JP2022115581A - 半導体装置及びその製造方法、並びに、熱硬化性樹脂組成物、接着フィルム及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム - Google Patents

半導体装置及びその製造方法、並びに、熱硬化性樹脂組成物、接着フィルム及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム Download PDF

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Abstract

【課題】チップ埋込型の半導体装置の製造に有用な熱硬化性樹脂組成物であって、半導体素子（チップ）の埋込性に優れるとともに、ブリードの発生を十分に抑制できる熱硬化性樹脂組成物を提供する。【解決手段】本開示に係る熱硬化性樹脂組成物は、チップ埋込型の半導体装置の製造に使用されるものであり、水酸基当量１５０ｇ／ｅｑ以下の硬化剤を含み且つ１２０℃における溶融粘度が１０００～１１５００Ｐａ・ｓである。【選択図】図１

Description

本開示は、半導体装置及びその製造方法、並びに、熱硬化性樹脂組成物、接着フィルム及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに関する。
携帯電話等のデバイスの多機能化に伴い、半導体素子を多段に積層することによって高容量化したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）が普及している。半導体素子の実装には、フィルム状接着剤が広く用いられている。フィルム状接着剤を使用した多段積層パッケージの一例としてワイヤ埋込型のパッケージが挙げられる。このパッケージは、基板上にワイヤボンド済みの半導体素子に対してフィルム状接着剤を圧着することによって当該半導体素子及びワイヤをフィルム状接着剤に埋め込む工程を経て製造される。
上記スタックドＭＣＰ等の半導体装置に求められる重要な特性の一つとして接続信頼性が挙げられる。接続信頼性を向上させるために、耐熱性、耐湿性及び耐リフロー性等の特性を考慮したフィルム状接着剤の開発が行われている。例えば、特許文献１は熱硬化性成分とフィラーとを含有する厚さ１０～２５０μｍの接着シートを開示する。特許文献２はエポキシ樹脂とフェノール樹脂とを含む混合物及びアクリル共重合体を含む接着剤組成物を開示する。
半導体装置の接続信頼性は、接着面に空隙（ボイド）を発生させることなく半導体素子を実装できているか否かによっても大きく左右される。このため、空隙を発生させずに半導体素子を圧着できるように高流動なフィルム状接着剤を使用する、又は発生した空隙を半導体素子の封止工程で消失させることができるように溶融粘度の低いフィルム状接着剤を使用するなどの工夫がなされている。例えば、特許文献３には、低粘度且つ低タック強度の接着シートが開示されている。
国際公開第２００５／１０３１８０号 特開２００２－２２０５７６号公報 特開２００９－１２０８３０号公報
上記特許文献１及び３の接着シートは、圧着時にワイヤを埋め込むため、高流動化を目的として比較的多量のエポキシ樹脂を含んでいる。このため、半導体装置の製造工程中に発生する熱により熱硬化が進行しやすい。これにより、接着フィルムが高弾性化して、換言すれば、封止時の高温高圧条件でも接着シートが変形しにくくなり、圧着時に形成された空隙が最終的に消失しないことがある。一方、上記特許文献２の接着剤組成物は、弾性率が低いため、封止工程で空隙を消失させることができるものの、粘度が高いことに起因して圧着時におけるワイヤの埋込性が不十分となりやすい。
近年、ワイヤ埋込型の半導体装置の動作の高速化が重要視されている。従来は積層された半導体素子の最上段に、半導体装置の動作を制御するコントローラチップが配置されていた。動作の高速化を実現するため、最下段にコントローラチップを配置した半導体装置のパッケージ技術が開発されている。このようなパッケージの一つの形態として、多段に積層した半導体素子のうち、二段目の半導体素子を圧着する際に比較的分厚い接着フィルム（フィルム状接着剤）を使用し、当該接着フィルムの内部にコントローラチップを埋め込むパッケージが注目を集めている（例えば、上記特許文献１参照）。このような用途に使用される接着フィルムは、ＦＯＤ（Ｆｉｌｍ Ｏｖｅｒ Ｄｉｅ）と称され、コントローラチップ及びこれと回路パターンとを接続するワイヤ、並びに、基板表面の凹凸起因の段差を埋め込むことのできる高い流動性が求められる。特許文献１及び３の接着シートのような高流動の接着シートを使用することで、この課題を解決できる。
しかし、特許文献１及び３に記載の接着シートは硬化前に高い流動性を発現させる一方で、半導体素子（チップ）の小サイズ化が進展するに伴い、半導体パッケージの製造過程の熱圧着工程において、単位面積当たりの押圧力が過度に大きくなる傾向にある。これにより、接着フィルムを構成する接着剤組成物が半導体素子からはみ出す現象（以下、「ブリード」という。）が生じたり、接着フィルムが過度に潰れて電気不良を招来したりする恐れがある。特に、チップ埋込型の半導体パッケージの製造使用される接着フィルムの埋込性の向上のため、熱圧着工程での流動性を高めると、ブリードが顕著となる。例えば、はみ出した接着剤組成物が半導体素子の上面にまではい上がることもあり、それが電気不良又はワイヤボンディング不良の原因になり得る。つまり、従来の接着フィルムは、チップ埋込型のパッケージの製造過程において、半導体素子に対する優れた埋込性とブリードの抑制とを必ずしも十分に両立することができず、この点において改善の余地があった。
本開示は、チップ埋込型の半導体装置の製造に有用な熱硬化性樹脂組成物であって、半導体素子の埋込性に優れるとともに、ブリードの発生を十分に抑制できる熱硬化性樹脂組成物を提供する。本開示は、優れた接続信頼性を有する半導体装置及びその製造方法、並びに、上記熱硬化性樹脂組成物を用いた接着フィルム及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを提供する。
