KR20230068307A - 정전 척 - Google Patents

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KR20230068307A
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resin layer
ceramic plate
electrostatic chuck
base plate
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KR1020220142066A
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게이타 사토
요헤이 야마다
Original Assignee
신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
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Abstract

정전 척은, 베이스 플레이트; 상기 베이스 플레이트에 고정되고, 전극이 내장되는 세라믹판; 및 상기 베이스 플레이트와 상기 세라믹판을 접착하고, 하나 이상의 접착제를 포함하는 수지층을 포함한다. 상기 하나 이상의 접착제 중의 적어도 하나에 있어서, 온도 범위 -150℃ 내지 250℃에서 손실 정접의 극값에 대응하는 온도는 -70℃ 이하이다.

Description

정전 척{ELECTROSTATIC CHUCK}
본 발명은 정전 척에 관한 것이다.
예를 들면, 반도체 부품 등을 제조할 때 웨이퍼를 흡착 유지하도록 구성된 정전 척(ESC)이 사용될 수 있다. 정전 척은 전극이 내장되는 세라믹판과 금속 베이스 플레이트가 수지층에 의해 접착된 구조를 갖는다. 정전 척은 세라믹판에 내장되는 전극에 전압을 인가할 경우 정전기력을 이용해서 웨이퍼를 세라믹판에 흡착하도록 구성된다.
수지층을 형성하는 접착제로서, 예를 들면, 유연한 실리콘 수지계 접착제를 사용해서, 열전도율을 양호하게 유지하고 베이스 플레이트와 세라믹판 사이의 열팽창 차이를 흡수한다.
JP2020-23088A
한편, 정전 척을 이용한 반도체 부품의 제조는 예를 들면 -60℃ 이하의 저온에서 수행될 수 있다. -60℃ 이하의 저온에서 정전 척을 사용하면, 정전 척에서 베이스 플레이트와 세라믹판 사이의 수지층의 유연성이 저하될 수 있다. 이는, 수지층을 형성하는 접착제의 경도를 나타내는 물성값인 저장 탄성률이 -60℃ 부근에서 급격히 증가해서 접착제가 경화되기 때문이다. 저온에서 수지층의 유연성이 저하되면, 베이스 플레이트와 세라믹판 사이의 열팽창 차이로 의한 응력이 수지층에 의해 충분히 완화되지 않아 수지층이 파괴될 수 있다. 수지층의 파괴는 수지층을 통한 베이스 플레이트와 세라믹판 사이의 열전달 특성을 국부적으로 저하시키고, 결과적으로 흡착면으로서의 세라믹판의 표면의 온도 균일성을 저하시킨다.
본 발명은 저온에서 수지층의 파괴를 억제할 수 있는 정전 척을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 정전 척은 베이스 플레이트, 세라믹판, 및 수지층을 포함한다. 세라믹판은 베이스 플레이트에 고정되며, 내장되는 전극에의 통전에 의해 발생하는 정전기력에 의해 대상물을 흡착하도록 구성된다. 수지층은 베이스 플레이트와 세라믹판을 접착하기 위한 수지층이며, 하나 이상의 적층 접착제로 형성되고, 하나 이상의 접착제 중의 적어도 하나는 온도 범위 -150℃ 내지 250℃에서 손실 정접의 극값에 대응하는 -70℃ 이하의 온도를 갖는다.
본 발명의 정전 척의 일 양태에 따르면, 저온에서 수지층의 파괴를 억제할 수 있는 효과를 나타낸다.
도 1은 실시형태에 따른 정전 척의 구성을 나타내는 사시도.
도 2는 실시형태에 따른 정전 척의 단면을 나타내는 모식도.
도 3은 접착제의 손실 정접의 측정 결과를 나타내는 그래프.
도 4는 수지층을 형성하는 접착제의 두께, 박리 및 흡착면의 온도 균일성 사이의 관계의 예를 나타내는 도면.
도 5는 실시형태의 제1 변형 실시형태에 따른 정전 척의 단면을 나타내는 모식도.
도 6은 실시형태의 제2 변형 실시형태에 따른 정전 척의 단면을 나타내는 모식도.
이하, 도면을 참조해서, 본 발명의 정전 척의 실시형태를 상세히 설명한다. 개시된 기술은 실시형태에 제한되지 않음에 유의한다.
