KR20230084615A - 반도체 장치의 제조 방법, 열경화성 수지 조성물 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름 - Google Patents
반도체 장치의 제조 방법, 열경화성 수지 조성물 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230084615A KR20230084615A KR1020237018797A KR20237018797A KR20230084615A KR 20230084615 A KR20230084615 A KR 20230084615A KR 1020237018797 A KR1020237018797 A KR 1020237018797A KR 20237018797 A KR20237018797 A KR 20237018797A KR 20230084615 A KR20230084615 A KR 20230084615A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thermosetting resin
- resin composition
- adhesive
- film
- semiconductor
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 181
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 92
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 92
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 67
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 18
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 11
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 38
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 28
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 12
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 12
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 11
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 4
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 4
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 2
- 239000013500 performance material Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MODAACUAXYPNJH-UHFFFAOYSA-N 1-(methoxymethyl)-4-[4-(methoxymethyl)phenyl]benzene Chemical group C1=CC(COC)=CC=C1C1=CC=C(COC)C=C1 MODAACUAXYPNJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical group C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- BLBVJHVRECUXKP-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxy-1,4-dimethylbenzene Chemical group COC1=C(C)C=CC(C)=C1OC BLBVJHVRECUXKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CC1=NC=CN1CCC#N SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N biphenyl-2-ol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 LLEMOWNGBBNAJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical class C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005487 naphthalate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010680 novolac-type phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 125000006839 xylylene group Chemical group 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/35—Heat-activated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
- C09J11/02—Non-macromolecular additives
- C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/40—Adhesives in the form of films or foils characterised by release liners
- C09J7/403—Adhesives in the form of films or foils characterised by release liners characterised by the structure of the release feature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
- C09J2301/208—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
- C09J2301/304—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being heat-activatable, i.e. not tacky at temperatures inferior to 30°C
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
- C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2461/00—Presence of condensation polymers of aldehydes or ketones
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2463/00—Presence of epoxy resin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2467/00—Presence of polyester
- C09J2467/006—Presence of polyester in the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
- H01L2224/2743—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector in solid form
- H01L2224/27436—Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
- H01L2224/331—Disposition
- H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/33181—On opposite sides of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83053—Bonding environment
- H01L2224/83095—Temperature settings
- H01L2224/83096—Transient conditions
- H01L2224/83097—Heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/832—Applying energy for connecting
- H01L2224/83201—Compression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
- H01L2224/83862—Heat curing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06506—Wire or wire-like electrical connections between devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
- H01L2225/06562—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking at least one device in the stack being rotated or offset
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
- H01L2225/06565—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking the devices having the same size and there being no auxiliary carrier between the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06575—Auxiliary carrier between devices, the carrier having no electrical connection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Dicing (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
본 개시의 일 측면에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 120℃에 있어서의 용융 점도가 3100Pa·s 이상인 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 접착층과 점착층과 기재 필름을 구비하는 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 준비하는 공정과, 다이싱·다이본딩 일체형 필름의 접착층 측의 면과 반도체 웨이퍼를 첩합하는 공정과, 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정과, 기재 필름을 익스팬드함으로써 접착제 부착 반도체 소자를 얻는 공정과, 접착제 부착 반도체 소자를 점착층으로부터 픽업하는 공정과, 이 반도체 소자를 다른 반도체 소자에 대하여 상기 접착제를 통하여 적층하는 공정과, 상기 접착제를 열경화시키는 공정을 포함한다.
Description
본 개시는, 반도체 장치의 제조 방법, 열경화성 수지 조성물 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름에 관한 것이다.
반도체 장치는 이하의 공정을 거쳐 제조된다. 먼저, 다이싱용 점착 시트로 반도체 웨이퍼를 고정하고, 그 상태로 반도체 웨이퍼를 반도체 칩에 개편화한다. 그 후, 익스팬드 공정, 픽업 공정, 리플로 공정 및 다이본딩 공정 등이 실시된다.
반도체 장치에 요구되는 중요한 특성의 하나로서 접속 신뢰성을 들 수 있다. 접속 신뢰성을 향상시키기 위하여, 내열성, 내습성, 및 내(耐)리플로성 등의 특성을 고려한 다이본딩용의 필름상 접착제의 개발이 행해지고 있다. 예를 들면, 특허문헌 1은 고분자량 성분과 에폭시 수지를 주성분으로 하는 열경화성 성분을 포함하는 수지 및 필러를 함유하는 접착 시트를 개시한다.
본 발명자들은, 반도체 소자를 다단으로 적층함으로써 고용량화한 반도체 장치(예를 들면, 3차원 NAND형 메모리)의 제조 프로세스에 사용하는 열경화성 접착제의 개발을 진행시키고 있다. 3차원 NAND용 웨이퍼는, 복잡한 회로층과, 비교적 얇은 반도체층(예를 들면, 15~25μm 정도)으로 이루어지기 때문에, 이것을 개편화하여 얻은 반도체 소자는 휨이 발생하기 쉽다는 과제를 갖고 있다.
도 5의 (a)는, 반도체 장치의 제조 과정에 있어서의 구조체를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 5의 (a)에 나타내는 구조체(30)는, 기판(10)과, 그 위에 적층된 4개의 반도체 소자(S1, S2, S3, S4)를 구비한다. 4개의 반도체 소자(S1, S2, S3, S4)는, 기판(10)의 표면에 형성된 전극(도시하지 않음)과의 접속을 위하여, 횡방향(적층 방향과 직교하는 방향)으로 서로 어긋난 위치에 적층되어 있다(도 1 참조). 반도체 소자(S1)는 접착제에 의하여 기판(10)에 접착되어 있고, 3개의 반도체 소자(S2, S3, S4)의 사이에도 접착제가 개재되어 있다.
본 발명자들의 검토에 의하면, 반도체 소자(S1, S2, S3, S4)가 각각 복잡한 회로층(상면 측)과 비교적 얇은 반도체층(하면 측)을 갖는 것인 경우, 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이, 1단째의 반도체 소자(S1)와, 2단째의 반도체 소자(S2)의 사이에서 박리가 발생하기 쉽다. 이 원인에 대하여, 본 발명자들은 이하와 같이 추측한다.
·복잡한 회로층 및 얇은 반도체층에 기인하여, 상술한 바와 같이 반도체 소자(S1, S2, S3, S4)가 휘기 쉬운 성질(휨 응력)을 갖고 있다.
·복수의 반도체 소자를 횡방향으로 위치를 어긋나게 하여 적층함으로써 오버행부(H)가 형성되어 있다.
·2단째의 반도체 소자(S2)를 마운트한 단계에서는 박리가 일어나지 않는 것은 확인 완료이기 때문에, 3단째 및 4단째의 반도체 소자(S3, S4)를 마운트함으로써, 2단째의 반도체 소자(S2)의 오버행부(H)에 상방향의 힘(1단째의 반도체 소자(S1)와의 사이에서 박리시키는 방향의 휨 응력)이 증대한다.
본 개시는, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 복수의 반도체 소자가 적층된 양태의 반도체 장치로서 인접하는 반도체 소자의 사이에 있어서의 박리가 발생하기 어려운 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 또, 본 개시는, 이 제조 방법에 적용 가능한 열경화성 수지 조성물 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 제공한다.
본 개시의 일 측면은, 복수의 반도체 소자가 적층된 양태의 반도체 장치(예를 들면, 3차원 NAND형 메모리)의 제조 방법을 제공한다. 이 제조 방법은, 120℃에 있어서의 용융 점도가 3100Pa·s 이상인 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 접착층과 점착층과 기재 필름을 이 순서로 구비하는 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 준비하는 공정과, 다이싱·다이본딩 일체형 필름의 접착층 측의 면과 반도체 웨이퍼를 첩합하는 공정과, 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정과, 기재 필름을 익스팬드함으로써 반도체 웨이퍼 및 접착층이 개편화되어 이루어지는 접착제 부착 반도체 소자를 얻는 공정과, 접착제 부착 반도체 소자를 점착층으로부터 픽업하는 공정과, 접착제 부착 반도체 소자를 다른 반도체 소자에 대하여 당해 접착제 부착 반도체 소자의 접착제를 통하여 적층하는 공정과, 필름상 접착제를 열경화시키는 공정을 포함한다.
