JP7283399B2 - 熱硬化性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

熱硬化性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、熱硬化性樹脂組成物、フィルム状接着剤、接着シート、及び半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体チップと半導体チップ搭載用の支持部材との接合には、主に銀ペーストが使用されている。しかし、近年の半導体チップの小型化・集積化に伴い、使用される支持部材にも小型化、細密化が要求されるようになっている。その一方で、銀ペーストを用いる場合では、ペーストのはみ出し又は半導体チップの傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、膜厚制御の困難性、ボイド発生等の問題が生じる場合がある。
そのため、近年、半導体チップと支持部材とを接合するためのフィルム状接着剤が使用されている（例えば、特許文献１参照）。ダイシングテープとダイシングテープ上に積層されたフィルム状接着剤とを備える接着シートを用いる場合、半導体ウェハの裏面にフィルム状接着剤を貼り付け、ダイシングによって半導体ウェハを個片化することによって、フィルム状接着剤付き半導体チップを得ることができる。得られたフィルム状接着剤付き半導体チップは、フィルム状接着剤を介して支持部材に貼り付け、熱圧着により接合することができる。
特開２００７－０５３２４０号公報
しかしながら、半導体チップのサイズが小さくなるにつれて、加圧時に単位面積当たりにかかる力が大きくなるため、高温加圧処理（例えば、加圧キュア等）において、フィルム状接着剤が半導体チップからはみ出す、ブリードという現象が発生する場合がある。
また、フィルム状接着剤をワイヤ埋め込み型フィルム状接着剤であるＦＯＷ（Ｆｉｌｍ Ｏｖｅｒ Ｗｉｒｅ）又は半導体チップ埋め込み型フィルム状接着剤であるＦＯＤ（Ｆｉｌｍ Ｏｖｅｒ Ｄｉｅ）として用いる場合は、埋め込み性を向上させる観点から、熱圧着時に高い流動性が求められる。そのため、ブリードの発生頻度及び量がさらに増大する傾向にある。場合によっては、ブリードが半導体チップ上面にまで生じることがあり、これによって、電気不良又はワイヤボンディング不良につながるおそれがある。
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、熱圧着時に良好な埋め込み性を有しつつ、高温加圧処理時のブリード量の増加を抑制することが可能な熱硬化性樹脂組成物を提供することを主な目的とする。
本発明の一側面は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、重量平均分子量が２０万～１３０万であり、カルボキシ基及び水酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の官能基を有する第１のエラストマと、重量平均分子量が２０万～１３０万であり、カルボキシ基及び水酸基を有しない第２のエラストマと、を含有し、第１のエラストマ及び第２のエラストマの合計の含有量が、熱硬化性樹脂組成物全量を基準として、４０質量％以下である、熱硬化性樹脂組成物を提供する。このような熱硬化性樹脂組成物によれば、熱圧着時に良好な埋め込み性を有しつつ、高温加圧処理時のブリード量の増加を抑制することが可能となる。
硬化剤はフェノール樹脂を含んでいてよい。
第１のエラストマはカルボキシ基及び水酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の官能基を有するアクリル樹脂であってよい。また、第２のエラストマはカルボキシ基及び水酸基を有しないアクリル樹脂であってよい。
エポキシ樹脂は２５℃で液体のエポキシ樹脂を含んでいてよい。
熱硬化性樹脂組成物は無機フィラーをさらに含有していてもよい。また、熱硬化性樹脂組成物は硬化促進剤をさらに含有していてもよい。
熱硬化性樹脂組成物は、基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子がワイヤボンディング接続されると共に、第１の半導体素子上に、第２の半導体素子が圧着されてなる半導体装置において、第２の半導体素子を圧着すると共に第１のワイヤの少なくとも一部を埋め込むために用いられるものであってよい。
本発明はさらに、エポキシ樹脂と、硬化剤と、カルボキシ基及び水酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の官能基を有する第１のエラストマと、カルボキシ基及び水酸基を有しない第２のエラストマと、を含有する熱硬化性樹脂組成物の、基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子がワイヤボンディング接続されると共に、第１の半導体素子上に、第２の半導体素子が圧着されてなる半導体装置において、第２の半導体素子を圧着すると共に第１のワイヤの少なくとも一部を埋め込むために用いられる、接着剤としての応用又は接着剤の製造のための応用に関してもよい。
別の側面において、本発明は、上述の熱硬化性樹脂組成物をフィルム状に形成してなるフィルム状接着剤を提供する。
別の側面において、本発明は、基材と基材上に設けられた上述のフィルム状接着剤とを備える接着シートを提供する。
基材は、ダイシングテープであってよい。なお、本明細書において、基材がダイシングテープである接着シートを「ダイシングダイボンディング一体型接着シート」という場合がある。
接着シートは、フィルム状接着剤の基材とは反対側の面に積層された保護フィルムをさらに備えてもよい。
さらに、別の側面において、本発明は、基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子を電気的に接続するワイヤボンディング工程と、第２の半導体素子の片面に、上述のフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、フィルム状接着剤が貼付された第２の半導体素子を、フィルム状接着剤を介して圧着することで、第１のワイヤの少なくとも一部をフィルム状接着剤に埋め込むダイボンド工程と、を備える、半導体装置の製造方法を提供する。