(실시형태)
도 1은 실시형태에 따른 정전 척(100)의 구성을 나타내는 사시도이다. 도 1에 나타난 정전 척(100)은 베이스 플레이트(110) 및 세라믹판(120)을 포함한다.
베이스 플레이트(110)는, 예를 들면 알루미늄 등의 금속제의 원형 부재이다. 베이스 플레이트(110)는 정전 척(100)의 기재이다. 베이스 플레이트(110)에는 냉각수 등의 냉매가 통과하는 냉매 통로가 형성되어, 세라믹판(120) 및 세라믹판(120)에 흡착된 웨이퍼 등의 온도가 조정된다.
세라믹판(120)은 절연성 세라믹으로 이루어지는 원형 부재이다. 세라믹판(120)의 직경은 베이스 플레이트(110)의 직경보다 작고, 세라믹판(120)은 베이스 플레이트(110)의 중심에 고정된다. 즉, 세라믹판(120)의 하나의 면은 베이스 플레이트(110)에 접착되는 접착면으로 되고, 접착면은 수지층에 의해 베이스 플레이트(110)에 접착되어, 세라믹판(120)이 고정된다. 세라믹판(120)의 접착면과는 반대 측의 면은, 예를 들면 흡착되는 웨이퍼 등의 대상물을 흡착하기 위한 흡착면이다.
세라믹판(120)에는 도전성 전극이 배치되고, 전극에의 통전에 의해 정전기력이 발생하고, 정전기력에 의해 세라믹판(120)의 흡착면에 대상물이 흡착된다.
또한, 세라믹판(120)에는 히터 전극이 배치되고, 히터 전극은 통전되면 발열함으로써, 세라믹판(120) 및 세라믹판(120)에 흡착되는 웨이퍼 등의 대상물의 온도를 조정한다.
도 2는 실시형태에 따른 정전 척(100)의 단면을 나타내는 모식도이다. 도 2에는, 도 1의 II-II선을 따른 단면이 나타나 있다. 도 2에 나타난 바와 같이, 정전 척(100)은 세라믹판(120)과 베이스 플레이트(110)가 수지층(130)을 통해 접착되어 구성된다.
베이스 플레이트(110)는, 예를 들면 냉각수 및 냉각 가스 등의 냉매의 통로가 되는 냉매 통로(111)가 형성되는, 약 20 내지 50mm 두께의 금속 부재이다. 냉매는 냉매 유로(111)를 통과해서, 세라믹판(120) 및 세라믹판(120)에 흡착된 웨이퍼를 냉각시킨다. 세라믹판(120)이 냉각되어, 세라믹판(120)에 흡착된 웨이퍼 등의 대상물이 냉각된다.
예를 들면, 세라믹판(120)은 세라믹제의 판이며, 두께가 약 1mm 내지 10mm이고 내부에 전극(121) 및 히터 전극(122)을 포함한다. 세라믹은, 예를 들면 산화알루미늄을 사용해서 제작한 그린시트를 소성함으로써 얻어진다. 세라믹판(120)의 하면은 베이스 플레이트(110)에 접착되는 접착면이고, 수지층(130)에 의해 베이스 플레이트(110)의 상면에 접착된다.
예를 들면, 세라믹판(120)의 전극(121)에 전압이 인가되면, 세라믹판(120)은 정전기력에 의해 웨이퍼와 같은 대상물을 흡착시킨다. 즉, 도 2에서, 세라믹판(120)의 상면이 흡착면이 되고, 전극(121)에 전압이 인가되면, 흡착면에 대상물이 흡착된다.
또한, 세라믹판(120)의 히터 전극(122)에 전압이 인가되면, 히터 전극(122)은 발열해서, 세라믹판(120)이 가열되고 세라믹판(120)에 흡착된 대상물이 가열된다. 히터 전극(122)에 의한 가열 및 베이스 플레이트(110)에 의한 냉각은 세라믹판(120)의 온도를 조정하고, 세라믹판(120)에 흡착된 대상물의 온도를 원하는 온도로 조정한다.
전극(121) 및 히터 전극(122)으로서는, 예를 들면 텅스텐 등의 도체를 사용할 수 있다.