열경화성 수지 조성물로서, 120℃에 있어서의 용융 점도가 3100Pa·s 이상인 것을 채용함으로써, 접착해야 할 반도체 소자가 비교적 강한 휨 응력을 갖는 것이어도, 이것에 견딜 수 있는 계면 접착력을 달성할 수 있다. 이로써, 복수의 반도체 소자를 적층시켜도, 인접하는 반도체 소자의 사이에 있어서의 박리를 충분히 억제할 수 있다.
3차원 NAND용의 반도체 웨이퍼와 같이, 비교적 얇은 반도체 웨이퍼를 개편화하여 반도체 소자를 얻기 위해서는, 높은 수율 등의 관점에서, 반도체 웨이퍼를 스텔스 다이싱 혹은 블레이드 다이싱한 후에, 기재 필름을 냉각 조건하(예를 들면, -15℃~0℃)에 있어서 익스팬드하는 것이 바람직하다.
본 개시의 일 측면은, 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서 사용되는 열경화성 수지 조성물로서, 120℃에 있어서의 용융 점도가 3100Pa·s 이상인 열경화성 수지 조성물을 제공한다. 이 열경화성 수지 조성물은 상기 반도체 장치의 제조 방법에 적용 가능하다.
열경화성 수지 조성물은, 열경화성 수지와, 분자량 10만~100만의 고분자량 성분(예를 들면, 아크릴 수지)과, 필러를 함유하고, 열경화성 수지 조성물의 전체 질량을 기준으로 하여, 고분자량 성분의 함유량이 15~50질량%인 것이 바람직하며, 필러의 함유량이 25~45질량%인 것이 바람직하다. 고분자량 성분 및 필러의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 스텔스 다이싱 혹은 블레이드 다이싱한 후에 있어서, 냉각 조건하에서 익스팬드 및 픽업함으로써 접착제 부착 반도체 소자를 보다 효율적이고 또한 안정적으로 제작할 수 있다.
본 개시는, 점착층과, 상기 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 접착층을 구비하는 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 제공한다. 이 일체형 필름은 상기 반도체 장치의 제조 방법에 적용 가능하다. 접착층의 두께는, 비용 및 접착 강도의 관점에서, 예를 들면 3~40μm이다.
본 개시에 의하면, 복수의 반도체 소자가 적층된 양태의 반도체 장치로서 인접하는 반도체 소자의 사이에 있어서의 박리가 발생하기 어려운 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 또, 본 개시에 의하면, 상기 제조 방법에 적용 가능한 열경화성 수지 조성물 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름이 제공된다.
도 1은 반도체 장치의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 필름상 접착제와 반도체 소자로 이루어지는 접착제 부착 반도체 소자의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3의 (a)~(f)는, 접착제 부착 반도체 소자를 제조하는 과정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1에 나타내는 반도체 장치를 제조하는 과정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5의 (a)는 도 1에 나타내는 반도체 장치를 제조하는 과정을 모식적으로 나타내는 단면도이며, 도 5의 (b)는 1단째의 반도체 소자와 2단째의 반도체 소자의 사이에 박리가 발생하고 있는 구조체를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 1에 나타내는 반도체 장치를 제조하는 과정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7은 반도체 장치의 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 필름상 접착제와 반도체 소자로 이루어지는 접착제 부착 반도체 소자의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3의 (a)~(f)는, 접착제 부착 반도체 소자를 제조하는 과정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 도 1에 나타내는 반도체 장치를 제조하는 과정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5의 (a)는 도 1에 나타내는 반도체 장치를 제조하는 과정을 모식적으로 나타내는 단면도이며, 도 5의 (b)는 1단째의 반도체 소자와 2단째의 반도체 소자의 사이에 박리가 발생하고 있는 구조체를 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 1에 나타내는 반도체 장치를 제조하는 과정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7은 반도체 장치의 다른 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 개시의 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다. 이하의 설명에서는, 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략한다. 또, 상하 좌우 등의 위치 관계는, 특별히 설명하지 않는 한, 도면에 나타내는 위치 관계에 근거하는 것으로 한다. 또한, 도면의 치수 비율은 도시의 비율에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 있어서의 "(메트)아크릴"의 기재는, "아크릴" 및 그에 대응하는 "메타크릴"을 의미한다.
<반도체 장치>
도 1은 본 실시형태에 관한 반도체 장치를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 이 도에 나타내는 반도체 장치(100)는, 기판(10)과, 기판(10)의 표면 상에 적층된 4개의 반도체 소자(S1, S2, S3, S4)와 기판(10)의 표면 상의 전극(도시하지 않음)과 4개의 반도체 소자(S1, S2, S3, S4)를 전기적으로 접속하는 와이어(W1, W2, W3, W4)와, 이들을 밀봉하고 있는 밀봉층(50)을 구비한다.
기판(10)은, 예를 들면 유기 기판이며, 리드 프레임 등의 금속 기판이어도 된다. 기판(10)은, 반도체 장치(100)의 휨을 억제하는 관점에서, 기판(10)의 두께는, 예를 들면 90~180μm이며, 90~140μm여도 된다.
4개의 반도체 소자(S1, S2, S3, S4)는, 필름상 접착제(3P)(도 2 참조)의 경화물(3)을 통하여 적층되어 있다. 평면시(平面視)에 있어서의 반도체 소자(S1, S2, S3, S4)의 형상은, 예를 들면 직사각형(정방형 또는 장방형)이다. 반도체 소자(S1, S2, S3, S4)의 한 변의 길이는, 예를 들면 5mm 이하이며, 2~4mm 또는 1~4mm여도 된다. 반도체 소자(S1, S2, S3, S4)의 두께는, 예를 들면 10~170μm이며, 10~30μm여도 된다. 또한, 4개의 반도체 소자(S1, S2, S3, S4)의 한 변의 길이는 동일해도 되고, 달라도 되며, 두께에 대해서도 동일하다.
<접착제 부착 반도체 소자>
도 2는 접착제 부착 반도체 소자의 일례를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 2에 나타내는 접착제 부착 반도체 소자(20)는, 필름상 접착제(3P)와 반도체 소자(S1)로 이루어진다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 필름상 접착제(3P)와 반도체 소자(S1)는 실질적으로 동일한 사이즈이다. 이것은, 필름상 접착제(3P)와 반도체 소자(S2, S3, S4)에 대해서도 동일하다. 접착제 부착 반도체 소자(20)는, 다음에 설명하는 바와 같이, 다이싱 공정 및 픽업 공정을 거쳐 제작된다.
도 3의 (a)~(f)를 참조하면서, 도 2에 나타내는 접착제 부착 반도체 소자(20)(필름상 접착제(3P)와 반도체 소자(S1)의 적층체)의 제작 방법의 일례에 대하여 설명한다. 먼저, 다이싱·다이본딩 일체형 필름(8)(이하, 경우에 의하여 "필름(8)"이라고 함)을 준비하고, 이것을 소정의 장치(도시하지 않음)에 배치한다. 필름(8)은, 기재 필름(1)과 점착층(2)과 접착층(3A)을 이 순서로 구비한다. 기재 필름(1)은, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(PET 필름)이다. 반도체 웨이퍼(W)는, 예를 들면 두께 10~100μm의 박형 반도체 웨이퍼이다. 반도체 웨이퍼(W)는, 단결정 실리콘이어도 되고, 다결정 실리콘, 각종 세라믹, 갈륨 비소 등의 화합물 반도체여도 된다.
접착층(3A)은, 후술하는 바와 같이 열경화성 수지 조성물로 이루어진다. 접착층(3A)의 두께는, 비용 및 경화물의 접착 강도의 관점에서, 예를 들면 3~40μm이며, 3~30μm 또는 3~25μm여도 된다.
도 3의 (a) 및 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)의 일방의 면에 접착층(3A)이 접하도록 필름(8)을 첩부한다. 이 공정은, 바람직하게는 50~100℃, 보다 바람직하게는 60~80℃의 온도 조건하에서 실시한다. 온도가 50℃ 이상이면, 반도체 웨이퍼(W)와 접착층(3A)의 양호한 밀착성을 얻을 수 있고, 100℃ 이하이면, 이 공정에 있어서 접착층(3A)이 과도하게 유동하는 것이 억제된다.
반도체 웨이퍼(W)의 절단 예정 라인을 따라 레이저광을 조사함으로써, 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)에 개질 영역(R)을 형성한다(스텔스 다이싱). 스텔스 다이싱 대신에, 블레이드 다이싱에 의하여 반도체 웨이퍼에 절개선을 넣어도 된다. 또한, 반도체 웨이퍼(W)에 대한 레이저광 조사 혹은 블레이드 다이싱에 앞서 반도체 웨이퍼(W)를 연삭함으로써 박막화해도 된다.