なお、半導体装置は、半導体基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体チップがワイヤボンディング接続されると共に、第１の半導体チップ上に、第２の半導体チップが接着フィルムを介して圧着されることで、第１のワイヤの少なくとも一部が接着フィルムに埋め込まれてなるワイヤ埋込型の半導体装置であってもよく、第１のワイヤ及び第１の半導体チップが接着フィルムに埋め込まれてなるチップ埋込型の半導体装置であってもよい。
本発明によれば、熱圧着時に良好な埋め込み性を有しつつ、高温加圧処理時のブリード量の増加を抑制することが可能な熱硬化性樹脂組成物が提供される。そのため、当該熱硬化性樹脂組成物をフィルム状に形成してなるフィルム状接着剤は、半導体チップ埋め込み型フィルム状接着剤であるＦＯＤ（Ｆｉｌｍ Ｏｖｅｒ Ｄｉｅ）又はワイヤ埋め込み型フィルム状接着剤であるＦＯＷ（Ｆｉｌｍ Ｏｖｅｒ Ｗｉｒｅ）として有用となり得る。また、本発明によれば、このようなフィルム状接着剤を用いた接着シート及び半導体装置の製造方法が提供される。
一実施形態に係るフィルム状接着剤を示す模式断面図である。 一実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。 他の実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置を示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。 一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。
以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
本明細書において、（メタ）アクリル酸はアクリル酸又はそれに対応するメタクリル酸を意味する。（メタ）アクリロイル基等の他の類似表現についても同様である。
［熱硬化性樹脂組成物］
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）カルボキシ基及び水酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の官能基を有する第１のエラストマと、（Ｄ）カルボキシ基及び水酸基を有しない第２のエラストマと、を含有する。熱硬化性樹脂組成物は、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、硬化処理後に完全硬化物（Ｃステージ）状態となり得る。
＜（Ａ）成分：エポキシ樹脂＞
（Ａ）成分は、分子内にエポキシ基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。（Ａ）成分としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格含有エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェノールフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、フェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、多官能フェノール類、アントラセン等の多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（Ａ）成分は、流動性の観点から、１５０℃溶融粘度が１．０Ｐａ・ｓ以下であるものが好ましい。また、（Ａ）成分は、エポキシ樹脂が２５℃で液体のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。
（Ａ）成分のエポキシ当量は、特に制限されないが、９０～３００ｇ／ｅｑ、１１０～２９０ｇ／ｅｑ、又は１１０～２９０ｇ／ｅｑであってよい。（Ａ）成分のエポキシ当量がこのような範囲にあると、フィルム状接着剤のバルク強度を維持しつつ、流動性を確保することができる傾向にある。
（Ａ）成分の市販品としては、例えば、ＤＩＣ株式会社製のＨＰ－７２００シリーズ、新日鉄住金化学株式会社製のＹＤＣＮシリーズ、日本化薬株式会社製のＮＣ－３０００、ＮＣ－７０００シリーズ等が挙げられる。
（Ｂ）成分は、特に制限なく、エポキシ樹脂の硬化剤として一般的に使用されているものを用いることができる。（Ｂ）成分としては、例えば、フェノール樹脂、エステル化合物、芳香族アミン、脂肪族アミン、酸無水物等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、反応性及び経時安定性の観点から、（Ｂ）成分はフェノール樹脂を含んでいてよい。
フェノール樹脂は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。フェノール樹脂としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα－ナフトール、β－ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、フェニルアラルキル型フェノール樹脂などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、耐熱性の観点から、フェノール樹脂は、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に４８時間の条件において、吸水率が２質量％以下であり、かつ熱重量分析計（ＴＧＡ）で測定した３５０℃での加熱質量減少率（昇温速度：５℃／ｍｉｎ、雰囲気：窒素）が５質量％未満であるものが好ましい。
フェノール樹脂の市販品としては、例えば、フェノライトＫＡシリーズ、ＴＤシリーズ（ＤＩＣ株式会社製）、ミレックスＸＬＣシリーズ、ＸＬシリーズ（三井化学株式会社製）、ＨＥシリーズ（エア・ウォーター株式会社製）等が挙げられる。
フェノール樹脂の水酸基当量は、特に制限されないが、８０～２５０ｇ／ｅｑ、９０～２００ｇ／ｅｑ、又は１００～１８０ｇ／ｅｑであってよい。フェノール樹脂の水酸基当量がこのような範囲にあると、フィルム状接着剤の流動性を保ちつつ、接着力をより高く維持できる傾向にある。
（Ａ）成分のエポキシ当量と（Ｂ）成分の水酸基当量との比（エポキシ樹脂のエポキシ当量／フェノール樹脂の水酸基当量）は、硬化性の観点から、０．３０／０．７０～０．７０／０．３０、０．３５／０．６５～０．６５／０．３５、０．４０／０．６０～０．６０／０．４０、又は０．４５／０．５５～０．５５／０．４５であってよい。当該当量比が０．３０／０．７０以上であると、より充分な硬化性が得られる傾向にある。当該当量比が０．７０／０．３０以下であると、粘度が高くなり過ぎることを防ぐことができ、より充分な流動性を得ることができる。
