KR20230118784A - 펠리클 프레임 및 펠리클 - Google Patents

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KR20230118784A
KR20230118784A KR1020230100555A KR20230100555A KR20230118784A KR 20230118784 A KR20230118784 A KR 20230118784A KR 1020230100555 A KR1020230100555 A KR 1020230100555A KR 20230100555 A KR20230100555 A KR 20230100555A KR 20230118784 A KR20230118784 A KR 20230118784A
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유 야나세
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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

(과제) 펠리클 프레임에 형성되는 지그공의 가공시나 펠리클을 포토마스크로부터 박리하는 박리시에 파손이 잘 발생하지 않는 펠리클 프레임, 및 그 펠리클 프레임을 사용한 펠리클, 나아가서는 펠리클의 박리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
(해결 수단) 본 발명은, 펠리클막을 형성하는 상단면과 포토마스크에 면하는 하단면을 갖는 프레임상의 펠리클 프레임으로서, 하단면의 외측면으로부터 내측면을 향해 리세스부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 펠리클 프레임, 그 펠리클 프레임을 구성 요소로서 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클, 및, 펠리클이 장착된 포토마스크로부터 펠리클을 박리하는 방법으로서, 펠리클 프레임의 측면으로부터 리세스부에 박리 지그를 삽입하고, 이 상태에서 그 박리 지그를 펠리클 프레임의 상단면 방향으로 이동시킴으로써 펠리클을 포토마스크로부터 박리하도록 한 것을 특징으로 하는 펠리클의 박리 방법을 제공한다.

Description

펠리클 프레임 및 펠리클{PELLICLE FRAME AND PELLICLE}
본 발명은, 리소그래피용 포토마스크에 먼지막이로서 장착되는 펠리클 프레임, 펠리클 및 펠리클의 박리 방법에 관한 것이다.
최근, LSI 의 디자인 룰은 서브 쿼터 미크론으로 미세화가 진행되고 있고, 그것에 수반하여, 노광 광원의 단파장화가 진행되고 있다. 즉, 노광 광원은 수은 램프에 의한 g 선 (436 ㎚), i 선 (365 ㎚) 에서 KrF 엑시머 레이저 (248 ㎚), ArF 엑시머 레이저 (193 ㎚) 등으로 이행되고 있고, 나아가서는 주파장 13.5 ㎚ 의 EUV (Extreme Ultra Violet) 광을 사용하는 EUV 노광이 검토되고 있다.
LSI, 초 LSI 등의 반도체 제조 또는 액정 표시판의 제조에 있어서는, 반도체 웨이퍼 또는 액정용 원판에 광을 조사하여 패턴을 제작하는데, 이 경우에 사용하는 리소그래피용 포토마스크 및 레티클 (이하, 총칭하여 「노광 원판」이라고 기술한다) 에 먼지가 부착되어 있으면, 이 먼지가 광을 흡수하거나, 광을 굴곡시켜 버리기 때문에, 전사된 패턴이 변형되거나, 에지가 조잡한 것이 되는 것 외에, 하지가 검게 오염되거나 하여, 치수, 품질, 외관 등이 저해된다는 문제가 있었다.
이들 작업은, 통상 클린 룸에서 실시되고 있지만, 그래도 노광 원판을 항상 청정하게 유지하는 것은 어렵다. 그래서, 노광 원판 표면에 먼지막이로서 펠리클을 첩부한 후에 노광을 하는 방법이 일반적으로 채용되고 있다. 이 경우, 이물질은 노광 원판의 표면에는 직접 부착되지 않고, 펠리클 상에 부착되기 때문에, 리소그래피시에 초점을 노광 원판의 패턴 상에 맞추어 두면, 펠리클 상의 이물질은 전사에 무관해진다.
이 펠리클의 기본적인 구성은, 펠리클 프레임의 상단면에 노광에 사용되는 광에 대해 투과율이 높은 펠리클막이 장출 형성됨과 함께, 하단면에 기밀용 개스킷이 형성되어 있는 것이다. 기밀용 개스킷은 일반적으로 점착제층이 사용된다. 펠리클막은, 노광에 사용하는 광 (수은 램프에 의한 g 선 (436 ㎚), i 선 (365 ㎚), KrF 엑시머 레이저 (248 ㎚), ArF 엑시머 레이저 (193 ㎚) 등) 을 잘 투과시키는 니트로셀룰로오스, 아세트산셀룰로오스, 불소계 폴리머 등으로 이루어지지만, EUV 노광용에서는, 펠리클막으로서 극박 실리콘막이나 탄소막이 검토되고 있다.
