WO2022004285A1 - 感光性樹脂組成物、その硬化物、及びその硬化物を含む配線構造体 - Google Patents

感光性樹脂組成物、その硬化物、及びその硬化物を含む配線構造体 Download PDF

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政義 大友
イルマ ジョランダ カポグリス
ニコラス チャールズ クラスコ
フランク アンソニー レティシアＩｉｉ
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Definitions

  • One aspect of the present disclosure relates to a photosensitive resin composition, a cured product thereof, a wiring structure containing the cured product, an electronic component, a semiconductor device, and a camera module.
  • Wiring in wiring structures that make up electronic components such as integrated circuits has been significantly miniaturized.
  • the distance between the external terminals for connecting the semiconductor chip included in the wiring structure to the external wiring is also extremely narrow. It is difficult to narrow the distance between external terminals below a certain level. Therefore, a rewiring layer such as copper is arranged on the surface of the semiconductor chip, and an external terminal such as a bump is arranged on the rewiring layer. This maintains a particular spacing between the external terminals.
  • An insulating film made of an insulating material is formed between the surface of the semiconductor chip and the rewiring layer, and between the rewiring layer and the UBM (Under Bump Metallurgy) layer on which the bumps are arranged.
  • a method of forming an insulating layer for arranging the rewiring layer a method of patterning by photolithography is adopted.
  • a photosensitive resin composition is used as an insulating material for forming an insulating layer of a wiring structure.
  • Patent Document 1 discloses a photosensitive resin composition for a photospacer, which comprises a polymerizable compound, a binder, and a photopolymerization initiator.
  • the polymerizable compound has a group having a bridged ring structure and a group having an ethylenically unsaturated bond.
  • Patent Document 2 discloses a coating composition arranged in an optical fiber or an optical plate waveguide.
  • the coating composition comprises a silsesquioxane component, which has one or more reactive functional groups that can be cured using UV irradiation.
  • Patent Document 3 discloses a rewiring layer containing copper, an insulating layer containing polyimide or polybenzoxazole, and a multilayer body containing a copper oxide layer.
  • Patent Document 4 discloses a photosensitive resin material.
  • This photosensitive resin material contains an alkali-soluble resin, a photosensitive agent, and a carboxyimide compound having a molecular structure having a dicarboxyimide structure in order to improve the adhesion to the rewiring metal.
  • the material used for the wiring structure is required not only to suppress the deformation of the pattern but also to suppress the film loss in the developing process after patterning.
  • electronic components are also required to have high speed transmission signals, and the high frequency of transmission signals is remarkably increasing. Therefore, the material used for the wiring structure of electronic components also has excellent electrical characteristics (low dielectric constant ( ⁇ ), low dielectric loss tangent (tan ⁇ )) in the high frequency region, specifically, in the frequency region of 1 GHz to 10 GHz. ) Is required.
  • one object of the present disclosure is to provide the following photosensitive resin composition, a cured product thereof, a wiring structure containing the cured product, an electronic component, a semiconductor device, and a camera module. ..
  • This photosensitive resin composition is cured by irradiation with active energy rays, not by heat treatment at a high temperature of, for example, 150 ° C. or higher.
  • film loss is suppressed even after the developing step.
  • photolithography makes it possible to accurately form fine patterns.
  • the means for solving the above problems are as follows.
  • the present disclosure includes the following aspects.
  • the component (C) is at least one selected from the group consisting of an acylphosphine oxide-based photopolymerization initiator, an oxime ester-based photopolymerization initiator, and an alkylphenone-based photopolymerization initiator [1]. ] Or the photosensitive resin composition according to [2]. [4] Any of [1] to [3], wherein the mass ratio of the component (A) to the total amount of the component (A) and the component (B) is 0.10 to 0.99. The photosensitive resin composition according to. [5] The description according to any one of [1] to [4], wherein the content of the component (C) is 1.0 to 20.0% by mass with respect to 100% by mass of the photosensitive resin composition.
  • Photosensitive resin composition Any of [2] to [5], wherein the mass ratio of the component (D) to the total amount of the component (B) and the component (D) is 0.01 to 0.99.
  • the photosensitive resin composition according to. [7] The photosensitive resin composition according to any one of [1] to [6], further comprising (E) a crystalline or amorphous thermoplastic resin (however, a bifunctional acrylic resin is excluded).
  • the component (E) is a liquid crystal polymer, polyethylene, polypropylene, polyacetal, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyphenylene sulfide, polyether ketone, polytetrafluoroethylene, polyvinyl chloride, polystyrene, methyl polymethacrylate, acrylonitrile.
