KR20230154746A

KR20230154746A - 안료 분산체, 도막 형성용 조성물 및 경화막

Info

Publication number: KR20230154746A
Application number: KR1020230042200A
Authority: KR
Inventors: 타쿠야 야마모토
Original assignee: 산요 시키소 가부시키가이샤
Priority date: 2022-05-02
Filing date: 2023-03-30
Publication date: 2023-11-09
Also published as: CN116987402A; TW202348740A; JP2023165282A

Abstract

[과제]
분산성이 우수한 안료 분산체 및 도막 형성용 조성물을 제공하는 것, 및, 근적외선의 차폐성이 우수하고, 종래보다도 내열성이 양호한 경화막을 제공하는 것.
[해결 수단]
주석 나프탈로시아닌 안료, 분산제 및 용제를 함유하고, 상기 분산제가, 인산기를 갖고, 산가가 1∼128mgKOH/g, 아민가가 0mgKOH/g인 수지형 분산제인 안료 분산체, 당해 안료 분산체 및 도막 형성 성분을 포함하는 도막 형성용 조성물, 그리고, 당해 도막 형성용 조성물의 경화막.

Description

안료 분산체, 도막 형성용 조성물 및 경화막 {Pigment dispersion, composition for forming a coating film, and cured film}

본 발명은, 안료 분산체, 도막 형성용 조성물 및 경화막에 관한 것으로, 특히 주석 나프탈로시아닌 안료를 함유하는 안료 분산체, 도막 형성용 조성물 및 경화막에 관한 것이다.

종래, 금속 나프탈로시아닌 화합물, 그 중에서도 2염화 주석(주석, Sn)이나프탈로시아닌 화합물(이하, 주석 나프탈로시아닌 안료라고 함)은, 근적외선 영역에 큰 흡수를 갖고 있기 때문에, 근적외선 흡수재로서 널리 이용되고 있다(예를 들면 특허문헌 1, 2 등).

특허문헌 1에는, 750∼950nm의 근적외선의 파장 영역에서 플랫한 광흡수 파형을 갖는 2염화 주석 나프탈로시아닌 화합물과, 그것을 사용한 근적외선 흡수재가 개시되어 있다.

특허문헌 2에는, 특정의 결정형을 갖는 염화 주석 나프탈로시아닌 화합물을 함유하는 금속 나프탈로시아닌 안료(주석 나프탈로시아닌 안료), 당해 안료를 함유하는 근적외선 흡수재 등이 기재되어 있다. 그리고, 이러한 특정의 주석 나프탈로시아닌 안료는, 높은 분산성을 갖는 것이 기재되어 있다.

일본공개특허공보 평11-35583호 일본공개특허공보 2008-202000호

그런데, 주석 나프탈로시아닌 안료 등의 금속 나프탈로시아닌 안료는, 일반적으로, 안정되게 분산시키는 것이 곤란하다고 되어 있다.

또한, 주석 나프탈로시아닌 안료를 함유하는 도막은, 성막 가공시의 가열(열 이력)을 견딜 필요가 있음과 동시에, 센서 등의 적외선 흡수재로서 이용될 때에도, 일광 등에 노출되어 온도가 상승하는 경우도 있다. 즉, 도막으로서의 높은 내열성도 요구된다. 여기에 개선의 여지가 있다.

본 발명의 목적은, 분산성이 우수한 안료 분산체 및 도막 형성용 조성물을 제공하는 것에 있다. 또한, 근적외선의 차폐성이 우수하고, 종래보다도 내열성이 양호한 경화막을 제공하는 것에 있다.

본 발명자는, 전술한 과제 해결을 위해, 예의 검토를 행했다. 그 결과, 주석 나프탈로시아닌 안료와 특정의 수지형 분산제를 사용하여 안료 분산체를 구성함으로써, 전술한 과제를 해결 가능한 것을 알아냈다. 본 발명의 요지는 이하와 같다.

(1) 주석 나프탈로시아닌 안료, 분산제 및 용제를 함유하고,

상기 분산제가, 인산기를 갖고, 산가가 1∼128mgKOH/g, 아민가가 0mgKOH/g인 수지형 분산제인 안료 분산체.

(2) 상기 분산제가, 주골격이 아크릴 골격인 아크릴계 수지형 분산제인 전항 (1)에 기재된 안료 분산체.

(3) 전항 (1) 또는 (2)에 기재된 안료 분산체 및 도막 형성 성분을 포함하는 도막 형성용 조성물.