펠리클은 포토마스크에 장착하여 사용되는데, 펠리클막의 오염이 심해진 경우나, 펠리클막이 파손된 경우 등에는, 펠리클을 포토마스크로부터 박리할 필요가 있다. 이 때문에, 펠리클 프레임의 외측면에는, 박리 지그를 삽입하기 위해서 직경 1 ㎜ 정도의 패임 (지그공) 이 형성되어 있다. 예를 들어, 하기의 특허문헌 1 에는, 지그공에 박리 지그에 형성된 핀을 삽입하고, 이 원리를 이용하여 박리하는 방법이 개시되어 있다.
그런데, EUV 노광용의 펠리클 프레임에는, 노광 장치의 사정상, 몇 가지의 제한이 있다. EUV 노광 장치 내의 펠리클 배치 스페이스가 작기 때문에, 펠리클의 높이를 2.5 ㎜ 이하로 할 필요가 있다. 또, 펠리클은 EUV 노광 중에 고온에 노출될 가능성이 있기 때문에, EUV 용의 펠리클 프레임은, EUV 용 펠리클막과 동등하거나, 그 이하의 선팽창 계수를 갖는 재질이 바람직하다.
EUV 용 펠리클의 높이는 2.5 ㎜ 이하로 할 필요가 있으므로, 펠리클 프레임의 두께는 그것보다 작아지지만, 이와 같은 펠리클 프레임의 외측면에 직경 1 ㎜ 의 지그공을 형성하고자 한 경우, 펠리클 프레임의 지그공 근방이 얇아져 버린다. 그 때문에, 지그공의 가공시나 펠리클의 박리시에는, 펠리클 프레임이 파손될 우려가 있다. 이 문제를 회피하기 위해서, 지그공의 직경을 작게 하는 것도 생각할 수 있지만, 그 경우에는, 확실하게 박리를 실시하기 위해서 지그공의 수를 늘릴 필요가 있다. 그러면, 가공시에 파손될 가능성이 높아져, 결국 수율이 악화되어 버린다. 특히, 펠리클 프레임의 재질로서 실리콘 결정 등의 무른 재료가 사용되는 경우에는, 이 문제가 현저해진다.
일본 공개특허공보 2007-298870호
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 펠리클 프레임에 형성되는 지그공의 가공시나 펠리클을 포토마스크로부터 박리하는 박리시에 파손이 잘 발생하지 않는 펠리클 프레임, 및 그 펠리클 프레임을 사용한 펠리클, 나아가서는 펠리클의 박리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는, 펠리클막을 형성하는 상단면과 포토마스크에 면 (面) 하는 하단면을 갖는 프레임상의 펠리클 프레임에 있어서, 하단면의 외측면으로부터 내측면을 향해 리세스부를 형성함으로써, 종래부터 사용되고 있는 펠리클 프레임에 형성되는 지그공의 가공시나 펠리클의 박리시에 펠리클 프레임이 파손될 우려를 확실하게 억제하고, 또한, 펠리클이 장착된 포토마스크로부터 펠리클을 박리할 때, 상기 리세스부에 박리 지그를 삽입하여 펠리클 프레임의 상단면 방향으로 이동시킴으로써 펠리클을 확실하게 박리할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 이루기에 이른 것이다.
따라서, 본 발명은, 이하의 펠리클 프레임, 펠리클 및 펠리클의 박리 방법을 제공한다.
1. 펠리클막을 형성하는 상단면과 포토마스크에 면하는 하단면을 갖는 프레임상의 펠리클 프레임으로서, 하단면의 외측면으로부터 내측면을 향해 리세스부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 펠리클 프레임.
2. 상기 리세스부는, 외측면으로부터 내측면까지 형성되어 있는 1 에 기재된 펠리클 프레임.
3. 두께가 2.5 ㎜ 미만이고, 실리콘 결정으로 이루어지는 1 또는 2 에 기재된 펠리클 프레임.
4. 1 ∼ 3 중 어느 하나에 기재된 펠리클 프레임을 구성 요소로서 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클.
5. 펠리클 프레임의 리세스부 이외의 하단면 상에는 마스크 점착제층이 형성되는 4 에 기재된 펠리클.