  • the following photosensitive resin composition a cured product obtained by curing the photosensitive resin composition, a wiring structure containing the cured product, an electronic component, a semiconductor device, and a camera module are provided.
  • This photosensitive resin composition is cured by irradiation with active energy rays, not by heat treatment at a high temperature of, for example, 150 ° C. or higher.
  • film loss is suppressed even after development by photolithography. Furthermore, it is possible to accurately form fine patterns.
  • a cured product obtained by curing the photosensitive resin composition a wiring structure containing the cured product, an electronic component, a semiconductor device, and a camera module.
  • the embodiments shown below are examples for embodying the technical idea of the present disclosure.
  • the technical idea of the present disclosure is not limited to the photosensitive resin composition shown below, a cured product obtained by curing the photosensitive resin composition, a wiring structure containing the cured product, an electronic component, a semiconductor device, and a camera module. ..
  • the photosensitive resin composition according to the first embodiment of the present disclosure is a specific modified polyphenylene ether represented by the formulas (1) and (2) (hereinafter referred to as “component (A)”).
  • component (B) the compound represented by the formula (3) (hereinafter, may be referred to as “component (B)”)
  • component (C) the photopolymerization initiator (hereinafter, “component (hereinafter”). C) ”may be described.) Is included.
  • the photosensitive resin composition contains the modified polyphenylene ether of the component (A). Therefore, the relative permittivity ( ⁇ ) of the photosensitive resin composition is 3.0 or less, and the dielectric loss tangent (tan ⁇ ) is 0.01 or less.
  • the photosensitive resin composition has such a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent. Therefore, by using the photosensitive resin composition, a cured product having good electrical characteristics when used in a high frequency region can be obtained.
  • the photosensitive resin composition does not require heat treatment at a high temperature of, for example, 150 ° C. or higher in order to obtain a cured product. Therefore, in the cured product obtained by curing the photosensitive resin composition, deformation due to shrinkage caused by heat treatment at a high temperature of 150 ° C. or higher is unlikely to occur.
  • the photosensitive resin composition contains the compound of the component (B).
  • the reaction when the photosensitive resin composition is irradiated with active energy rays (for example, ultraviolet rays), the reaction is difficult to proceed at an irradiation dose of a certain amount or less.
  • active energy rays for example, ultraviolet rays
  • the reaction proceeds rapidly, the photosensitive resin composition is sufficiently cured, and a cured product in which film loss after development is suppressed can be obtained.
  • the contrast curve for the photosensitive resin composition is obtained by plotting the film thickness ratio with respect to the irradiation dose of the active energy rays.
  • the film thickness ratio is the ratio of the film thickness of the cured product after development to the film thickness of the photosensitive resin composition at the time of application. Since the photosensitive resin composition contains the component (A), the component (B) and the component (C), in this photosensitive resin composition, the reaction of the photosensitive resin composition proceeds when the irradiation dose is a certain amount or less. It is difficult, and when the irradiation dose exceeds a certain amount, the reaction proceeds rapidly. Therefore, this photosensitive resin composition exhibits a contrast curve close to the ideal contrast curve as shown below.
  • the rise of the film thickness ratio is steep, and then the film film ratio becomes constant even if the irradiation dose increases.
  • the photosensitive resin composition exhibits a contrast curve close to an ideal contrast curve by containing the component (A), the component (B), and the component (C). Therefore, by using this photosensitive resin composition, it is possible to form a fine and accurate pattern having an L / S of 2 ⁇ m / 2 ⁇ m or less by photolithography.
  • the component (A) modified polyphenylene ether photosensitive resin composition is (A) the following formula (1) :.
  • R 1 to R 3 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an alkynyl group, respectively.
  • X represents a q-valent unsubstituted or substituted aromatic hydrocarbon group.
  • Y is the following formula (2): [In the formula, R 4 to R 7 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an alkenylcarbonyl group.
  • n represents an integer from 1 to 6 and represents q represents an integer of 1 to 4.
  • This PPE resin may be referred to as a component (A) or a PPE resin of the component (A).
  • a hydrocarbon group having an x-value refers to a group having an x-value generated by removing x hydrogen atoms from a carbon atom of a hydrocarbon. Therefore, the q-valent unsubstituted or substituted aromatic hydrocarbon group is generated by removing 1 to 4 hydrogen atoms from the carbon atoms of the aromatic hydrocarbon which may or may not be substituted. Refers to a tetravalent group.