（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計の含有量は、熱硬化性樹脂組成物全量を基準として、１０～８０質量％であってよい。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計の含有量は、２０質量％以上、２５質量％以上、又は３０質量％以上であってもよく、７０質量％以下、６０質量％以下、又は５０質量％以下であってもよい。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計の含有量が、熱硬化性樹脂組成物全量を基準として、１０質量％以上であると、充分な接着力が得られる傾向にある。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計の含有量が、熱硬化性樹脂組成物全量を基準として、８０質量％以下であると、粘度が低くなり過ぎることを防ぐことができ、ブリード量をより抑えることができる傾向にある。
＜（Ｃ）第１のエラストマ＞
（Ｃ）成分は、重量平均分子量が２０万～１３０万であり、カルボキシ基及び水酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の官能基を有するエラストマである。（Ｃ）成分は、カルボキシ基を有するエラストマであってよい。熱硬化性樹脂組成物が（Ｃ）成分を含有することによって、熱圧着時に架橋反応が進行し、熱硬化性樹脂組成物が増粘して、高温加圧処理時のブリード量の増加を抑制することが可能となり得る。（Ｃ）成分は、エラストマを構成する重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下であるものが好ましい。
（Ｃ）成分は、カルボキシ基及び水酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の官能基を有するものであれば特に制限されないが、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ブタジエン樹脂、アクリロニトリル樹脂及びこれらの変性体等であって、カルボキシ基及び水酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の官能基を有するものが挙げられる。
（Ｃ）成分は、溶剤への溶解性、流動性の観点から、カルボキシ基及び水酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の官能基を有するアクリル樹脂であってよい。ここで、アクリル樹脂とは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーを意味する。アクリル樹脂は、構成単位として、アルコール性若しくはフェノール性水酸基、又はカルボキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーであることが好ましい。また、アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルとアクリルニトリルとの共重合体等のアクリルゴムであってもよい。
（Ｃ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－５０～５０℃又は－３０～３０℃であってよい。アクリル樹脂のＴｇが－５０℃以上であると、熱硬化性樹脂組成物の柔軟性が高くなり過ぎることを防ぐことができる傾向にある。これにより、ウェハダイシング時にフィルム状接着剤を切断し易くなり、バリの発生を防ぐことが可能となる。アクリル樹脂のＴｇが５０℃以下であると、熱硬化性樹脂組成物の柔軟性の低下を抑えることができる傾向にある。これにより、フィルム状接着剤をウェハに貼り付ける際に、ボイドを充分に埋め込み易くなる傾向にある。また、ウェハの密着性の低下によるダイシング時のチッピングを防ぐことが可能となる。ここで、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＤＳＣ（熱示差走査熱量計）（例えば、株式会社リガク製「Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ２」）を用いて測定した値を意味する。
（Ｃ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、２０万～１３０万である。（Ｃ）成分のＭｗは、３０万以上、４０万以上、又は４５万以上であってもよく、１１０万以下、１００万以下、又は９５万以下であってもよい。アクリル樹脂のＭｗがこのような範囲にあると、フィルム形成性、フィルム状における強度、可撓性、タック性等を適切に制御することができると共に、リフロー性に優れ、埋め込み性を向上することができる。ここで、Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。
カルボキシ基を有する（Ｃ）成分の酸価は、硬化性の観点から、１～６０ｍｇＫＯＨ／ｇ、３～５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、又は５～４０ｍｇＫＯＨ／ｇであってよい。酸価がこのような範囲にあると、ワニスにおけるゲル化及びＢステージ状態の流動性の低下を防ぐことができる傾向にある。
水酸基を有する（Ｃ）成分の水酸基価は、硬化性の観点から、１～６０ｍｇＫＯＨ／ｇ、３～５０ｍｇＫＯＨ／ｇ、又は５～４０ｍｇＫＯＨ／ｇであってよい。水酸基価がこのような範囲にあると、ワニスにおけるゲル化及びＢステージ状態の流動性の低下を防ぐことができる傾向にある。
（Ｃ）成分の市販品としては、例えば、ＳＧ－７０Ｌ、ＳＧ－７０８－６、ＷＳ－０２３ ＥＫ３０、ＳＧ－２８０ ＥＫ２３（いずれもナガセケムテックス株式会社製）が挙げられる。
＜（Ｄ）第２のエラストマ＞
（Ｄ）成分は、重量平均分子量が２０万～１３０万であり、カルボキシ基及び水酸基を有しないエラストマである。（Ｄ）成分は、カルボキシ基及び水酸基以外の官能基（例えば、グリシジル基等）を有するエラストマであってよい。熱硬化性樹脂組成物が（Ｄ）成分を含有することによって、経時安定性が良好となり得る。（Ｄ）成分は、エラストマを構成する重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下であるものが好ましい。