도 3의 (d)에 나타나는 바와 같이, 상온 또는 냉각 조건하에 있어서 기재 필름(1)을 익스팬드함으로써 개질 영역(R)에서 반도체 웨이퍼(W)를 분단시킨다. 이로써, 반도체 웨이퍼(W)가 다수의 반도체 소자(S1)로 개편화됨과 함께, 접착층(3A)이 필름상 접착제(3P)로 개편화된다. 점착층(2)이 예를 들면 UV 경화형인 경우, 도 3의 (e)에 나타내는 바와 같이, 익스팬드에 의하여 접착제 부착 반도체 소자(20)를 서로 이간시킨 상태로, 점착층(2)에 대하여 자외선을 조사함으로써 점착층(2)을 경화시키고, 점착층(2)과 접착층(3A)의 사이의 점착력을 저하시킨다. 자외선 조사 후, 이것을 니들(42)로 밀어 올림으로써 점착층(2)으로부터 접착제 부착 반도체 소자(20)를 박리시킴과 함께, 접착제 부착 반도체 소자(20)를 흡인 콜릿(44)으로 흡인하여 픽업한다(도 3의 (f) 참조). 이와 같이 하여 도 2에 나타내는 접착제 부착 반도체 소자(20)가 얻어진다.
접착층(3A)을 적합하게 분단하여 소정의 형상 및 사이즈의 필름상 접착제(3P)를 얻는 관점에서, 기재 필름(1)의 익스팬드는 냉각 조건하에서 행하는 것이 바람직하다. 이 온도 조건은, 예를 들면 -15~0℃여도 된다.
<반도체 장치의 제조 방법>
도 4~도 6을 참조하면서, 반도체 장치(100)의 제조 방법에 대하여 설명한다. 먼저, 도 4에 나타내는 바와 같이, 기판(10)의 표면 상에 1단째의 반도체 소자(S1)를 압착한다. 즉, 접착제 부착 반도체 소자(20)의 필름상 접착제(3P)를 통하여 반도체 소자(S1)를 기판(10)의 소정의 위치에 압착한다. 이 압착 처리는, 예를 들면 80~180℃, 0.01~0.50MPa의 조건으로, 0.5~3.0초간에 걸쳐 실시하는 것이 바람직하다. 다음으로, 가열에 의하여 필름상 접착제(3P)를 경화시킨다. 이 경화 처리는, 예를 들면 60~175℃, 0.01~1.0MPa의 조건으로, 5분간 이상에 걸쳐 실시하는 것이 바람직하다. 이로써, 필름상 접착제(3P)가 경화하여 경화물(3)이 된다. 필름상 접착제(3P)의 경화 처리는, 보이드의 저감의 관점에서, 가압 분위기하에서 실시해도 된다.
기판(10)에 대한 반도체 소자(S1)의 마운트와 동일하게 하여, 반도체 소자(S1)의 표면 상에 2단째의 반도체 소자(S2)를 마운트한다. 또한, 3단째 및 4단째의 반도체 소자(S3, S4)를 마운트함으로써 도 5의 (a)에 나타내는 구조체(30)가 제작된다. 반도체 소자(S1, S2, S3, S4)와 기판(10)을 와이어(W1, W2, W3, W4)로 전기적으로 접속한 후(도 5 참조), 밀봉층(50)에 의하여 반도체 소자 및 와이어를 밀봉함으로써 도 1에 나타내는 반도체 장치(100)가 완성된다.
<열경화성 수지 조성물>
필름상 접착제(3P)를 구성하는 열경화성 수지 조성물에 대하여 설명한다. 또한, 필름상 접착제(3P)는 접착층(3A)을 개편화한 것이며, 양자는 동일한 열경화성 수지 조성물로 이루어진다. 이 열경화성 수지 조성물은, 예를 들면 반경화(B 스테이지) 상태를 거쳐, 그 후의 경화 처리에 의하여 완전 경화물(C 스테이지) 상태가 될 수 있는 것이다.
열경화성 수지 조성물은, 120℃에 있어서의 용융 점도가 3100Pa·s 이상이다. 열경화성 수지 조성물을 이용함으로써, 접착해야 할 반도체 소자가 비교적 강한 휨 응력을 갖는 것이어도, 이것에 견딜 수 있는 계면 접착력을 달성할 수 있다. 이로써, 복수의 반도체 소자를 적층시켜도, 인접하는 반도체 소자의 사이에 있어서의 박리를 충분히 억제할 수 있다. 열경화성 수지 조성물의 120℃에 있어서의 용융 점도는 3100~40000Pa·s여도 되고, 5000~35000Pa·s여도 된다. 이 용융 점도의 하한값은, 13000Pa·s여도 되고, 14000Pa·s여도 된다. 또한, 용융 점도는, ARES(TA Instruments사제)를 이용하여 필름상으로 성형한 열경화성 수지 조성물에 5%의 왜곡을 부여하면서 5℃/분의 승온 속도로 승온시키면서 측정한 경우의 측정값을 의미한다.
열경화성 수지 조성물(경화 처리 전)은, 예를 들면 35℃에 있어서의 저장 탄성률이 70MPa 이상이다. 이러한 열경화성 수지 조성물을 이용함으로써, 접착해야 할 반도체 소자가 비교적 강한 휨 응력을 갖는 것이어도, 이것에 견딜 수 있는 응집력을 달성할 수 있다. 이로써, 복수의 반도체 소자를 적층시켜도, 인접하는 반도체 소자의 사이에 있어서의 박리를 충분히 억제할 수 있다. 열경화성 수지 조성물의 35℃에 있어서의 저장 탄성률은 70~1000MPa여도 되고, 80~900MPa여도 된다. 또한, 저장 탄성률은, 이하의 장치 및 조건에 의한 측정으로 얻어지는 값을 의미한다.
·동적 점탄성 측정 장치: Rheogel E-4000(주식회사 유비엠제)
·측정 대상: 필름상으로 성형한 열경화성 수지 조성물
·승온 속도: 3℃/분
·주파수: 10Hz
열경화성 수지 조성물은 이하의 성분을 포함하는 것이 바람직하다.
(a) 열경화성 수지(이하, 간단히 "(a) 성분"이라고 하는 경우가 있음)
(b) 고분자량 성분(이하, 간단히 "(b) 성분"이라고 하는 경우가 있음)
(c) 필러(이하, 간단히 "(c) 성분"이라고 하는 경우가 있음)
본 실시형태에 있어서는, (a) 열경화성 수지가 에폭시 수지(이하, 간단히 "(a1) 성분"이라고 하는 경우가 있음)를 포함하는 경우, (a) 열경화성 수지는, 에폭시 수지의 경화제가 될 수 있는 페놀 수지(이하, 간단히 "(a2) 성분"이라고 하는 경우가 있음)를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, (b) 고분자량 성분이 페놀 수지와 열경화하는 관능기(글리시딜기 등)를 갖는 경우, (a) 열경화성 수지로서 에폭시 수지를 별도 이용하지 않아도 된다.
열경화성 수지 조성물은 이하의 성분을 더 포함해도 된다.
(d) 커플링제(이하, 간단히 "(d) 성분"이라고 하는 경우가 있음)
(e) 경화 촉진제(이하, 간단히 "(e) 성분"이라고 하는 경우가 있음)
열경화성 수지 조성물의 전체 질량을 기준으로 하여, (a) 성분의 함유량은, 예를 들면 30질량% 이하이며, 5~30질량%여도 된다. 열경화성 수지 조성물의 전체 질량을 기준으로 하여, (b) 성분의 함유량은, 예를 들면 15~66질량%이며, 15~50질량%여도 된다. 열경화성 수지 조성물의 전체 질량을 기준으로 하여, (c) 성분의 함유량은, 예를 들면 25~50질량%이며, 25~45질량%여도 된다. (b) 성분 및 (c) 성분의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 반도체 웨이퍼를 스텔스 다이싱 혹은 블레이드 다이싱한 후에 있어서, 냉각 조건하에서 익스팬드 및 픽업함으로써 접착제 부착 반도체 소자를 보다 효율적이고 또한 안정적으로 제작할 수 있다.
