KR20230033643A - 감광성 수지 조성물, 그 경화물, 및 그 경화물을 포함하는 배선 구조체 - Google Patents

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프랭크 안소니 3세 레티시아
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Abstract

감광성 수지 조성물, 그 경화물, 그 경화물을 포함하는 배선 구조체, 전자 부품, 반도체 장치, 및 카메라 모듈을 제공한다. 이 감광성 수지 조성물은 고온에서의 열처리가 아닌, 활성 에너지선의 조사에 의해 경화된다. 이 감광성 수지 조성물에서는 현상 공정 후의 막 감소가 제어된다. 또한, 포토리소그래피에 의해 미세한 패턴을 정확하게 형성할 수 있다. 본 발명의 일 양태는 성분 (A)∼(C): (A) 식 (1) 및 식 (2)로 나타내는 변성 폴리페닐렌에테르, (B) 식 (3)으로 나타내는 실세스퀴옥산 화합물, 및 (C) 광중합 개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물, 및 그 경화물, 그리고 그 경화물을 포함하는 배선 구조체, 전자 부품, 반도체 장치, 및 카메라 모듈이다.
Figure pct00019

Description

감광성 수지 조성물, 그 경화물, 및 그 경화물을 포함하는 배선 구조체
본 개시의 일 양태는 감광성 수지 조성물, 그 경화물, 그 경화물을 포함하는 배선 구조체, 전자 부품, 반도체 장치, 및 카메라 모듈에 관한 것이다.
집적 회로 등의 전자 부품을 구성하는 배선 구조체에 있어서의 배선은 현저히 미세화되고 있다. 배선 구조체에 포함되는 반도체 칩을 외부의 배선에 접속하기 위한 외부 단자의 간격도 매우 좁아진다. 외부 단자의 간격은 일정 이하로 좁혀지는 것이 어렵다. 이 때문에, 반도체 칩의 표면에 구리 등의 재배선층이 배치되고, 그 재배선층 상에 범프 등의 외부 단자가 배치된다. 이에 의해, 외부 단자의 특정 간격이 유지된다. 반도체 칩의 표면과 재배선층 사이, 및 재배선층과 범프를 배치하는 UBM(Under Bunp Metallurgy)층 사이에는, 절연 재료로 이루어지는 절연막이 형성된다. 재배선층을 배치하기 위한 절연층을 형성하는 방법으로서, 포토 리소그래피로 패터닝을 행하는 방법이 채용되고 있다. 배선 구조체의 절연층을 형성하는 절연 재료로서, 감광성 수지 조성물이 사용된다.
예를 들면, 특허문헌 1에는, 중합성 화합물, 바인더, 및 광중합 개시제를 포함하는 포토 스페이서용 감광성 수지 조성물이 개시되어 있다. 중합성 화합물은 가교 고리 구조를 갖는 기와, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 갖는다. 특허문헌 2에는, 광 섬유 또는 광 평판 도파로에 배치되는 코팅 조성물이 개시되어 있다. 이 코팅 조성물은 실세스퀴옥산 성분을 포함하고, 실세스퀴옥산 성분은 자외선 조사를 사용하여 경화시킬 수 있는 1개 이상의 반응성 관능기를 갖는다. 특허문헌 3에는, 구리를 포함하는 재배선층, 폴리이미드 또는 폴리벤조옥사졸을 포함하는 절연층, 및 산화구리층을 포함하는 다층체가 개시되어 있다. 특허문헌 4에는, 감광성 수지 재료가 개시되어 있다. 이 감광성 수지 재료는 재배선 금속과의 밀착성을 양호하게 하기 위해, 알칼리 가용성 수지와, 감광제와, 디카르복시이미드 구조를 가진 분자 구조로 이루어지는 카르복시이미드 화합물을 포함한다.
일본 공개특허공보 2009-128487호 일본 공표특허공보 2017-534693호 일본 공개특허공보 2017-92152호 일본 공개특허공보 2017-111383호
그러나, 특허문헌 1∼4에 개시되어 있는 감광성 수지 조성물 등은, 모두 활성 에너지선(예를 들면, 자외선)만으로는 경화하지 않는다. 이들 감광성 수지 조성물 등을 경화시키기 위해서는, 150℃∼300℃ 정도의 온도에서 열처리가 필요하다. 그러나, 포토리소그래피에 의한 패터닝 후에 열처리가 행해지면, 열에 의한 수축에 의해 형성된 패턴이 변형한다. 따라서, 원하는 미세하고 정확한 패턴을 형성하는 것이 곤란해진다. 미세화가 진행되는 재배선층의 배선에 대해, 라인 앤드 스페이스(이하, 「L/S」라고도 기재한다)를 2㎛/2㎛ 이하로 하는 것이 요구되고 있다. L/S를 작게 하는 경우에는, 열처리에 의해 발생하는 패턴의 변형은 큰 문제가 된다. 배선 구조체에 사용되는 재료에는, 패턴의 변형을 억제하는 것뿐만 아니라, 패터닝을 한 후의 현상 공정에 있어서의 막 감소를 억제하는 것도 요구되고 있다. 또한, 전자 부품에는, 전송 신호의 고속화도 요구되고 있고, 전송 신호의 고주파화도 현저히 진행되고 있다. 이 때문에, 전자 부품의 배선 구조체에 사용되는 재료에도, 고주파 영역, 구체적으로는, 주파수 1GHz부터 10GHz의 영역에서, 우수한 전기 특성(저유전율(ε), 저유전 정접(tanδ))을 갖는 것이 요구된다.
이에, 본 개시에 있어서의 하나의 목적은, 이하와 같은 감광성 수지 조성물, 그 경화물, 그 경화물을 포함하는 배선 구조체, 전자 부품, 반도체 장치, 및 카메라 모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 감광성 수지 조성물은 예를 들면, 150℃ 이상의 고온에서의 열처리가 아닌, 활성 에너지선의 조사에 의해 경화된다. 이 감광성 수지 조성물에서는, 현상 공정 후에 있어서도 막 감소가 억제된다. 또한, 포토리소그래피에 의해, 미세한 패턴을 정확하게 형성하는 것이 가능하다.
상기 과제를 해결하기 위한 수단은 이하와 같다. 본 개시는 이하의 양태를 포함한다.
[1] 하기 성분 (A)∼(C):
(A) 하기 식 (1):
Figure pct00001
[식 중, R1∼R3은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 또는 알키닐기를 나타내고,
X는 q가의 비치환 또는 치환 방향족 탄화수소기를 나타내며,
Y는 하기 식 (2):
Figure pct00002
[식 중, R4∼R7은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 또는 알케닐카르보닐기를 나타낸다]
로 나타내는 비치환 또는 치환 페놀 반복 단위를 나타내고,
m은 1∼100의 정수를 나타내며,
n은 1∼6의 정수를 나타내고,
q는 1∼4의 정수를 나타낸다]
로 나타내는 변성 폴리페닐렌에테르 수지,
(B) 하기 식 (3):
Figure pct00003
으로 나타내는 화합물, 및
(C) 광중합 개시제
를 포함하는 감광성 수지 조성물.
[2] (D) 하기 식 (4):
Figure pct00004
[식 중, 각각의 Ra는 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고,
각각의 Rb는 독립적으로 2가의 탄화수소기를 나타내며,
x 및 y는 각각 독립적으로 1∼5의 정수를 나타낸다]
로 나타내는 2관능 아크릴 수지를 추가로 포함하는, [1]에 기재된 감광성 수지 조성물.
[3] 상기 성분 (C)가 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제, 옥심에스테르계 광중합 개시제, 및 알킬페논계 광중합 개시제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, [1] 또는 [2]에 기재된 감광성 수지 조성물.
[4] 상기 성분 (A)와 상기 성분 (B)의 합계량에 대한, 상기 성분 (A)의 질량비가 0.10∼0.99인, [1]∼[3] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.
[5] 상기 성분 (C)의 함유량이 감광성 수지 조성물 100질량％에 대해, 1.0∼20.0질량％인, [1]∼[4] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.
[6] 상기 성분 (B)와 상기 성분 (D)의 합계량에 대한, 상기 (D) 성분의 질량비가 0.01∼0.99인, [2]∼[5] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.
[7] (E) 결정성 또는 비결정성 열가소성 수지(단, 2관능 아크릴 수지를 제외한다)를 추가로 포함하는, [1]∼[6] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.
[8] 상기 성분 (E)가 액정 폴리머, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리아세탈, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리페닐렌설피드, 폴리에테르케톤, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리메타크릴산메틸, 아크릴로니트릴·부타디엔·스티렌, 폴리카보네이트, 폴리에테르설폰, 폴리에테르이미드, 및 폴리아미드이미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, [7]에 기재된 감광성 수지 조성물.
[9] 재배선층을 포함하는 배선 구조체의 형성용인, [1]∼[8] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물.
[10] [1]∼[9] 중 어느 하나에 기재된 감광성 수지 조성물을 경화시킴으로써 얻어진 경화물.
[11] [10]에 기재된 경화물을 포함하는 배선 구조체.