(4) 파장 780∼950nm의 근적외선을 흡수 가능한 전항 (3) 기재의 도막 형성용 조성물의 경화막.

본 발명에 의하면, 분산성이 우수한 안료 분산체 및 도막 형성용 조성물을 제공할 수 있다. 또한, 근적외선의 차폐성이 우수하고, 종래보다도 내열성이 양호한 경화막을 제공할 수 있다.

도 1은 실시예 1에서 사용한 주석 나프탈로시아닌 안료의 X선 회절 스펙트럼을 나타낸 도면이다.
도 2는 실시예 1∼3의 안료 분산체를 사용하여 제작한 도막의 프리베이킹 후의 투과 스펙트럼을 나타낸 도면이다.
도 3은 실시예 1∼3의 경화막의 포스트베이킹 후의 투과 스펙트럼을 나타낸 도면이다.
도 4는 실시예 1∼3의 경화막의 애드베이킹 후의 투과 스펙트럼을 나타낸 도면이다.

본 발명의 실시 형태에 따른 안료 분산체는, 주석 나프탈로시아닌 안료, 분산제 및 용제를 함유한다. 그리고, 상기 분산제는, 인산기를 갖는 수지형 분산제이다. 이 수지형 분산제의 산가는 1∼128mgKOH/g이며, 이 수지형 분산제의 아민가는 0mgKOH/g이다.

상기 주석 나프탈로시아닌 안료는, 하기 식 (1)로 나타나는 것을 사용할 수 있다.

식 (1) 중, R₁∼R₂₄는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 치환기를 갖는 혹은 무치환의 탄소 원자수 1∼20의 알킬기, 치환기를 갖는 혹은 무치환의 탄소 원자수 6~20의 아릴기, 치환기를 갖는 혹은 무치환의 탄소 원자수 4∼20의 복소환기, -O-R₂₅ 또는 -S-R₂₆을 나타내고, R₂₅ 및 R₂₆은 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환기를 갖는 혹은 무치환의 탄소 원자수 1∼20의 알킬기, 치환기를 갖는 혹은 무치환의 탄소 원자수 6∼20의 아릴기를 나타내고, M은, 디클로로 또는 2염화 주석(SnCl₂)을 나타낸다.

식 (1) 중의 R₁∼R₂₄는, 수소 원자인 것이 바람직하다. 또한, R₁∼R₂₄가 수소 원자인 주석 나프탈로시아닌 안료는, 특별히 한정은 없지만, 예를 들면, 일본공개특허공보 2008-202000호에 기재된 결정형을 갖는 것이나, 후술하는 실시예 1에서 사용한 결정형을 갖는 것 등을 들 수 있다. 실시예 1에서 사용한 본 발명의 주석 나프탈로시아닌 안료는, 도 1에 나타내는 X선 회절 스펙트럼(XRD차트)을 나타내고, X선 회절 스펙트럼에 있어서 브랙각 2θ(±0.3°)가 6.0°로 최대 회절 피크를 나타내고, 또한 11.9°, 13.8°, 14.7°, 16.4°, 17.2°, 26.7°, 27.2°로 회절 피크를 갖는다.

주석 나프탈로시아닌 안료의 입자의 평균 1차 입자경은, 10∼40nm가 바람직하다. 주석 나프탈로시아닌 안료의 1차 입자경은, 예를 들면, 안료를 투과형 전자현미경으로 배율 10만배로 촬영한 화상으로부터 측정할 수 있다. 또한, 평균 1차 입자경에 대해서는, 예를 들면, 100개의 입자의 1차 입자경을 측정하고, 그 평균값을 평균 1차 입자경으로 할 수 있다.

주석 나프탈로시아닌 안료는 미세화 처리된 것을 사용할 수 있다. 미세화 처리는 습식, 건식 중 어느 것이라도 좋다. 예를 들면, 일본공개특허공보 2008-202000호에 기재된 방법을 채용할 수 있다.

주석 나프탈로시아닌 안료의 안료 분산체 중의 함유량은, 고형분 기준으로 1∼12중량%로 할 수 있다.

분산제는, 인산기를 갖고, 산가가 1∼128mgKOH/g, 아민가가 0mgKOH/g인 수지형 분산제이면 좋다. 수지형 분산제의 수지의 구조는, 분산성의 관점에서, 주골격이 아크릴 골격, 폴리에스테르 골격 및 폴리에테르 골격의 것으로부터 선택되는 적어도 일종이다. 아크릴 골격을 갖는 것이 바람직하다.