本発明者らは、上記課題の解決のため、半導体装置の製造に使用する熱硬化性樹脂組成物の樹脂の選定と物性の調整について鋭意研究を重ねた。そして、本発明者らは、水酸基当量１５０ｇ／ｅｑ以下の硬化剤を使用することによって高架橋密度の樹脂とする一方、熱硬化性樹脂組成物の溶融粘度を調整することで優れた埋込性を有し且つブリードを十分に抑制できることを見出した。
本開示に係る半導体装置の製造方法は、（Ａ）基板と、基板上に設置された第１の半導体素子とを備える部材を準備する工程と、（Ｂ）熱硬化性樹脂組成物からなる接着剤片と、第２の半導体素子とを含む積層体である接着剤片付き半導体素子を準備する工程と、（Ｃ）第１の半導体素子が接着剤片に埋め込まれるように、基板に対して接着剤片付き半導体素子を圧着する工程と、（Ｄ）加熱によって接着剤片を硬化させる工程とを含み、上記熱硬化性樹脂組成物は、水酸基当量１５０ｇ／ｅｑ以下の硬化剤を含み且つ１２０℃における溶融粘度が１０００～１１５００Ｐａ・ｓである。
熱硬化性樹脂組成物からなる接着剤片が水酸基当量１５０ｇ／ｅｑ以下の硬化剤を含んでいることで、上述のとおり、高架橋密度の樹脂とすることができ、ブリードを抑制することができる。他方、１２０℃における溶融粘度が１０００～１１５００Ｐａ・ｓであることで、優れた埋込性を確保することができる。熱硬化性樹脂組成物の溶融粘度は、熱硬化性樹脂組成物を構成する成分の配合比率を調整することによって上記範囲内にすることができる。なお、本発明者らの検討によると、熱硬化性樹脂組成物の溶融粘度は、埋込性及びブリード抑制の両方に影響を与える因子であるのに対し、硬化剤の水酸基当量は主にブリード抑制に影響を与える因子である。
本開示に係る半導体装置は、基板と、基板上に設置された第１の半導体素子と、基板における第１の半導体素子が配置された領域を覆うように配置されており、第１の半導体素子を封止している接着剤片の硬化物と、接着剤片の硬化物における基板の側とは反対側の表面を覆うように配置されており、平面視において第１の半導体素子よりも大きい面積を有する第２の半導体素子とを備え、上記接着剤片は、水酸基当量１５０ｇ／ｅｑ以下の硬化剤を含み且つ１２０℃における溶融粘度が１０００～１１５００Ｐａ・ｓである熱硬化性樹脂組成物からなる。
上記半導体装置は、第１の半導体素子（例えば、コントローラチップ）が熱硬化性樹脂組成物の硬化物に埋め込まれた態様であり、動作の高速化が可能である。第１の半導体素子の埋込みに、１２０℃における溶融粘度が１０００～１１５００Ｐａ・ｓである接着剤片が使用されていることで、基板又は第１の半導体素子との界面における空隙が十分に少ないとともに、基板の汚染及びブリードの問題の発生も十分に抑制されるため、基板と第１の半導体素子との優れた接続信頼性を達成できる。
本開示における熱硬化性樹脂組成物は、１２０℃における溶融粘度の調整の観点から、分子量１０万～１００万の高分子量成分（例えば、アクリルゴム）を含んでもよい。熱硬化性樹脂組成物に含まれる樹脂成分の質量１００質量部に対する高分子量成分の含有量は、例えば、２５～４５質量部である。高分子量成分の含有量が２５質量部以上であることで、ブリードをより高度に抑制しやすく、他方、４５質量部以下であることで、より優れた埋込性を達成しやすい。なお、高分子量成分の分子量は重量平均分子量を意味する。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。
上記熱硬化性樹脂組成物は無機フィラーを含んでもよい。熱硬化性樹脂組成物の全質量基準で、無機フィラーの含有量は、５～５０質量％である。無機フィラーの含有量が５質量％以上であることで、ブリードをより高度に抑制しやすく、他方、５０質量％以下であることで、より優れた埋込性を達成しやすい。
本開示に係る接着フィルムは、チップ埋込型の半導体装置の製造に使用されるものであり、上記熱硬化性樹脂組成物からなる。本開示に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、粘着層と、上記接着フィルムとを備える。
本開示によれば、チップ埋込型の半導体装置の製造に有用な熱硬化性樹脂組成物であって、半導体素子の埋込性に優れるとともに、ブリードの発生を十分に抑制できる熱硬化性樹脂組成物が提供される。すなわち、この熱硬化性樹脂組成物は、半導体素子（例えば、コントローラチップ）の優れた埋込性を有するとともに、埋め込み時の周辺回路の汚染及び樹脂の過剰な流動に起因する問題を十分に抑制できる。また、本開示によれば、優れた接続信頼性を有する半導体装置及びその製造方法、並びに、上記熱硬化性樹脂組成物を用いた接着フィルム及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムが提供される。
図１は半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。 図２は接着フィルムと第２の半導体素子とからなる接着剤片付き半導体素子の一例を模式的に示す断面図である。 図３は図１に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図４は図１に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図５は図１に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図６は図１に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図７（ａ）～図７（ｅ）は、接着剤片と第２の半導体素子とからなる積層体を製造する過程を模式的に示す断面図である。
以下、図面を参照しつつ、本開示の実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味し、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。「Ａ又はＢ」とは、ＡとＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。