수지층(130)은, 예를 들면 실리콘 수지계 접착제로 형성되는 층이며 두께가 약 0.05mm 내지 3.0mm이고, 세라믹판(120)의 하면과 베이스 플레이트(110)의 상면을 접착한다. 수지층(130)을 형성하는 접착제에서는, 손실 정접의 극값(extreme value)에 대응하는 온도가 -70℃ 이하이다. 도 3은 수지층(130)을 형성하는 접착제의 손실 정접의 측정 결과를 나타내는 그래프이다. 도 3은, 수지층(130)을 형성하는 접착제로서 사용되는 접착제 A 및 접착제 B의 각 시험편에 대한 DMA(Dynamic viscoelasticity measurement)에 의해 얻어진 측정 결과를 나타낸다.
도 3에 나타내는 측정 결과의 측정 조건은 이하와 같다.
측정 디바이스: DMA6100(주식회사 히타치하이테크제)
측정 온도 범위: -150℃ 내지 250℃
온도 상승률: 5℃/min
측정 모드: 인장
측정 주파수: 1㎐
시험편 형상: 사각형
시험편 치수: 길이 15mm × 폭 15mm × 두께 0.1~1mm
변형 진폭: 10㎛
DMA에서는, 하기 식 (1)로 표시되는 복소 탄성률(G*), 저장 탄성률(G'), 및 손실 탄성률(G")을 측정했다.
G*=G'+G"i...(1)
여기서, 저장 탄성률(G')은 점탄성체의 경도를 나타내는 값이고, 손실 탄성률(G')은 점탄성체의 점성을 나타내는 값이다.
또한, DMA에서는, 저장 탄성률(G') 및 손실 탄성률(G")로부터 하기 식 (2)로 표시되는 손실 정접 tanδ를 계산했다. 손실 정접 tanδ는 점탄성체에 대한 점성의 기여도를 나타내는 값이다. 손실 정접 tanδ의 극값에 대응하는 온도를 유리 전이 온도(Tg)라고도 한다.
tanδ=G"/G' …(2)
도 3에 나타난 바와 같이, 시험편으로부터 얻은 측정 데이터는, 접착제 A의 경우 손실 정접 tanδ의 극값에 대응하는 온도가 -102.5℃이고, 접착제 B의 경우 손실 정접 tanδ의 극값에 대응하는 온도가 -118.5℃이다. 즉, 수지층(130)을 형성하는 접착제(접착제 A 또는 접착제 B)는 손실 정접의 극값에 대응하는 온도, 즉 유리 전이 온도(Tg)가 -70℃ 이하이다.
수지층(130)의 유리 전이 온도(Tg)가 -70℃보다 높을 경우, 예를 들면 -60℃ 이하의 저온에서는 수지층(130)의 유연성이 저하될 수 있다. 이는, 수지층(130)을 형성하는 접착제의 저장 탄성률(G')이 -60℃ 부근에서 급격히 증가해서 접착제가 경화되기 때문이다. 저온에서 수지층(130)의 유연성이 저하되면, 베이스 플레이트(110)와 세라믹판(120) 사이의 열팽창 차이로 의한 응력이 수지층(130)에 의해 충분히 완화되지 않고, 결과적으로 수지층(130)이 파괴될 수 있다. 수지층(130)의 파괴는 수지층(130)을 통한 베이스 플레이트(110)와 세라믹판(120) 사이의 열전달 특성을 국부적으로 저하시키고, 결과적으로 흡착면으로서의 세라믹판(120)의 표면의 온도 균일성을 저하시킨다.
이에 반해, 수지층(130)은 온도 범위 -150℃ 내지 250℃에서 유리 전이 온도(Tg)가 -70℃ 이하인 접착제에 의해 형성되어, 예를 들면 정전 척(100)이 -60℃ 이하의 저온에서 사용될 경우에도, 수지층(130)은 양호한 유연성을 유지한다. 즉, 수지층(130)의 유리 전이 온도(Tg)가 -70℃ 이하이므로, -60℃ 이하의 저온에서의 수지층(130)의 저장 탄성률(G')이 실온에서의 값과 같은 수준으로 유지되고, 수지층(130)의 경화가 억제된다. 이 때문에, 정전 척(100)을 저온에서 사용할 경우에도, 수지층(130)이 변형되어 베이스 플레이트(110)와 세라믹판(120) 사이의 열팽창 차이로 의한 응력을 충분히 완화할 수 있다. 이에 의해, 저온에서의 수지층(130)의 파괴를 억제할 수 있고, 그 결과 세라믹판(120)의 흡착면의 온도차가 작아지고, 정전 척(100)은 충분히 높은 온도 균일성을 얻을 수 있다. 수지층(130)을 형성하는 접착제의 유리 전이 온도(Tg)는 -100℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 수지층(130)을 형성하는 접착제는 -60℃에서 0.5W/mK 이상의 열전도율을 갖는다. 예를 들면, 도 3에 나타난 접착제 A는 -60℃에서 2.16W/mK의 열전도율을 갖고, 접착제 B는 -60℃에서 1.12W/mK의 열전도율을 갖는다. 열전도율은 열확산율, 비열용량, 및 밀도에 의거하여 계산된다. 열확산율은, 예를 들면 레이저 플래시법에 의해 측정될 수 있고, 비열용량은 예를 들면 단열 연속법에 의해 측정될 수 있고, 밀도는 예를 들면 액체 칭량법에 의해 측정될 수 있다.
