는 원형, 정사각형, 직사각형, 또는 별(star) 구성 중 임의의 것, 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다.
도 4a에서 보여지는 실시예에서, 추출 부재(401)는 액체 제한 공간(11)의 내부 표면의 둘레의 상당한 부분 주위로 연장된다. 대안적으로 실시예는 액체 제한 공간(11)의 내부 표면의 둘레의 상당 부분 주위로 연장되는 액체 공급 개구부(402)를 포함한다. 따라서, 추출 부재(401)와 액체 공급 개구부(402)가 동일 평면에 (즉, 기판(W)에 대해 유사한 높이에) 위치될 때, 그러면 추출 부재(401)와 액체 공급 개구부(402)가 위치된 평면에서, 액체 제한 공간(11)의 내부 표면의 둘레의 상당 부분이 추출 부재(401) 및 액체 공급 개구부(402)에 의해 점유될 수 있다.
추출 부재(401)와 액체 공급 개구부(402)가 상이한 평면들에 위치될 때, 즉 추출 부재(401)가 액체 공급 개구부(402)보다 높거나 그 반대일 때, 액체 제한 공간(11)의 내부 표면의 둘레의 전체 또는 상당한 부분은 추출 부재(401) 및/또는 액체 공급 개구부(402)에 의해 점유될 수 있다.
위에서 설명된 실시예에서, 단일의 추출 부재(401)만이 설명된다. 그러나 실시예는 복수의 추출 부재(401)가 있는 것을 포함한다. 복수의 추출 부재(401)는 액체 제한 공간(11)의 둘레 주위에 배열될 수 있다.
실시예는 또한 액체 제한 공간(11) 또는 도관들 중 임의의 것의 상태를 측정하기 위한 다수의 센서를 포함하는 유체 핸들링 시스템을 포함한다. 예를 들어, 유체 핸들링 시스템은 온도, 압력, 액체 또는 기타 유형의 센서 중 임의의 것을 포함할 수 있다. 유체 핸들링 시스템은 센서에 의한 측정에 따라 제어될 수 있다. 예를 들어, 액체 흐름을 제어하기 위한 밸브 배열체는 측정된 압력에 따라 작동될 수 있다. 기판(W)이 유체 핸들링 시스템에 대해 이동되는 속도는 또한 센서 측정에 따라 제어될 수 있다.
실시예는 도 2a, 도 2c 및 도 2d에서 보여지는 것과 같은, 다수의 공지된 유형의 유체 핸들링 시스템 중 임의의 것에 통합될 수 있다. 특히, 도 2a, 도 2c 및 도 2d 내에서의 회수 개구부(21)는 실시예에 따라 추출 부재(401)로 대체될 수 있다. 실시예는 CN104965392B, CN1045977200B, CN103969964B 및 CN105045046B 중 임의의 것에 개시된 임의의 유체 핸들링 시스템들 중 임의의 것에 포함될 수 있으며, 이들 모두는 원용에 의해 본 명세서에 포함된다. CN1045977200B는 액체 주입 채널과 액체 회수 채널 사이에 일방향 흐름이 있도록 액체 주입 채널이 액체 회수 채널의 정반대에 위치되어 있는 유체 핸들링 시스템을 개시하고 있다. 유체 핸들링 시스템의 표면을 향하는 그리고 이에 액체 접촉하는 기판은 소수성 표면을 가질 수 있는 블록을 포함한다. 블록의 직경 방향 반대 종단에 액체 회수 구멍이 제공된다. CN1045977200B에 개시된 유체 핸들링 시스템(들) 및 위에 설명되고 참조된 다른 유체 핸들링 시스템은 실시예의 기술에 따라 단일 상 액체 추출이 적용되도록 구성될 수 있다. 위에 설명되고 참조된 모든 유체 핸들링 시스템은 또한 추출 부재의 배출구 측이 습윤 상태로 유지되는 것을 보장하기 위한 액체 공급부가 있도록 조정될 수 있다.
실시예는 위에서 구체적으로 설명된 특징부로부터의 추가 특징부의 존재 및 사용을 포함한다. 특히, 실시예의 유체 핸들링 시스템(301)은 유체 흐름을 제어하기 위한 하나 이상의 펌프를 포함할 수 있다. 유체 흐름을 제어하기 위한 하나 이상의 펌프는 부가적으로 또는 대안적으로 유체 핸들링 시스템의 외부에 있을 수 있다.