6. 4 또는 5 에 기재된 펠리클이 장착된 포토마스크로부터 펠리클을 박리하는 방법으로서, 펠리클 프레임의 측면으로부터 리세스부에 박리 지그를 삽입하고, 이 상태에서 그 박리 지그를 펠리클 프레임의 상단면 방향으로 이동시킴으로써 펠리클을 포토마스크로부터 박리하도록 한 것을 특징으로 하는 펠리클의 박리 방법.
7. 상기 박리 지그의 삽입 부분이, 리세스부에 상응한 평판 형상인 6 에 기재된 펠리클의 박리 방법.
본 발명에 의하면, 펠리클 프레임의 가공시나 펠리클의 박리시에 있어서 잘 파손되지 않는 펠리클 프레임 및 이것을 사용한 펠리클을 제공할 수 있다. 또, 본 발명에서는, 파손 등의 문제를 발생시키지 않고, 확실하게 포토마스크로부터 펠리클을 박리할 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 펠리클 프레임의 일 실시형태 (실시예 1) 를 나타내는 모식도로, (A) 는 하단면측에서 본 도면이고, (B) 는 장변 외측면측에서 본 도면이고, (C) 는 단변 외측면측에서 본 도면이다.
도 2 는, 본 발명의 펠리클 프레임의 다른 실시형태를 나타내는 모식도로, (A) 는 하단면측에서 본 도면이고, (B) 는 장변 외측면측에서 본 도면이고, (C) 는 단변 외측면측에서 본 도면이다.
도 3 은, 본 발명의 펠리클 프레임의 다른 일 실시형태 (실시예 2) 를 나타내는 모식도로, (A) 는 하단면측에서 본 도면이고, (B) 는 장변 외측면측에서 본 도면이고, (C) 는 단변 외측면측에서 본 도면이다.
도 4 는, 도 1 의 펠리클 프레임에, 점착제층과 펠리클막을 형성한 펠리클의 하단면측에서 본 모식도이다.
도 5 는, 도 4 의 펠리클을 포토마스크에 장착한 것을, 도 4 의 Z 측에서 본 모식도이다.
도 6 은, 도 4 의 X-Y 단면 모식도 (펠리클을 포토마스크로부터 박리할 때의 모습도 포함한다) 이다.
도 7 은, 종래의 펠리클을 포토마스크에 장착했을 때의 측면 모식도이다.
본 발명의 펠리클 프레임은, 펠리클막을 형성하는 상단면과 포토마스크에 면하는 하단면을 갖는 프레임상의 펠리클 프레임이다.
펠리클 프레임은 프레임상이면, 그 형상은 펠리클을 장착하는 포토마스크의 형상에 대응한다. 일반적으로는, 사각형 (장방형 또는 정방형) 프레임상이다.
또, 펠리클 프레임에는, 펠리클막을 형성하기 위한 면 (여기서는 상단면이라고 한다) 과, 포토마스크 장착시에 포토마스크에 면하는 면 (여기서는 하단면) 이 있다.
통상, 상단면에는, 접착제 등을 개재하여 펠리클막이 형성되고, 하단면에는, 펠리클을 포토마스크에 장착하기 위한 점착제 등이 형성되는데, 이것에 한정되는 것은 아니다.
펠리클 프레임의 재질에 제한은 없고, 공지된 것을 사용할 수 있다. EUV 용의 펠리클 프레임에서는, 고온에 노출될 가능성이 있기 때문에, 열팽창 계수가 작은 재료가 바람직하다. 예를 들어, Si, SiO2, SiN, 석영, 인바, 티탄, 티탄 합금 등을 들 수 있다. EUV 용 펠리클막으로는, 극박 실리콘막이 유망시되고 있고, 펠리클막과 동일한 재질인 실리콘 결정이 바람직하다. 실리콘 결정으로는, 단결정이어도 되고 다결정이어도 되는데, 입수하기 쉽고 저렴한 실리콘 단결정이 바람직하다.
펠리클 프레임의 치수는 특별히 한정되지 않지만, EUV 용 펠리클의 높이가 2.5 ㎜ 이하로 제한되므로, EUV 용의 펠리클 프레임의 두께는 그것보다 작아져 2.5 ㎜ 미만이다.