구체적으로는, (b) 성분의 함유량이 66질량% 이하임으로써, 냉각 조건하에 있어서 익스팬드되었을 때에, 우수한 분단성이 얻어지는 경향이 있다(도 3의 (d) 참조). 또, (b) 성분의 함유량이 15질량% 이상이며 또한 (c) 성분의 함유량이 50질량% 이하임으로써, 냉각 조건하에 있어서의 벌크 강도가 충분히 높아, 익스팬드에 의하여 소정의 형상 및 사이즈로 분단되기 쉽다. 또한, 열경화성 수지 조성물의 120℃에 있어서의 용융 점도를 상기 범위 내로 하기 위해서는, (a) 열경화성 수지, (b) 고분자량 성분 및 (c) 필러의 양을 적절히 조정하면 된다.
열경화성 수지 조성물의 경화물(C 스테이지)의 150℃에 있어서의 저장 탄성률은, 접속 신뢰성의 관점에서, 10MPa 이상인 것이 바람직하고, 25MPa 이상인 것이 보다 바람직하며, 50MPa 이상 또는 100MPa 이상이어도 된다. 또한, 저장 탄성률의 상한값은, 예를 들면 600MPa이며, 500MPa여도 된다. 열경화성 수지 조성물의 경화물의 150℃에 있어서의 저장 탄성률은, 열경화성 수지 조성물을 175℃의 온도 조건으로 경화시킨 것을 시료로 하여, 동적 점탄성 장치를 사용하여 측정할 수 있다.
이하, 열경화성 수지 조성물에 포함되는 각 성분에 대하여 설명한다.
·(a) 열경화성 수지
(a1) 성분은, 분자 내에 에폭시기를 갖는 것이면, 특별히 제한없이 이용할 수 있다. (a1) 성분으로서는, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락형 에폭시 수지, 다이사이클로펜타다이엔 골격 함유 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 트라이아진 골격 함유 에폭시 수지, 플루오렌 골격 함유 에폭시 수지, 트라이페놀페놀메테인형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 자일릴렌형 에폭시 수지, 바이페닐아랄킬형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 다관능 페놀류, 안트라센 등의 다환 방향족류의 다이글리시딜에터 화합물 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도, (a1) 성분은, 내열성의 관점에서, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 또는 비스페놀 A형 에폭시 수지여도 된다.
(a1) 성분의 에폭시 당량은, 90~300g/eq, 110~290g/eq, 또는 130~280g/eq여도 된다. (a1) 성분의 에폭시 당량이 이와 같은 범위에 있으면, 필름상 접착제의 벌크 강도를 유지하면서, 유동성을 확보할 수 있는 경향이 있다.
(a1) 성분의 함유량은, (a) 성분, (b) 성분, 및 (c) 성분의 총 질량 100질량부에 대하여, 50질량부 이하, 5~50질량부, 10~40질량부, 또는 20~30질량부여도 된다. (a1) 성분의 함유량이 5질량부 이상이면, 필름상 접착제의 매립성이 보다 양호해지는 경향이 있다. (a1) 성분의 함유량이 50질량부 이하이면, 블리드의 발생을 보다 억제할 수 있는 경향이 있다.
(a2) 성분은, 분자 내에 페놀성 수산기를 갖는 것이면 특별히 제한없이 이용할 수 있다. (a2) 성분으로서는, 예를 들면 페놀, 크레졸, 레조신, 카테콜, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 페닐페놀, 아미노페놀 등의 페놀류 및/또는 α-나프톨, β-나프톨, 다이하이드록시나프탈렌 등의 나프톨류와 폼알데하이드 등의 알데하이드기를 갖는 화합물을 산성 촉매하에서 축합 또는 공축합시켜 얻어지는 노볼락형 페놀 수지, 알릴화 비스페놀 A, 알릴화 비스페놀 F, 알릴화 나프탈렌다이올, 페놀 노볼락, 페놀 등의 페놀류 및/또는 나프톨류와 다이메톡시파라자일렌 또는 비스(메톡시메틸)바이페닐로부터 합성되는 페놀아랄킬 수지, 나프톨아랄킬 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도, (a2) 성분은, 흡습성 및 내열성의 관점에서, 페놀아랄킬 수지, 나프톨아랄킬 수지, 또는 노볼락형 페놀 수지여도 된다.
(a2) 성분의 수산기 당량은, 80~250g/eq, 90~200g/eq, 또는 100~180g/eq여도 된다. (a2) 성분의 수산기 당량이 이와 같은 범위에 있으면, 필름상 접착제의 유동성을 유지하면서, 접착력을 보다 높게 유지할 수 있는 경향이 있다.
(a2) 성분의 연화점은, 50~140℃, 55~120℃, 또는 60~100℃여도 된다.
(a2) 성분의 함유량은, (a) 성분, (b) 성분, 및 (c) 성분의 총 질량 100질량부에 대하여, 5~50질량부, 10~40질량부, 또는 20~30질량부여도 된다. (a2) 성분의 함유량이 5질량부 이상이면, 보다 양호한 경화성이 얻어지는 경향이 있다. (a2) 성분의 함유량이 50질량부 이하이면, 필름상 접착제의 매립성이 보다 양호해지는 경향이 있다.
(a1) 성분의 에폭시 당량과 (a2) 성분의 수산기 당량의 비((a1) 성분의 에폭시 당량/(a2) 성분의 수산기 당량)는, 경화성의 관점에서, 0.30/0.70~0.70/0.30, 0.35/0.65~0.65/0.35, 0.40/0.60~0.60/0.40, 또는 0.45/0.55~0.55/0.45여도 된다. 당해 당량비가 0.30/0.70 이상이면, 보다 충분한 경화성이 얻어지는 경향이 있다. 당해 당량비가 0.70/0.30 이하이면, 점도가 과도하게 높아지는 것을 방지할 수 있어, 보다 충분한 유동성을 얻을 수 있다.
·(b) 고분자량 성분
(b) 성분은, 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이하인 것이 바람직하다. (b) 성분으로서는, 예를 들면 아크릴 수지, 폴리에스터 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지, 뷰타다이엔 수지, 아크릴로나이트릴 수지 및 이들의 변성체 등을 들 수 있다.
(b) 성분은, 유동성의 관점에서, 아크릴 수지를 포함하고 있어도 된다. 여기에서, 아크릴 수지란, (메트)아크릴산 에스터에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 폴리머를 의미한다. 아크릴 수지는, 구성 단위로서 에폭시기, 알코올성 또는 페놀성 수산기, 카복실기 등의 가교성 관능기를 갖는 (메트)아크릴산 에스터에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 폴리머인 것이 바람직하다. 또, 아크릴 수지는, (메트)아크릴산 에스터와 아크릴나이트릴의 공중합체 등의 아크릴 고무여도 된다.
아크릴 수지의 유리 전이 온도(Tg)는, -50~50℃ 또는 -30~30℃여도 된다. 아크릴 수지의 Tg가 -50℃ 이상이면, 접착제 조성물의 유연성이 과도하게 높아지는 것을 방지할 수 있는 경향이 있다. 이로써, 웨이퍼 다이싱 시에 필름상 접착제를 절단하기 쉬워져, 버(burr)의 발생을 방지하는 것이 가능해진다. 아크릴 수지의 Tg가 50℃ 이하이면, 접착제 조성물의 유연성의 저하를 억제할 수 있는 경향이 있다. 이로써, 필름상 접착제를 웨이퍼에 첩부할 때에, 보이드를 충분히 매립하기 쉬워지는 경향이 있다. 또, 웨이퍼의 밀착성의 저하에 의한 다이싱 시의 치핑을 방지하는 것이 가능해진다. 여기에서, 유리 전이 온도(Tg)는, DSC(열시차 주사 열량계)(예를 들면, 주식회사 리가쿠제 "Thermo Plus 2")를 이용하여 측정한 값을 의미한다.
아크릴 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 예를 들면 10만~300만이며, 10만~100만, 10만~80만, 또는 30만~200만이어도 된다. 아크릴 수지의 Mw가 이와 같은 범위에 있으면, 필름 형성성, 필름상에 있어서의 강도, 가요성, 태킹성 등을 적절히 제어할 수 있음과 함께, 리플로성이 우수하여, 매립성을 향상시킬 수 있다. 여기에서, Mw는, 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)로 측정하고, 표준 폴리스타이렌에 의한 검량선을 이용하여 환산한 값을 의미한다.
아크릴 수지의 시판품으로서는, 예를 들면 SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-P3, SG-280 EK23, HTR-860P-3CSP, HTR-860P-3CSP-3DB(모두 나가세 켐텍스 주식회사제)를 들 수 있다.