분산제의 산가는, 1∼128mgKOH/g이면 좋지만, 분산성의 관점에서는, 20∼100mgKOH/g이 바람직하고, 30∼75mgKOH/g이 보다 바람직하다. 분산제의 산가(고형분 환산했을 때의 산가)는, 예를 들면, DIN EN ISO 2114에 준거하는 방법에 의해 구할 수 있다. 분산제의 아민가(고형분 환산했을 때의 아민가)는, 예를 들면, DIN 16945에 준거하는 방법에 의해 구할 수 있다.

수지형 분산제의 분자량은, 특별히 한정은 없고, 예를 들면, 중량 평균 분자량(M_W)이 3000∼40000인 것을 채용할 수 있다.

안료 분산체 중, 분산제의 함유량은, 분산성의 관점에서, 주석 나프탈로시아닌 안료 100중량부에 대하여, 고형분 기준으로 50∼200중량부가 바람직하다.

용제는, 예를 들면, 방향족계, 케톤계, 에스테르계, 글리콜에테르계, 알코올계, 지방족계 등의 각종의 용제를 들 수 있다. 도막 형성성의 관점에서는, 방향족계, 케톤계, 에스테르계, 글리콜에테르계로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하고, 에스테르계가 특히 바람직하다. 에스테르계로서는, 예를 들면, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PMA 또는 PGMEA) 등을 들 수 있다. 용제는, 이들 중 1종을 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.

안료 분산체에 있어서, 용제의 함유량은, 특별히 한정은 없다. 예를 들면, 안료 분산체 중 70∼99중량%로 할 수 있다.

안료 분산체는, 필요에 따라 전술한 성분 이외에, 다른 첨가제를 포함해도 좋다. 다른 첨가제로서는, 안료 유도체, 분산 수지, 염료, 주석 나프탈로시아닌 안료 이외의 안료, 산화 방지제, 응집 방지제, 표면 조정제(레벨링제) 등을 들 수 있다.

안료 분산체는, 예를 들면, 전술한 각 성분을 비드 밀, 샌드 밀, 디스퍼, 페인트 컨디셔너 등의 공지의 분산기에 첨가하고, 분산함으로써 조제할 수 있다. 또한, 필요에 따라, 여과 처리를 행해도 좋고, 안료 농도를 조정하기 위해 용매를 첨가하고, 교반 처리를 행해도 좋다.

안료 분산체는, 분산성이 양호하다. 이러한 분산성은, 예를 들면, 분산 처리 직후의 안료 분산체의 점도 및 안료 분산체에 포함되는 입자의 입자경을 확인함으로써 평가할 수 있다. 또한, 분산 처리 후 소정 기간, 소정 조건하에서 보존한 후의 동(同) 점도 및 동(同) 입자경의 변화의 정도를 확인함으로써, 분산 안정성을 보아도 좋다.

보다 구체적으로는, 분산 처리 직후의 점도(초기 점도 A) 및 입자경(초기 입자경 X)을 측정하고, 평가할 수 있다. 또한, 분산 처리 직후의 점도(초기 점도 A) 및 입자경(초기 입자경 X)과, 분산 처리 후 40℃에서 1주일 보존 후의 점도(보관 후의 점도 B) 및 입자경(보관 후의 입자경 Y)을 측정하고, 초기 점도A에 대한 보관 후의 점도 B의 비율(B/A×100), 초기 입자경 X에 대한 보관 후의 입자경 Y의 비율(Y/X×100)로부터 평가해도 좋다.

분산 안정성에 대해서는, 이들의 비율이, 안료 분산체의 점도에서는 변화율 60∼120%, 안료 분산체에 포함되는 입자의 입자경에서는 변화율 70∼140%이면 양호하다고 평가할 수 있다. 점도 및 입자경은, 예를 들면, 후술하는 실시예에 기재된 측정 장치를 사용하여 측정할 수 있다.

본 발명의 실시 형태에 따른 도막 형성용 조성물은, 전술한 안료 분산체 및 도막 형성 성분을 포함한다. 즉, 도막 형성용 조성물은, 전술한 안료 분산체를 구성하는 각 성분과 도막 형성 성분을 포함한다고도 말할 수 있다.

도막 형성 성분으로서는, 예를 들면, 중합성 성분, 중합체, 이들의 혼합물 등을 들 수 있다.

중합체로서는, 예를 들면, 열가소성 우레탄계 수지, (메타)아크릴계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 스티렌·말레산계 수지, 폴리에스테르계 수지, 실리콘 수지, 카도(cardo) 수지 등을 들 수 있다.