예를 들어, 실리콘 결정으로 이루어지는 펠리클 프레임에, 구멍을 형성하는 경우에는, 구멍의 주위에 적어도 0.5 ㎜ 의 마진이 필요하다. 따라서, 직경 1 ㎜ 의 구멍을 형성하는 경우에는, 적어도 두께가 2.0 ㎜ 필요해진다. 즉, 본 발명은, 두께가 2.0 ㎜ 미만이고, 실리콘 결정으로 이루어지는 펠리클 프레임에 특히 유용하다.
또, EUV 용의 펠리클 프레임의 두께는, 펠리클막이나 마스크 점착제 등의 두께를 감안하면, 2.0 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 1.6 ㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또, 펠리클로서의 기능을 충분히 발휘하기 위해서는, 높이가 1.5 ㎜ 이상 필요하다. 그렇다면, EUV 용의 펠리클 프레임의 두께는, 펠리클막이나 마스크 점착제 등의 두께를 감안하면, 1.0 ㎜ 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 펠리클 프레임은, 하단면의 외측면으로부터 내측면을 향해 리세스부가 형성된다. 리세스부의 배치 장소나 개수에 제한은 없지만, 펠리클을 파지하기 위해 사용되므로, 최저라도 마주보는 2 변에 각 1 개 지점씩, 합계로 2 개 지점 이상 형성되는 것이 바람직하다.
또, 리세스부는 형상이나 치수에도 제한은 없지만, 리세스부의 높이를 크게 하면, 그 만큼 펠리클 프레임의 리세스부 상방의 두께가 줄어, 파손될 가능성이 있다. 그 때문에, 리세스부의 높이는, 펠리클 프레임 두께의 50 ％ 이하인 것이 바람직하고, 30 ％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 더욱 바람직하게는 15 ％ 이하이다.
실리콘 결정으로 이루어지는 펠리클 프레임의 경우에는, 펠리클 프레임의 리세스부 상방의 두께가 0.7 ㎜ 이상이 되도록 하는 것이 바람직하다.
리세스부는, 펠리클 프레임의 도중까지 형성되어 있어도 되고, 외측면으로부터 내측면까지 통하도록 형성되어 있어도 된다. 리세스부는, 외측면으로부터 내측면까지 형성되어 있으면, 리세스부를 통기부로서도 사용할 수 있다.
일반적으로 펠리클 프레임에는, 펠리클 내외의 압력 차를 완화시키기 위한 통기부가 형성되어 있다. 특히, EUV 리소그래피에서는, 노광 장치 내를 진공으로 하기 때문에, EUV 용 펠리클은 대기압으로부터 진공으로의 압력 변화에 견딜 필요가 있어, EUV 용 펠리클 프레임에는 대면적의 통기부가 요구된다.
종래, 통기부는 지그공과 마찬가지로, 펠리클 프레임 측면에 관통공으로서 형성되어 있다. 따라서, 지그공과 마찬가지로 가공시에 파손될 우려가 있다. 특히, EUV 용 펠리클 프레임에서는, 대면적의 통기부가 요구되지만, 통기부를 크게 하고자 하여 관통공의 직경을 크게 하면, 파손될 가능성이 더욱 높아져 버린다. 또, 관통공의 수를 많게 하고자 해도, 마찬가지로 파손 가능성이 높아진다.
그러나, 본 발명과 같이 리세스부를 형성하는 가공이면, 펠리클 프레임이 얇아지는 지점에서도 어느 정도의 두께가 있기 때문에, 용이하게 가공할 수 있어, 가공시에 파손될 가능성이 낮아진다.
또한, 이 리세스부에 박리 지그를 삽입하여 펠리클을 박리할 때에도, 가장 힘이 가해지는 (박리 지그를 펠리클 프레임 상단면 방향으로 이동시킬 때에, 박리 지그와 접촉하는) 지점에, 측면 중앙 부근에 구멍을 형성하는 경우보다 두께가 있기 때문에, 박리시의 파손도 잘 일어나지 않는다.
또, 리세스부를 통기부로서 사용하는 경우에, 리세스부의 높이를 작게 하여, 펠리클 프레임에 두께를 갖게 했다고 해도, 폭을 크게 함으로써, 다량의 통기를 실시하는 것이 가능해진다.