본 발명은 리소그래피 장치를 제공할 수 있다. 리소그래피 장치는 위에서 설명된 바와 같은 리소그래피 장치의 다른 특징부 또는 구성 요소 중 임의의 것/모두를 가질 수 있다. 예를 들어, 리소그래피 장치는 소스(SO), 조명 시스템(IL), 투영 시스템(PS), 기판 지지체(WT) 등 중 적어도 하나 이상을 선택적으로 포함할 수 있다.
구체적으로, 리소그래피 장치는 기판(W)의 표면의 영역을 향하여 방사선 빔(B)을 투영하도록 구성된 투영 시스템(PS)을 포함할 수 있다. 리소그래피 장치는 위의 실시예 및 변형 중 임의의 것에서 설명된 바와 같은 유체 핸들링 시스템을 더 포함할 수 있다.
리소그래피 장치는 유체 핸들링 시스템에 대해 기판(W)을 이동시키도록 구성된 액추에이터를 포함할 수 있다. 따라서, 액추에이터는 기판(W)의 위치 (또는 대안적으로 유체 핸들링 시스템의 위치)를 제어하기 위해 사용될 수 있다. 액추에이터는 기판 지지체 (예를 들어, 기판 테이블)(WT) 및/또는 기판(W)을 유지시키도록 구성된 기판 홀더 및/또는 기판 지지체(WT)를 정확하게 위치시키도록 구성된 제2 포지셔너(PW)일 수 있거나, 이들을 포함할 수 있다.
IC의 제조에서 리소그래피 장치의 사용에 대해 본 문서에서 특정한 참조가 이루어질 수 있지만, 본 명세서에서 설명되는 리소그래피 장치는 다른 적용을 가질 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 가능한 다른 적용은, 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 플랫 패널 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드, 등의 제조를 포함한다.
문맥이 허용하는 경우, 본 발명의 실시예는 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 본 발명의 실시예는 또한 기계-판독 가능한 매체에 저장된 명령어에 의해 구현될 수 있으며, 이 매체는 하나 이상의 프로세서에 의해 판독되고 실행될 수 있다. 기계-판독 가능한 매체는 기계 (예를 들어, 연산 디바이스(computing device))에 의해 판독 가능한 형태로 정보를 저장 또는 전송하기 위한 임의의 메커니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계-판독 가능한 매체는 판독 전용 메모리(ROM); 랜덤 액세스 메모리(RAM); 자기 저장 매체; 광학 저장 매체; 플래시 메모리 디바이스; 전기, 광학, 음향 또는 다른 형태의 전파 신호(propagated signal) (예를 들어, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호 등) 등을 포함할 수 있다. 또한, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴(routine), 명령어는 특정 동작을 수행하는 것으로서 본 명세서에서 설명될 수 있다. 그러나 이러한 설명은 단지 편의를 위한 것이라는 점 그리고 이러한 작동은 사실은 연산 디바이스, 프로세서, 컨트롤러, 또는 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어 등을 실행하는 다른 디바이스에 기인하며 또한 이렇게 하는 것은 액추에이터 또는 다른 디바이스를 물질계와 상호 작용할 수 있게 한다는 점이 인식되어야 한다.
본 명세서에서 리소그래피 장치의 맥락에서의 본 발명의 실시예에 대한 특정한 참조가 이루어질 수 있지만, 본 발명의 실시예는 다른 장치에서 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예는 마스크 검사 장치, 계측 장치, 또는 웨이퍼 (또는 다른 기판) 또는 마스크 (또는 다른 패터닝 디바이스)와 같은 대상물을 측정 또는 처리하는 임의의 장치의 일부를 형성할 수 있다. 이 장치들은 일반적으로 리소그래피 툴로서 지칭될 수 있다. 이러한 리소그래피 툴은 주위 (비진공) 조건을 이용할 수 있다.
광학 리소그래피의 맥락에서 본 발명의 실시예의 사용에 대해 위에서 특정한 참조가 이루어졌을 수 있지만, 본 발명은, 문맥이 허용하는 경우, 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 점이 인식될 것이다.