[12] [10]에 기재된 경화물을 포함하는 전자 부품.
[13] [10]에 기재된 경화물을 포함하는 반도체 장치.
[14] [10]에 기재된 경화물을 포함하는 카메라 모듈.
본 개시에 있어서의 상기 양태에 의하면, 이하와 같은 감광성 수지 조성물, 이를 경화시켜 얻어진 경화물, 그 경화물을 포함하는 배선 구조체, 전자 부품, 반도체 장치, 및 카메라 모듈을 제공할 수 있다. 이 감광성 수지 조성물은 예를 들면, 150℃ 이상의 고온에서의 열처리가 아닌, 활성 에너지선의 조사에 의해 경화된다. 이 감광성 수지 조성물에서는, 포토리소그래피에 의한 현상 후에 있어서도, 막 감소가 억제된다. 또한, 미세한 패턴을 정확하게 형성하는 것이 가능하다.
도 1은 L/S가 2㎛/2㎛인 3개 패턴의 예를 나타내는 확대도이다.
도 2는 실시예 6, 7, 및 12의 감광성 수지 조성물을 사용하여 얻어진, 각 경화물의 조사선량에 대한 막두께비의 관계를 나타내는 콘트라스트 커브 및 이상적인 콘트라스트 커브를 나타낸다.
도 3은 비교예 1의 감광성 수지 조성물을 사용하여 얻어진, 각 경화물의 조사선량에 대한 막두께비의 관계를 나타내는 콘트라스트 커브 및 이상적인 콘트라스트 커브를 나타낸다.
이하, 본 개시의 일 양태에 따른 감광성 수지 조성물 및 이를 경화시켜 얻어진 경화물, 그 경화물을 포함하는 배선 구조체, 전자 부품, 반도체 장치, 및 카메라 모듈의 실시형태에 기초하여 설명한다. 단, 이하에 나타내는 실시형태는 본 개시의 기술 사상을 구체화하기 위한 예시이다. 본 개시의 기술 사상은 이하에 나타나는 감광성 수지 조성물 및 이를 경화시켜 얻어진 경화물, 그 경화물을 포함하는 배선 구조체, 전자 부품, 반도체 장치, 및 카메라 모듈로 한정되지 않는다.
본 개시의 제1 실시형태에 따른 감광성 수지 조성물은, (A) 식 (1) 및 (2)로 나타내는 특정의 변성 폴리페닐렌에테르(이하, 「성분 (A)」라고 기재하는 경우가 있다), (B) 식 (3)으로 나타내는 화합물(이하, 「성분 (B)」라고 기재하는 경우가 있다), 및 (C) 광중합 개시제(이하, 「성분 (C)」라고 기재하는 경우가 있다)를 포함한다. 감광성 수지 조성물은 성분 (A)의 변성 폴리페닐렌에테르를 포함한다. 이 때문에, 감광성 수지 조성물의 비유전율(ε)은 3.0 이하이고, 유전 정접(tanδ)은 0.01 이하이다. 감광성 수지 조성물은 이러한 낮은 유전율 및 낮은 유전 정접을 갖는다. 따라서, 감광성 수지 조성물을 사용함으로써, 고주파 영역에서 사용하는 경우의 전기적 특성이 양호한 경화물이 얻어진다. 감광성 수지 조성물은 경화물을 얻기 위해, 예를 들면, 150℃ 이상의 고온의 열처리를 필요로 하지 않는다. 이 때문에, 감광성 수지 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물에서는, 150℃ 이상의 고온의 열처리에 의해 발생하는 수축에 의한 변형이 발생하기 어렵다. 감광성 수지 조성물은 성분 (B)의 화합물을 포함한다. 이 때문에, 감광성 수지 조성물이 활성 에너지선(예를 들면, 자외선)의 조사를 받았을 때, 어느 일정량 이하의 조사선량에서는 반응이 진행되기 어렵다. 어느 일정량을 초과하는 조사선량에서, 급속히 반응이 진행되고, 감광성 수지 조성물이 충분히 경화하여, 현상 후의 막 감소가 억제된 경화물이 얻어진다.
감광성 수지 조성물에 관한 콘트라스트 커브는 활성 에너지선의 조사선량에 대해, 막두께비를 플롯함으로써 얻어진다. 막두께비란, 감광성 수지 조성물의 도포시의 막두께에 대한, 현상 후의 경화물의 막두께의 비이다. 감광성 수지 조성물은 성분 (A), 성분 (B), 및 성분 (C)를 포함하기 때문에, 이 감광성 수지 조성물에 있어서는, 조사선량이 일정량 이하에서는 감광성 수지 조성물의 반응이 진행되기 어렵고, 조사선량이 일정량을 초과하면, 급속히 반응이 진행된다. 따라서, 이 감광성 수지 조성물은 이하와 같은 이상적인 콘트라스트 커브에 가까운 콘트라스트 커브를 나타낸다. 즉, 이 감광성 수지 조성물의 콘트라스트 커브에서는, 막두께비의 상승이 급격하고, 그 후, 조사선량이 증가해도 막두께비가 일정해진다. 감광성 수지 조성물은 성분 (A), 성분 (B), 및 성분 (C)를 포함함으로써, 이상적인 콘트라스트 커브에 가까운 콘트라스트 커브를 나타낸다. 따라서, 이 감광성 수지 조성물을 사용함으로써, 포토리소그래피에 의해 L/S가 2㎛/2㎛ 이하인 미세하고 정확한 패턴을 형성할 수 있다.
성분 (A) 변성 폴리페닐렌에테르
감광성 수지 조성물은, (A) 하기 식 (1):
Figure pct00005
[식 중,
R1∼R3은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 또는 알키닐기를 나타내고,
X는 q가의 비치환 또는 치환 방향족 탄화수소기를 나타내며,
Y는 하기 식 (2):
Figure pct00006
[식 중, R4∼R7은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 또는 알케닐카르보닐기를 나타낸다]
로 나타내는 비치환 또는 치환 페놀 반복 단위를 나타내고,
m은 1∼100의 정수를 나타내며,
n은 1∼6의 정수를 나타내고,
q는 1∼4의 정수를 나타낸다]
로 나타내는 특성의 변성 폴리페닐렌에테르(PPE) 수지를 함유한다.
이 PPE 수지를 성분 (A) 또는 성분 (A)의 PPE 수지라고 기재하는 경우도 있다.
일반적으로, x가(x는 1 이상의 정수를 나타낸다)의 탄화수소기란, 탄화수소의 탄소 원자로부터 x개의 수소 원자를 제거함으로써 생기는 x가의 기를 가리킨다. 따라서, 상기 q가의 비치환 또는 치환 방향족 탄화수소기란, 치환되어 있어도 되고, 치환되어 있지 않아도 되는 방향족 탄화수소의 탄소 원자로부터, 1∼4개의 수소 원자를 제거함으로써 생기는 1∼4가의 기를 가리킨다.
용어 「알킬기」는 1가의 포화 탄화수소기를 의미한다. 본 실시형태에 있어서, 알킬기는 바람직하게는 C1-C10 알킬기이고, 보다 바람직하게는 C1-C6 알킬기이며, 더욱 바람직하게는 C1-C4 알킬기이고, 특히 바람직하게는 C1-C2 알킬기이다. 이러한 알킬기의 예로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 및 헥실기 등을 들 수 있다.
용어 「알케닐기」는 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 1가의 불포화 탄화수소기를 의미한다. 본 실시형태에 있어서, 알케닐기는 바람직하게는 C2-C10 알케닐기이고, 보다 바람직하게는 C2-C6 알케닐기이며, 더욱 바람직하게는 C2-C4 알케닐기이다. 이러한 알케닐기의 예로는, 에테닐기(비닐기), 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 이소부테닐기, 1-펜테닐기, 및 1-헥세닐기 등을 들 수 있다. 상기 식 (1) 중의 기 -CR1=CR2R3도 알케닐기이다.
용어 「알키닐기」는 적어도 하나의 탄소-탄소 삼중 결합을 갖는 1가의 불포화 탄화수소기를 의미한다. 본 실시형태에 있어서, 알키닐기는 바람직하게는 C2-C10 알키닐기이고, 보다 바람직하게는 C2-C6 알키닐기이며, 더욱 바람직하게는 C2-C4 알키닐기이다. 이러한 알키닐기의 예로는, 에티닐기, 1-프로피닐기, 2-프로피닐기, 부티닐기, 이소부티닐기, 펜티닐기, 및 헥시닐기 등을 들 수 있다.
용어 「알케닐카르보닐기」는 상기 알케닐기로 치환된 카르보닐기를 의미하고, 그 예로는, 아크릴로일기 및 메타크릴로일기 등을 들 수 있다.