  • alkyl group means a monovalent saturated hydrocarbon group.
  • the alkyl group is preferably a C 1 -C 10 alkyl group, more preferably a C 1 -C 6 alkyl group, more preferably a C 1 -C 4 alkyl group, particularly preferably a C 1 -C 2 alkyl group.
  • Examples of such an alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group and the like.
  • alkenyl group means a monovalent unsaturated hydrocarbon group having at least one carbon-carbon double bond.
  • an alkenyl group preferably a C 2 -C 10 alkenyl group, more preferably a C 2 -C 6 alkenyl group, more preferably a C 2 -C 4 alkenyl group.
  • alkenyl group include an ethenyl group (vinyl group), a 1-propenyl group, a 2-propenyl group, a 1-butenyl group, a 2-butenyl group, an isobutenyl group, a 1-pentenyl group, a 1-hexenyl group and the like.
  • alkynyl group means a monovalent unsaturated hydrocarbon group having at least one carbon-carbon triple bond.
  • an alkynyl group preferably a C 2 -C 10 alkynyl group, more preferably a C 2 -C 6 alkynyl group, more preferably C 2 -C 4 alkynyl group.
  • alkynyl group include an ethynyl group, a 1-propynyl group, a 2-propynyl group, a butynyl group, an isobutynyl group, a pentynyl group, a hexynyl group and the like.
  • alkenylcarbonyl group means a carbonyl group substituted with the above alkenyl group, and examples thereof include an acryloyl group and a methacryloyl group.
  • the portion represented by-(Y) m- corresponds to the main chain of the PPE resin.
  • R 4 and R 6 in the unsubstituted or substituted phenol repeating unit Y represent a hydrogen atom
  • R 5 and R 7 represent a methyl group.
  • One end of the portion represented by ⁇ (Y) m ⁇ is bonded to the aromatic hydrocarbon group X via an oxygen atom.
  • n in equation (1) is an integer of 1 to 4.
  • n in formula (1) is 1 or 2.
  • n in equation (1) is 1.
  • R 1 to R 3 in the formula (1) are all hydrogen atoms.
  • the number m of Y of the repeating unit of the formula (1) is preferably 1 to 80, more preferably 1 to 30, and further preferably 1 to 5.
  • q portions represented by ⁇ (Y) m ⁇ are bonded to the aromatic hydrocarbon group X of the formula (1) via an oxygen atom.
  • q is 2 or 3. More preferably, q is 2.
  • X is preferably expressed by the following formula: Wherein, R 11 ⁇ R 18 each independently represent a hydrogen atom or a C 1 -C 6 alkyl group having a structure represented by. X is more preferably the following formula: It has a structure represented by.
  • the number average molecular weight of the component (A) is preferably 500 or more and 5000 or less. If the number average molecular weight of the component (A) is too small, the toughness of the cured product obtained by curing the photosensitive resin composition may decrease. On the other hand, if the number average molecular weight of the component (A) is too large, the compatibility of the component (A) with other components (for example, a solvent added arbitrarily) may decrease.
  • the number average molecular weight of the component (A) is more preferably 750 or more and 3000 or less, and further preferably 1000 or more and 2500 or less.
  • the number average molecular weight of component (A) can be measured, for example, by gel permeation chromatography.
  • the content of the component (A) in the photosensitive resin composition is preferably 30.0 to 98.0% by mass, more preferably 35.0 to 97, based on 100% by mass of the photosensitive resin composition. It is 9.0% by mass, more preferably 40.0 to 96.0% by mass, and particularly preferably 45.0 to 95.0% by mass.
  • the content of the component (A) in 100% by mass of the photosensitive resin composition is 30.0 to 98.0% by mass, it is a cured product having a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, that is, in a high frequency region. A cured product with good electrical properties suitable for use is obtained.
  • component (A) a commercially available product can be used.
  • a commercially available product of the component (A) for example, OPE 2St 1200 (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.) can be used.
  • Component (A) can be prepared by a known method.
  • the component (A) can be prepared by the following method. In this method, a suitable q-valent phenol (2,2', 3,3', 5) having a structure represented by X- (OH) q (where X and q have the same meanings as described above).
  • R 4 to R 7 have the same meanings as described above.
  • An appropriate monovalent phenol (2,6-dimethylphenol, etc.) having a structure represented by is used.
  • the method comprises preparing a polyphenylene ether resin having a hydroxyl group at the terminal by oxidatively copolymerizing these phenols by a known method. Further, this method comprises modifying the resulting resin by reaction with a suitable denaturing agent (eg, chloromethylstyrene).