실시예는 다음의 번호가 부여된 조항을 포함한다:
조항 1: 리소그래피 장치용 유체 핸들링 시스템으로서, 유체 핸들링 시스템은 리소그래피 장치 내의 투영 시스템의 일부와 기판의 표면 사이의 액체 제한 공간에 침지 액체를 제한시키도록 구성되며, 그에 의하여 투영 시스템으로부터 투영된 방사선 빔이 침지 액체를 통과함으로써 기판의 표면을 조사할 수 있으며, 유체 핸들링 시스템은 유입구 측과 배출구 측을 가지며, 유입구 측에서 배출구 측으로의 유체 흐름에 의해 액체 제한 공간으로부터의 침지 액체를 추출하도록 배열된 액체 추출 부재; 및 배출구 측이 액체 제한 공간과 다른 소스로부터의 액체를 받아들이도록 배열된, 액체 추출 부재의 배출구 측에 대한 추가 액체 공급부를 포함한다.
조항 2: 조항 1에 따른 유체 핸들링 시스템에서, 추가 액체 공급부는 배출구 측이 추가 액체 공급부로부터 받아들여진 액체에 의해 습윤되도록 배열된다.
조항 3: 조항 1 또는 2에 따른 유체 핸들링 시스템에서, 액체 추출 부재는 시브 및/또는 다공성 부재를 포함한다.
조항 4: 조항 1 내지 3 중 어느 한 조항에 따른 유체 핸들링 시스템에서, 유입구 측은 액체 제한 공간의 벽에 배열된다.
조항 5: 조항 1 내지 4 중 어느 한 조항에 따른 유체 핸들링 시스템에서, 액체 추출 부재는 사용 중에 실질적으로 액체만 통과하여 흐르도록 단일 상 추출 부재를 포함한다.
조항 6: 조항 1 내지 5 중 어느 한 조항에 따른 유체 핸들링 시스템에서, 추가 액체 공급부는 제1 액체 공급부이며 유체 핸들링 시스템은 침지 액체를 액체 제한 공간에 공급하도록 배열된 제2 액체 공급부를 더 포함한다.
조항 7: 조항 6에 따른 유체 핸들링 시스템에서, 제2 액체 공급부는 액체 제한 공간의 둘레의 적어도 일부 주위로 연장되도록 배열된다.
조항 8: 조항 6 또는 7에 따른 유체 핸들링 시스템에서, 액체 추출 부재는 액체 제한 공간의 둘레의 적어도 일부 주위로 연장되도록 배열된다.
조항 9: 조항 8에 따른 유체 핸들링 시스템에서, 액체 추출 부재 및 제2 액체 공급부는 액체 제한 공간의 둘레 전체를 실질적으로 덮도록 배열된다.
조항 10: 조항 6 내지 9 중 어느 한 조항에 따른 유체 핸들링 시스템에서, 액체 추출 부재는 제2 액체 공급부보다 액체 제한 공간의 둘레의 더 큰 범위 주위로 연장된다.
조항 11: 조항 6 내지 9 중 어느 한 조항에 따른 유체 핸들링 시스템에서, 제2 액체 공급부는 액체 추출 부재보다 액체 제한 공간의 둘레의 더 큰 범위 주위로 연장된다.
조항 12: 조항 6 내지 11 중 어느 한 조항에 따른 유체 핸들링 시스템은 제1 액체 공급부와 제2 액체 공급부 모두에 액체를 공급하도록 배열된 제3 액체 공급부를 더 포함한다.
조항 13: 조항 12에 따른 유체 핸들링 시스템에서, 제3 액체 공급부로부터 제1 액체 공급부로의 액체의 흐름 경로는 제3 액체 공급부로부터 제2 액체 공급부로의 액체의 흐름 경로에서 흘러나오는 바이패스 흐름 경로이다.
조항 14: 조항 12 또는 13에 따른 유체 핸들링 시스템에서, 제3 액체 공급부로부터 제1 액체 공급부로의 액체의 흐름 경로는 제3 액체 공급부로부터 제2 액체 공급부로의 액체의 흐름 경로에서 분기된다.
조항 15: 조항 12 내지 14 중 어느 한 조항에 따른 유체 핸들링 시스템은 제1 액체 공급부, 제2 액체 공급부 및/또는 제3 액체 공급부를 통한 유체의 흐름을 제어하도록 구성된 밸브 배열체를 더 포함한다.