수지층(130)을 형성하는 접착제의 -60℃에서의 열전도율이 0.5W/mK 미만일 경우, 예를 들면 -60℃ 이하의 저온에서의 수지층(130)의 열전도율이 저하된다. 이에 반해, 수지층(130)은 -60℃에서 열전도율이 0.5W/mK 이상인 접착제에 의해 형성되어, 저온에서의 수지층(130)의 열전도율 저하를 억제할 수 있다. 수지층(130)을 형성하는 접착제의 -60℃에서의 열전도율은 1W/mK 이상인 것이 바람직하다.
한편, 수지층(130)의 두께가 얇을 경우, 수지층(130)은 이종 물질의 접착으로 인한 응력을 충분히 완화하지 못해서, 수지층(130)이 파괴되어 버린다. 따라서, 본 출원의 발명자들은 수지층(130)을 형성하는 접착제의 두께, 층간 박리(delamination), 및 흡착면의 온도 균일성 사이의 관계를 알아보기 위한 실험을 실시했다. 이 실험의 결과를 도 4에 나타내고 있다. 도 4는 수지층(130)을 형성하는 접착제의 두께, 박리 및 흡착면의 온도 균일성 사이의 관계의 일례를 나타낸다. 단, 층간 박리(delamination)란, 예를 들면 수지층(130)과 세라믹판(120) 사이의 박리를 말한다.
도 4에 나타난 실험에서는, 수지층(130)을 형성하는 접착제의 두께를 4종류로 하고, 소정의 온도 범위에서 열사이클 시험을 1000사이클 실시하고, 열사이클 시험 후의 정전 척(100)을 박리의 발생 유무와 흡착면의 온도차에 대해 평가했다. 본 실험에서는, 수지층(130)을 형성하는 접착제의 두께를 0.3mm, 0.25mm, 0.2mm, 및 0.15mm의 4종류로 설정했다. 또한, 본 실험에서는, 열사이클 시험의 온도 범위를 -40℃ 내지 60℃로 설정했다.
도 4에 나타난 바와 같이, 접착제의 두께가 0.25mm 이상이었을 경우, 수지층(130)과 세라믹판(120) 사이의 박리가 발생하지 않았다. 또한, 접착제의 두께가 0.25mm 이상이었을 경우, 접착제의 두께가 0.25mm 미만이었을 경우에 비해 세라믹판(120)의 흡착면의 온도차가 더 작았다. 즉, 도 4의 결과로부터, 수지층(130)을 형성하는 접착제의 두께가 0.25mm 이상이면 박리의 발생을 억제할 수 있고 흡착면의 높은 온도 균일성을 유지할 수 있음을 알 수 있다. 따라서, 수지층(130)을 형성하는 접착제의 두께는 0.25mm 이상인 것이 바람직하다.