本明細書において「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。また、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
本明細書において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。また、例示材料は特に断らない限り単独で用いてもよいし、二種以上を組み合わせて用いてもよい。また、本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
［半導体装置］
図１は本実施形態に係る半導体装置を模式的に示す断面図である。この図に示す半導体装置１００は、基板１０と、基板１０の表面上に配置された第１の半導体素子Ｗａと、第１の半導体素子Ｗａを封止している接着剤片の硬化物２０と、第１の半導体素子Ｗａの上方に配置された第２の半導体素子Ｗｂと、第２の半導体素子Ｗｂを封止している封止層４０とを備える。
基板１０は、表面に回路パターン１０ａ，１０ｂを有する。半導体装置１００の反りを抑制する観点から、基板１０の厚さは、例えば、９０～１８０μｍであり、９０～１４０μｍであってもよい。なお、基板１０は有機基板であっても、リードフレーム等の金属基板であってもよい。
本実施形態において、第１の半導体素子Ｗａは半導体装置１００を駆動するためのコントローラチップである。第１の半導体素子Ｗａは、回路パターン１０ａ上に接着剤１５を介して接着されており、また、第１のワイヤ１１を介して回路パターン１０ｂに接続されている。平面視における第１の半導体素子Ｗａの形状は、例えば矩形（正方形又は長方形）である。第１の半導体素子Ｗａの一辺の長さは、例えば、５ｍｍ以下であり、２～４ｍｍ又は１～４ｍｍであってもよい。第１の半導体素子Ｗａの厚さは、例えば、１０～１５０μｍであり、２０～１００μｍであってもよい。
平面視において、第２の半導体素子Ｗｂは、第１の半導体素子Ｗａよりも大きい面積を有する。第２の半導体素子Ｗｂは、第１の半導体素子Ｗａの全体と回路パターン１０ｂの一部とが覆われるように接着剤片の硬化物２０を介して基板１０上に搭載されている。平面視における第２の半導体素子Ｗｂの形状は、例えば矩形（正方形又は長方形）である。第２の半導体素子Ｗｂの一辺の長さは、例えば、２０ｍｍ以下であり、４～２０ｍｍ又は４～１２ｍｍであってもよい。第２の半導体素子Ｗｂの厚さは、例えば、１０～１７０μｍであり、２０～１２０μｍであってもよい。第２の半導体素子Ｗｂは、第２のワイヤ１２を介して回路パターン１０ｂに接続されるとともに封止層４０により封止されている。
接着剤片の硬化物２０は接着剤片２０Ｐ（図２参照）が硬化したものである。なお、図２に示すとおり、接着剤片２０Ｐと第２の半導体素子Ｗｂは実質的に同じサイズである。図２に示す接着剤片付き半導体素子３０は、接着剤片２０Ｐと第２の半導体素子Ｗｂとからなる。接着剤片付き半導体素子３０は、後述のとおり、ダイシング工程及びピックアップ工程を経ることによって作製される（図７参照）。
［半導体装置の製造方法］
半導体装置１００の製造方法について説明する。まず、図３に示す構造体５０（部材）を作製する。すなわち、基板１０の表面上に接着剤１５を介して第１の半導体素子Ｗａを設置する。その後、第１の半導体素子Ｗａと回路パターン１０ｂとを第１のワイヤ１１で電気的に接続する。
次に、図４に示すように、別途準備した接着剤片付き半導体素子３０の接着剤片２０Ｐを基板１０に対して押圧する。これによって、第１の半導体素子Ｗａ及び第１のワイヤ１１を接着剤片２０Ｐに埋め込む。接着剤片２０Ｐの厚さは、第１の半導体素子Ｗａの厚さ等に応じて適宜設定すればよく、例えば、２０～２００μｍの範囲であればよく、３０～２００μｍ又は４０～１５０μｍであってもよい。接着剤片２０Ｐの厚さを上記範囲とすることで、第１の半導体素子Ｗａと第２の半導体素子Ｗｂの間隔（図５における距離Ｇ）を十分に確保することができる。距離Ｇは、例えば５０μｍ以上であることが好ましく、５０～７５μｍ又は５０～８０μｍであってもよい。
接着剤片２０Ｐの基板１０に対する圧着は、例えば、８０～１８０℃、０．０１～０．５０ＭＰａの条件で、０．５～３．０秒間にわたって実施することが好ましい。
次に、加熱によって接着剤片２０Ｐを硬化させる。この硬化処理は、例えば、６０～１７５℃、０．０１～１．０ＭＰａの条件で、５分間以上にわたって実施することが好ましい。これにより、接着剤片２０Ｐの硬化物２０で第１の半導体素子Ｗａが封止される（図６参照）。接着剤片２０Ｐの硬化処理は、ボイドの低減の観点から、加圧雰囲気下で実施してもよい。第２の半導体素子Ｗｂと回路パターン１０ｂとを第２のワイヤ１２で電気的に接続した後、封止層４０によって第２の半導体素子Ｗｂを封止することによって半導体装置１００が完成する（図１参照）。
［接着剤片付き半導体素子の作製方法］
図７（ａ）～図７（ｅ）を参照しながら、図２に示す接着剤片付き半導体素子３０の作製方法の一例について説明する。まず、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム８（以下、場合により「フィルム８」という。）を所定の装置（不図示）に配置する。フィルム８は、基材層１と粘着層２と接着層２０Ａとをこの順序で備える。基材層１は、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）である。半導体ウェハＷは、例えば、厚さ１０～１００μｍの薄型半導体ウェハである。半導体ウェハＷは、単結晶シリコンであってもよいし、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素等の化合物半導体であってもよい。
図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、半導体ウェハＷの一方の面に接着層２０Ａが接するようにフィルム８を貼り付ける。この工程は、好ましくは５０～１００℃、より好ましくは６０～８０℃の温度条件下で実施する。温度が５０℃以上であると、半導体ウェハＷを接着層２０Ａとの良好な密着性を得ることができ、１００℃以下であると、この工程において接着層２０Ａが過度に流動することが抑制される。