（Ｄ）成分は、カルボキシ基及び水酸基を有しないものであれば特に制限されないが、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ブタジエン樹脂、アクリロニトリル樹脂及びこれらの変性体等であって、カルボキシ基及び水酸基を有しないものが挙げられる。
（Ｄ）成分は、溶剤への溶解性、流動性の観点から、カルボキシ基及び水酸基を有しないアクリル樹脂であってよい。アクリル樹脂は、上記と同義である。アクリル樹脂は、構成単位として、グリシジル基等のエポキシ基を有する官能性モノマー（（メタ）アクリル酸エステル等）を含むポリマーであることが好ましい。また、アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルとアクリルニトリルとの共重合体等のアクリルゴムであってもよい。
（Ｄ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－５０～５０℃又は－３０～３０℃であってよい。アクリル樹脂のＴｇが－５０℃以上であると、熱硬化性樹脂組成物の柔軟性が高くなり過ぎることを防ぐことができる傾向にある。これにより、ウェハダイシング時にフィルム状接着剤を切断し易くなり、バリの発生を防ぐことが可能となる。アクリル樹脂のＴｇが５０℃以下であると、熱硬化性樹脂組成物の柔軟性の低下を抑えることができる傾向にある。これにより、フィルム状接着剤をウェハに貼り付ける際に、ボイドを充分に埋め込み易くなる傾向にある。また、ウェハの密着性の低下によるダイシング時のチッピングを防ぐことが可能となる。ここで、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＤＳＣ（熱示差走査熱量計）（例えば、株式会社リガク製「Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ２」）を用いて測定した値を意味する。
（Ｄ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、２０万～１３０万である。（Ｃ）成分のＭｗは、３０万以上、４０万以上、５０万以上、又は６０万以上であってもよく、１２０万以下、１１０万以下、１００万以下、９５万以下、又は９０万以下であってもよい。アクリル樹脂のＭｗがこのような範囲にあると、フィルム形成性、フィルム状における強度、可撓性、タック性等を適切に制御することができると共に、リフロー性に優れ、埋め込み性を向上することができる。ここで、Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。
（Ｄ）成分の市販品としては、例えば、ＳＧ－Ｐ３、ＳＧ－８０Ｈ、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ（いずれもナガセケムテックス株式会社製）が挙げられる。
（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の合計の含有量は、熱硬化性樹脂組成物全量を基準として、４０質量％以下である。（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の合計の含有量は、３５質量％以下、３０質量％以下、又は２８質量％以下であってもよい。（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の合計の含有量は、熱硬化性樹脂組成物全量を基準として、４０質量％以下であると、埋め込み性により優れる傾向にある。（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の合計の含有量は、１質量％以上、５質量％以上、１０質量％以上、又は１５質量％以上であってもよい。
熱硬化性樹脂組成物における（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の総量に対する（Ｃ）成分の質量比（（Ｃ）成分の含有量／（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の含有量の総量）は、０．０１～０．５０であってよい。質量比は、０．０２以上、０．０３以上、又は０．０５以上であってもよく、０．３０以下、０．２０以下、又は０．１０以下であってもよい。（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分に対する（Ｃ）成分の質量比が０．０１以上であると、高温加圧処理時のブリード量の増加をより抑制することができる傾向にある。（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分に対する（Ｃ）成分の質量比が０．５０以下であると、より良好な埋め込み性を維持することができる傾向にある。
＜（Ｅ）成分：無機フィラー＞
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、（Ｅ）無機フィラーをさらに含有していてもよい。無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。得られるフィルム状接着剤の熱伝導性がより向上する観点から、無機フィラーは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ又は非晶性シリカを含んでいてよい。また、熱硬化性樹脂組成物の溶融粘度を調整する観点及び熱硬化性樹脂組成物にチキソトロピック性を付与する観点から、無機フィラーは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ又は非晶性シリカを含んでいてよい。
（Ｅ）成分の平均粒径は、接着性がより向上する観点から、０．００５～０．５μｍ又は０．０５～０．３μｍであってよい。ここで、平均粒径は、ＢＥＴ比表面積から換算することによって求められる値を意味する。
（Ｅ）成分は、その表面と溶剤、他の成分等との相溶性、接着強度の観点から表面処理剤によって表面処理されていてよい。表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。シランカップリング剤の官能基としては、例えば、ビニル基、（メタ）アクリロイル基、エポキシ基、メルカプト基、アミノ基、ジアミノ基、アルコキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