(변형 실시형태)
또한, 상기 실시형태에서는, 베이스 플레이트(110)와 세라믹판(120)을 접착하는 수지층(130)이 1층의 접착제에 의해 형성되는 경우를 예로 들어 설명했음에 유의한다. 그러나, 접착층은 복수의 접착제를 적층해서 형성될 수 있다. 즉, 접착층은 하나 이상의 적층 접착제로 형성될 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 도 5에 나타낸 바와 같이, 제1 변형 실시형태에 따른 정전 척(100A)에 있어서, 제1 접착제(131)와 제2 접착제(132)를 적층해서 수지층(130A)을 형성할 수 있다. 도 5는 제1 변형 실시형태에 따른 정전 척(100A)의 단면을 나타내는 개략도이다. 제1 접착제(131)는 베이스 플레이트(110)에 도포된다. 제2 접착제(132)는 제1 접착제(131)와 세라믹판(120) 사이에 도포된다. 제1 접착제(131) 및 제2 접착제(132)는 각각 손실 정접의 극값에 대응하는 온도, 즉 -150℃ 내지 250℃의 온도 범위에서 -70℃ 이하의 유리 전이 온도(Tg)를 갖는다. 제1 접착제(131)의 유리 전이 온도(Tg)와 제2 접착제(132)의 유리 전이 온도(Tg)는 동일하거나 상이할 수 있다. 이와 같이, 제1 접착제(131) 및 제2 접착제(132)를 도포해서 수지층(130A)을 형성함으로써, 저온에서의 수지층(130A)의 변형을 촉진하고 수평 방향의 변위를 흡수해서, 저온에서의 수지층(130)의 파괴를 더 억제할 수 있다. 또한, 수지층(130)은 시트 형상의 제1 접착제(131) 및 시트 형상의 제2 접착제(132)를 적층해서 형성될 수 있음에 유의한다.
또한, 접착층이 하나 이상의 적층 접착제로 형성될 경우, 하나 이상의 접착제 중의 적어도 하나는 온도 범위 -150℃ 내지 250℃에서 손실 정접의 극값에 대응하는 -70℃ 이하의 온도를 가질 수 있다. 예를 들면, 접착층을 형성하는 하나 이상의 접착제 중의 하나에 대해서만, 온도 범위 -150℃ 내지 250℃에서 손실 정접의 극값에 대응하는 온도는 -70℃ 이하일 수 있다. 이 경우의 변형예를 도 6에 나타낸다. 도 6은 제2 변형 실시형태에 따른 정전 척(100B)의 단면을 나타내는 모식도이다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 제2 변형 실시형태에 따른 정전 척(100B)에서, 시트 형상의 제1 접착제(133)와 시트 형상의 제2 접착제(132)를 적층해서 수지층(130B)을 형성한다. 제1 접착제(133)는 베이스 플레이트(110) 상에 적층된다. 제1 접착제(133)와 세라믹판(120) 사이에 제2 접착제(132)가 적층된다. 제1 접착제(133) 및 제2 접착제(132)는 -150℃ 내지 250℃의 온도 범위에서 손실 정접의 극값에 대응하는 -70℃ 이하의 온도를 갖는다. 한편, 제1 접착제(133)의 경우, 손실 정접의 극값에 대응하는 온도는 70℃보다 높다. 이 경우, 제1 접착제(133)의 열경화 전의 점성 및 열경화 후의 저장 탄성률은 제2 접착제(132)의 것보다 클 수 있다. 이에 따라, 제1 접착제(133)의 경도가 적절하게 유지되므로, 수지층(130B)의 두께가 제1 접착제(133)의 두께에 의해 적절히 조정될 수 있다. 도 6의 예에서, 제1 접착제(133)의 두께는 제2 접착제(132)의 두께보다 크다. 예를 들면, 제1 접착제(133)의 두께는 약 0 내지 1mm이고, 제2 접착제(132)의 두께는 약 0.05 내지 0.5mm이다.
또한, 도 5 및 도 6의 예에서는, 수지층(130A, 130B)이 2층의 접착제를 적층함으로써 형성되었다. 그러나, 수지층은 3층 이상의 접착제를 적층함으로써 형성될 수 있다.
(다른 변형 실시형태)
또한, 상술한 정전 척(100)에 있어서, 수지층(130)에 산화알루미늄, 탄화규소 또는 산화아연 등의 필러를 함유함으로써, 수지층(130)의 열전도율을 향상시킬 수 있다. 또한, 수지층(130)에 의해 베이스 플레이트(110)와 세라믹판(120) 사이의 접착성을 향상시킨다는 관점에서, 필요에 따라 수지층(130)의 상면 및 하면에 실란 커플링층이 마련될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 정전 척(예를 들면, 정전 척(100))은 베이스 플레이트(예를 들면, 베이스 플레이트(110)), 세라믹판(예를 들면, 세라믹판(120)), 및 수지층(예를 들면, 수지층(130; 130A; 130B)을 포함한다. 세라믹판은 베이스 플레이트에 고정되고, 내장되는 전극에의 통전으로 발생하는 정전기력에 의해 대상물을 흡착하도록 구성된다. 수지층은 베이스 플레이트와 상기 세라믹판을 접착하기 위한 수지층이며 하나 이상의 적층 접착제로 이루어지며, 하나 이상의 접착제 중의 적어도 하나는 온도 범위 -150℃ 내지 250℃에서 손실 정접의 극값에 대응하는 -70℃ 이하의 온도를 갖는다. 이에 의해, 실시형태의 정전 척에 따르면, 저온에서의 수지층의 파괴를 억제할 수 있고, 그 결과 충분히 높은 온도 균일성을 얻을 수 있다.