성분 (A)에 있어서, -(Y)m-으로 나타내는 부분은 PPE 수지의 주사슬에 상당한다. 바람직하게는, 상기 비치환 또는 치환 페놀 반복 단위 Y 중의 R4 및 R6이 수소 원자를 나타내고, 또한, R5 및 R7이 메틸기를 나타낸다. -(Y)m-으로 나타내는 부분의 한쪽의 말단은 산소 원자를 개재하여, 상기 방향족 탄화수소기 X에 결합되어 있다. 다른 쪽의 말단은 n개의 메틸렌기를 개재하여, 상기 알케닐기 -CR1=CR2R3으로 치환된 페닐기에 결합되어 있다. 알케닐기 -CR1=CR2R3은 상기 메틸렌기에 대해, 오쏘 위치, 메타 위치, 및 파라 위치 중 어느 하나에 위치하고 있어도 된다. 일 양태에 있어서는, 식 (1) 중의 n이 1∼4의 정수이다. 일 양태에 있어서는, 식 (1) 중의 n이 1 또는 2이다. 일 양태에 있어서는, 식 (1) 중의 n이 1이다. 다른 일 양태에 있어서는, 식 (1) 중의 R1∼R3이 모두 수소 원자이다.
또한, 식 (1)의 반복 단위인 Y의 수 m은 바람직하게는 1∼80이고, 보다 바람직하게는 1∼30이며, 더욱 바람직하게는 1∼5이다.
성분 (A)에 있어서, 식 (1)의 방향족 탄화수소기 X에는, 각각 산소 원자를 개재하여, q개의 -(Y)m-으로 나타내는 부분이 결합되어 있다. 바람직하게는, q는 2 또는 3이다. 보다 바람직하게는, q는 2이다. 또한, X는 바람직하게는, 하기 식:
Figure pct00007
[식 중, R11∼R18은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 C1-C6 알킬기를 나타낸다]로 나타내는 구조를 갖는다. X는 보다 바람직하게는, 하기 식:
Figure pct00008
로 나타내는 구조를 갖는다.
감광성 수지 조성물의 성형시에 있어서의 유동성, 감광성 수지 조성물을 경화하여 얻어지는 경화물의 유전 특성 및 내열성, 그리고 감광성 수지 조성물에 포함되는 다른 성분의 상용성 등의 관점에서, 성분 (A)의 수평균 분자량은 500 이상 또한 5000 이하인 것이 바람직하다. 성분 (A)의 수평균 분자량이 너무 적으면, 감광성 수지 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화물의 인성이 저하되는 경우가 있다. 한편, 성분 (A)의 수평균 분자량이 너무 많으면, 다른 성분(예를 들면, 임의로 첨가되는 용제)에 대한, 성분 (A)의 상용성이 저하되는 경우가 있다. 예를 들면, 감광성 수지 조성물에 용제를 첨가하고, 그 점도를 스핀 코팅에 적합한 것으로 하는 것등이 곤란해지는 경우가 있다. 성분 (A)의 수평균 분자량은 보다 바람직하게는 750 이상 또한 3000 이하이고, 더욱 바람직하게는 1000 이상 또한 2500 이하이다. 성분 (A)의 수평균 분자량은 예를 들면, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의해 측정될 수 있다.
감광성 수지 조성물 중의 성분 (A)의 함유량은 감광성 수지 조성물 100질량％에 대해, 바람직하게는 30.0∼98.0질량％이고, 보다 바람직하게는 35.0∼97.0질량％이며, 더욱 바람직하게는 40.0∼96.0질량％이고, 특히 바람직하게는 45.0∼95.0질량％이다. 감광성 수지 조성물 100질량％ 중의 성분 (A)의 함유량이 30.0∼98.0질량％이면, 저유전율 및 저유전 정접을 갖는 경화물, 즉, 고주파 영역에서의 사용에 적합한, 양호한 전기적 특성을 갖는 경화물이 얻어진다.
성분 (A)로는 시판품을 사용할 수 있다. 성분 (A)의 시판품으로는 예를 들면, OPE 2St 1200(미츠비시 가스 카가쿠 가부시키가이샤 제조)을 사용할 수 있다. 성분 (A)는 공지의 방법에 의해 조제될 수 있다. 예를 들면, 이하의 방법에 의해 성분 (A)를 조제할 수 있다. 이 방법에서는, X-(OH)q(식 중, X 및 q는 상기와 동일한 의미이다)로 나타내는 구조를 갖는 적절한 q가 페놀(2,2',3,3',5,5'-헥사메틸비페닐-4,4'-디올 등), 및 하기 식:
Figure pct00009
[식 중, R4∼R7은 각각 상기와 동일한 의미를 갖는다]
로 나타내는 구조를 갖는 적절한 1가 페놀(2,6-디메틸페놀 등)을 사용한다. 이 방법은 이들 페놀을 공지의 방법에 의해 산화 공중합함으로써, 말단에 히드록실기를 갖는 폴리페닐렌에테르 수지를 조제하는 것을 포함한다. 또한, 이 방법은 얻어진 수지를 적절한 변성제(예를 들면, 클로로메틸스티렌)와의 반응에 의해 변성시키는 것을 포함한다.
성분 (B) 실세스퀴옥산 화합물
감광성 수지 조성물은, (B) 하기 식 (3):
Figure pct00010
으로 나타내는 화합물을 포함한다. 식 (3)으로 나타내는 화합물은 특정의 바구니형 실세스퀴옥산 구조를 갖고, 8개의 (메타)아크릴로일알킬기, 구체적으로는 아크릴로일옥시프로폭시기를 갖는 화합물이다. 성분 (B)의 식 (3)으로 나타내는 화합물을 성분 (B)의 실세스퀴옥산 화합물이라고 기재하는 경우도 있다. 성분 (B)의 실세스퀴옥산 화합물의 분자량은 2000 이하인 것이 바람직하고, 1000∼2000인 것이 보다 바람직하다.
감광성 수지 조성물 중, 성분 (A)와 성분 (B)의 합계량에 대한 성분 (A)의 질량비(A／A＋B)는, 바람직하게는 0.10∼0.99이고, 보다 바람직하게는 0.20∼0.98이며, 더욱 바람직하게는 0.30∼0.97이고, 보다 더 바람직하게는 0.40∼0.96이며, 특히 바람직하게는 0.50∼0.96이다. 감광성 수지 조성물 중, 성분 (A)와 성분 (B)의 합계에 대한 성분 (A)의 질량비(A／A＋B)가 0.10∼0.99의 범위이면, 감광성 수지 조성물에 대한 활성 에너지선(예를 들면, 자외선)의 조사에 의해, 현상 후의 막 감소가 억제된 경화물이 얻어진다. 또한, 감광성 수지 조성물을 사용함으로써, 포토리소그래피에 의해, L/S가 2㎛/2㎛ 이하인 미세하고 정확한 패턴을 형성할 수 있다.
감광성 수지 조성물이 후술하는 성분 (D)인 2관능 아크릴 수지를 포함하는 경우, 성분 (A), 성분 (B), 및 성분 (D)의 합계량에 대한 성분 (A)의 질량비(A／A＋B＋D)도 바람직하게는 0.10∼0.99이고, 보다 바람직하게는 0.20∼0.98이며, 더욱 바람직하게는 0.30∼0.97이고, 보다 더 바람직하게는 0.40∼0.96이며, 특히 바람직하게는 0.50∼0.96이다. 성분 (A), 성분 (B), 및 성분 (D)의 합계량에 대한 성분 (A)의 질량비가 상기 범위이면, 감광성 수지 조성물의 성막성이 양호해진다. 따라서, 활성 에너지선 조사에 의해, 현상 후의 막 감소가 억제된 경화물이 얻어진다.
감광성 수지 조성물 중의 성분 (B)의 함유량은 감광성 수지 조성물 100질량％에 대해, 바람직하게는 1.0∼60.0질량％이고, 보다 바람직하게는 2.0∼58.0질량％이며, 더욱 바람직하게는 3.0∼55.0질량％이고, 특히 바람직하게는 4.0∼50.0질량％이다. 감광성 수지 조성물 100질량％ 중의 성분 (B)의 함유량이 1.0∼60.0질량％이면, 예를 들면, 150℃ 이상의 고온의 열처리를 필요로 하지 않고, 감광성 수지 조성물에 대한 활성 에너지선(예를 들면, 자외선)의 조사에 의해, 현상 후의 막 감소가 억제된 경화물이 얻어진다. 또한, 감광성 수지 조성물을 사용함으로써, 포토리소그래피에 의해, L/S가 2㎛/2㎛ 이하인 미세하고 정확한 패턴을 형성할 수 있다.
성분 (B)로는, 시판품을 사용할 수 있다. 성분 (B)의 시판품으로는 예를 들면, 하이브리드사 제조의 POSS(Polyhedral Oligomeric silsesquioxane, 다면체 올리고머 실세스퀴옥산) 시리즈를 들 수 있다. 구체적으로는, Acrylo POSS Cage Mixture MA0736(Hybrid Plastic Inc. 제조)을 사용할 수 있다.