図７（ｃ）に示すように、半導体ウェハＷ、粘着層２及び接着層２０Ａをダイシングする。これにより、半導体ウェハＷが個片化されて半導体素子Ｗｂとなる。接着層２０Ａも個片化されて接着剤片２０Ｐとなる。ダイシング方法としては、回転刃又はレーザを用いる方法が挙げられる。なお、半導体ウェハＷのダイシングに先立って半導体ウェハＷを研削することによって薄膜化してもよい。
次に、粘着層２が例えばＵＶ硬化型である場合、図７（ｄ）に示すように、粘着層２に対して紫外線を照射することにより粘着層２を硬化させ、粘着層２と接着剤片２０Ｐとの間の粘着力を低下させる。紫外線照射後、図７（ｅ）に示されるように、常温又は冷却条件下において基材層１をエキスパンドすることによって半導体素子Ｗｂを互いに離間させつつ、ニードル４２で突き上げることによって粘着層２から接着剤片付き半導体素子３０の接着剤片２０Ｐを剥離させるとともに、接着剤片付き半導体素子３０を吸引コレット４４で吸引してピックアップする。
［熱硬化性樹脂組成物］
接着剤片２０Ｐを構成する熱硬化性樹脂組成物について説明する。なお、接着剤片２０Ｐは接着層２０Ａ（接着フィルム）を個片化したものであり、両者は同じ熱硬化性樹脂組成物からなる。この熱硬化性樹脂組成物は、例えば、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、その後の硬化処理によって完全硬化物（Ｃステージ）状態となり得るものである。
熱硬化性樹脂組成物は以下の成分を含むことが好ましい。
（ａ）熱硬化性樹脂（以下、単に「（ａ）成分」という場合がある。）
（ｂ）高分子量成分（以下、単に「（ｂ）成分」という場合がある。）
（ｃ）無機フィラー（以下、単に「（ｃ）成分」という場合がある。）
なお、本実施形態においては、（ａ）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂を含む場合、エポキシ樹脂（以下、単に「（ａ１）成分」という場合がある。）が「低分子量成分」に該当する。この場合、（ａ）熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤となり得るフェノール樹脂（以下、単に「（ａ２）成分」という場合がある。）を含む。
熱硬化性樹脂組成物は以下の成分を更に含んでもよい。
（ｄ）カップリング剤（以下、単に「（ｄ）成分」という場合がある。）
（ｅ）硬化促進剤（以下、単に「（ｅ）成分」という場合がある。）
上記熱硬化性樹脂組成物は、分子量１０～１０００の低分子量成分（（ａ１）成分）と、分子量１０万～１００万の高分子量成分（（ｂ）成分）との両方を含むことが好ましい。これらの成分を併用することで、低分子量成分が優れた埋込性に寄与し、他方、高分子量成分が過剰な流動に起因する問題、例えばブリードの抑制に寄与する。なお、低分子量成分の分子量は分子式から求められる分子量を意味する。
低分子量成分の含有量Ｍ１は、熱硬化性樹脂組成物に含まれる樹脂成分の質量１００質量部に対して２０～４５質量部であることが好ましく、２１～４０質量部であることがより好ましい。低分子量成分の含有量Ｍ１が２０質量部以上であることで、優れた埋込性を達成しやすく、他方、４５質量部以下であることで、優れたピックアップ性を達成しやすいという効果が奏される。低分子量成分の軟化点は５０℃以下であることが好ましく、例えば、１０～３０℃であってもよい。なお、本明細書において「軟化点」とは、ＪＩＳ Ｋ７２３４－１９８６に準拠し、環球法によって測定される値を意味する。
高分子量成分の含有量Ｍ２は、熱硬化性樹脂組成物に含まれる樹脂成分の質量１００質量部に対して２５～４５質量部であることが好ましく、３０～４３質量部であることがより好ましい。高分子量成分の含有量Ｍ２が２５質量部以上であることで、過剰な流動に起因する問題（ブリード、基板の汚染、ヒケ及び反り等）を抑制しやすく、他方、４５質量部以下であることで、優れた埋込性を達成しやすいという効果が奏される。より一層優れた埋込性を達成する観点から、高分子量成分の含有量Ｍ２の上限値は、４２質量部、４０質量部又は３９質量部であってもよい。高分子量成分の軟化点は５０℃超１００℃以下であることが好ましい。
熱硬化性樹脂組成物に含まれる樹脂成分の質量１００質量部に対し、低分子量成分と高分子量成分の合計量（Ｍ１＋Ｍ２）は５０～８０質量部であることが好ましく、５１～７６質量部であることがより好ましい。この合計量が５０質量部以上であることで、これらの成分を併用したことの効果が十分に発揮される傾向にあり、他方、８０質量部以下であることで、優れたピックアップ性を達成しやすいという効果が奏される。なお、熱硬化性樹脂組成物に含まれる樹脂成分であって、低分子量成分及び高分子量成分以外のものとしては、主に、分子量が１００１～９万９０００の熱硬化性樹脂等が挙げられる。
熱硬化性樹脂組成物の１２０℃における溶融粘度は、接続信頼性の観点から、１０００～１１５００Ｐａ・ｓである。この溶融粘度が１０００Ｐａ・ｓ以上であることで、圧着処理時等における基板１０の汚染及びブリードの問題の発生を十分に抑制する傾向にある。熱硬化性樹脂組成物の１２０℃における溶融粘度が１１５００Ｐａ・ｓ以下であることで、優れた埋込性を達成でき、具体的には、基板１０又は第１の半導体素子Ｗａとの界面における空隙を十分に少なくできる傾向にある。この溶融粘度は、好ましくは２０００～１１０００Ｐａ・ｓであり、より好ましくは３０００～１００００Ｐａ・ｓであり、更に好ましくは４０００～９０００Ｐａ・ｓである。なお、溶融粘度は、ＡＲＥＳ（ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いてフィルム状に成形した熱硬化性樹脂組成物に５％の歪みを与えながら５℃／分の昇温速度で昇温させながら測定した場合の測定値を意味する。
熱硬化性樹脂組成物の８０℃における溶融粘度は、接続信頼性の観点から、３５００～１２５００Ｐａ・ｓであることが好ましい。この溶融粘度が３５００Ｐａ・ｓ以上であることで、圧着処理時等における基板１０の汚染及びブリードの問題の発生を十分に抑制することができる。他方、この溶融粘度が１２５００Ｐａ・ｓ以下であることで、優れた埋込性を達成でき、具体的には、基板１０又は第１の半導体素子Ｗａとの界面における空隙を十分に少なくできる。この溶融粘度は、好ましくは５５００～１０５００Ｐａ・ｓである。なお、１２０℃及び８０℃における熱硬化性樹脂組成物の溶融粘度は、高分子量成分の含有量を少なくすると低下する傾向にあり、また、無機フィラーの含有量を少なくすると低下する傾向にある。