도막 형성용 조성물 중에 있어서의 중합체의 함유량으로서는, 도막 형성용 조성물의 전체 고형분 중에서, 10∼90중량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는, 30∼70중량%이다. 도막 형성용 조성물 중에 있어서의 중합체의 함유량은, 안료 분산체에 분산 수지가 포함되는 경우에는, 그것과의 합계량이다. 중합체의 분자량은 적절히 결정할 수 있다. 또한, 도막 형성용 조성물의 전체 고형분 중, 안료의 농도가 3∼30중량%가 되도록 하는 것이 바람직하다.

도막 형성 성분으로서의 중합체 중, 알칼리 영역의 용액에 용해성을 나타내는 알칼리 가용성 수지가 바람직하다. 이러한 알칼리 가용성 수지로서는, 예를 들면, 일본공개특허공보 2021-191846호나 일본공개특허공보 2009-179789호에 기재된 (메타)아크릴계 중합체를 들 수 있다. 알칼리 가용성 수지의 중량 평균 분자량은, 현상성의 관점에서는, 5000∼50000이 바람직하다.

중합성 성분으로서는, 포토리소그래피 또는 현상(네거티브 현상)에 의해, 패터닝을 실시하는 것이 용이한 점에서, 감광성의 중합성 성분(광중합성 성분)이 바람직하다. 사용 가능한 광중합성 성분으로서는, 광중합성 화합물 및 광중합 개시제를 포함한다. 이러한 광중합성 화합물 및 광중합 개시제는, 예를 들면, 일본공개특허공보 2009-179789호에 기재된 것을 사용할 수 있다. 광중합성 화합물은, 도막 형성용 조성물 중의 전체 고형분에 대하여, 바람직하게는 5∼70중량% 포함된다. 또한, 이들은 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 좋다. 광중합 개시제의 도막 형성용 조성물 중에 있어서의 함유량으로서는, 도막 형성용 조성물의 전체 고형분에 대하여, 0.1∼10중량%가 바람직하다.

도막 형성용 조성물에는, 필요에 따라, 증감제(증감 색소), 연쇄 이동제, 불소계 유기 화합물, 열중합 개시제, 열중합 성분, 충전제, 계면활성제, 밀착 촉진제, 산화 방지제, 응집 방지제, 표면 조정제(레벨링제) 등의 각종 첨가제를 첨가해도 좋다.

도막 형성용 조성물은, 전술한 각 성분을, 예를 들면, 디스퍼, 쉐이커 등에 의해 교반함으로써 얻을 수 있다. 안료 분산체를 사용하는 경우에는, 도막 형성용 조성물 중의 고형분 농도를 조정하기 위해 용매를 첨가해도 좋다. 또한, 교반시의 도막 형성용 조성물 중의 고형분 농도는, 예를 들면, 5∼30중량%로 할 수 있다. 얻어진 혼합액은, 필요에 따라 여과 처리를 행해도 좋다.

도막 형성용 조성물의 경화막은, 스핀 코트 등의 공지의 장치를 사용하여, 소망하는 기재의 표면에 소망하는 두께가 되도록 도막 형성용 조성물을 도포하여 도막을 형성하고, 도막 형성 성분을 가열 등에 의해 경화시킴으로써 형성할 수 있다. 이 경화막은, 파장 780∼950nm의 근적외선을 흡수 가능하다. 특히, 내열성이 양호하고, 예를 들면, 후술하는 실시예의 칸에 기재된 조건으로 가열(포스트베이킹)한 후도 파장 780∼950nm의 근적외선의 흡수가 실사용의 범위 내로 할 수 있다. 이러한 경화막은, 광학 필터, 고체 촬상 소자, 화상 표시 장치, 적외선 센서 등에 사용되는 근적외선 흡수 필터 등으로서 적합하다.

[실시예]

이하, 실시예에 기초하여 본 발명의 실시 형태를 보다 상세하게 설명한다.

(실시예 1)

사용한 안료: 주석 나프탈로시아닌 안료(산요시키소 가부시키가이샤 제조, NC502)

식 (1) 중의 R1∼24가 수소 원자이며, M이 SnCl₂이다. X선 회절 스펙트럼을 도 1에 나타낸다. 전술한 바와 같이 소정의 위치에 회절 피크를 갖는다.