성분 (C) 광중합 개시제
감광성 수지 조성물은 (C) 광중합 개시제를 포함한다. 성분 (C)는 활성 에너지선을 조사함으로써, 성분 (A), 성분 (B), 및 필요에 따라 성분 (D)를 반응시키는 라디칼을 발생시키는 화합물이면 된다. 여기서, 활성 에너지선이란, α선 및 β선 등의 방사선, γ선 및 X선 등의 전자파, 전자선(EB), 그리고 100∼400㎚ 정도의 가시광선 등의 광의의 광을 전부 포함하고, 바람직하게는 자외선이다. 성분 (C)로는, 1종의 광중합 개시제를 사용해도 되고, 2종 이상의 광중합 개시제를 병용해도 된다.
성분 (C)로는, 활성 에너지선의 조사에 의해, 성분 (A), 성분 (B), 및 필요에 따라 성분 (D)의 반응을 촉진시키기 위해, 옥심에스테르계 중합 개시제, 아실포스핀옥사이드계 중합 개시제, 및 알킬페논계 중합 개시제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 사용하는 것이 바람직하다.
옥심에스테르계 중합 개시제의 예로는, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-에타논-,1-(O-아세틸옥심) 및 1,2-옥타디온,1-[4-(페닐티오)페닐]-,2-(o-벤조일옥심) 등을 들 수 있다.
아실포스핀옥사이드계 중합 개시제의 예로는, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐-포스핀옥사이드 및 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드 등을 들 수 있다.
알킬페논계 중합 개시제의 예로는, 2-벤질-2-(디메틸아미노)-4'-모르폴리노부티로페논 등을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물 중의 성분 (C)의 함유량은 감광성 수지 조성물 100질량％에 대해, 바람직하게는 1.0∼20.0질량％이고, 보다 바람직하게는 3.0∼18.0질량％이며, 더욱 바람직하게는 5.0∼15.0질량％이다. 감광성 수지 조성물 100질량％ 중의 성분 (C)의 함유량이 1.0∼20.0질량％이면, 예를 들면, 150℃ 이상의 고온의 열처리를 필요로 하지 않고, 감광성 수지 조성물에 대한 활성 에너지선(예를 들면, 자외선)의 조사에 의해 경화물이 얻어진다.
성분 (C)로는, 시판품을 사용할 수 있다. 성분 (C)의 시판품으로는 예를 들면, Irgacure OXE-01(BASF 제조), Irgacure OXE-02(BASF 제조), Omnirad 819(구 Irgacure 819)(IGM Resins B. V. 제조), 및 Omnird 369(구 Irgacure 369)(IGM Resins B. V. 제조) 등을 사용할 수 있다.
성분 (D) 2관능 아크릴 수지
감광성 수지 조성물은, (D) 하기 식 (4):
Figure pct00011
[식 중, 각각의 Ra는 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고,
각각의 Rb는 독립적으로 2가의 탄화수소기를 나타내며,
x 및 y는 각각 독립적으로 1∼5의 정수를 나타낸다]
로 나타내는 2관능 아크릴 수지를 추가로 포함하는 것이 바람직하다. 이 2관능 아크릴 수지를 성분 (D) 또는 성분 (D)의 2관능 아크릴 수지라고 기재하는 경우도 있다.
식 (4) 중의 Rb가 각각 독립적으로, 메틸렌기 또는 p-페닐렌기인 것이 바람직하다. 상기 식 (4) 중의 Rb가 메틸렌기이고, 또한 Ra가 메틸기여도 된다. 상기 식 (4) 중의 Rb가 페닐렌기이고, 또한 Ra가 수소 원자여도 된다.
감광성 수지 조성물이 성분 (D)의 2관능 아크릴 수지를 포함하는 경우, 감광성 수지 조성물이 활성 에너지선(예를 들면, 자외선)의 조사를 받았을 때, 어느 일정량 이하의 조사선량에서는 반응이 진행되기 어렵다. 어느 일정량을 초과하는 조사선량에서, 급속히 반응이 진행되고, 성분 (D)가 성분 (B)와 함께, 성분 (A)와 충분히 반응하여, 현상 후의 막 감소가 보다 억제된 경화물이 얻어진다. 성분 (D)는 2관능성인 것, 즉, 아크릴로일기를 2개 가짐으로써, 예를 들면, 성분 (A)가 저분자량이어도, 성분 (A)와 성분 (B)가 급속히 반응한 후, 아직 반응하지 못한 성분 (A)가 성분 (D)와 반응한다. 이 때문에, 포토리소그래피에 의한 패턴의 성형성이 양호하고, 현상 후의 막 감소가 보다 억제된 경화물이 얻어진다. 감광성 수지 조성물이 성분 (D)를 포함하는 경우, 저분자량의 성분 (A)를 사용하는 것이 가능하다. 이 때문에, 감광성 수지 조성물의 성막성을 향상할 수 있다. 따라서, 스핀 코팅 등의 비교적 간편한 방법에 의해, 감광성 수지 조성물의 막을 형성할 수 있다. 1분자 중에 아크릴로일기를 1개 갖는 단관능 아크릴 수지에서는, 성분 (A)와 성분 (B)가 반응한 후, 반응하지 못한 성분 (A)와 단관능 아크릴 수지의 반응이 진행되지 않고, 현상 후 막 감소가 발생하는 경우가 있다. 1분자 중에 아크릴로일기를 3개 이상 갖는 다관능 아크릴 수지에서도, 관능기의 수가 너무 많아, 성분 (A)와 성분 (B)가 반응한 후, 반응하지 못한 성분 (A)와 1분자 중에 아크릴로일기를 3개 이상 갖는 다관능 아크릴 수지의 반응이 진행되지 않고, 현상 후 막 감소가 발생하는 경우가 있다.
성분 (D)의 예로는, 에톡실화 비스페놀A 디아크릴레이트((폴리)에틸렌글리콜이 결합한 비스페놀A의 디아크릴레이트), 프로폭실화 비스페놀A 디아크릴레이트((폴리)프로필렌글리콜이 결합한 비스페놀A의 디아크릴레이트), 에톡실화 네오펜틸글리콜디아크릴레이트((폴리)에틸렌글리콜이 결합한 네오펜틸글리콜의 디아크릴레이트), 및 프로폭실화 네오펜틸글리콜디아크릴레이트((폴리)프로필렌글리콜이 결합한 네오펜틸글리콜의 디아크릴레이트) 등을 들 수 있다. 이들의 성분 (D)의 2관능 아크릴 수지로는, 1종의 수지를 사용해도 되고, 2종 이상의 수지를 병용해도 된다.
감광성 수지 조성물 중, 성분 (B)와 성분 (D)의 합계량에 대한 성분 (D)의 질량비(D／B＋D)는, 바람직하게는 0.01∼0.99이고, 보다 바람직하게는 0.02∼0.80이며, 더욱 바람직하게는 0.03∼0.70이고, 보다 더 바람직하게는 0.04∼0.60이다. 감광성 수지 조성물이 성분 (D)를 포함하는 경우, 성분 (B)와 성분 (D)의 합계량에 대한 성분 (D)의 질량비(D／B＋D)가 0.01∼0.99의 범위이면, 감광성 수지 조성물의 성막성이 양호하다. 따라서, 감광성 수지 조성물에 대한 활성 에너지선(예를 들면, 자외선)의 조사에 의해, 현상 후의 막 감소가 보다 억제된 경화물이 얻어진다.
감광성 수지 조성물 중의 성분 (D)의 함유량은 감광성 수지 조성물 100질량％에 대해, 바람직하게는 59.0질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 1.0∼57.0질량％이며, 더욱 바람직하게는 3.0∼55.0질량％이고, 보다 더 바람직하게는 5.0∼50.0질량％이다. 감광성 수지 조성물이 성분 (D)를 포함하는 경우, 감광성 수지 조성물 100질량％ 중의 성분 (D)의 함유량이 59.0질량％이면, 감광성 수지 조성물의 성막성이 양호하다. 따라서, 감광성 수지 조성물에 대한 활성 에너지선(예를 들면, 자외선)의 조사에 의해, 현상 후의 막 감소가 보다 억제된 경화물이 얻어진다.
성분 (D)로는, 시판품을 사용할 수 있다. 성분 (D)의 시판품으로는 예를 들면, 에톡실화 (4) 비스페놀A 디아크릴레이트 SR601(Sartomer Chemcal Co. 제조) 및 프로폭실화 (2) 네오펜틸글리콜디아크릴레이트 SR9003B(Sartomer Chemcal Co. 제조)를 사용할 수 있다. 성분 (D)는 공지의 방법에 의해 조제될 수 있다. 예를 들면, (CH3)2(CRbOH)2(식 중, Rb는 상기와 동일한 의미를 갖는다)로 나타내는 구조를 갖는 적절한 디올 화합물을, 아크릴산 또는 그 유도체와 반응시키는 것을 포함하는 방법에 의해, 성분 (D)를 조제할 수 있다.
성분 (E) 결정성 또는 비결정성 열가소성 수지
감광성 수지 조성물은 성분 (E) 결정성 또는 비결정성 열가소성 수지(단, 2관능 아크릴 수지를 제외한다)를 추가로 포함하고 있어도 된다. 이 열가소성 수지를 성분 (E) 또는 성분 (E)의 열가소성 수지라고 기재하는 경우도 있다. 감광성 수지 조성물이 성분 (E)의 열가소성 수지를 포함함으로써, 예를 들면, 감광성 수지 조성물의 온도 특성을 향상할 수 있음과 함께, 감광성 수지 조성물의 성형성 등을 향상할 수 있다.