＜（ａ）熱硬化性樹脂＞
（ａ１）成分は、分子内にエポキシ基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。（ａ１）成分としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格含有エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、多官能フェノール類、アントラセン等の多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（ａ１）成分は、耐熱性の観点から、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、又はビスフェノールＡ型エポキシ樹脂であってもよい。
（ａ１）成分のエポキシ当量は、９０～３００ｇ／ｅｑ、１１０～２９０ｇ／ｅｑ、又は１３０～２８０ｇ／ｅｑであってよい。（ａ１）成分のエポキシ当量がこのような範囲にあると、接着フィルムのバルク強度を維持しつつ、流動性を確保することができる傾向にある。ここでいう「エポキシ当量」は、ＪＩＳ Ｋ７２３６－２００９に準拠し、電位差滴定法によって測定される値を意味する。
（ａ１）成分の含有量は、（ａ）成分、（ｂ）成分、及び（ｃ）成分の総質量１００質量部に対して、５～５０質量部、１０～４０質量部、又は２０～３０質量部であってよい。（ａ１）成分の含有量が５質量部以上であると、接着フィルムの埋込性がより良好となる傾向にある。（ａ１）成分の含有量が５０質量部以下であると、ブリードの発生をより抑制できる傾向にある。
（ａ２）成分は、分子内にフェノール性水酸基を有する硬化剤である。（ａ２）成分の水酸基当量は、１５０ｇ／ｅｑ以下であり、例えば、５０～１５０ｇ／ｅｑ、６０～１４０ｇ／ｅｑ又は７０～１３０ｇ／ｅｑであってもよい。（ａ２）成分の水酸基当量が１５０ｇ／ｅｑ以下であることで、熱硬化性樹脂組成物の架橋密度を十分に高くすることができ、これにより、溶融粘度が比較的高くでもブリードの発生を十分に抑制することができる。他方、（ａ２）成分の水酸基当量が５０ｇ／ｅｑ以上であることで、熱硬化性樹脂組成物の接着力をより高く維持することができる傾向にある。（ａ２）成分の軟化点は、５０～１４０℃、５５～１３０℃、又は６０～１２５℃であってよい。ここでいう「水酸基当量」は、ＪＩＳ Ｋ００７０に記載の中和滴定法によって測定できるものを意味する。
（ａ２）成分としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα－ナフトール、β－ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（ａ２）成分は、吸湿性及び耐熱性の観点から、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、又はノボラック型フェノール樹脂であってもよい。
（ａ２）成分の含有量は、（ａ）成分、（ｂ）成分、及び（ｃ）成分の総質量１００質量部に対して、５～５０質量部、１０～４０質量部又は２０～３０質量部であってよい。（ａ２）成分の含有量が５質量部以上であると、より良好な硬化性が得られる傾向にある。（ａ２）成分の含有量が５０質量部以下であると、埋込性がより良好になる傾向にある。
（ａ１）成分のエポキシ当量と（ａ２）成分の水酸基当量との比（（ａ１）成分のエポキシ当量／（ａ２）成分の水酸基当量）は、硬化性の観点から、０．３０／０．７０～０．７０／０．３０、０．３５／０．６５～０．６５／０．３５、０．４０／０．６０～０．６０／０．４０、又は０．４５／０．５５～０．５５／０．４５であってよい。当該当量比が０．３０／０．７０以上であると、より充分な硬化性が得られる傾向にある。当該当量比が０．７０／０．３０以下であると、粘度が高くなり過ぎることを防ぐことができ、より充分な流動性を得ることができる。
＜（ｂ）高分子量成分＞
（ｂ）成分は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下であるものが好ましい。（ｂ）成分としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ブタジエン樹脂、アクリロニトリル樹脂及びこれらの変性体等が挙げられる。
（ｂ）成分は、流動性の観点から、アクリル樹脂を含んでいてもよい。ここで、アクリル樹脂とは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーを意味する。アクリル樹脂は、構成単位として、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基を有する（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーであることが好ましい。また、アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルとアクリルニトリルとの共重合体等のアクリルゴムであってもよい。
アクリル樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－５０～５０℃又は－３０～３０℃であってよい。アクリル樹脂のＴｇが－５０℃以上であると、接着剤組成物の柔軟性が高くなり過ぎることを防ぐことができる傾向にある。これにより、ウェハダイシング時に接着フィルムを切断し易くなり、バリの発生を防ぐことが可能となる。アクリル樹脂のＴｇが５０℃以下であると、接着剤組成物の柔軟性の低下を抑えることができる傾向にある。これにより、接着フィルムをウェハに貼り付ける際に、ボイドを充分に埋め込み易くなる傾向にある。また、ウェハの密着性の低下によるダイシング時のチッピングを防ぐことが可能となる。ここで、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＤＳＣ（熱示差走査熱量計）（例えば、株式会社リガク製「Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ２」）を用いて測定した値を意味する。