리세스부를 통기부로서 사용하는 경우에는, 펠리클 사용시의 압력 변화 속도에 따라, 사이즈나 개수를 조정한다. EUV 용 펠리클 프레임으로 하는 경우에는, 개구부의 면적이 합계로 적어도 5 ㎟ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 10 ㎟ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 종래의 엑시머 레이저 노광에서는, 1 ㎟ 이하여도 충분하였다.
예를 들어, 펠리클 프레임에는, 펠리클 프레임의 도중까지 형성되어 있는 리세스부와, 외측면으로부터 내측면까지 형성되어 있는 리세스부의 양방의 형태를 형성해도 된다. 이 경우, 펠리클 프레임의 도중까지 형성되어 있는 리세스부는 박리 용도, 외측면으로부터 내측면까지 형성되어 있는 리세스부는 통기 용도와 같이 용도를 나누어도 된다.
또한, 펠리클 프레임에 형성되는 복수의 리세스부는, 각각 형상이나 치수가 상이해도 된다. 예를 들어, 상기와 같이, 리세스부의 용도를 구별하는 경우에는, 그 용도에 따라 최적인 형상이나 치수를 선택할 수 있다.
또, 외측면으로부터 내측면까지 형성되어 있는 리세스부에는, 필터를 형성해도 된다. 이 리세스부를 박리에 사용하는 경우에는, 펠리클 프레임의 내측면에 리세스부를 덮도록 형성하는 것, 혹은, 리세스부의 내부에 형성하는 것이 바람직하다. 통기에만 사용하는 경우에는, 펠리클 프레임의 외측면에 리세스부를 덮도록 형성해도 된다.
펠리클 프레임 하단면에 점착제 등을 형성하는 경우에는, 점착제의 두께에 필터 치수를 맞추는 것이 바람직하다.
리세스부는, 박리나 통기뿐만 아니라, 핸들링시의 지그공으로서도 사용할 수 있다. 핸들링용의 지그공은, 박리용의 지그공에 비해 큰 힘이 가해지지 않기 때문에, 종래대로, 펠리클 프레임 외측면의 중앙 부근에 형성해도 된다. 또, 그 외에 필요에 따라, 가공시에 파손되지 않는 범위 내에서, 외측면이나 내측면에 가공을 실시할 수 있다.
본 발명의 펠리클은, 상기 구성의 펠리클 프레임 상단면에, 점착제 혹은 접착제를 개재하여 펠리클막이 형성된다. 점착제나 접착제의 재료에 제한은 없고, 공지된 것을 사용할 수 있다. 일반적으로, 점착제나 접착제는, 펠리클 프레임 단면의 둘레 방향 전체 둘레에 걸쳐, 펠리클 프레임 폭과 동일하거나 또는 그 이하의 폭으로 형성된다.
또, 펠리클막의 재질에 제한은 없지만, 노광 광원의 파장에 있어서의 투과율이 높고 내광성이 높은 것이 바람직하다. 예를 들어, EUV 노광에 대해서는 극박 실리콘막이나 탄소막 등이 사용된다.
또한, 펠리클 프레임의 하단면에는, 포토마스크에 장착하기 위한 점착제가 형성된다. 이 점착제는, 펠리클 프레임의 리세스부 이외의 하단면 상에 형성되는 것이 바람직하다.
상기 점착제로는, 공지된 것을 사용할 수 있고, 아크릴계 점착제나 실리콘 계 점착제를 바람직하게 사용할 수 있다. 내열성의 관점에서 실리콘계 점착제가 바람직하다. 점착제는 필요에 따라, 임의의 형상으로 가공되어도 된다.
상기 점착제의 하단면에는, 점착제를 보호하기 위한 이형층 (세퍼레이터) 이 첩부되어 있어도 된다. 이형층의 재질은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리테트라플루오로에틸렌 (PTFE), 테트라플루오로에틸렌·퍼플루오로알킬비닐에테르 공중합체 (PFA), 폴리에틸렌 (PE), 폴리카보네이트 (PC), 폴리염화비닐 (PVC), 폴리프로필렌 (PP) 등을 사용할 수 있다. 또, 필요에 따라, 실리콘계 이형제나 불소계 이형제 등의 이형제를 이형층의 표면에 도포해도 된다.
본 발명에서는, 펠리클 프레임 측면으로부터 리세스부에 박리 지그를 삽입하고, 이 상태에서 그 박리 지그를 펠리클 프레임 상단면 방향으로 이동시킴으로써, 펠리클이 장착된 포토마스크로부터 펠리클을 박리한다.