성분 (E)의 결정성 열가소성 수지의 예로는, 액정 폴리머, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리아세탈, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리페닐렌설피드, 폴리에테르케톤, 및 폴리테트라플루오로에틸렌으로 이루어지는 군으로부터 적어도 1종을 들 수 있다. 성분 (E)의 비결정성 열가소성 수지의 예로는, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리메타크릴산메틸, 아크릴로니트릴·부타디엔·스티렌, 폴리카보네이트, 폴리에테르설폰, 폴리에테르이미드, 및 폴리아미드이미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 들 수 있다. 성분 (E)의 열가소성 수지로는, 1종의 수지를 사용해도 되고, 2종 이상의 수지를 병용해도 된다.
감광성 수지 조성물 중의 성분 (E)의 함유량은 감광성 수지 조성물 100질량％에 대해, 바람직하게는 40.0질량％ 이하이고, 바람직하게는 1.0∼35.0질량％이며, 보다 바람직하게는 2.0∼30.0질량％이고, 더욱 바람직하게는 3.0∼25.0질량％이며, 보다 더 바람직하게는 5.0∼20.0질량％이다. 감광성 수지 조성물 100질량％ 중의 성분 (E)의 함유량이 40.0질량％ 이하이면, 감광성 수지 조성물에 대한 활성 에너지선(예를 들면, 자외선)의 조사에 의해, 현상 후의 막 감소가 억제된 경화물이 얻어진다. 또한, 감광성 수지 조성물의 온도 특성 및 성형성 등의 다른 특성을 양호하게 할 수 있다.
성분 (F) 커플링제
감광성 수지 조성물은 커플링제를 함유해도 된다. 커플링제는 1분자 중에 2개 이상의 상이한 관능기를 갖는 화합물이다. 그 하나는 무기 재료와 화학 결합하는 관능기이고, 다른 하나는 유기 재료와 화학 결합하는 관능기이다. 감광성 수지 조성물 중에 커플링제가 포함되어 있으면, 감광성 수지 조성물과 다른 재료의 밀착성을 높일 수 있다. 본 명세서 중, 커플링제를 성분 (F) 또는 성분 (F)의 커플링제라고 기재하는 경우가 있다.
성분 (F)의 커플링제의 예로서, 실란 커플링제, 알루미늄 커플링제, 및 티탄 커플링제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 들 수 있다. 성분 (F)의 커플링제로는, 1종의 커플링제를 사용해도 되고, 2종 이상의 커플링제를 병용해도 된다.
성분 (F)는 바람직하게는 실란 커플링제이다. 실란 커플링제가 갖는 관능기의 예로서, 알콕시기, 비닐기, 에폭시기, 스티릴기, 메타크릴기, 아크릴기, 아미노기, 이소시아누레이트기, 우레이도기, 메르캅토기, 설피드기, 및 이소시아네이트기 등을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물 중의 성분 (F)의 함유량은 감광성 수지 조성물 100질량％에 대해, 바람직하게는 30.0질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.10∼30.0질량％이며, 더욱 바람직하게는 0.20∼20.0질량％이고, 보다 더 바람직하게는 0.50∼10.0질량％이며, 특히 바람직하게는 0.80∼3.0질량％ 이하이다. 감광성 수지 조성물이 성분 (F)를 포함하는 경우, 감광성 수지 조성물 100질량％ 중의 성분 (F)의 함유량이 30.0질량％ 이하이면, 감광성 수지 조성물과 다른 재료의 밀착성이 양호해진다. 다른 재료로는 예를 들면, 기판 등을 들 수 있다.
성분 (F)로는, 시판품을 사용할 수 있다. 성분 (F)의 시판품으로는 예를 들면, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란 KBM 503, 비닐트리메톡시실란 KBM 1003(신에츠 실리콘 가부시키가이샤 제조) 및 Coatsil MP200 Silane(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬사 제조)을 사용할 수 있다.
감광성 수지 조성물에는, 가요성을 부여하기 위해, 필름화제를 첨가해도 된다. 예를 들면, 감광성 수지 조성물을 사용하여 배선 구조체의 절연층을 형성하는 경우, 필름화제의 첨가에 의해 감광성 수지 조성물에 가요성이 부여되고 있으면, 막을 형성하기 쉬워져, 용이하게 필름을 형성할 수 있다. 필름화제의 예로는, 페녹시 수지 및 아크릴 수지(단, 식 (4)로 나타내는 2관능 아크릴 수지를 제외한다)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 들 수 있다. 페녹시 수지로는, 폴리히드록시폴리에테르를 들 수 있다. 이 폴리히드록시폴리에테르는 2가 페놀 화합물과 에피클로로히드린의 직접 반응에 의해, 또는 2가 페놀 화합물과 디글리시딜에테르의 부가 중합 반응에 의해 합성된다. 아크릴 수지(단, 식 (4)로 나타내는 2관능 아크릴 수지를 제외한다)는 아크릴산 및/또는 메타크릴산 혹은 이들의 유도체(예를 들면, 에스테르 및 아미드)의 단독 중합체 또는 공중합체를 말한다. 필름화제로는, 시판품을 사용해도 된다. 필름화제의 시판품으로는 예를 들면, 비스페놀 A형 페녹시 수지 4250(미츠비시 케미컬 가부시키가이샤 제조), 비스페놀 A형 페녹시 수지 Fx316(닛테츠 케미컬＆머티리얼 가부시키가이샤 제조), 비스페놀 A형 페녹시 수지 YP50(닛테츠 케미컬＆머티리얼 가부시키가이샤 제조), 및 폴리메틸메타크릴레이트·부틸아크릴아미드-트리 블록 코폴리머 Nanostrength(등록상표) M52N(ARKEMA 제조)을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물은 필요에 따라, 이온 트랩제, 레벨링제, 산화 방지제, 및 요변제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개의 첨가제를 추가로 함유해도 된다. 또한, 감광성 수지 조성물은 점도 조정제, 난연제, 혹은 용제 등을 함유해도 된다.
감광성 수지 조성물의 제조 방법
감광성 수지 조성물은 성분 (A), 성분 (B), 및 성분 (C)를 혼합함으로써 제조될 수 있다. 감광성 수지 조성물은 필요에 따라, 성분 (D), 성분 (E), 및 성분 (F)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 성분을, 성분 (A), 성분 (B), 및 성분 (C)와 함께 혼합함으로써 제조될 수 있다. 감광성 수지 조성물의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 감광성 수지 조성물은 각 성분이 되는 원료를 뇌궤기, 포트밀, 3본 롤 밀, 하이브리드 믹서, 회전식 혼합기, 혹은 2축 믹서 등의 혼합기에 의해 혼합함으로써 제조될 수 있다. 이들 각 성분은 동시에 혼합되어도 되며, 일부가 먼저 혼합되고, 나머지가 나중에 혼합되어도 된다. 또한, 상기 장치를 적절히 조합하여 사용함으로써, 감광성 수지 조성물을 제조해도 된다.
경화물
감광성 수지 조성물에 대해 활성 에너지선을 조사함으로써, 경화물이 얻어진다. 스핀 코팅 등의 비교적 간편한 성막 방법에 의해, 감광성 수지 조성물의 균일한 박막을 형성할 수 있다. 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성한 박막에, 포토리소그래피에 의해 패터닝을 실시함으로써, 미세하고 정확한 패턴이 형성된다. 감광성 수지 조성물은 활성 에너지선의 조사에 의해 충분히 경화될 수 있다. 패터닝 후의 박막을 고온(예를 들면, 150℃ 이상)에서 처리할 필요가 없다. 이 때문에, 고온 처리시에 발생하는 수축 등에 의해 형성된 배선 패턴의 변형을 억제할 수 있다.
감광성 수지 조성물을 경화시켜 얻어진 경화물에서는, 비유전율(ε)이 예를 들면, 3.0 이하인 것, 및 유전 정접(tanδ)이 예를 들면, 0.01 이하인 것이 바람직하다. 저유전율 및 저유전 정접을 갖는 경화물은 고주파 영역에서 사용되는 경우의 전기적 특성이 양호하기 때문에, 고주파 영역에서 사용되는 전자 부품 혹은 반도체 장치 등에 사용될 수 있다. 또한, 감광성 수지 조성물이 활성 에너지선(예를 들면, 자외선)의 조사를 받았을 때, 어느 일정량 이하의 조사선량에서는 반응이 진행되기 어렵다. 조사선량이 있는 일정량을 초과하면, 급속히 반응이 진행되어, 감광성 수지 조성물이 충분히 경화하고, 현상 후의 막 감소가 억제된 경화물이 얻어진다. 이 때문에, 감광성 수지 조성물은 재배선층을 형성하기 위한 재료(예를 들면, 절연층용 재료)로서, 바람직하게 사용될 수 있다. 감광성 수지 조성물은 재배선층을 포함하는 배선 구조체를 형성하기 위한 재료로서, 바람직하게 사용될 수 있다.