조성: 주석 나프탈로시아닌 안료(NC502) 6중량부,

수지형 분산제 A(주골격: 아크릴 골격, 안료로의 흡착기: 인산기, 고형분: 56.4중량%, 산가: 48mgKOH/g, 아민가: 0mgKOH/g) 10.6중량부,

용제(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트: PMA 또는 PGMEA) 83.4중량부를

배합하여 밀 베이스를 얻었다. 다음으로, 그 밀베이스 100중량부에 대하여, 직경 0.1mm의 지르코니아 비즈를 400중량부 배합하고, 페인트 컨디셔너에 의해 60분간 분산 처리를 행했다. 그 후, 지르코니아 비즈를 제거하고, 주석 나프탈로시아닌 안료의 농도가 5중량%가 되도록, PMA를 첨가, 교반하여, 실시예 1의 안료 분산체를 얻었다.

(실시예 2)

조성: 주석 나프탈로시아닌 안료(NC502) 6중량부,

수지형 분산제 B(주골격: 폴리에스테르 골격, 안료로의 흡착기: 인산기, 고형분: 100중량%, 산가: 50mgKOH/g, 아민가: 0mgKOH/g) 6중량부,

용제(PMA) 88중량부를

배합하여 밀 베이스를 얻었다. 다음으로, 실시예 1과 동일한 조작에 의해, 실시예 2의 안료 분산체를 얻었다.

(실시예 3)

조성: 주석 나프탈로시아닌 안료(NC502) 6중량부,

수지형 분산제 C(주골격: 폴리에테르 골격, 안료로의 흡착기: 인산기, 고형분: 50중량%, 산가: 48mgKOH/g, 아민가: 0mgKOH/g) 12중량부,

용제(PMA) 82중량부를

배합하여 밀 베이스를 얻었다. 다음으로, 실시예 1과 동일한 조작에 의해, 실시예 3의 안료 분산체를 얻었다.

(비교예 1)

조성: 주석 나프탈로시아닌 안료(NC502) 6중량부,

수지형 분산제 D(주골격: 폴리에스테르 골격, 안료로의 흡착기: 인산기, 고형분: 100중량%, 산가: 129mgKOH/g, 아민가: 0mgKOH/g) 6중량부,

용제(PMA) 88중량부를

배합하여 밀 베이스를 얻었다. 다음으로, 실시예 1과 동일한 조작에 의해, 분산 처리를 행했지만, 겔화하여 안료 분산체를 얻을 수 없었다. 즉, 비교예 1의 조성은, 분산 불량을 일으켰다.

(비교예 2)

조성: 주석 나프탈로시아닌 안료(NC502) 6중량부,

수지형 분산제 E(주골격: 아크릴 골격, 안료로의 흡착기: 아미노기, 고형분: 45.1중량%, 산가: 19mgKOH/g, 아민가: 29mgKOH/g) 13.3중량부,

용제(PMA) 80.7중량부를

배합하여 밀 베이스를 얻었다. 다음으로, 실시예 1과 동일한 조작에 의해, 분산 처리를 행했지만, 겔화하여 안료 분산체를 얻을 수 없었다. 즉, 비교예 2의 조성은, 분산 불량을 일으켰다.

(비교예 3)

조성: 주석 나프탈로시아닌 안료(NC502) 6중량부,

수지형 분산제 F(주골격: 아크릴 골격, 안료로의 흡착기: 카르복시기, 고형분: 100중량%, 산가: 106mgKOH/g, 아민가: 0mgKOH/g) 6중량부,

용제(PMA) 88중량부를

배합하여 밀 베이스를 얻었다. 다음으로, 실시예 1과 동일한 조작에 의해, 분산 처리를 행했지만, 겔화하여 안료 분산체를 얻을 수 없었다. 즉, 비교예 3의 조성은, 분산 불량을 일으켰다.

(평가 1)

<점도>

실시예 1∼3에서 얻어진 안료 분산체에 대해서, 「표 1」에 나타내는 바와 같이, 조제 직후의 초기 점도(A)에 의해, 안료 분산체의 분산성을 평가했다. 또한, 초기 점도(A)가 30mPa·s 이하인 것을 「양호」라고 했다. 또한, 40℃에서 1주일 보관한 후의 점도(B)를 측정하고, 초기 점도(A)에 대한 보관 후의 점도(B)의 변화율(분산 안정성)을 하기식에 의해 산출했다. 또한, 점도의 측정은, 토키산교사 제조, TV-22형 점도계에 의해 행했다.