또한, 상기 하나 이상의 접착제 중의 적어도 하나는 -60℃에서 0.5W/mK 이상의 열전도율을 가질 수 있다. 이에 의해, 실시형태의 정전 척에 따르면, 저온에서의 수지층의 열전도율의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 하나 이상의 접착제 중의 적어도 하나는 필러를 함유할 수 있다. 이에 의해, 실시형태의 정전 척에 따르면, 수지층의 열전도율을 향상시킬 수 있다.
또한, 수지층은 베이스 플레이트에 도포되는 제1 접착제(예를 들면, 제1 접착제(131; 133)) 및 제1 접착제와 세라믹판 사이에 도포되는 제2 접착제(예를 들면, 제2 접착제(132))를 포함할 수 있다. 제1 접착제 및 제2 접착제 중의 적어도 하나는 온도 범위 -150℃ 내지 250℃에서 손실 정접의 극값에 대응하는 -70℃ 이하의 온도를 가질 수 있다. 이에 의해, 실시형태의 정전 척에 따르면, 저온에서의 수지층의 변형이 촉진되고 수평 방향의 변위가 흡수되어, 저온에서의 수지층의 파괴를 더 억제할 수 있다.
또한, 제1 접착제 및 제2 접착제 중의 하나는 온도 범위 -150℃ 내지 250℃에서 손실 정접의 극값에 대응하는 -70℃ 이하의 온도를 가질 수 있다. 또한, 제1 접착제 및 제2 접착제 중의 다른 것의 열경화 전의 점성 및 열경화 후의 저장 탄성률은 제1 접착제 및 제2 접착제 중의 하나보다 클 수 있다. 이에 의해, 실시형태의 정전 척에 따르면, 수지층의 두께를 적절하게 조정할 수 있다.
또한, 제1 접착제 및 제2 접착제 중의 다른 것의 두께는 제1 접착제 및 제2 접착제 중의 하나의 두께보다 클 수 있다. 이에 의해, 실시형태의 정전 척에 따르면, 수지층의 두께를 적절하게 조정할 수 있다.

Claims (6)

  1. 정전 척으로서,
    베이스 플레이트;
    상기 베이스 플레이트에 고정되는 세라믹판으로서, 내장되는 전극을 포함하는 세라믹판; 및
    상기 베이스 플레이트와 상기 세라믹판을 접착하고, 하나 이상의 접착제를 포함하는 수지층을 포함하고,
    상기 하나 이상의 접착제 중의 적어도 하나에 있어서, 온도 범위 -150℃ 내지 250℃에서 손실 정접의 극값에 대응하는 온도는 -70℃ 이하인 정전 척.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 접착제 중의 적어도 하나는 -60℃에서 0.5W/mK 이상의 열전도율을 갖는 정전 척.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 접착제 중의 적어도 하나는 필러를 함유하는 정전 척.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 수지층은,
    상기 베이스 플레이트에 도포되는 제1 접착제, 및
    상기 제1 접착제와 상기 세라믹판 사이에 도포되는 제2 접착제를 갖고,
    상기 제1 접착제 및 상기 제2 접착제 중의 적어도 하나에 있어서, 온도 범위 -150℃ 내지 250℃에서 손실 정접의 극값에 대응하는 온도는 -70℃ 이하인 정전 척.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 접착제 및 상기 제2 접착제 중의 하나에 있어서, 온도 범위 -150℃ 내지 250℃에서 상기 손실 정접의 극값에 대응하는 온도는 -70℃ 이하이고,
    상기 제1 접착제 및 상기 제2 접착제 중의 다른 것의 열경화 전의 점성 및 열경화 후의 저장 탄성률은 상기 제1 접착제 및 상기 제2 접착제 중의 하나보다 큰 정전 척.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 접착제 및 상기 제2 접착제 중의 다른 것의 두께는 상기 제1 접착제 및 상기 제2 접착제 중의 하나의 두께보다 큰 정전 척.
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