감광성 수지 조성물은 배선 구조체의 다층 배선 간의 층간 접착 필름으로서도 사용될 수 있다. 또한, 감광성 수지 조성물은 반도체 장치, 카메라 모듈, 혹은 이미지 센서 모듈을 구성하는 부품의 접착 및 봉지에 사용될 수 있다.
본 개시의 실시형태는 감광성 수지 조성물, 그 경화물, 그 경화물을 포함하는 배선 구조체, 그 경화물을 포함하는 전자 부품, 그 경화물을 포함하는 반도체 장치, 및 그 경화물을 포함하는 카메라 모듈을 제공할 수 있다. 전자 부품으로는 예를 들면, 휴대전화, 스마트폰, 노트북 컴퓨터, 태블릿 단말 등의 전자 기기에 이용되는, 배선 구조체를 포함하는 전자 부품을 들 수 있다. 반도체 장치로는, D-RAM(Dynamic Random Access Memory) 등의 메모리 디바이스, CPU(Central Processing Unit), GPU(Graphics Processing Unit) 등의 프로세서 디바이스, LED(Light Emitting Diode) 등의 발광 소자, 및 LCD(Liquid Crystal Display) 등에 사용되는 드라이버 IC 등을 들 수 있다.
경화물의 제조 방법
감광성 수지 조성물을 사용하여 경화물을 제조하는 방법의 일 예를 설명한다. 경화물의 제조 방법은 감광성 수지 조성물의 피대상물에 대한 도포 공정, 전열처리(소프트 베이크) 공정, 활성 에너지선의 조사 공정, 및 현상 공정을 포함할 수 있다. 감광성 수지 조성물이 도포되는 피대상물에는, 감광성 수지 조성물이 도포 되기 전에, 표면 처리가 되어 있어도 된다. 경화물의 제조 방법은 피대상물의 표면 처리 공정을 포함하고 있어도 된다.
피대상물의 표면 처리 공정
피대상물로는 예를 들면, 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있다. 반도체 웨이퍼에는, 표면 활성화 처리를 행할 수 있다. 표면 활성화 처리로는, 플라즈마 활성화 처리를 들 수 있다. 피대상물의 표면 처리를 행함으로써, 감광성 수지 조성물과 피대상물의 접합 강도를 높일 수 있다.
도포 공정
감광성 수지 조성물은 표면 처리된 피대상물에 도포되는 것이 바람직하다. 감광성 수지 조성물을 도포하는 장치로는, 스크린 인쇄기, 디스펜서, 및 스핀 코터(예를 들면, Headway Spinner(Headway Research., Inc. 제조), 및 WS-650-8 B(Laurell 제조)) 등을 이용할 수 있다. 도포 공정에 있어서, 감광성 수지 조성물은 피대상물의 표면에 균일한 박막이 형성되도록 도포되는 것이 바람직하다.
전열처리(소프트 베이크)
피대상물에 도포된 감광성 수지 조성물에는, 활성 에너지선을 조사하기 전에, 전열처리(소프트 베이크)를 행해도 된다. 전열처리의 온도는 80℃ 이상 150℃ 미만이어도 되고, 100℃∼140℃여도 된다. 전열처리는 핫 플레이트 혹은 컨벡션 오븐(열풍 순환식 건조기)을 이용하여 행할 수 있다. 열처리를 행하는 시간은 1∼10분간이고, 바람직하게는 5∼10분간이다.
조사 공정
필요에 따라 실시되는 상기 전열처리 후, 피대상물에 도포된 감광성 수지 조성물에 활성 에너지선을 조사하여, 경화물을 얻는 것이 바람직하다. 포토리소그래피에 의해, 포토 마스크를 이용하여, 패턴화된 경화물을 형성해도 된다. 활성 에너지선으로는, 10㎚∼380㎚의 자외선 및 380㎚∼760㎚의 가시광선을 들 수 있다. 감광성 수지 조성물을 경화시키는 활성 에너지선의 파장은 바람직하게는 10㎚∼600㎚이고, 보다 바람직하게는 100㎚∼500㎚이며, 더욱 바람직하게는 250㎚∼450㎚이고, 특히 바람직하게는 300㎚∼400㎚이다. 활성 에너지선을 조사할 때의 분위기 온도는 0℃∼100℃여도 되고, 10℃∼50℃여도 되며, 15℃∼35℃여도 된다. 활성 에너지선을 조사하는 시간은 조사 대상물의 체적 등에 따라 상이하고, 통상, 5초간∼60분간이다.
현상 공정
활성 에너지선의 조사 후, 포토 마스크를 제거하고, 경화되지 않은 감광성 수지 조성물을 현상액 또는 용제를 사용하여 세정하며, 패턴이 형성된 경화물을 얻는 것이 바람직하다. 용제를 현상액으로서 사용해도 된다. 현상액으로서 사용되는 용제로는, 알코올계 용제, 에테르계 용제, 케톤계 용제, 아미드계 용제, 에스테르계 용제, 및 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다. 알코올계 용제로는, 이소프로판올, 4-메틸-2-펜탄올, 및 n-헥산올 등의 C1∼C18의 모노 알코올계 용제, 그리고 에틸렌글리콜 등의 C2∼C18의 다가 알코올계 용제를 들 수 있다. 에테르계 용제로는, 디에틸에테르 및 디프로필에테르 등의 디알킬에테르계 용제, 테트라히드로푸란 등의 고리형 에테르계 용제, 그리고 디페닐에테르 등의 방향족 함유 에테르계 용제를 들 수 있다. 케톤계 용제로는, 아세톤, 부탄온, 및 메틸이소부틸케톤 등의 사슬형 케톤계 용제, 그리고 시클로펜타논 및 시클로헥사논 등의 고리형 케톤계 용제를 들 수 있다. 아미드계 용제로는, N,N'-디메틸이미다졸리디논 및 N-메틸피롤리돈 등의 고리형 아미드계 용제, 그리고 N-메틸포름아미드 및 N,N-디메틸포름아미드 등의 사슬형 아미드계 용제를 들 수 있다. 에스테르계 용제로는, 초산n-부틸 등의 모노카르복실산에스테르계 용제, 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르아세테이트 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 다가 알코올 부분 에테르아세테이트계 용제, 그리고 γ-부티로락톤 등의 락톤계 용제를 들 수 있다. 탄화수소계 용제로는, n-헥산 등의 지방족 탄화수소계 용제, 그리고 벤젠 및 톨루엔 등의 방향족 탄화수소계 용제를 들 수 있다. 현상액으로서 사용되는 용제로는, 케톤계 용제 혹은 에스테르계 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 현상액으로서 사용되는 용제는 바람직하게는, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 혹은 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트이다. 용제를 사용한 세정을 실시한 후, 추가로 탈이온수 등을 사용한 세정(린스) 처리를 행해도 된다.
본 개시의 실시형태는 감광성 수지 조성물, 그 경화물, 그 경화물을 포함하는 배선 구조체, 그 경화물을 포함하는 전자 부품, 그 경화물을 포함하는 반도체 장치, 및 그 경화물을 포함하는 카메라 모듈을 제공할 수 있다.
실시예
이하, 본 개시의 실시형태를 실시예에 의해 구체적으로 설명한다. 본 개시의 기술은 이들 실시예로 한정되지 않는다. 이하의 실시예 및 비교예에 있어서, 감광성 수지 조성물에 포함되는 각 성분의 배합 비율을 나타내는 숫자는 모두 질량부를 나타내고 있다.
성분 (A): 변성 폴리페닐렌에테르(PPE) 수지
A-1: OPE 2st 1200(식 (1)로 나타내고, 양 말단에 비닐기를 갖는 변성 폴리페닐렌에테르수지(2,2',3,3',5,5'-헥사메틸비페닐-4,4'-디올·2,6-디메틸페놀 축합물과, 클로로메틸스티렌의 반응 생성물, 수평균 분자량 1160))(미츠비시 가스 카가쿠 가부시키가이샤 제조)
성분 (B): 실세스퀴옥산 화합물
B-1: Acrylo POSS Cage Mixture MA0736(식 (3)으로 나타내고, 바구니형 실세스퀴옥산 구조를 가지며, 8개의 아크릴로일옥시프로폭시기를 갖는 화합물을 포함한다)(Hybrid Plastic Inc. 제조)
성분 (C): 광중합 개시제
C-1: Irgacure OXE-02(옥심에스테르계 광중합 개시제, BASF 제조)
C-2: Omnirad 819(구 Irgacure 819)(아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제, IGM Resins B.V. 제조)
C-3: Omnird 369(구 Irgacure 369)(알킬페논계 광중합 개시제, IGM Resins B. V. 제조)
성분 (E): 2관능 아크릴 수지
E-1: SR9003B(프로폭실화 (2) 네오펜틸글리콜디아크릴레이트, Sartomer Chemcal Co. 제조)
E-2: SR601(에톡실화 (4) 비스페놀A 디아크릴레이트, Sartomer Chemcal Co. 제조)
실시예 1∼12, 비교예 1∼4
성분 (A), 성분 (B), 성분 (C), 및 필요에 따라 성분 (D)를, 표 1∼3에 나타내는 배합으로, 자전·공전 믹서(ARE-310, 가부시키가이샤 싱키)를 이용하여 혼합함으로써, 실시예 및 비교예의 각 감광성 수지 조성물을 제조했다.