조항 16: 조항 1 내지 15 중 어느 한 조항에 따른 유체 핸들링 시스템에서, 평면에서 볼 때, 액체 제한 공간의 둘레는 원형, 정사각형, 직사각형 또는 별(star) 구성 중 임의의 것이거나 이들의 임의 조합이다.
조항 17: 조항 1 내지 16 중 어느 한 조항에 따른 유체 핸들링 시스템에서, 액체 추출 부재의 유입구 측은 유체 핸들링 시스템이 움직이지 않을 때 침지 액체에 의해 완전히 잠기도록 배열된다.
조항 18: 조항 1 내지 17 중 어느 한 조항에 따른 유체 핸들링 시스템에서, 액체 추출 부재의 유입구 측은 유체 핸들링 시스템이 사용 중일 때 적어도 부분적으로 가스에 노출되도록 배열된다.
조항 19: 리소그래피 장치용 유체 핸들링 시스템으로서, 유체 핸들링 시스템은 리소그래피 장치 내의 투영 시스템의 일부와 기판의 표면 사이의 액체 제한 공간에 침지 액체를 제한시키도록 구성되며, 그에 의하여 투영 시스템으로부터 투영된 방사선 빔이 침지 액체를 통과함으로써 기판의 표면을 조사할 수 있으며, 유체 핸들링 시스템은 액체 제한 공간에 대한 액체 공급부인 액체 공급부; 및 액체 제한 공간으로부터 실질적으로 액체만을 추출하도록 배열되는 액체 추출 부재를 포함하며, 여기서 액체 공급부는 액체 제한 공간의 둘레의 적어도 일부 주위로 연장되도록 배열되며; 액체 추출 부재는 액체 제한 공간의 둘레의 적어도 일부 주위로 연장되도록 배열되고; 그리고 액체 추출 부재와 액체 공급부는 액체 제한 공간의 둘레 전체를 실질적으로 덮는다.
조항 20: 리소그래피 장치는 조항 1 내지 19 중 어느 한 조항에 따른 유체 핸들링 시스템을 포함한다.
조항 21: 조항 20항에 따른 리소그래피 장치는 기판의 표면에 실질적으로 평행한 평면에서 투영 시스템에 대해 기판을 지지하도록 구성된 기판 홀더를 이동시키도록 구성된 위치 설정 시스템을 더 포함한다.
본 발명의 특정 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명되는 것과 달리 실시될 수 있다는 점이 인식될 것이다. 위의 설명은 제한이 아니라 예시적인 것으로 의도된다. 따라서 아래에 제시되는 청구범위의 범위를 벗어나지 않고, 설명된 바와 같은 본 발명에 대한 수정이 이루어질 수 있다는 점이 본 기술 분야에서 숙련된 자에게 명백할 것이다;

Claims (15)

  1. 리소그래피 장치용 유체 핸들링 시스템으로서, 리소그래피 장치 내의 투영 시스템의 일부와 기판의 표면 사이의 액체 제한 공간에 침지 액체를 제한시키도록 구성되며, 그에 의하여 상기 투영 시스템으로부터 투영된 방사선 빔이 상기 침지 액체를 통과함으로써 상기 기판의 표면을 조사할 수 있게 되고,
    유입구 측과 배출구 측을 가지며, 상기 유입구 측에서 상기 배출구 측으로의 유체 흐름에 의해 상기 액체 제한 공간으로부터의 침지 액체를 추출하도록 배열된 액체 추출 부재; 및
    상기 배출구 측이 상기 액체 제한 공간과 다른 소스로부터의 액체를 받아들이도록 배열된, 상기 액체 추출 부재의 상기 배출구 측에 대한 추가 액체 공급부를 포함하는 유체 핸들링 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 추가 액체 공급부는 상기 배출구 측이 상기 추가 액체 공급부로부터 받아들여진 액체에 의해 습윤되도록 배열된 유체 핸들링 시스템.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 액체 추출 부재는 시브(sieve) 및/또는 다공성 부재를 포함하는 유체 핸들링 시스템.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유입구 측은 상기 액체 제한 공간의 벽에 배열되며, 및/또는 상기 액체 추출 부재는 사용 중에 실질적으로 액체만 통과하여 흐르도록 단일 상(phase) 추출 부재를 포함하고, 및/또는 상기 추가 액체 공급부는 제1 액체 공급부이며 상기 유체 핸들링 시스템은 침지 액체를 상기 액체 제한 공간에 공급하도록 배열된 제2 액체 공급부를 더 포함하는 유체 핸들링 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2 액체 공급부는 상기 액체 제한 공간의 둘레의 적어도 일부 주위로 연장되도록 배열된 유체 핸들링 시스템.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 액체 추출 부재는 상기 액체 제한 공간의 둘레의 적어도 일부 주위로 연장되도록 배열된 유체 핸들링 시스템.