점도의 변화율[%]=(보관 후의 점도 B/초기 점도 A)×100

<입자경>

실시예 1∼3에서 얻어진 안료 분산체에 대해서, 조제 직후의 초기 입자경(X)이 180nm 이하인 것을 「양호」라고 했다. 또한, 40℃에서 1주일 보관한 후의 입자경(Y)을 측정하고, 초기 입자경(X)에 대한 보관 후의 입자경(Y)의 변화율(분산 안정성)을 하기식에 의해 산출했다. 또한, 입자경의 측정은, 오츠카덴시사 제조, FPAR-1000에 의해 행했다.

입자경의 변화율[%]=(보관 후의 입자경 Y/초기 입자경 X)×100

평가 1의 결과를 표 1에 나타낸다.

(평가 2)

<도막의 내열성>

실시예 1∼3에서 얻어진 안료 분산체, 도막 형성 성분(아크릴 수지, 중량 평균 분자량: 7700, 산가: 115mgKOH/g, 아민가 없음, 고형분: 37.2중량%), 및, 용제(PMA)를 혼합, 교반하여, 도공액(본 발명의 도막 형성용 조성물)을 조제했다. 이때, 도공액의 고형분이 12중량%, 고형분 기준으로 도공액에 있어서의 안료의 농도가 25중량%가 되도록 각 성분을 배합했다. 얻어진 실시예 1, 2, 3의 각 도공액을 사용하여, 스핀 코팅에 의해, 기재(재질: 유리)의 표면에, 막두께가 1μm의 각 도막을 형성했다. 표면에 각 도막이 형성된 기재(코팅 플레이트)를, 상온(23℃)에서 3분간 건조한 후, 90℃에서 2.5분간 가열(프리베이킹: 도 2의 상태)하고, 계속해서 230℃에서 30분간 가열(포스트베이킹: 도 3의 상태)하여 기재 상에 경화막을 제작했다.

이어서, 포스트베이킹 후, 추가로 230℃에서 3시간의 추가 가열(애드베이킹: 도 4의 상태)을 행했다. 프리베이킹 후, 포스트베이킹 후 및 애드베이킹 후의 코팅 플레이트에 대해서, 분광 광도계(니혼분코사 제조, V-670)에 의해, 광투과 스펙트럼을 측정했다. 측정 결과를 도 2∼4에 나타낸다. 또한, 각 실시예의 파장 900∼950nm(적외선 영역)에 있어서의 프리베이킹 후, 포스트베이킹 후, 애드베이킹 후의 광투과율(%)의 대표값을 「표 2」에 나타낸다. 또한, 평가 기준은, 포스트베이킹 후의 파장 780∼950nm의 투과율이 30% 이하이면 실용상 사용 가능하고, 투과율이 0%에 가까울수록 양호한 근적외선 흡수 특성을 갖는다고 말할 수 있다.

(평가 결과) 표 1, 표 2, 및 도 2∼4에 나타내는 바와 같이, 주석 나프탈로시아닌 안료와, 인산기를 갖는 특정의 수지형 분산제를 포함하는 본 발명의 안료 분산체는, 일반적으로 안정되게 분산시키는 것이 곤란하다고 말해지는 주석 나프탈로시아닌 안료라도, 양호하게 분산시킬 수 있다. 그 때문에, 도막 형성용 조성물도 양호한 분산성을 가질 수 있다. 또한, 상기 안료 분산체를 포함하는 도막 형성용 조성물을 가열 경화시킨 경화막은, 내열성이 양호하고, 양호한 근적외선광의 차폐를 유지할 수 있는 것을 알 수 있다. 그 중에서도, 주골격이 아크릴 골격인 아크릴계 수지형 분산제 A를 사용한 조성물로 이루어지는 경화막은, 성막 가공시의 가열을 견딤과 동시에, 이용될 때의 일광의 노출 등에 수반하는 온도 상승에도 견디는 내열성을 갖는다.

Claims

주석 나프탈로시아닌 안료, 분산제 및 용제를 함유하고,
상기 분산제가, 인산기를 갖고, 산가가 1∼128mgKOH/g, 아민가가 0mgKOH/g인 수지형 분산제인 안료 분산체.
제1항에 있어서,
상기 분산제가, 주골격이 아크릴 골격인 아크릴계 수지형 분산제인 안료 분산체.
제1항 또는 제2항에 기재된 안료 분산체 및 도막 형성 성분을 포함하는 도막 형성용 조성물.
제3항에 있어서,
파장 780∼950nm의 근적외선을 흡수 가능한 도막 형성용 조성물의 경화막.