アクリル樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０万～３００万又は５０万～２００万であってよい。アクリル樹脂のＭｗがこのような範囲にあると、フィルム形成性、フィルム状における強度、可撓性、タック性等を適切に制御することができるとともに、リフロー性に優れ、埋込性を向上することができる。ここで、Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。
アクリル樹脂の市販品としては、例えば、ＳＧ－７０Ｌ、ＳＧ－７０８－６、ＷＳ－０２３ ＥＫ３０、ＳＧ－２８０ ＥＫ２３、ＳＧ－Ｐ３（いずれもナガセケムテックス株式会社製）が挙げられる。
（ｂ）成分の含有量は、（ａ）成分、（ｂ）成分、及び（ｃ）成分の総質量１００質量部に対して、５～７０質量部、１０～５０質量部、又は１５～３０質量部であってよい。（ｂ）成分の含有量が５質量部以上であると、成形時の流動性の制御及び高温での取り扱い性をより一層良好にすることができる。（ｂ）成分の含有量が７０質量部以下であると、埋込性をより一層良好にすることができる。
＜（ｃ）無機フィラー＞
（ｃ）成分としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素、シリカ等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（ｃ）成分は、樹脂との相溶性の観点から、シリカであってもよい。
（ｃ）成分の平均粒径は、接着性の向上の観点から、０．００５～１μｍ又は０．０５～０．５μｍであってよい。ここで、平均粒径は、ＢＥＴ比表面積から換算することによって求められる値を意味する。
（ｃ）成分の含有量は、（ａ）成分、（ｂ）成分、及び（ｃ）成分の総質量１００質量部に対して、５～５０質量部、１５～４５質量部、又は２５～３９質量部であってよい。（ｃ）成分の含有量が５質量部以上であると、接着フィルムの流動性がより向上する傾向にある。（ｃ）成分の含有量が５０質量部以下であると、接着フィルムのダイシング性がより良好となる傾向にある。
＜（ｄ）カップリング剤＞
（ｄ）成分は、シランカップリング剤であってよい。シランカップリング剤としては、例えば、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（ｄ）成分の含有量は、（ａ）成分、（ｂ）成分、及び（ｃ）成分の総質量１００質量部に対して、０．０１～５質量部であってよい。
＜（ｅ）硬化促進剤＞
（ｅ）成分は、特に限定されず、一般に使用されるものを用いることができる。（ｅ）成分としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、反応性の観点から（ｅ）成分はイミダゾール類及びその誘導体であってもよい。
イミダゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（ｅ）成分の含有量は、（ａ）成分、（ｂ）成分、及び（ｃ）成分の総質量１００質量部に対して、０．０１～１質量部であってよい。
［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法］
図７（ａ）に示すダイシング・ダイボンディング一体型フィルム８及びその製造方法について説明する。フィルム８の製造方法は、溶剤を含有する接着剤組成物のワニスを基材フィルム（不図示）上に塗布する工程と、塗布されたワニスを５０～１５０℃で加熱乾燥することによって接着層２０Ａを形成する工程とを含む。
接着剤組成物のワニスは、例えば、（ａ）～（ｃ）成分、必要に応じて（ｄ）成分及び（ｅ）成分を、溶剤中で混合又は混練することによって調製することができる。混合又は混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を用い、これらを適宜組み合わせて行うことができる。
ワニスを作製するための溶剤は、上記各成分を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎメチルピロリドン、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノン等を使用することが好ましい。
基材フィルムとしては、特に制限はなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム（ＯＰＰフィルム等）、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリメチルペンテンフィルム等が挙げられる。
基材フィルムにワニスを塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。加熱乾燥の条件は、使用した溶剤が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、例えば、５０～１５０℃で、１～３０分間加熱して行うことができる。加熱乾燥は、５０～１５０℃の範囲内の温度で段階的に昇温させて行ってもよい。ワニスに含まれる溶剤を加熱乾燥によって揮発させることによって基材フィルムと、接着層２０Ａとの積層フィルムを得ることができる。
上記のようにして得た積層フィルムと、ダイシングテープ（基材層１と粘着層２の積層体）とを貼り合わせることによってフィルム８を得ることができる。基材層１としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。また、基材層１は、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が行われていてもよい。粘着層２は、ＵＶ硬化型であってもよいし、感圧型であってもよい。フィルム８は、粘着層２を覆う保護フィルム（不図示）を更に備えたものであってもよい。