경화물의 제조: 도포 공정 및 전열처리 공정
실시예 및 비교예의 각 감광성 수지 조성물을 사용하여, 포토리소그래피에 의해, 배선 패턴을 구성하는 경화물을 제조했다.
우선, 피대상물로서, 직경 150㎜의 실리콘 웨이퍼를 준비했다.
실시예 및 비교예의 각 감광성 수지 조성물을 스핀 코터(WS-650-8B, Laurell 제조)를 이용하여, 실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅했다. 스핀 코팅에서는, 500rpm으로 12초간, 이어서, 1500rpm으로 20초간, 스핀 코터를 가동했다. 이에 의해, 실리콘 웨이퍼 표면에 감광성 수지 조성물을 스핀 코팅하고, 박막을 형성했다.
이어서, 감광성 수지 조성물의 박막을 갖는 실리콘 웨이퍼에 대해, 대기 분위기하, 120℃에서 5분간, 전열처리(소프트 베이크)를 행하고, 가열에 의해 감광성 수지 조성물을 건조시켰다. 이에 의해, 막두께 13㎛의 감광성 수지 조성물의 박막을 구비한 시료를 얻었다. 감광성 수지 조성물의 박막의 막두께는 촉침식 프로파일링 시스템(DektakXT, BRUKER사 제조)에 의해 측정되었다.
이 시료를 사용하여, 다음의 포토리소그래피 시험을 행하고, 포토리소그래피에 의해 경화된 경화물을 얻었다.
경화물의 제조: 조사선 공정
포토리소그래피 시험
시료의 감광성 수지 조성물로 이루어지는 박막의 표면에, 마스크(1951 USAF resolution test chart, 두께 1.5㎜, Advance Reproductions 제조)를 재치했다. 마스크를 박막 표면에 밀착시킨 상태로, 시료에 하기 조건의 자외선을 조사했다. 마스크에는 다수의 직사각형의 영역(450㎛×450㎛)이 형성되어 있다. 이들 각 영역에는, 3개의 직선이 병렬로 배열되는 배선 패턴이 2개 형성되어 있다. 3개의 직선이 병렬로 배열되는 2개의 배선 패턴은 서로 직교하는 방향으로 배치되어 있다. 이들 영역 중 1개의 배선 패턴은 L/S가 2㎛/2㎛인 3개의 직선으로 이루어진다.
자외선 조사 조건
자외선 조사 장치: Bluewave(등록상표) QX4(DYMAX 제조)
(광원으로서, LED Heads RediCure(등록상표)(DYMAX 제조)를 장착했다)
활성 에너지선: 자외선: 파장 365㎚
조사선량: 135mJ/㎠
조사 시간: 10초간
마스크와 광원 사이의 거리: 45㎛
경화물의 제조: 현상 공정
자외선 조사 완료 후, 시료로부터 마스크를 떼어냈다. 현상액으로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(2PGMEA)를 사용하여, 경화되지 않은 감광성 수지 조성물을 시료로부터 씻어내는 현상 처리를 행했다. 현상 처리에서는, 1회 50초의 현상 처리와, 2회 50초의 현상 처리의 2종의 현상 처리를 행했다. 1회 50초의 현상 처리에서는, 시료 전체가 침지하는 양의 현상액에, 시료를 50초간 침지시켰다. 2회 50초의 현상 처리에서는, 현상액에 시료를 50초간 침지시키고, 이어서, 현상액으로부터 시료를 취출하여 대기 분위기 중에서 자연 건조시킨 후, 재차, 현상액에 시료를 50초간 침지시켰다. 현상 처리 후, 시료를 현상액으로부터 취출하여, 대기 분위기 중에서 자연 건조시켰다. 이에 의해, 배선 패턴의 구조를 갖는 경화물을 얻었다.
평가 방법
상기 경화물의 제조 방법에 의해 얻어지는 박막 및 경화물을 이하와 같이 평가했다. 평가 결과를 표에 나타냈다.
성막성(필름화 적정)
실시예 및 비교예의 각 감광성 수지 조성물을 실리콘 웨이퍼에 스핀 코팅하여 형성한 박막의 막두께를, 육안으로 확인했다. 그리고, 실시예 및 비교예의 각 감광성 수지 조성물의 성막성을 이하와 같이 평가했다.
Excellent: 실리콘 웨이퍼 표면 전체에 균일한 박막이 형성되어 있는 경우.
Bad: 실리콘 웨이퍼 표면의 일부에 박막이 형성되어 있지 않은 부분이 있는 경우.
패터닝성
포토리소그래피 시험 후의 경화물을, 주사형 전자 현미경(Scanning Electron Microscope, SEM)에 의해 확인 및 촬영했다. 이 촬영에 의해 얻어진 SEM 사진으로부터 패터닝성을 확인했다. 도 1은 L/S가 2㎛/2㎛인 3개 패턴의 예를 나타내는 확대도이다. 실시예 및 비교예에 이러한 각 경화물의 패터닝성을 이하와 같이 평가했다.
Excellent: SEM 사진에 있어서, L/S가 2㎛/2㎛인 3개의 패턴이 형성되어 있는 것이 확인되는 경우.
Good: SEM 사진에 있어서, 3개의 패턴에 L/S가 2㎛/2㎛가 아닌 패턴도 포함되어 있지만, 3개의 패턴이 형성되어 있는 것이 확인되는 경우.
Bad: SEM 사진에 있어서, 3개의 패턴이 형성되지 않고, 찌그러져 있는 형상의 패턴이 형성되어 있는 것이 확인되는 경우.
콘트라스트 커브
포토리소그래피 시험에 있어서, 실시예 및 비교예의 각 감광성 수지 조성물을 사용하여, 시료별로 자외선의 조사선량(mJ/㎠)을 변화시키고, 경화물을 얻었다. 조사선량별로, 자외선 조사 전의 감광성 수지 조성물의 박막의 막두께에 대한 자외선 조사 후의 경화물의 막두께의 비인 막두께비를 측정했다. 조사선량과 막두께비의 관계를 플롯했다. 자외선 조사 전의 감광성 수지 조성물의 박막의 막두께는 상술한 바와 같이 13㎛이다. 자외선 조사 후의 경화물의 막두께는 이하와 같이 측정되었다. 즉, 시료에 형성된 3개의 패턴 중 1개의 단면을, SEM으로 관찰 및 촬영했다. 이 촬영에 의해 얻어진 단면 SEM 사진으로부터, 실리콘 웨이퍼 표면부터 패턴의 꼭대기부까지의 두께를 도출하고, 이 두께를 경화물의 막두께로서 측정했다. 이상적인 콘트라스트 커브에서는, 일정한 양 이하의 조사선량에서는 감광성 수지 조성물이 반응하지 않고, 조사선량이 일정량을 초과하면 급속히 반응이 진행되어, 조사선량에 대한 막두께비의 상승이 급격하다. 또한, 이상적인 콘트라스트 커브에서는, 그 후, 조사선량이 더욱 증가해도, 막두께비가 일정하고, 반응이 포화에 도달하고 있는 것을 확인할 수 있다. 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물을 경화시켰을 때에 있어서의 조사선량과 막두께비의 관계를 나타내는 콘트라스트 커브를 이하와 같이 평가했다.
Excellent: 조사선량과 막두께비의 관계를 나타내는 콘트라스트 커브에 있어서, 조사선량이 30mJ/㎠ 이하에서는, 막두께비가 0에 가까운 상태이고, 조사선량이 30mJ/㎠를 초과하여 50mJ/㎠에서 100mJ/㎠로까지 증가하는 동안에, 막두께비가 40％ 이상 증가하는 경우.
Good: 조사선량과 막두께비의 관계를 나타내는 콘트라스트 커브에 있어서, 조사선량이 30mJ/㎠ 이하에서는 막두께비가 1∼10％이고, 조사선량이 30mJ/㎠를 초과하여 50mJ/㎠에서 100mJ/㎠로까지 증가하는 동안에, 막두께비가 40％ 이상 증가하는 경우.
Bad: 조사선량과 막두께비의 관계를 나타내는 콘트라스트 커브에 있어서, 조사선량이 30mJ/㎠ 이하여도 막두께비가 10％를 초과하고 있고, 조사선량이 30mJ/㎠를 초과하여 50mJ/㎠에서 100mJ/㎠로까지 증가해도, 막두께비의 증가가 40％ 미만인 경우.
비유전율(ε), 유전 정접(tanδ)
측정 시료를 다음과 같이 제작했다.