이 때, 박리 지그를 펠리클 프레임 상단면 방향으로 이동시킬 때에, 펠리클 프레임의 박리 지그와 접촉하는 지점이 평탄하면, 박리 지그는 평판 형상인 것이 바람직하다. 박리 지그는, 펠리클 프레임의 박리 지그와 접촉하는 지점의 형상에 따른 형상으로 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 박리 지그와 리세스부 상방의 접촉 면적이 커져, 펠리클 프레임의 파손도 잘 일어나지 않게 된다.
여기서, 도 1 ∼ 3 은, 본 발명의 펠리클 프레임 (1) 의 일례를 나타내고, 각각의 도면에 있어서, 부호 11 은 펠리클 프레임의 내측면, 부호 12 는 펠리클 프레임의 외측면, 부호 13 은 펠리클 프레임의 상단면, 부호 14 는 펠리클 프레임의 하단면을 나타낸다. 상기 펠리클 프레임 (1) 은 리세스부 (2) 가 형성되고, 부호 21 은 리세스부의 폭, 부호 22 는 리세스부의 깊이, 부호 23 은 리세스부의 높이를 나타낸다. 또한, 도 2 에서는, 장변의 리세스부는, 외측면으로부터 내측면까지 형성되어 있고, 단변의 리세스부는, 펠리클 프레임의 도중까지 형성되어 있는데, 단변의 리세스부는, 박리 지그를 삽입하기 쉽게, 장변의 리세스부보다 높이가 크게 되어 있다. 또, 도 5 는 펠리클 (3) 을 나타내고, 펠리클 프레임 (1) 의 상단면에는 접착제 (6) 에 의해 펠리클막 (5) 이 접착, 장출 형성되어 있다. 또, 상기 펠리클 (3) 은, 점착제 (4) 에 의해 포토마스크 (7) 에 박리 가능하게 접착되어, 포토마스크 (7) 상의 패턴 면을 보호하고 있다. 또, 도 6 은, 펠리클을 포토마스크로부터 박리할 때, 펠리클 프레임 (1) 의 리세스부 (2) 에 박리 지그 (8) 를 삽입 통과시킨 모습을 나타내는 것이다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 제한되는 것은 아니다.
[실시예 1]
Si 단결정제의 펠리클 프레임 (외측 치수 150 ㎜ × 118 ㎜ × 1.5 ㎜, 프레임 폭 4 ㎜) 을 제작하였다.
펠리클 프레임 각 변 중앙의 하단면에는, 실시예 1 에 나타내는 바와 같이, 폭 70 ㎜ × 높이 0.2 ㎜ × 깊이 4 ㎜ 의 리세스부를 형성하였다. 이 리세스부는, 외측면으로부터 내측면까지 형성되어 있다. 또, 리세스부 상방의 두께는 1.3 ㎜ 이며, 파손하지 않고 가공할 수 있었다.
펠리클 프레임을 세정하고, 프레임 상단면에는 실리콘 점착제 (신에츠 화학공업 (주) 제조 X-40-3264) 를 전체 둘레에 걸쳐 도포하였다. 또, 리세스부 이외의 프레임 하단면 상에도 마스크 점착제로서 실리콘계 점착제 (신에츠 화학 공업 (주) 제조 X-40-3264) 를 도포하였다.
그 후, 펠리클 프레임을 90 ℃ 에서 12 시간 가열하여, 상하 단면의 점착제를 경화시켰다. 계속해서, 펠리클막으로서 극박 실리콘막을, 프레임 상단면에 형성한 점착제에 압착시켜, 펠리클을 완성시켰다.
이 펠리클을 포토마스크의 대용으로서 150 ㎜ × 150 ㎜ 의 석영 마스크에 첩부한 후, 리세스부에 박리 지그의 평판 형상으로 되어 있는 부분을 삽입하여, 박리 지그를 펠리클 프레임 상단면 방향으로 0.1 ㎜/s 의 속도로 이동시킴으로써 포토마스크로부터 펠리클을 박리하였다. 펠리클을 박리해도 펠리클 프레임은 파손되지 않았다.
[실시예 2]
Si 단결정제의 펠리클 프레임 (외측 치수 150 ㎜ × 118 ㎜ × 1.5 ㎜, 프레임 폭 4 ㎜) 을 제작하였다.