(b) 성분의 함유량은, (a) 성분, (b) 성분, 및 (c) 성분의 총 질량 100질량부에 대하여, 5~70질량부, 10~50질량부, 또는 15~30질량부여도 된다. (b) 성분의 함유량이 5질량부 이상이면, 성형 시의 유동성의 제어 및 고온에서의 취급성을 보다 더 양호하게 할 수 있다. (b) 성분의 함유량이 70질량부 이하이면, 매립성을 보다 더 양호하게 할 수 있다.
·(c) 필러
(c) 성분으로서는, 예를 들면 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 마그네슘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 붕산 알루미늄 위스커, 질화 붕소, 실리카 등의 무기 필러를 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도, (c) 성분은, 수지와의 상용성의 관점에서, 실리카여도 된다.
(c) 성분의 평균 입경은, 접착성의 향상의 관점에서, 0.005~1μm 또는 0.05~0.5μm여도 된다. 여기에서, 평균 입경은, BET 비표면적으로부터 환산함으로써 구해지는 값을 의미한다.
(c) 성분의 함유량은, (a) 성분, (b) 성분, 및 (c) 성분의 총 질량 100질량부에 대하여, 5~50질량부, 15~45질량부, 또는 25~40질량부여도 된다. (c) 성분의 함유량이 5질량부 이상이면, 필름상 접착제의 유동성이 보다 향상되는 경향이 있다. (c) 성분의 함유량이 50질량부 이하이면, 필름상 접착제의 다이싱성이 보다 양호해지는 경향이 있다.
·(d) 커플링제
(d) 성분은, 실레인 커플링제여도 된다. 실레인 커플링제로서는, 예를 들면 γ-유레이도프로필트라이에톡시실레인, γ-머캅토프로필트라이메톡시실레인, 3-페닐아미노프로필트라이메톡시실레인, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트라이메톡시실레인 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
(d) 성분의 함유량은, (a) 성분, (b) 성분, 및 (c) 성분의 총 질량 100질량부에 대하여, 0.01~5질량부여도 된다.
·(e) 경화 촉진제
(e) 성분은, 특별히 한정되지 않고, 일반적으로 사용되는 것을 이용할 수 있다. (e) 성분으로서는, 예를 들면 이미다졸류 및 그 유도체, 유기 인계 화합물, 제2급 아민류, 제3급 아민류, 제4급 암모늄염 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서도, 반응성의 관점에서 (e) 성분은 이미다졸류 및 그 유도체여도 된다.
이미다졸류로서는, 예를 들면 2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-사이아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-사이아노에틸-2-메틸이미다졸 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.
(e) 성분의 함유량은, (a) 성분, (b) 성분, 및 (c) 성분의 총 질량 100질량부에 대하여, 0.01~1질량부여도 된다.
<다이싱·다이본딩 일체형 필름 및 그 제조 방법>
도 3의 (a)에 나타내는 다이싱·다이본딩 일체형 필름(8) 및 그 제조 방법에 대하여 설명한다. 필름(8)의 제조 방법은, 용제를 함유하는 접착제 조성물의 바니시를 접착층용의 기재 필름(도시하지 않음) 상에 도포하는 공정과, 도포된 바니시를 50~150℃에서 가열 건조함으로써 접착층(3A)을 형성하는 공정을 포함한다.
접착제 조성물의 바니시는, 예를 들면 (a)~(c) 성분, 필요에 따라서 (d) 성분 및 (e) 성분을, 용제 중에서 혼합 또는 혼련함으로써 조제할 수 있다. 혼합 또는 혼련은, 통상의 교반기, 믹서기, 3개 롤, 볼 밀 등의 분산기를 이용하고, 이들을 적절히 조합하여 행할 수 있다.
바니시를 제작하기 위한 용제는, 상기 각 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산할 수 있는 것이면 제한은 없고, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 이와 같은 용제로서는, 예를 들면 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸아이소뷰틸케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤계 용매, 다이메틸폼아마이드, 다이메틸아세트아마이드, N메틸피롤리돈, 톨루엔, 자일렌 등을 들 수 있다. 건조 속도가 빠르고, 가격이 저렴한 점에서 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온 등을 사용하는 것이 바람직하다.
접착층용의 기재 필름으로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들면 폴리에스터 필름, 폴리프로필렌 필름(OPP 필름 등), 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리이미드 필름, 폴리에터이미드 필름, 폴리에터나프탈레이트 필름, 메틸펜텐 필름 등을 들 수 있다.
기재 필름에 바니시를 도포하는 방법으로서는, 공지의 방법을 이용할 수 있고, 예를 들면 나이프 코트법, 롤 코트법, 스프레이 코트법, 그라비어 코트법, 바 코트법, 커튼 코트법 등을 들 수 있다. 가열 건조의 조건은, 사용한 용제가 충분히 휘산하는 조건이면 특별히 제한은 없지만, 예를 들면 50~150℃에서, 1~30분간 가열하여 행할 수 있다. 가열 건조는, 50~150℃의 범위 내의 온도에서 단계적으로 승온시켜 행해도 된다. 바니시에 포함되는 용제를 가열 건조에 의하여 휘발시킴으로써 기재 필름과 접착층(20A)의 적층 필름을 얻을 수 있다.
상기와 같이 하여 얻은 적층 필름과, 다이싱 필름(기재 필름(1)과 점착층(2)의 적층체)을 첩합함으로써 필름(8)을 얻을 수 있다. 기재 필름(1)으로서는, 예를 들면 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 또, 기재 필름(1)은, 필요에 따라서, 프라이머 도포, UV 처리, 코로나 방전 처리, 연마 처리, 에칭 처리 등의 표면 처리가 행해지고 있어도 된다. 점착층(2)은, UV 경화형이어도 되고, 감압형이어도 된다. 필름(8)은, 점착층(2)을 덮는 보호 필름(도시하지 않음)을 더 구비한 것이어도 된다.
이상, 본 개시의 실시형태에 대하여 상세하게 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 상기 실시형태에 있어서는, 4개의 반도체 소자가 적층된 양태의 패키지를 예시했지만, 적층하는 반도체 소자의 수는 이에 한정되는 것은 아니다. 또, 상기 실시형태에 있어서는, 반도체 소자의 적층 방향에 직교하는 방향으로 위치를 어긋나게 하여 복수의 반도체 소자가 적층된 양태를 예시했지만, 도 7에 나타내는 바와 같이, 위치를 어긋나게 하지 않고 반도체 소자를 적층시켜도 된다.
실시예
이하, 실시예를 들어 본 개시에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1~12 및 비교예 1~5)
표 1~4에 나타내는 성분을 포함하는 바니시(합계 17종류)를 다음과 같이 하여 조제했다. 즉, 열경화성 수지로서의 에폭시 수지 및 페놀 수지와, 필러를 포함하는 조성물에 사이클로헥산온을 첨가하여 교반했다. 이것에, 고분자량 성분으로서의 아크릴 고무를 첨가하여 교반한 후, 커플링제 및 경화 촉진제를 더 첨가하고, 각 성분이 충분히 균일해질 때까지 교반함으로써 바니시를 얻었다.
표 1~4에 기재의 성분은 이하와 같다.
(에폭시 수지)
·YDCN-700-10: 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 신닛테쓰 스미킨 가가쿠 주식회사제, 에폭시 당량 210, 연화점 75~85℃
·EXA-830CRP(상품명): 비스페놀 F형 에폭시 수지, DIC 주식회사제, 에폭시 당량 162, 상온에서 액체
·YDF-8170C: 비스페놀 F형 에폭시 수지, 신닛테쓰 스미킨 가가쿠 주식회사제, 에폭시 당량 159, 상온에서 액체
(페놀 수지)
·밀렉스 XLC-LL("밀렉스"는 등록상표): 미쓰이 가가쿠 주식회사제, 수산기 당량 175, 연화점 77℃
·페놀라이트 LF-4871("페놀라이트"는 등록상표): DIC 주식회사제, 수산기 당량 118, 연화점 130℃
(고분자량 성분)
·HTR-860P: 나가세 켐텍스 주식회사제, 아크릴 고무, 중량 평균 분자량 80만, Tg -7℃
(필러)
·SC-2050-HLG: 아드마텍스 주식회사제, 실리카 필러 분산액, 평균 입경 0.50μm, 최대 입경 1.0μm 이하
·에어로질 R972("에어로질"은 등록상표): 닛폰 에어로질 주식회사제, 실리카 입자, 평균 입경 0.016μm, 최대 입경 1.0μm 이하
(커플링제)
·A-189: γ-머캅토프로필트라이메톡시실레인, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬 고도가이샤제
·A-1160: γ-유레이도프로필트라이에톡시실레인, 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬 고도가이샤제
(경화 촉진제)
·큐아졸 2PZ-CN("큐아졸"은 등록상표): 1-사이아노에틸-2-페닐이미다졸, 시코쿠 가세이 고교 주식회사제
500메시의 필터로 바니시를 여과하고, 진공 탈포했다. 진공 탈포 후의 바니시를, 이형 처리를 실시한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 38μm) 상에 도포했다. 도포한 바니시를, 90℃에서 5분간, 계속해서 140℃에서 5분간의 2단계에서 가열 건조했다. 이렇게 하여, 기재 필름으로서의 PET 필름 상에, B 스테이지 상태에 있는 필름상 접착제(두께 7μm)를 구비한 접착 필름을 얻었다.