以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、二つの半導体素子Ｗａ，Ｗｂが積層された態様のパッケージを例示したが、第２の半導体素子Ｗｂの上方に第３の半導体素子が積層されていてもよいし、その上方に更に一つ又は複数の半導体素子が積層されていてもよい。
以下、実施例を挙げて本開示についてより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１～５及び比較例１～３）
表１及び表２に示す成分を含むワニス（計８種類）を次のようにして調製した。すなわち、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂と、無機フィラーとを含む組成物にシクロヘキサノンを加えて撹拌した。これに、アクリルゴムを加えて撹拌した後、カップリング剤と硬化促進剤とを更に加え、各成分が十分に均一になるまで撹拌することによってワニスを得た。
表１及び表２に記載の成分は以下のとおりである。
（エポキシ樹脂）
・ＹＤＦ－８１７０Ｃ（商品名、新日鉄住金化学株式会社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１５９ｇ／ｅｑ、常温で液体）
・Ｎ－５００Ｐ－１０（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２０４ｇ／ｅｑ、軟化点：７５～８５℃）
（フェノール樹脂）
・ＰＳＭ－４３２６（商品名、群栄化学工業株式会社製、フェノールノボラック型フェノール樹脂、水酸基当量：１０５ｇ／ｅｑ、軟化点：１２０℃）
・ＭＥＨ－７８００Ｍ（商品名、明和化学株式会社製、フェニルアラルキル型フェノール樹脂、水酸基当量：１７４ｇ／ｅｑ、軟化点：８０℃）
（アクリルゴム）
ＳＧ－Ｐ３溶剤変更品（ＳＧ－Ｐ３（商品名）の溶剤をシクロヘキサノンに変更したもの、ナガセケムテックス株式会社製、アクリルゴム、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：１２℃）
（無機フィラー）
・ＳＣ２０５０－ＨＬＧ（商品名）：アドマテックス（株）製、シリカフィラー分散液、平均粒径０．５０μｍ
（硬化促進剤）
・キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ（商品名）：四国化成工業（株）製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール
Figure 2022115581000002
Figure 2022115581000003
上記成分を含むワニスを１００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡した。真空脱泡後のワニスを、離型処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ３８μｍ）上に塗布した。塗布したワニスを、９０℃で５分間、続いて１４０℃で５分間の二段階で加熱乾燥した。こうして、基材フィルムとしてのＰＥＴフィルムと、Ｂステージ状態にある接着フィルム（厚さ６０μｍ）とを備えた接着シートを得た。
＜接着フィルムの溶融粘度の測定＞
接着フィルムの１００℃及び１２０℃における溶融粘度は次の方法で測定した。すなわち、厚さ６０μｍの接着フィルムを五枚積層することによって厚さを３００μｍとし、これを１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズに打ち抜くことによって測定用の試料を得た。動的粘弾性装置ＡＲＥＳ（ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）に直径８ｍｍの円形アルミプレート治具をセットし、更にここに上記試料をセットした。その後、３５℃で５％の歪みを与えながら５℃／分の昇温速度で１３０℃まで昇温させながら測定し、８０℃及び１２０℃のときの溶融粘度の値を記録した。表１及び表２に結果を示す。
＜接着フィルムの評価＞
接着フィルムについて、以下の項目について評価を行った。
（１）埋込性
接着フィルムの埋込性を次の方法により評価した。
（第１の接着剤片付き半導体素子の作製）
半導体ウェハ（直径：８インチ、厚さ：５０μｍ）にダイシング・ダイボンディング一体型フィルムＨＲ－９００４－１０（昭和電工マテリアルズ（株）製、接着層の厚さ１０μｍ、粘着層の厚さ１１０μｍ）を貼り付けた。これをダイシングすることによって第１の半導体素子（コントローラチップ、サイズ：３．０ｍｍ×３．０ｍｍ）と、第１の接着剤片とからなる第１の接着剤片付き半導体素子を得た。
（第２の接着剤片付き半導体素子の作製）
実施例及び比較例に係る各接着フィルム（厚さ１２０μｍ）とダイシング用粘着フィルムとからなるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを作製した。これを半導体ウェハ（直径：８インチ、厚さ：５０μｍ）に貼り付けた。これをダイシングすることによって第２の半導体素子（サイズ：７．５ｍｍ×７．５ｍｍ）と第２の接着剤片とからなる第２の接着剤片付き半導体素子を得た。
（第１及び第２の半導体素子の接着）
第１及び第２の半導体素子を圧着するための基板（表面の凹凸：最大６μｍ）を準備した。この基板に第１の接着剤片を介して第１の半導体素子を、１３０℃、０．２０ＭＰａ、２秒間の条件で圧着した後、１２０℃で２時間にわたって加熱することによって第１の接着剤片を半硬化させた。
次に、第１の半導体素子を覆うように、評価対象の第２の接着剤片を介して第２の半導体素子を、１３０℃、０．２０ＭＰａ、２秒間の条件で圧着した。この際、先に圧着された第１の半導体素子と第２の半導体素子の中心位置が平面視で一致するように位置合わせをした。
上記のようにして得た構造体を加圧オーブンに投入し、３５℃から３℃／分の昇温速度で１７０℃まで昇温させ、１７０℃で３０分加熱した。加熱処理後の構造体を超音波映像装置ＳＡＴ（（株）日立パワーソリューションズ製、品番ＦＳ２００ＩＩ、プローブ：２５ＭＨｚ）にて分析することによって、埋込性を確認した。以下の基準で評価を行った。表３及び表４に結果を示す。