펠리클 프레임 장변의 하단면에는, 실시예 2 에 나타내는 바와 같이, 폭 30 ㎜ × 높이 0.2 ㎜ × 깊이 4 ㎜ 의 리세스부를 30 ㎜ 의 간격을 두고 2 개 지점에 형성하였다. 단변의 하단면에는, 폭 20 ㎜ × 높이 0.2 ㎜ × 깊이 4 ㎜ 의 리세스부를 20 ㎜ 의 간격을 두고 2 개 지점에 형성하였다. 이 리세스부는, 외측면으로부터 내측면까지 형성되어 있다. 또, 리세스부 상방의 두께는 1.3 ㎜ 이고, 파손하지 않고 가공할 수 있었다.
펠리클 프레임을 세정하고, 프레임 상단면에는 실리콘계 점착제 (신에츠 화학 공업 (주) 제조 X-40-3264) 를 전체 둘레에 걸쳐 도포하였다. 또, 리세스부 이외의 프레임 하단면 상에도 마스크 점착제로서 아크릴 점착제 (소켄 화학 (주) 제조 SK 다인 1495) 를 도포하였다.
그 후, 펠리클 프레임을 90 ℃ 에서 12 시간 가열하여, 상하 단면의 점착제를 경화시켰다. 계속해서, 펠리클막으로서 극박 실리콘막을, 프레임 상단면에 형성한 점착제에 압착시켜, 펠리클을 완성시켰다.
이 펠리클을 포토마스크의 대용으로서 150 ㎜ × 150 ㎜ 의 석영 마스크에 첩부한 후, 리세스부에 박리 지그의 평판 형상으로 되어 있는 부분을 삽입하여, 박리 지그를 펠리클 프레임 상단면 방향으로 0.1 ㎜/s 의 속도로 이동시킴으로써 포토마스크로부터 펠리클을 박리하였다. 펠리클을 박리해도 펠리클 프레임은 파손되지 않았다.
[비교예 1]
Si 단결정제의 펠리클 프레임 (외측 치수 150 ㎜ × 118 ㎜ × 1.5 ㎜, 프레임 폭 4 ㎜) 을 제작하였다.
펠리클 프레임 장변의 외측면에, 변 중앙으로부터 코너 방향으로 45 ㎜ 떨어진 2 개 지점에, 직경 1 ㎜ × 깊이 1 ㎜ 의 지그공을 형성하고자 했지만, 가공 중에 파손되어 버렸다.
[비교예 2]
Si 단결정제의 펠리클 프레임 (외측 치수 150 ㎜ × 118 ㎜ × 1.5 ㎜, 프레임 폭 4 ㎜) 을 제작하였다.
펠리클 프레임 장변의 외측면에, 변 중앙으로부터 코너 방향으로 45 ㎜ 떨어진 2 개 지점에, 직경 0.5 ㎜ × 깊이 1 ㎜ 의 지그공을 형성하였다. 지그공 상방의 두께는 0.5 ㎜ 이고, 파손하지 않고 가공할 수 있었다.
펠리클 프레임을 세정하고, 프레임 상단면에는 실리콘 점착제 (신에츠 화학공업 (주) 제조 X-40-3264) 를 전체 둘레에 걸쳐 도포하였다. 또, 리세스부 이외의 프레임 하단면 상에도 마스크 점착제로서 실리콘 점착제 (신에츠 화학 공업 (주) 제조 X-40-3264) 를 도포하였다.
그 후, 펠리클 프레임을 90 ℃ 에서 12 시간 가열하여, 상하 단면의 점착제를 경화시켰다. 계속해서, 펠리클막으로서 극박 실리콘막을, 프레임 상단면에 형성한 점착제에 압착시켜, 펠리클을 완성시켰다.
이 펠리클을 포토마스크의 대용으로서 150 ㎜ × 150 ㎜ 의 석영 마스크에 첩부한 후, 지그공에 박리 지그의 원기둥상으로 되어 있는 부분을 삽입하여, 박리 지그를 펠리클 프레임 상단면 방향으로 0.1 ㎜/s 의 속도로 이동시킴으로써 포토마스크로부터 펠리클을 박리하고자 하였다. 그러나, 지그공 주변부가 파손되어 버려, 펠리클을 박리할 수는 없었다.