（Ｅ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の総量１００質量部に対して、１０～９０質量部又は１０～５０質量部であってよい。（Ｅ）成分の含有量が、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の総量１００質量部に対して、１０質量部以上であると、硬化前の接着層のダイシング性が向上し、硬化後の接着層の接着力が向上する傾向にある。（Ｅ）成分の含有量が、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の総量１００質量部に対して、９０質量部以下であると、流動性の低下を抑制でき、硬化後のフィルム状接着剤の弾性率が高くなり過ぎることを防ぐことが可能となる。
＜（Ｆ）成分：硬化促進剤＞
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、（Ｆ）硬化促進剤をさらに含有していてもよい。硬化促進剤は、特に限定されず、一般に使用されるものを用いることができる。（Ｆ）成分としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、反応性の観点から（Ｆ）成分はイミダゾール類及びその誘導体であってよい。
イミダゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
（Ｆ）成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の総量１００質量部に対して、０．０４～３質量部又は０．０４～０．２質量部であってよい。（Ｆ）成分の含有量がこのような範囲にあると、硬化性と信頼性とを両立することができる傾向にある。
＜その他の成分＞
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、その他の成分として、抗酸化剤、シランカップリング剤、レオロジーコントロール剤等をさらに含有していてもよい。これらの成分の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の総量１００質量部に対して、０．０２～３質量部であってよい。
本実施形態に係る接着剤組成物は、溶剤で希釈された接着剤ワニスとして用いてもよい。溶剤は、（Ｅ）成分以外の成分を溶解できるものであれば特に制限されない。溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、溶剤は、溶解性及び沸点の観点から、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、又はシクロヘキサンであってもよい。
接着剤ワニス中の固形成分濃度は、接着剤ワニスの全質量を基準として、１０～８０質量％であってよい。
接着剤ワニスは、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分及び溶剤、並びに、必要に応じて、（Ｅ）成分、（Ｆ）成分、及びその他の成分を混合、混練することによって調製することができる。混合及び混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル、ビーズミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。（Ｅ）成分を含有する場合、（Ｅ）成分と低分子量成分を予め混合した後、高分子量成分を配合することによって、混合する時間を短縮することができる。また、接着剤ワニスを調製した後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去してよい。
［フィルム状接着剤］
図１は、一実施形態に係るフィルム状接着剤を示す模式断面図である。フィルム状接着剤１０は、上述の接着剤組成物をフィルム状に形成してなるものである。フィルム状接着剤１０は、半硬化（Ｂステージ）状態であってよい。このようなフィルム状接着剤１０は、接着剤組成物を支持フィルムに塗布することによって形成することができる。接着剤ワニスを用いる場合は、接着剤ワニスを支持フィルムに塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによってフィルム状接着剤１０を形成することができる。
支持フィルムとしては、特に制限はなく、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等のフィルムが挙げられる。支持フィルムの厚さは、例えば、６０～２００μｍ又は７０～１７０μｍであってよい。
接着剤ワニスを支持フィルムに塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。加熱乾燥の条件は、使用した溶剤が充分に揮発する条件であれば特に制限はないが、例えば、５０～２００℃で０．１～９０分間であってもよい。
フィルム状接着剤の厚さは、用途に合わせて、適宜調整することができる。フィルム状接着剤の厚さは、半導体チップ、ワイヤ、基板の配線回路等の凹凸などを充分に埋め込む観点から、２０～２００μｍ、３０～２００μｍ、又は４０～１５０μｍであってよい。
［接着シート］
図２は、一実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。接着シート１００は、基材２０と基材上に設けられた上述のフィルム状接着剤１０とを備える。
基材２０は、特に制限されないが、基材フィルムであってよい。基材フィルムは、上述の支持フィルムと同様のものであってよい。
基材２０は、ダイシングテープであってもよい。このような接着シートは、ダイシングダイボンディング一体型接着シートとして使用することができる。この場合、半導体ウェハへのラミネート工程が１回となることから、作業の効率化が可能である。
ダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。また、ダイシングテープは、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が行われていてもよい。ダイシングテープは、粘着性を有するものであることが好ましい。このようなダイシングテープは、上述のプラスチックフィルムに粘着性を付与したものであってもよく、上述のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けたものであってもよい。