  7. 제6항에 있어서, 상기 액체 추출 부재 및 상기 제2 액체 공급부는 상기 액체 제한 공간의 둘레 전체를 실질적으로 덮도록 배열된 유체 핸들링 시스템.
  8. 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 액체 추출 부재는 상기 제2 액체 공급부보다 상기 액체 제한 공간의 둘레의 더 큰 범위 주위로 연장되며, 또는 상기 제2 액체 공급부는 상기 액체 추출 부재보다 상기 액체 제한 공간의 둘레의 더 큰 범위 주위로 연장되고, 및/또는 상기 제1 액체 공급부와 상기 제2 액체 공급부 모두에 액체를 공급하도록 배열된 제3 액체 공급부를 더 포함하는 유체 핸들링 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제3 액체 공급부로부터 상기 제1 액체 공급부로의 액체의 흐름 경로는 상기 제3 액체 공급부로부터 상기 제2 액체 공급부로의 액체의 흐름 경로에서 흘러나오는 바이패스 흐름 경로인 유체 핸들링 시스템.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제3 액체 공급부로부터 상기 제1 액체 공급부로의 액체의 흐름 경로는 상기 제3 액체 공급부로부터 상기 제2 액체 공급부로의 액체의 흐름 경로에서 분기되는 유체 핸들링 시스템.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 액체 공급부, 상기 제2 액체 공급부 및/또는 상기 제3 액체 공급부를 통한 유체의 흐름을 제어하도록 구성된 밸브 배열체를 더 포함하는 유체 핸들링 시스템.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 평면에서 볼 때, 상기 액체 제한 공간의 둘레는 원형, 정사각형, 직사각형 또는 별(star) 구성 중 임의의 것이거나 이들의 임의의 조합이며, 및/또는 상기 액체 추출 부재의 유입구 측은 상기 유체 핸들링 시스템이 움직이지 않을 때 침지 액체에 의해 완전히 잠기도록 배열되고, 및/또는 상기 액체 추출 부재의 유입구 측은 상기 유체 핸들링 시스템이 사용 중일 때 적어도 부분적으로 가스에 노출되도록 배열된 유체 핸들링 시스템.
  13. 리소그래피 장치용 유체 핸들링 시스템에 있어서, 유체 핸들링 시스템은 투영 시스템의 일부와 리소그래피 장치 내의 기판의 표면 사이의 액체 제한 공간에 침지 액체를 제한하도록 구성되며, 그에 의하여 상기 투영 시스템으로부터 투영된 방사선 빔이 상기 침지 액체를 통과함으로써 상기 기판의 표면을 조사할 수 있게 되고,
    상기 액체 제한 공간에 대한 액체 공급부인 액체 공급부; 및
    상기 액체 제한 공간으로부터 실질적으로 액체만을 추출하도록 배열되는 액체 추출 부재를 포함하며,
    상기 액체 공급부는 상기 액체 제한 공간의 둘레의 적어도 일부 주위로 연장되도록 배열되며;
    상기 액체 추출 부재는 상기 액체 제한 공간의 둘레의 적어도 일부 주위로 연장되도록 배열되고; 그리고
    상기 액체 추출 부재와 상기 액체 공급부는 상기 액체 제한 공간의 둘레 전체를 실질적으로 덮는 유체 핸들링 시스템.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 유체 핸들링 시스템을 포함하는 리소그래피 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 기판의 표면에 실질적으로 평행한 평면에서 상기 투영 시스템에 대해 상기 기판을 지지하도록 구성된 기판 홀더를 이동시키도록 구성된 위치 설정 시스템을 더 포함하는 리소그래피 장치.
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