1 : 펠리클 프레임
11 : 펠리클 프레임 내측면
12 : 펠리클 프레임 외측면
13 : 펠리클 프레임 상단면
14 : 펠리클 프레임 하단면
2 : 리세스부
21 : 리세스부의 폭
22 : 리세스부의 깊이
23 : 리세스부의 높이
3 : 펠리클
4 : 포토마스크 점착제
5 : 펠리클막
6 : 펠리클막 접착제
7 : 포토마스크
8 : 박리 지그
9 : 통기공
10 : 지그공

Claims (26)

  1. 2 개의 단면을 갖는 펠리클 프레임으로서,
    상기 2 개의 단면의 일방의 단면으로부터 타방의 단면을 향해 연장되는 리세스부 (a recessed portion) 를 갖고,
    두께는, 2.0 ㎜ 미만이고,
    재질은, 결정인 펠리클 프레임.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 결정은, 실리콘 결정인 펠리클 프레임.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 결정은, 단결정 또는 다결정인 펠리클 프레임.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 두께는, 1.0 ㎜ 이상 1.6 ㎜ 이하인 펠리클 프레임.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 리세스부는, 통기부의 구성 요소인 펠리클 프레임.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 통기부는, 개구부를 갖고,
    그 개구부의 합계 면적은, EUV 리소그래피에 적용 가능한 면적인 펠리클 프레임.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 통기부는, 개구부를 갖고,
    그 개구부의 합계 면적은, 대기압과 진공 사이의 압력 변화를 해소 가능한 면적인 펠리클 프레임.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 리세스부의 높이는, 펠리클 프레임의 두께의 30 % 이하인 펠리클 프레임.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 리세스부의 바닥에서부터 상기 타방의 단면까지의 두께는, 0.7 ㎜ 이상인 펠리클 프레임.
  10. 제 1 항에 있어서,
    2 개의 측면을 갖고,
    상기 리세스부는, 상기 2 개의 측면의 일방의 측면으로부터 타방의 측면을 향해 형성되어 있는 펠리클 프레임.
  11. 제 1 항에 있어서,
    2 개의 측면을 갖고,
    상기 리세스부는, 상기 2 개의 측면의 일방의 측면에서부터 타방의 측면까지 형성되어 있는 펠리클 프레임.
  12. 2 개의 단면을 갖는 펠리클 프레임으로서,
    상기 2 개의 단면의 일방의 단면으로부터 타방의 단면을 향해 연장되는 리세스부 (a recessed portion) 를 갖고,
    두께는, 2.0 ㎜ 미만이고,
    재질은, Si, SiO2, SiN 또는 석영인 펠리클 프레임.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 두께는, 1.0 ㎜ 이상 1.6 ㎜ 이하인 펠리클 프레임.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 리세스부는, 통기부의 구성 요소인 펠리클 프레임.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 통기부는, 개구부를 갖고,
    그 개구부의 합계 면적은, EUV 리소그래피에 적용 가능한 면적인 펠리클 프레임.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 통기부는, 개구부를 갖고,
    그 개구부의 합계 면적은, 대기압과 진공 사이의 압력 변화를 해소 가능한 면적인 펠리클 프레임.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 리세스부의 높이는, 펠리클 프레임의 두께의 30 % 이하인 펠리클 프레임.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 리세스부의 바닥에서부터 상기 타방의 단면까지의 두께는, 0.7 ㎜ 이상인 펠리클 프레임.
  19. 제 12 항에 있어서,
    2 개의 측면을 갖고,
    상기 리세스부는, 상기 2 개의 측면의 일방의 측면으로부터 타방의 측면을 향해 형성되어 있는 펠리클 프레임.
  20. 제 12 항에 있어서,
    2 개의 측면을 갖고,
    상기 리세스부는, 상기 2 개의 측면의 일방의 측면에서부터 타방의 측면까지 형성되어 있는 펠리클 프레임.
  21. 제 1 항에 기재된 펠리클 프레임을 구성 요소로서 포함하는 펠리클.
  22. 제 12 항에 기재된 펠리클 프레임을 구성 요소로서 포함하는 펠리클.
  23. 제 21 항에 기재된 펠리클을 사용하여 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  24. 제 22 항에 기재된 펠리클을 사용하여 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  25. 제 21 항에 기재된 펠리클을 사용하여 노광하는 것을 특징으로 하는 반도체의 제조 방법.
  26. 제 22 항에 기재된 펠리클을 사용하여 노광하는 것을 특징으로 하는 반도체의 제조 방법.
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