(필름상 접착제의 용융 점도의 측정)
필름상 접착제의 120℃에 있어서의 용융 점도는 다음의 방법으로 측정했다. 즉, 두께 7μm의 필름상 접착제를 복수 적층함으로써 두께를 약 300μm로 하고, 이것을 10mm×10mm의 사이즈로 펀칭함으로써 측정용의 시료를 얻었다. 동적 점탄성 장치 ARES(TA Instruments사제)에 직경 8mm의 원형 알루미늄 플레이트 지그를 세팅하고, 또한 여기에 상기 시료를 세팅했다. 그 후, 35℃에서 5%의 왜곡을 부여하면서 5℃/분의 승온 속도로 130℃까지 승온시키면서 측정하고, 120℃일 때의 용융 점도의 값을 기록했다. 표 1~4에 결과를 나타낸다.
(필름상 접착제의 저장 탄성률의 측정)
주식회사 유비엠제의 동적 점탄성 측정 장치(Rheogel E-4000)를 이용하여 필름상 접착제의 35℃에 있어서의 저장 탄성률을 측정했다. 즉, 두께 7μm의 필름상 접착제를 복수 적층함으로써 두께를 약 170μm로 하고, 이것을 폭 4mm×길이 33mm의 사이즈로 함으로써 측정용의 시료를 얻었다. 시료를 동적 점탄성 측정 장치(제품명: Rheogel E-4000, 주식회사 유비엠제)에 세팅하고, 인장 하중을 가하여, 주파수 10Hz, 승온 속도 3℃/분으로 측정하며, 35℃에 있어서의 저장 탄성률을 측정했다. 표 1~4에 결과를 나타낸다.
[필름상 접착제의 분단성 평가]
실시예 및 비교예에 관한 각 필름상 접착제(두께 120μm)와 다이싱용 점착 필름(마크셀 주식회사제)을 첩합시킴으로써, 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 제작했다.
이하와 같이, 반도체 웨이퍼에 레이저를 조사함으로써 개질 영역을 형성한 후, 저온 조건하에서 익스팬드 공정을 실시함으로써, 필름상 접착제의 분단성을 평가했다. 즉, 반도체 웨이퍼(실리콘 웨이퍼, 두께 50μm, 외경 12인치)를 준비했다. 반도체 웨이퍼의 일방면에 필름상 접착제가 밀착하도록, 반도체 웨이퍼에 대하여 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 첩합했다. 레이저 다이싱 장치(주식회사 도쿄 세이미쓰제, MAHOHDICING MACHINE)를 사용하고, 반도체 웨이퍼를 포함하는 적층체(반도체 웨이퍼/필름상 접착제/점착제층/기재층)에 대하여 스텔스 다이싱을 행했다. 조건은 이하와 같이 했다.
·레이저 광원: 반도체 레이저 여기 Nd(YAG 레이저)
파장: 1064nm
레이저광 스폿 단면적: 3.14×10-8cm2
발진 형태: Q 스위치 펄스
반복 주파수: 100kHz
펄스폭: 30ns
출력: 20μJ/펄스
레이저광 품질: TEM00
편광 특성: 직선 편광
·집광용 렌즈 배율: 50배
·NA: 0.55
·레이저광 파장에 대한 투과율: 60%
·반도체 웨이퍼가 재치되는 대(臺)의 이동 속도: 100mm/초
개질 영역 형성 후의 반도체 웨이퍼를 포함하는 적층체(반도체 웨이퍼/접착제층/점착제층/기재층)를 익스팬드 장치에 고정했다. 이어서, 이하의 조건하에서, 다이싱 필름(점착제층/기재층)을 익스팬드함으로써, 필름상 접착제 및 반도체 웨이퍼를 분할했다. 이로써, 접착제 부착 반도체 소자를 얻었다.
장치: (주)디스코제 DDS2300(Fully Automatic Die Separator)
쿨 익스팬드 조건:
온도: -15℃, 높이(Height): 9mm, 냉각 시간: 60초
스피드: 300mm/초, 대기 시간(Waiting time): 0초
익스팬드 공정 후의 점착제층에 대하여, 기재층 측으로부터 조도 70mW/cm2로 3초에 걸쳐 자외선을 조사했다. 접착제 부착 반도체 소자의 픽업성을, 르네사스 히가시니혼 세미컨덕터사제의 플렉시블 다이본더 DB-730(상품명)을 사용하여 평가했다. 픽업용 콜릿에는, 마이크로 메카닉스사제의 RUBBER TIP 13-087E-33(상품명, 사이즈: 5×5mm)을 이용했다. 밀어 올림 핀에는, 마이크로 메카닉스사제의 EJECTOR NEEDLE SEN2-83-05(상품명, 직경: 0.7mm, 선단 형상: 직경 350μm의 반원)를 이용했다. 밀어 올림 핀은, 핀 중심 간격 4.2mm로 5개 배치했다. 픽업의 조건은 이하와 같이 했다.
·핀의 밀어 올림 속도: 10mm/초
·밀어 올림 높이: 200μm
스텔스 다이싱 공정 후에 미분단의 접착제 부착 반도체 소자의 유무를 육안으로 관찰하여, 이하의 기준으로 평가를 행했다. 표 1~4에 결과를 나타낸다.
A: 미분단의 접착제 부착 반도체 소자가 없었음.
B: 미분단의 접착제 부착 반도체 소자가 1개 이상 있었음.
[4단 적층 후의 박리의 유무]
필름상 접착제가 적합하게 분단되어 있던 시료(접착제 부착 반도체 소자)를 사용하여, 도 5의 (a)에 나타내는 구조체와 동일한 구성의 구조체를 실시예 또는 비교예에 대하여 제작했다. 4단째의 반도체 소자를 적층한 후에 있어서, 1단째와 2단째의 사이에 박리가 발생했는지 여부를 육안으로 관찰하고, 이하의 기준으로 평가를 실시했다. 표 1~4에 결과를 나타낸다.
A: 모든 시료에 있어서 박리가 발생하지 않았음.
B: 박리가 발생한 시료가 1개 이상이었음.
[내리플로성의 평가]
박리의 유무에 관한 평가를 위하여 제작한 시료 중, 박리가 발생하고 있지 않은 시료를 사용하여 다음의 방법으로 내리플로성의 평가를 행했다. 즉, 4단에 적층된 반도체 소자를 몰드용 밀봉재(히타치 가세이(주)제, 상품명 "CEL-9750ZHF10")로 밀봉함으로써, 평가용의 패키지를 얻었다. 또한, 수지 밀봉의 조건은 175℃/6.7MPa/90초로 하고, 경화의 조건은 175℃, 5시간으로 했다.
상기 패키지를 20개 준비하여, 이들을 JEDEC로 정한 환경하(레벨 3, 30℃, 60RH%, 192시간)에 노출하여 흡습시켰다. 계속해서, IR리플로 노(260℃, 최고 온도 265℃)에 흡습 후의 패키지를 3회 통과시켰다. 이하의 기준으로 평가를 행했다. 표 1~4에 결과를 나타낸다.
A: 패키지의 파손, 두께의 변화, 필름상 접착제와 반도체 소자의 계면에서의 박리 등이 20개의 패키지 중 1개도 관찰되지 않았음.
B: 패키지의 파손, 두께의 변화, 필름상 접착제와 반도체 소자의 계면에서의 박리 등이 20개의 패키지 중 적어도 1개 관찰되었음.