  • a suitable denaturing agent eg, chloromethylstyrene
  • the photosensitive resin composition is (B) the following formula (3): Includes compounds represented by.
  • the compound represented by the formula (3) is a compound having a specific cage-type silsesquioxane structure and having eight (meth) acryloylalkyl groups, specifically an acryloyloxypropoxy group.
  • the compound represented by the formula (3) of the component (B) may be described as the silsesquioxane compound of the component (B).
  • the molecular weight of the silsesquioxane compound of the component (B) is preferably 2000 or less, and more preferably 1000 to 2000.
  • the mass ratio (A / A + B) of the component (A) to the total amount of the component (A) and the component (B) is preferably 0.10 to 0.99, more preferably 0. It is .20 to 0.98, more preferably 0.30 to 0.97, even more preferably 0.40 to 0.96, and particularly preferably 0.50 to 0.96.
  • the photosensitive resin composition when the mass ratio (A / A + B) of the component (A) to the total of the component (A) and the component (B) is in the range of 0.10 to 0.99, the photosensitive resin composition By irradiating the object with active energy rays (for example, ultraviolet rays), a cured product in which film loss after development is suppressed can be obtained. Further, by using the photosensitive resin composition, it is possible to form a fine and accurate pattern having an L / S of 2 ⁇ m / 2 ⁇ m or less by photolithography.
  • / A + B + D) is also preferably 0.10 to 0.99, more preferably 0.20 to 0.98, still more preferably 0.30 to 0.97, and even more preferably 0.40. It is about 0.96, and particularly preferably 0.50 to 0.96.
  • the content of the component (B) in the photosensitive resin composition is preferably 1.0 to 60.0% by mass, more preferably 2.0 to 58, based on 100% by mass of the photosensitive resin composition. It is 0.0% by mass, more preferably 3.0 to 55.0% by mass, and particularly preferably 4.0 to 50.0% by mass.
  • heat treatment at a high temperature of, for example, 150 ° C. or higher is not required, and the photosensitive resin composition does not require heat treatment.
  • active energy rays for example, ultraviolet rays
  • a cured product in which film loss after development is suppressed can be obtained.
  • the component (B) a commercially available product can be used.
  • the commercially available product of the component (B) include the POSS (Polyhedral Oligomeric silsesquioxane, polyhedral oligomer) series manufactured by Hybrid.
  • POSS Polyhedral Oligomeric silsesquioxane, polyhedral oligomer
  • MA0736 Acrylo POSS Cage Mixture MA0736 (manufactured by Hybrid Plastic Inc.) can be used.
  • the photosensitive resin composition contains (C) a photopolymerization initiator.
  • the component (C) may be a compound that generates a radical that causes the component (A), the component (B), and, if necessary, the component (D) to react by irradiating with an active energy ray.
  • the active energy ray includes all radiation such as ⁇ -ray and ⁇ -ray, electromagnetic wave such as ⁇ -ray and X-ray, electron beam (EB), and light in a broad sense such as visible light of about 100 to 400 nm. , Preferably ultraviolet light.
  • the component (C) one kind of photopolymerization initiator may be used, or two or more kinds of photopolymerization initiators may be used in combination.
  • an oxime ester-based polymerization initiator and an acylphosphine oxide are used to accelerate the reaction of the component (A), the component (B) and, if necessary, the component (D) by irradiation with active energy rays. It is preferable to use at least one selected from the group consisting of the system polymerization initiator and the alkylphenone-based polymerization initiator.
  • oxime ester-based polymerization initiators include 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazole-3-yl] -etanone-, 1- (O-acetyloxime), and Examples thereof include 1,2-octadione, 1- [4- (phenylthio) phenyl]-, 2- (o-benzoyloxime) and the like.
  • acylphosphine oxide-based polymerization initiator examples include bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenyl-phosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide and the like.
  • alkylphenone-based polymerization initiator examples include 2-benzyl-2- (dimethylamino) -4'-morpholinobtyrophenone.
  • the content of the component (C) in the photosensitive resin composition is preferably 1.0 to 20.0% by mass, more preferably 3.0 to 18% with respect to 100% by mass of the photosensitive resin composition. It is 0.0% by mass, more preferably 5.0 to 15.0% by mass.
  • heat treatment at a high temperature of, for example, 150 ° C. or higher is not required, and the photosensitive resin composition does not require heat treatment.
  • a cured product is obtained by irradiation with active energy rays (for example, ultraviolet rays).