Ａ：所定の断面におけるボイドの面積割合が５％未満。
Ｂ：所定の断面におけるボイドの面積割合が５％以上。
（２）パッケージ汚染の有無
埋込性の評価に供した構造体の上部及び側面を顕微鏡で観察することによって、汚染の有無を確認した。
（３）ブリードの評価
埋込性の評価に供した構造体における第２の半導体素子の四辺の中心から、接着剤（第２の接着剤片）がはみ出している長さを顕微鏡下で測定し、その平均値をブリード量とした。以下の基準で評価を行った。表３及び表４に結果を示す。
Ａ：ブリード量が６０μｍ未満。
Ｂ：ブリード量が６０μｍ以上１００μｍ以下。
Ｃ：ブリード量が１００μｍより大きい。
（４）接着強度の測定
実施例及び比較例に係る接着フィルムの硬化物の接着強度（ダイシェア強度）を次の方法により測定した。まず、実施例及び比較例に係る各接着フィルム（厚さ１２０μｍ）を半導体ウェハ（厚さ４００μｍ）に７０℃で貼り付けた。これをダイシングすることによって半導体素子（サイズ：５ｍｍ×５ｍｍ）と接着剤片とからなる接着剤片付き半導体素子を得た。他方、表面にソルダーレジストインキ（ＡＵＳ３０８）を塗布した基板を準備した。この表面に接着剤片を介して半導体素子を、１２０℃、０．１ＭＰａ、５秒間の条件で圧着した。その後、これを１１０℃で１時間にわたって加熱処理した後、更に、１７０℃で３時間にわたって加熱することによって、接着剤片を硬化させることによって測定用の試料を得た。この試料を８５℃、６０％ＲＨ条件の下、１６８時間放置した。その後、試料を２５℃、５０％ＲＨ条件下で３０分間放置してから、２５０℃でダイシェア強度を測定し、これを接着強度とした。ダイシェア強度の測定にはＤａｇｅ社製の万能ボンドテスタ シリーズ４０００を使用した。表３及び表４に結果を示す。
表３及び表４に示した結果から明らかなように、実施例１～５の接着フィルムは、比較例１～３の接着フィルムと比較して、加圧オーブンによる処理後において埋込性に優れるとともにパッケージ汚染及びブリードの発生を抑えることができることが確認された。
Figure 2022115581000004
Figure 2022115581000005
１…基材層、２…粘着層、８…ダイボンディング一体型フィルム、１０…基板、１０ａ，１０ｂ…回路パターン、１１…第１のワイヤ、１２…第２のワイヤ、２０…接着剤片の硬化物、２０Ａ…接着層（接着フィルム）、２０Ｐ…接着剤片、３０…接着剤片付き半導体素子、４０…封止層、５０…構造体、１００…半導体装置、Ｗ…半導体ウェハ、Ｗａ…第１の半導体素子、Ｗｂ…第２の半導体素子

Claims (9)

  1. （Ａ）基板と、前記基板上に設置された第１の半導体素子とを備える部材を準備する工程と、
    （Ｂ）熱硬化性樹脂組成物からなる接着剤片と、第２の半導体素子とを含む積層体である接着剤片付き半導体素子を準備する工程と、
    （Ｃ）前記第１の半導体素子が前記接着剤片に埋め込まれるように、前記基板に対して前記接着剤片付き半導体素子を圧着する工程と、
    （Ｄ）加熱によって前記接着剤片を硬化させる工程と、
    を含み、
    前記熱硬化性樹脂組成物は、水酸基当量１５０ｇ／ｅｑ以下の硬化剤を含み且つ１２０℃における溶融粘度が１０００～１１５００Ｐａ・ｓである、半導体装置の製造方法。
  2. 前記熱硬化性樹脂組成物が分子量１０万～１００万の高分子量成分を含み、
    前記熱硬化性樹脂組成物に含まれる樹脂成分の質量１００質量部に対する前記高分子量成分の含有量が２５～４５質量部である、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記熱硬化性樹脂組成物が無機フィラーを含み、
    前記熱硬化性樹脂組成物における前記無機フィラーの含有量は、前記熱硬化性樹脂組成物の全質量基準で、５～５０質量％ある、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 基板と、
    前記基板上に設置された第１の半導体素子と、
    前記基板における前記第１の半導体素子が配置された領域を覆うように配置されており、前記第１の半導体素子を封止している接着剤片の硬化物と、
    前記接着剤片の硬化物における前記基板の側とは反対側の表面を覆うように配置されており、平面視において前記第１の半導体素子よりも大きい面積を有する第２の半導体素子と、
    を備え、
    前記接着剤片は、水酸基当量１５０ｇ／ｅｑ以下の硬化剤を含み且つ１２０℃における溶融粘度が１０００～１１５００Ｐａ・ｓである熱硬化性樹脂組成物からなる、半導体装置。
  5. チップ埋込型の半導体装置の製造に使用される熱硬化性樹脂組成物であって、
    水酸基当量１５０ｇ／ｅｑ以下の硬化剤を含み且つ１２０℃における溶融粘度が１０００～１１５００Ｐａ・ｓである、熱硬化性樹脂組成物。
  6. 分子量１０万～１００万の高分子量成分を含み、
    当該熱硬化性樹脂組成物に含まれる樹脂成分の質量１００質量部に対する前記高分子量成分の含有量が２５～４５質量部である、請求項５に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  7. 無機フィラーを含み、
    前記無機フィラーの含有量が当該熱硬化性樹脂組成物の全質量基準で、５～５０質量％ある、請求項５又は６に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  8. チップ埋込型の半導体装置の製造に使用される接着フィルムであって、
    請求項５～７のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物からなる、接着フィルム。
  9. 粘着層と、
    請求項８に記載の前記接着フィルムと、
    を備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
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