[표 1]
[표 2]
[표 3]
[표 4]
본 개시에 의하면, 복수의 반도체 소자가 적층된 양태의 반도체 장치로서 인접하는 반도체 소자의 사이에 있어서의 박리가 발생하기 어려운 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 또, 본 개시에 의하면, 상기 제조 방법에 적용 가능한 열경화성 수지 조성물 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름이 제공된다.
1…기재 필름
2…점착층
3…필름상 접착제의 경화물
3A…접착층
3P…필름상 접착제
8…다이싱·다이본딩 일체형 필름
20…접착제 부착 반도체 소자
100…반도체 장치
W…반도체 웨이퍼
2…점착층
3…필름상 접착제의 경화물
3A…접착층
3P…필름상 접착제
8…다이싱·다이본딩 일체형 필름
20…접착제 부착 반도체 소자
100…반도체 장치
W…반도체 웨이퍼
Claims (13)
120℃에 있어서의 용융 점도가 13000Pa·s 이상이고, 또한 35℃에 있어서의 저장 탄성률이 70MPa 이상인 열경화성 수지 조성물로 이루어지는 접착층과, 점착층과, 기재 필름을 이 순서로 구비하는 다이싱·다이본딩 일체형 필름을 준비하는 공정과,
상기 다이싱·다이본딩 일체형 필름의 상기 접착층 측의 면과 반도체 웨이퍼를 첩합하는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정과,
상기 기재 필름을 익스팬드함으로써, 상기 반도체 웨이퍼 및 상기 접착층이 개편화되어 이루어지는 접착제 부착 반도체 소자를 얻는 공정과,
상기 접착제 부착 반도체 소자를 상기 점착층으로부터 픽업하는 공정과,
상기 접착제 부착 반도체 소자를 다른 반도체 소자에 대하여 당해 접착제 부착 반도체 소자의 접착제를 통하여 적층하는 공정과,
상기 접착제를 열경화시키는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법으로서,
두께가 3~40μm인 접착제 및 두께가 50μm인 반도체 소자를 이용하는 조건에 있어서, 4단째의 반도체 소자를 적층한 후에, 1단째의 반도체 소자와 2단째의 반도체 소자의 사이에 박리가 발생하지 않는, 반도체 장치의 제조 방법.
상기 다이싱·다이본딩 일체형 필름의 상기 접착층 측의 면과 반도체 웨이퍼를 첩합하는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정과,
상기 기재 필름을 익스팬드함으로써, 상기 반도체 웨이퍼 및 상기 접착층이 개편화되어 이루어지는 접착제 부착 반도체 소자를 얻는 공정과,
상기 접착제 부착 반도체 소자를 상기 점착층으로부터 픽업하는 공정과,
상기 접착제 부착 반도체 소자를 다른 반도체 소자에 대하여 당해 접착제 부착 반도체 소자의 접착제를 통하여 적층하는 공정과,
상기 접착제를 열경화시키는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법으로서,
두께가 3~40μm인 접착제 및 두께가 50μm인 반도체 소자를 이용하는 조건에 있어서, 4단째의 반도체 소자를 적층한 후에, 1단째의 반도체 소자와 2단째의 반도체 소자의 사이에 박리가 발생하지 않는, 반도체 장치의 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 열경화성 수지 조성물은, 열경화성 수지와, 분자량 10만~100만의 고분자량 성분과, 필러를 함유하고,
상기 열경화성 수지 조성물의 전체 질량을 기준으로 하여, 상기 고분자량 성분의 함유량이 15~66질량%인, 반도체 장치의 제조 방법.
상기 열경화성 수지 조성물은, 열경화성 수지와, 분자량 10만~100만의 고분자량 성분과, 필러를 함유하고,
상기 열경화성 수지 조성물의 전체 질량을 기준으로 하여, 상기 고분자량 성분의 함유량이 15~66질량%인, 반도체 장치의 제조 방법.
청구항 2에 있어서,
상기 열경화성 수지 조성물의 전체 질량을 기준으로 하여, 상기 필러의 함유량이 25~45질량%인, 반도체 장치의 제조 방법.
상기 열경화성 수지 조성물의 전체 질량을 기준으로 하여, 상기 필러의 함유량이 25~45질량%인, 반도체 장치의 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
3차원 NAND형 메모리를 제조하는 방법인, 반도체 장치의 제조 방법.
3차원 NAND형 메모리를 제조하는 방법인, 반도체 장치의 제조 방법.
반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서 사용되는 열경화성 수지 조성물로서,
120℃에 있어서의 용융 점도가 13000Pa·s 이상이고, 35℃에 있어서의 저장 탄성률이 70MPa 이상이고,
상기 열경화성 수지 조성물을 청구항 1에 기재된 반도체 장치의 제조 방법에 이용할 때, 두께가 3~40μm인 접착제 및 두께가 50μm인 반도체 소자를 이용하는 조건에 있어서, 4단째의 반도체 소자를 적층한 후에, 1단째의 반도체 소자와 2단째의 반도체 소자의 사이에 박리가 발생하지 않는, 열경화성 수지 조성물.
120℃에 있어서의 용융 점도가 13000Pa·s 이상이고, 35℃에 있어서의 저장 탄성률이 70MPa 이상이고,
상기 열경화성 수지 조성물을 청구항 1에 기재된 반도체 장치의 제조 방법에 이용할 때, 두께가 3~40μm인 접착제 및 두께가 50μm인 반도체 소자를 이용하는 조건에 있어서, 4단째의 반도체 소자를 적층한 후에, 1단째의 반도체 소자와 2단째의 반도체 소자의 사이에 박리가 발생하지 않는, 열경화성 수지 조성물.
청구항 5에 있어서,
열경화성 수지와, 분자량 10만~100만의 고분자량 성분과, 필러를 함유하고,
당해 열경화성 수지 조성물의 전체 질량을 기준으로 하여, 상기 고분자량 성분의 함유량이 15~66질량%인, 열경화성 수지 조성물.
열경화성 수지와, 분자량 10만~100만의 고분자량 성분과, 필러를 함유하고,
당해 열경화성 수지 조성물의 전체 질량을 기준으로 하여, 상기 고분자량 성분의 함유량이 15~66질량%인, 열경화성 수지 조성물.
청구항 6에 있어서,
당해 열경화성 수지 조성물의 전체 질량을 기준으로 하여, 상기 필러의 함유량이 25~45질량%인, 열경화성 수지 조성물.
당해 열경화성 수지 조성물의 전체 질량을 기준으로 하여, 상기 필러의 함유량이 25~45질량%인, 열경화성 수지 조성물.
청구항 5에 있어서,
3차원 NAND형 메모리의 제조 프로세스에 있어서 사용되는, 열경화성 수지 조성물.
3차원 NAND형 메모리의 제조 프로세스에 있어서 사용되는, 열경화성 수지 조성물.
점착층과,
열경화성 수지 조성물로 이루어지는 접착층을 구비하고,
상기 열경화성 수지 조성물이 청구항 7에 기재된 열경화성 수지 조성물인, 다이싱·다이본딩 일체형 필름.
열경화성 수지 조성물로 이루어지는 접착층을 구비하고,
상기 열경화성 수지 조성물이 청구항 7에 기재된 열경화성 수지 조성물인, 다이싱·다이본딩 일체형 필름.
청구항 9에 있어서,
상기 접착층의 두께가 3~40μm인, 다이싱·다이본딩 일체형 필름.
상기 접착층의 두께가 3~40μm인, 다이싱·다이본딩 일체형 필름.
청구항 9에 있어서,
상기 열경화성 수지 조성물은, 열 경화성 수지와, 분자량 10만~100만의 고분자량 성분과, 필러를 함유하는, 다이싱·다이본딩 일체형 필름.
상기 열경화성 수지 조성물은, 열 경화성 수지와, 분자량 10만~100만의 고분자량 성분과, 필러를 함유하는, 다이싱·다이본딩 일체형 필름.
청구항 11에 있어서,
상기 열경화성 수지 조성물의 전체 질량을 기준으로 하여, 상기 고분자량 성분의 함유량이 15~66질량%인, 다이싱·다이본딩 일체형 필름.
상기 열경화성 수지 조성물의 전체 질량을 기준으로 하여, 상기 고분자량 성분의 함유량이 15~66질량%인, 다이싱·다이본딩 일체형 필름.