接着シート１００は、上述のフィルム状接着剤を形成する方法と同様に、接着剤組成物を基材フィルムに塗布することによって形成することができる。接着剤組成物を基材２０に塗布する方法は、上述の接着剤組成物を支持フィルムに塗布する方法と同様であってよい。
接着シート１００は、予め作製したフィルム状接着剤を用いて形成してもよい。この場合、接着シート１００は、ロールラミネーター、真空ラミネーター等を用いて所定条件（例えば、室温（２０℃）又は加熱状態）でラミネートすることによって形成することができる。接着シート１００は、連続的に製造ができ、効率が良いことから、加熱状態でロールラミネーターを用いて形成することが好ましい。
フィルム状接着剤１０の厚さは、半導体チップ、ワイヤ、基板の配線回路等の凹凸などの埋め込み性の観点から、２０～２００μｍ、３０～２００μｍ、又は４０～１５０μｍであってよい。フィルム状接着剤１０の厚さが２０μｍ以上であると、より充分な接着力が得られる傾向にあり、フィルム状接着剤１０の厚さが２００μｍ以下であると、経済的であり、かつ半導体装置の小型化の要求に応えることが可能となる。
図３は、他の実施形態に係る接着シートを示す模式断面図である。接着シート１１０は、フィルム状接着剤１０の基材２０とは反対側の面に積層された保護フィルム３０をさらに備える。保護フィルム３０は、上述の支持フィルムと同様のものであってよい。保護フィルムの厚さは、例えば、１５～２００μｍ又は７０～１７０μｍであってよい。
［半導体装置］
図４は、一実施形態に係る半導体装置を示す模式断面図である。半導体装置２００は、基板１４に、第１のワイヤ８８を介して１段目の第１の半導体素子Ｗａがワイヤボンディング接続されると共に、第１の半導体素子Ｗａ上に、第２の半導体素子Ｗａａがフィルム状接着剤１０を介して圧着されることで、第１のワイヤ８８の少なくとも一部がフィルム状接着剤１０に埋め込まれてなる半導体装置である。半導体装置は、第１のワイヤ８８の少なくとも一部が埋め込まれてなるワイヤ埋め込み型の半導体装置であっても、第１のワイヤ８８及び第１の半導体素子Ｗａが埋め込まれてなる半導体装置であってもよい。また、半導体装置２００では、基板１４と第２の半導体素子Ｗａａとがさらに第２のワイヤ９８を介して電気的に接続されると共に、第２の半導体素子Ｗａａが封止材４２により封止されている。
第１の半導体素子Ｗａの厚さは、１０～１７０μｍであってもよく、第２の半導体素子Ｗａａの厚さは、２０～４００μｍであってもよい。フィルム状接着剤１０内部に埋め込まれている第１の半導体素子Ｗａは、半導体装置２００を駆動するためのコントローラチップである。
基板１４は、表面に回路パターン８４、９４がそれぞれ二箇所ずつ形成された有機基板９０からなる。第１の半導体素子Ｗａは、回路パターン９４上に接着剤４１を介して圧着されている。第２の半導体素子Ｗａａは、第１の半導体素子Ｗａが圧着されていない回路パターン９４、第１の半導体素子Ｗａ、及び回路パターン８４の一部が覆われるようにフィルム状接着剤１０を介して基板１４に圧着されている。基板１４上の回路パターン８４、９４に起因する凹凸の段差には、フィルム状接着剤１０が埋め込まれている。そして、樹脂製の封止材４２により、第２の半導体素子Ｗａａ、回路パターン８４及び第２のワイヤ９８が封止されている。
［半導体装置の製造方法］
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子を電気的に接続する第１のワイヤボンディング工程と、第２の半導体素子の片面に、上述のフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、フィルム状接着剤が貼付された第２の半導体素子を、フィルム状接着剤を介して圧着することで、第１のワイヤの少なくとも一部をフィルム状接着剤に埋め込むダイボンド工程と、を備える。
図５～９は、一実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式断面図である。本実施形態に係る半導体装置２００は、第１のワイヤ８８及び第１の半導体素子Ｗａが埋め込まれてなる半導体装置であり、以下の手順により製造される。まず、図５に示すとおり、基板１４上の回路パターン９４上に、接着剤４１を有する第１の半導体素子Ｗａを圧着し、第１のワイヤ８８を介して基板１４上の回路パターン８４と第１の半導体素子Ｗａとを電気的にボンディング接続する（第１のワイヤボンディング工程）。
次に、半導体ウェハ（例えば、厚さ１００μｍ、サイズ：８インチ）の片面に、接着シート１００をラミネートし、基材２０を剥がすことによって、半導体ウェハの片面にフィルム状接着剤１０（例えば、厚さ１１０μｍ）を貼り付ける。そして、フィルム状接着剤１０にダイシングテープを貼り合わせた後、所定の大きさ（例えば、７．５ｍｍ角）にダイシングすることにより、図６に示すとおり、フィルム状接着剤１０が貼付した第２の半導体素子Ｗａａを得る（ラミネート工程）。
ラミネート工程の温度条件は、５０～１００℃又は６０～８０℃であってよい。ラミネート工程の温度が５０℃以上であると、半導体ウェハと良好な密着性を得ることができる。ラミネート工程の温度が１００℃以下であると、ラミネート工程中にフィルム状接着剤１０が過度に流動することが抑えられるため、厚さの変化等を引き起こすことを防止できる。
ダイシング方法としては、例えば、回転刃を用いるブレードダイシング、レーザーによってフィルム状接着剤又はウェハとフィルム状接着剤の両方を切断する方法等が挙げられる。
そして、フィルム状接着剤１０が貼付した第２の半導体素子Ｗａａを、第１の半導体素子Ｗａが第１のワイヤ８８を介してボンディング接続された基板１４に圧着する。具体的には、図７に示すとおり、フィルム状接着剤１０が貼付された第２の半導体素子Ｗａａを、フィルム状接着剤１０によって第１のワイヤ８８及び第１の半導体素子Ｗａが覆われるように載置し、次いで、図８に示すとおり、第２の半導体素子Ｗａａを基板１４に圧着させることで基板１４に第２の半導体素子Ｗａａを固定する（ダイボンド工程）。ダイボンド工程は、フィルム状接着剤１０を８０～１８０℃、０．０１～０．５０ＭＰａの条件で０．５～３．０秒間圧着することが好ましい。ダイボンド工程の後、フィルム状接着剤１０を６０～１７５℃、０．３～０．７ＭＰａの条件で、５分間以上加圧及び加熱する。
次いで、図９に示すとおり、基板１４と第２の半導体素子Ｗａａとを第２のワイヤ９８を介して電気的に接続した後（第２のワイヤボンディング工程）、回路パターン８４、第２のワイヤ９８及び第２の半導体素子Ｗａａを封止材４２で封止する。このような工程を経ることで半導体装置２００を製造することができる。