감광성 수지 조성물을 지지체에 도포하고, 대기 분위기하, 120℃에서 5분간, 전열처리(소프트 베이크)를 행하여, 가열에 의해서 감광성 수지 조성물을 건조시켰다. 이에 의해, 막두께 13㎛의 감광성 수지 조성물의 박막을 얻었다.
스플릿트 포스트 유전 공진기(SPDR)에 의해, 유전체 공진 주파수 10GHz로, 측정 시료의 비유전율(ε) 및 유전 정접(tanδ)을 측정했다. 비유전율(ε)은 바람직하게는 1.5∼3.3이고, 보다 바람직하게는 1.5∼2.8이다. 유전 정접(tanδ)은 바람직하게는 0.001∼0.010이다.
Figure pct00012
Figure pct00013
Figure pct00014
표 1∼3에 나타내는 바와 같이, 실시예 1∼12의 감광성 수지 조성물은 성막성(필름화) 및 패터닝성이 우수하다. 또한, 실시예 1∼12의 감광성 수지 조성물은 자외선 조사에 의해 충분히 경화하고, 현상 후의 막 감소가 억제된 경화물이 얻어졌다. 또한, 실시예 1∼12의 감광성 수지 조성물은 낮은 비유전율(ε) 및 유전 정접(tanδ)을 갖고, 고주파 영역에서 사용되는 경우의 전기적 특성이 양호했다. 실시예 1∼12의 감광성 수지 조성물에서는, 조사선량에 대한 막두께비의 관계를 나타내는 콘트라스트 커브가, 이상적인 콘트라스트 커브에 가까웠다. 즉, 이들 콘트라스트 커브에서는, 일정량 이하의 조사선량에서는 감광성 수지 조성물의 반응이 진행되기 어렵고, 조사선량이 일정량을 초과하면 급속히 반응이 진행되어, 막두께비의 상승이 급격하며, 그 후, 조사선량이 더욱 증가해도 막두께비가 일정해졌다. 이 때문에, 실시예 1∼12의 감광성 수지 조성물에 의하면, 포토리소그래피에 의해, L/S가 2㎛/2㎛ 이하인 미세하고 정확한 패턴을 형성할 수 있었다.
도 2는 실시예 6, 7, 및 12의 감광성 수지 조성물을 사용하여 얻어진 각 경화물에 대한 콘트라스트 커브를 나타내는 그래프이다. 이 콘트라스트 커브는 1회 50초의 현상 처리 및 2회 50초의 현상 처리를 행한 경우의 조사선량에 대한 막두께비의 관계를 나타낸다. 1회 50초의 현상 처리 및 2회 50초의 현상 처리를 행한 경우에도, 동일한 실시예의 감광성 수지 조성물은 동일한 경향의 콘트라스트 커브를 나타내는 것을 확인할 수 있었다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 실시예 6의 감광성 수지 조성물은 이상적인 콘트라스트 커브에 가까운 콘트라스트 커브를 나타냈다. 즉, 실시예 6의 콘트라스트 커브에서는, 일정량 이하의 조사선량에서는 감광성 수지 조성물의 반응이 진행되기 어렵고, 조사선량이 일정량을 초과하면 반응이 진행되며, 그 후, 조사선량이 더욱 증가해도 막두께비가 일정해졌다. 실시예 7의 감광성 수지 조성물은 이상적인 콘트라스트 커브에 보다 가까운 콘트라스트 커브를 나타냈다. 즉, 실시예 7의 콘트라스트 커브에서는, 일정량 이하의 조사선량에서는 감광성 수지 조성물의 반응이 진행되기 어렵고, 조사선량이 일정량을 초과하면 급속히 반응이 진행되어, 막두께비의 상승이 급격하며, 그 후, 조사선량이 더욱 증가해도 막두께비가 일정해졌다. 실시예 12의 감광성 수지 조성물은 성분 (D)의 2관능 아크릴 수지를 포함하기 때문에, 자외선 조사에 의해, 이상적인 콘트라스트 커브에 가까운 콘트라스트 커브를 나타냈다. 즉, 실시예 12의 콘트라스트 커브에서는, 경화가 급속히 진행된 후에도, 아직 반응하지 못한 성분 (A)와 성분 (D)가 반응하여, 완만하게 막두께비가 증가했다.
표 1 및 3에 나타내는 바와 같이, 비교예 1∼4의 감광성 수지 조성물은 이상적인 콘트라스트 커브에 가까운 콘트라스트 커브를 나타내지 않았다. 비교예 2의 감광성 수지 조성물은 성분 (A)의 PPE를 포함하지 않기 때문에, 성막성 및 패터닝성이 열악했다. 비교예 3 및 4의 감광성 수지 조성물은 성분 (D)의 2관능 아크릴 수지를 포함하지만, 성분 (B)의 실세스퀴옥산 화합물을 포함하지 않는다. 이 때문에, 조사선량이 일정한 양을 초과해도, 반응이 급속히는 진행되지 않고, 이상적인 콘트라스트 커브에 가까운 콘트라스트 커브가 얻어지지 않았다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 비교예 1의 감광성 수지 조성물은 성분 (B)의 실세스퀴옥산 화합물을 포함하지 않는다. 이 때문에, 조사선량이 30mJ/㎠ 이하여도, 경화가 진행되어, 막두께비가 증가하고 있다. 또한, 조사선량이 30mJ/㎠를 초과하여 50mJ/㎠에서 100mJ/㎠로까지 증가해도, 반응이 그만큼 급속히는 진행되지 않고, 막두께비의 증가가 30％ 미만이었다. 따라서, 막두께비가 일정하게 도달할 때까지, 조사선량을 다량으로 조사해야 한다. 이와 같이, 비교예 1의 감광성 수지 조성물은 이상적인 콘트라스트 커브에 가까운 콘트라스트 커브를 나타내지 않았다.
본 개시의 일 양태에 따른 감광성 수지 조성물은 고온 열처리를 필요로 하지 않고, 배선용 절연 재료로서 사용 가능하다. 이 감광성 수지 조성물은 예를 들면, 배선 구조체의 재배선층을 형성하기 위한 절연층용 재료 및 층간 접착 필름에 사용될 수 있다. 또한, 본 개시의 일 양태에 따른 감광성 수지 조성물은 전자 부품, 반도체 장치, 카메라 모듈, 혹은 이미지 센서 모듈을 구성하는 부품의 접착 및 봉지에 사용될 수 있다.

Claims (14)

  1. 하기 성분 (A)∼(C):
    (A) 하기 식 (1):
    Figure pct00015

    [식 중, R1∼R3은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 또는 알키닐기를 나타내고,
    X는 q가의 비치환 또는 치환 방향족 탄화수소기를 나타내며,
    Y는 하기 식 (2):
    Figure pct00016

    [식 중, R4∼R7은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 또는 알케닐카르보닐기를 나타낸다]
    로 나타내는 비치환 또는 치환 페놀 반복 단위를 나타내고,
    m은 1∼100의 정수를 나타내며,
    n은 1∼6의 정수를 나타내고,
    q는 1∼4의 정수를 나타낸다]
    로 나타내는 변성 폴리페닐렌에테르수지,
    (B) 하기 식 (3):
    Figure pct00017

    으로 나타내는 화합물, 및
    (C) 광중합 개시제
    를 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    (D) 하기 식 (4):
    Figure pct00018

    [식 중, 각각의 Ra는 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고,
    각각의 Rb는 독립적으로 2가의 탄화수소기를 나타내며,
    x 및 y는 각각 독립적으로 1∼5의 정수를 나타낸다]
    로 나타내는 2관능 아크릴 수지를 추가로 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 성분 (C)가 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제, 옥심에스테르계 광중합 개시제, 및 알킬페논계 광중합 개시제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, 감광성 수지 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성분 (A)와 상기 성분 (B)의 합계량에 대한, 상기 성분 (A)의 질량비가 0.10∼0.99인, 감광성 수지 조성물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성분 (C)의 함유량이 감광성 수지 조성물 100질량％에 대해, 1.0∼20.0질량％인, 감광성 수지 조성물.
  6. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성분 (B)와 상기 성분 (D)의 합계량에 대한, 상기 (D) 성분의 질량비가 0.01∼0.99인, 감광성 수지 조성물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    (E) 결정성 또는 비결정성 열가소성 수지(단, 2관능 아크릴 수지를 제외한다)를 추가로 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 성분 (E)가 액정 폴리머, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리아세탈, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리페닐렌설피드, 폴리에테르케톤, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리메타크릴산메틸, 아크릴로니트릴·부타디엔·스티렌, 폴리카보네이트, 폴리에테르설폰, 폴리에테르이미드, 및 폴리아미드이미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인, 감광성 수지 조성물.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    재배선층을 포함하는 배선 구조체의 형성용인, 감광성 수지 조성물.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 감광성 수지 조성물을 경화시킴으로써 얻어진 경화물.
  11. 제 10 항의 경화물을 포함하는 배선 구조체.
  12. 제 10 항의 경화물을 포함하는 전자 부품.
  13. 제 10 항의 경화물을 포함하는 반도체 장치.
  14. 제 10 항의 경화물을 포함하는 카메라 모듈.
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