청구항 11에 있어서,
상기 열경화성 수지 조성물의 전체 질량을 기준으로 하여, 상기 필러의 함유량이 25~45질량%인, 다이싱·다이본딩 일체형 필름.
상기 열경화성 수지 조성물의 전체 질량을 기준으로 하여, 상기 필러의 함유량이 25~45질량%인, 다이싱·다이본딩 일체형 필름.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018131431 | 2018-07-11 | ||
JPJP-P-2018-131431 | 2018-07-11 | ||
PCT/JP2019/027416 WO2020013250A1 (ja) | 2018-07-11 | 2019-07-10 | 半導体装置の製造方法、熱硬化性樹脂組成物及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム |
KR1020217000922A KR20210030931A (ko) | 2018-07-11 | 2019-07-10 | 반도체 장치의 제조 방법, 열경화성 수지 조성물 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217000922A Division KR20210030931A (ko) | 2018-07-11 | 2019-07-10 | 반도체 장치의 제조 방법, 열경화성 수지 조성물 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20230084615A true KR20230084615A (ko) | 2023-06-13 |
Family
ID=69141564
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217000922A KR20210030931A (ko) | 2018-07-11 | 2019-07-10 | 반도체 장치의 제조 방법, 열경화성 수지 조성물 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름 |
KR1020237018797A KR20230084615A (ko) | 2018-07-11 | 2019-07-10 | 반도체 장치의 제조 방법, 열경화성 수지 조성물 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217000922A KR20210030931A (ko) | 2018-07-11 | 2019-07-10 | 반도체 장치의 제조 방법, 열경화성 수지 조성물 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11634614B2 (ko) |
JP (2) | JP7298613B2 (ko) |
KR (2) | KR20210030931A (ko) |
CN (1) | CN112385016A (ko) |
SG (1) | SG11202100176VA (ko) |
TW (1) | TWI827632B (ko) |
WO (1) | WO2020013250A1 (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022149277A1 (ja) | 2021-01-08 | 2022-07-14 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法 |
CN116685654A (zh) | 2021-01-08 | 2023-09-01 | 株式会社力森诺科 | 膜状黏合剂、切割晶粒接合一体型膜、以及半导体装置及其制造方法 |
JP2022115581A (ja) * | 2021-01-28 | 2022-08-09 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法、並びに、熱硬化性樹脂組成物、接着フィルム及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム |
WO2023047594A1 (ja) * | 2021-09-27 | 2023-03-30 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法 |
WO2023152837A1 (ja) * | 2022-02-09 | 2023-08-17 | 株式会社レゾナック | フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法 |
WO2023157846A1 (ja) * | 2022-02-16 | 2023-08-24 | 株式会社レゾナック | フィルム状接着剤及びその製造方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016190964A (ja) | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 日立化成株式会社 | 接着フィルム |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3517753A1 (de) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Dr. Beck & Co Ag, 2000 Hamburg | Hitzehaertbarer schmelzklebelack und seine verwendung |
CN100454493C (zh) * | 2003-06-06 | 2009-01-21 | 日立化成工业株式会社 | 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法 |
KR20070004100A (ko) | 2004-04-20 | 2007-01-05 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 접착시트, 반도체장치, 및 반도체장치의 제조방법 |
JP5390209B2 (ja) * | 2009-02-04 | 2014-01-15 | 日東電工株式会社 | 熱硬化型ダイボンドフィルム |
JP5499772B2 (ja) * | 2009-02-26 | 2014-05-21 | 日立化成株式会社 | 半導体用接着部材、半導体用接着剤組成物、半導体用接着フィルム、積層体及び半導体装置の製造方法 |
JP5219302B2 (ja) * | 2010-02-04 | 2013-06-26 | 日東電工株式会社 | 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置 |
JP5803123B2 (ja) | 2011-02-08 | 2015-11-04 | 日立化成株式会社 | 半導体用粘接着シート、それを用いた半導体ウエハ、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5732881B2 (ja) * | 2011-02-08 | 2015-06-10 | 日立化成株式会社 | 半導体用接着フィルム、接着シート、半導体ウエハ及び半導体装置 |
JP2013010849A (ja) | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体用接着部材、それを用いたダイシング・ダイボンディング一体型接着部材及び半導体装置の製造方法 |
JP5976326B2 (ja) * | 2012-01-25 | 2016-08-23 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び、当該半導体装置の製造方法に用いられる接着フィルム |
JP5918664B2 (ja) | 2012-09-10 | 2016-05-18 | 株式会社東芝 | 積層型半導体装置の製造方法 |
US10208164B2 (en) * | 2014-09-01 | 2019-02-19 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Curable silicone composition, curable hot-melt silicone, and optical device |
JP6621262B2 (ja) * | 2015-08-06 | 2019-12-18 | 藤森工業株式会社 | ホットメルト接着性樹脂フィルムおよびその製造方法 |
JP2017183705A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-10-05 | 日東電工株式会社 | ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 |
-
2019
- 2019-07-10 KR KR1020217000922A patent/KR20210030931A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-07-10 WO PCT/JP2019/027416 patent/WO2020013250A1/ja active Application Filing
- 2019-07-10 US US17/258,747 patent/US11634614B2/en active Active
- 2019-07-10 SG SG11202100176VA patent/SG11202100176VA/en unknown
- 2019-07-10 CN CN201980045678.2A patent/CN112385016A/zh active Pending
- 2019-07-10 KR KR1020237018797A patent/KR20230084615A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-07-10 JP JP2020530241A patent/JP7298613B2/ja active Active
- 2019-07-11 TW TW108124517A patent/TWI827632B/zh active
-
2023
- 2023-06-15 JP JP2023098593A patent/JP2023123595A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016190964A (ja) | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 日立化成株式会社 | 接着フィルム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023123595A (ja) | 2023-09-05 |
CN112385016A (zh) | 2021-02-19 |
TW202017022A (zh) | 2020-05-01 |
JP7298613B2 (ja) | 2023-06-27 |
WO2020013250A1 (ja) | 2020-01-16 |
US20210269679A1 (en) | 2021-09-02 |
JPWO2020013250A1 (ja) | 2021-08-05 |
SG11202100176VA (en) | 2021-04-29 |
US11634614B2 (en) | 2023-04-25 |
TWI827632B (zh) | 2024-01-01 |
KR20210030931A (ko) | 2021-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7298613B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、熱硬化性樹脂組成物及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム | |
TWI791751B (zh) | 半導體裝置的製造方法及接著膜 | |
KR102482629B1 (ko) | 반도체 장치, 그리고 그 제조에 사용하는 열경화성 수지 조성물 및 다이싱 다이 본딩 일체형 테이프 | |
KR20200113217A (ko) | 접착제 조성물, 필름형 접착제, 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR20210144731A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 다이본딩 필름, 및 다이싱·다이본딩 일체형 접착 시트 | |
KR102491831B1 (ko) | 필름형 접착제 및 그 제조 방법과, 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR20210041569A (ko) | 접착제 조성물, 필름상 접착제, 접착 시트, 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
WO2023157846A1 (ja) | フィルム状接着剤及びその製造方法、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法 | |
KR20210064221A (ko) | 필름상 접착제, 접착 시트, 및 반도체 장치와 그 제조 방법 | |
TW202414550A (zh) | 半導體裝置的製造方法、接著層及切晶黏晶一體型膜 | |
TWI785196B (zh) | 熱硬化性樹脂組成物、膜狀接著劑、接著片及半導體裝置的製造方法 | |
JP5807341B2 (ja) | ダイシングテープ一体型接着シート | |
WO2022186285A1 (ja) | フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法 | |
KR20230062565A (ko) | 필름상 접착제, 접착 시트, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR20230129234A (ko) | 접착제 조성물, 필름상 접착제, 다이싱·다이본딩 일체형필름, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
US20220157802A1 (en) | Semiconductor device having dolmen structure and method for manufacturing same | |
TW202242057A (zh) | 膜狀接著劑、切割晶粒接合一體型膜、以及半導體裝置及其製造方法 | |
TW202231809A (zh) | 半導體裝置及其製造方法、以及熱固性樹脂組成物、接著膜及切割晶粒接合一體型膜 | |
KR20240090161A (ko) | 필름상 접착제, 다이싱·다이본딩 일체형 필름, 및 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
TW202323489A (zh) | 膜狀接著劑、切割晶粒接合一體型膜、以及半導體裝置及其製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
E902 | Notification of reason for refusal |