他の実施形態として、半導体装置は、第１のワイヤ８８の少なくとも一部が埋め込まれてなるワイヤ埋め込み型の半導体装置であってもよい。
以下、本発明について実施例を挙げてより具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（実施例１～７及び比較例１～３）
＜接着シートの作製＞
以下に示す各成分を表１に示した配合割合（質量部）で混合し、溶媒としてシクロヘキサノンを用いて固形分４０質量％の熱硬化性樹脂組成物のワニスを調製した。次に、得られたワニスを１００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡した。真空脱泡後のワニスを、基材フィルムとして、厚さ３８μｍの離型処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布した。塗布したワニスを、９０℃で５分間、続いて１４０℃で５分間の２段階で加熱乾燥した。このようにして、基材フィルム上に、半硬化（Ｂステージ）状態にある厚さ１１０μｍのフィルム状接着剤を備える接着シートを得た。
なお、表１中の各成分は以下のとおりである。
（Ａ）エポキシ樹脂
Ａ－１：ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＨＰ－７２００Ｌ、エポキシ当量：２４２～２５２ｇ／ｅｑ
Ａ－２：クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、新日鉄住金化学株式会社製、商品名：ＹＤＣＮ－７００－１０、エポキシ当量：２０９ｇ／ｅｑ
Ａ－３：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（２５℃で液体）、ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ、エポキシ当量：１５９ｇ／ｅｑ
（Ｂ）硬化剤
Ｂ－１：ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、エア・ウォーター株式会社製、商品名：ＨＥ－２００Ｃ－１０、水酸基当量：２０５ｇ／ｅｑ
Ｂ－２：フェニルアラルキル型フェノール樹脂、エア・ウォーター株式会社製、商品名：ＨＥ１００Ｃ－３０、水酸基当量：１７５ｇ／ｅｑ
（Ｃ）第１のエラストマ（カルボキシ基及び水酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の官能基を有するエラストマ）
Ｃ－１：アクリルゴム、ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＷＳ－０２３ ＥＫ３０、重量平均分子量：５０万、酸価：２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ：－１０℃
Ｃ－２：アクリルゴム、ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＳＧ－７０８－６、重量平均分子量：７０万、酸価：９ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ：４℃
Ｃ－３：アクリルゴム、ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＳＧ－２８０ ＥＫ２３、重量平均分子量：９０万、酸価：３０ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ：－２９℃
（Ｄ）第２のエラストマ（カルボキシ基及び水酸基を有しないエラストマ）
Ｄ－１：アクリルゴム、ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ、重量平均分子量：８０万、グリシジル基含有モノマー比率：３％、Ｔｇ：－７℃
Ｄ－２：アクリルゴム、ナガセケムテックス株式会社製、商品名：ＨＴＲ－８６０Ｐ－３０Ｂ－ＣＨＮ、重量平均分子量：２３万、グリシジル基含有モノマー比率：８％、Ｔｇ：－７℃
Ｄ－３：アクリルゴム、ナガセケムテックス株式会社製、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ改良品（商品名：ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ、ナガセケムテックス株式会社製のアクリルゴムにおいて、アクリルニトリルに由来する構成単位を除いたもの）、重量平均分子量：６０万、Ｔｇ：１２℃
（Ｅ）無機フィラー
Ｅ－１：シリカフィラー分散液、溶融シリカ、株式会社アドマテックス製、商品名：ＳＣ２０５０－ＨＬＧ、平均粒径：０．５０μｍ
（Ｆ）硬化促進剤
Ｆ－１：１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、四国化成工業株式会社製、商品名：キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ
＜各種物性の評価＞
得られた実施例１～７及び比較例１～３の接着シートについて、埋め込み性及びブリード量の評価を行った。
［埋め込み性評価］
接着シートの埋め込み性を以下の評価サンプルを作製して評価した。上記で得られたフィルム状接着剤（厚さ１１０μｍ）を、基材フィルムを剥がし、ダイシングテープに貼り付け、ダイシングダイボンディング一体型接着シートを得た。次に、厚さ１００μｍの半導体ウェハ（８インチ）を、接着剤側に７０℃に加熱して貼り付けた。その後、この半導体ウェハを７．５ｍｍ角にダイシングすることによって、半導体チップＡを得た。次に、ダイシングダイボンディング一体型接着シート（日立化成株式会社、商品名：ＨＲ９００４－１０）（厚さ１０μｍ）を用意し、厚さ５０μｍの半導体ウェハ（８インチ）に７０℃に加熱して貼り付けた。その後、この半導体ウェハを４．５ｍｍ角にダイシングすることによって、ダイボンディングフィルム付きの半導体チップＢを得た。次いで、ソルダーレジスト（太陽日酸株式会社、商品名：ＡＵＳ３０８）を塗布した総厚さ２６０μｍの評価用基板を用意し、ダイボンディングフィルム付きの半導体チップＢのダイボンディングフィルムと評価用基板のソルダーレジストとが接するように、１２０℃、０．２０ＭＰａ、２秒間の条件で圧着した。その後、半導体チップＡのフィルム状接着剤と半導体チップＢの半導体ウェハとが接するように、１２０℃、０．２０ＭＰａ、１．５秒間の条件で圧着し、評価サンプルを得た。この際、先に圧着している半導体チップＢが半導体チップＡの中央となるように位置合わせを行った。このようにして得られた評価サンプルを超音波デジタル画像診断装置（インサイト株式会社製、プローブ：７５ＭＨｚ）にてボイドの観測の有無を観測し、ボイドが観測された場合は、単位面積あたりのボイドの面積の割合を算出し、これらの分析結果を埋め込み性として評価した。評価基準は、以下のとおりである。結果を表１に示す。
Ａ：ボイドが観測されなかった。
Ｂ：ボイドが観測されたが、その割合が５面積％未満であった。
Ｃ：ボイドが観測され、その割合が５面積％以上であった。
［ブリード量評価］
上記埋め込み性評価で「Ａ」又は「Ｂ」評価であったものについてのみ、ブリード量評価を行った。上記埋め込み性評価で作製した評価サンプルと同様の手順で、評価サンプルを作製した。半導体チップＡのフィルム状接着剤と半導体チップＢの半導体ウェハとを、１２０℃、０．２０ＭＰａ、１．５秒間の条件で圧着した。次いで、加圧オーブンを用いて、１４０℃、０．７ＭＰａ、３０分の条件で高温加圧処理（加圧キュア）を行い、加圧キュア前後において、評価サンプルを顕微鏡で観察し、評価サンプルの４辺の中心から、フィルム状接着剤のブリード量（はみ出し量）をそれぞれ測定した。加圧キュア前のブリード量をＬ１、加圧キュア後のブリード量をＬ２とし、以下の式に基づき、ブリード量増加率を算出した。結果を表１に示す。
ブリード量増加率（％）＝（Ｌ２－Ｌ１）／Ｌ１×１００
Figure 0007283399000001
表１に示すとおり、第１のエラストマ及び第２のエラストマを含有する実施例１～７は、第１のエラストマ又は第２のエラストマのいずれか一方しかを含有しない比較例１～３に比べて、埋め込み性に優れ、高温加圧処理時のブリード量増加率も低かった。これらの結果から、本発明に係る熱硬化性樹脂組成物が、熱圧着時に良好な埋め込み性を有しつつ、高温加圧処理時のブリード量の増加を抑制することが可能であることが確認された。
以上の結果のとおり、本発明に係る熱硬化性樹脂組成物は、熱圧着時に良好な埋め込み性を有しつつ、高温加圧処理時のブリード量の増加を抑制できることから、熱硬化性樹脂組成物をフィルム状に形成してなるフィルム状接着剤は、チップ埋め込み型フィルム状接着剤であるＦＯＤ（Ｆｉｌｍ Ｏｖｅｒ Ｄｉｅ）又はワイヤ埋め込み型フィルム状接着剤であるＦＯＷ（Ｆｉｌｍ Ｏｖｅｒ Ｗｉｒｅ）として有用となり得る。
１０…フィルム状接着剤、１４…基板、２０…基材、３０…保護フィルム、４１…接着剤、４２…封止材、８４、９４…回路パターン、８８…第１のワイヤ、９０…有機基板、９８…第２のワイヤ、１００、１１０…接着シート、２００…半導体装置、Ｗａ…第１の半導体素子、Ｗａａ…第２の半導体素子。

Claims (12)

  1. エポキシ樹脂と、
    フェノール樹脂を含む硬化剤と、
    重量平均分子量が２０万～１３０万であり、カルボキシ基及び水酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の官能基を有する第１のエラストマと、
    重量平均分子量が２０万～１３０万であり、カルボキシ基及び水酸基を有しない第２のエラストマと、
    を含有し、
    前記第１のエラストマ及び前記第２のエラストマの合計の含有量が、熱硬化性樹脂組成物全量を基準として、４０質量％以下であり、
    前記第１のエラストマ及び前記第２のエラストマの総量に対する前記第１のエラストマの質量比が０．０１～０．２０である、熱硬化性樹脂組成物。
  2. 前記第１のエラストマがカルボキシ基及び水酸基からなる群より選ばれる少なくとも１種の官能基を有するアクリル樹脂である、請求項１に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  3. 前記第２のエラストマがカルボキシ基及び水酸基を有しないアクリル樹脂である、請求項１又は２に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  4. 前記エポキシ樹脂が２５℃で液体のエポキシ樹脂を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  5. 無機フィラーをさらに含有する、請求項１～４のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  6. 硬化促進剤をさらに含有する、請求項１～５のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  7. 基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子がワイヤボンディング接続されると共に、前記第１の半導体素子上に、第２の半導体素子が圧着されてなる半導体装置において、前記第２の半導体素子を圧着すると共に、前記第１のワイヤの少なくとも一部、又は、前記第１のワイヤ及び前記第１の半導体素子を埋め込むために用いられる、請求項１～６のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
  8. 請求項１～７のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物をフィルム状に形成してなる、フィルム状接着剤。
  9. 基材と、
    前記基材上に設けられた、請求項８に記載のフィルム状接着剤と、
    を備える、接着シート。
  10. 前記基材がダイシングテープである、請求項９に記載の接着シート。
  11. 前記フィルム状接着剤の前記基材とは反対側の面に積層された保護フィルムをさらに備える、請求項９又は１０に記載の接着シート。
  12. 基板上に第１のワイヤを介して第１の半導体素子を電気的に接続するワイヤボンディング工程と、
    第２の半導体素子の片面に、請求項８に記載のフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、
    前記フィルム状接着剤が貼付された第２の半導体素子を、前記フィルム状接着剤を介して圧着することで、前記第１のワイヤの少なくとも一部、又は、前記第１のワイヤ及び前記第１の半導体素子を前記フィルム状接着剤に埋め込むダイボンド工程と、
    を備える、半導体装置の製造方法。
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