  • ком ⁇ онент (C) a commercially available product can be used.
  • Commercially available products of the component (C) include, for example, Irgure OXE-01 (manufactured by BASF), Irgacure OXE-02 (manufactured by BASF), Omnirad 819 (formerly Irgacure 819) (manufactured by IGM Resins BV), and Omnird. 369 (formerly Irgure 369) (manufactured by IGM Resins BV) and the like can be used.
  • Component (D) Bifunctional acrylic resin
  • the photosensitive resin composition is (D) the following formula (4): Wherein each R a is, independently represent a hydrogen atom or a methyl group, Each R b independently represents a divalent hydrocarbon group. x and y each independently represent an integer of 1 to 5. ] It is preferable to further contain a bifunctional acrylic resin represented by. This bifunctional acrylic resin may be referred to as a component (D) or a bifunctional acrylic resin of the component (D).
  • R b in the formula (4) is a methylene group or a p-phenylene group independently.
  • R b may be a methylene group and Ra may be a methyl group.
  • R b in the above formula (4) may be a phenylene group and Ra may be a hydrogen atom.
  • the photosensitive resin composition contains the bifunctional acrylic resin of the component (D)
  • active energy rays for example, ultraviolet rays
  • a reaction occurs at an irradiation dose of a certain amount or less. It's hard to proceed. With an irradiation dose exceeding a certain amount, the reaction proceeds rapidly, and the component (D) sufficiently reacts with the component (A) together with the component (B), resulting in a cured product in which film loss after development is further suppressed. can get.
  • the component (D) is bifunctional, that is, has two acryloyl groups, so that the component (A) and the component (B) react rapidly even if the component (A) has a low molecular weight, for example.
  • the component (A) that has not yet reacted reacts with the component (D). Therefore, it is possible to obtain a cured product in which the formability of the pattern by photolithography is good and the film loss after development is further suppressed.
  • the photosensitive resin composition contains the component (D)
  • a monofunctional acrylic resin having one acryloyl group in one molecule after the component (A) and the component (B) have reacted, the reaction between the unreacted component (A) and the monofunctional acrylic resin proceeds.
  • film loss may occur after development. Even in a polyfunctional acrylic resin having three or more acryloyl groups in one molecule, the number of functional groups is too large, and after the component (A) and the component (B) have reacted, the component (A) has not completely reacted. The reaction with the polyfunctional acrylic resin having three or more acryloyl groups in one molecule does not proceed, and film loss may occur after development.
  • the component (D) examples include ethoxylated bisphenol A diacrylate (diacrylate of bisphenol A bonded with (poly) ethylene glycol) and propoxylated bisphenol A diacrylate (bisphenol A bonded with (poly) propylene glycol).
  • Diacrylate ethoxylated neopentyl glycol diacrylate (diacrylate of neopentyl glycol bonded with (poly) ethylene glycol), and propoxylated neopentyl glycol diacrylate (neopentyl glycol bonded with (poly) propylene glycol).
  • Diacrylate Diacrylate
  • the bifunctional acrylic resin of these components (D) one kind of resin may be used, or two or more kinds of resins may be used in combination.
  • the mass ratio (D / B + D) of the component (D) to the total amount of the component (B) and the component (D) is preferably 0.01 to 0.99, more preferably 0.01 to 0.99. It is 0.02 to 0.80, more preferably 0.03 to 0.70, and even more preferably 0.04 to 0.60.
  • the mass ratio (D / B + D) of the component (D) to the total amount of the component (B) and the component (D) is in the range of 0.01 to 0.99. If it is, the film forming property of the photosensitive resin composition is good. Therefore, by irradiating the photosensitive resin composition with active energy rays (for example, ultraviolet rays), a cured product in which film loss after development is further suppressed can be obtained.
  • active energy rays for example, ultraviolet rays
  • the content of the component (D) in the photosensitive resin composition is preferably 59.0% by mass or less, more preferably 1.0 to 57.0% by mass, based on 100% by mass of the photosensitive resin composition. %, More preferably 3.0 to 55.0% by mass, and even more preferably 5.0 to 50.0% by mass.
  • the photosensitive resin composition contains the component (D)
  • the film-forming property of the photosensitive resin composition is 59.0% by mass. Is good. Therefore, by irradiating the photosensitive resin composition with active energy rays (for example, ultraviolet rays), a cured product in which film loss after development is further suppressed can be obtained.
  • component (D) a commercially available product can be used.
  • Commercially available products of the component (D) include, for example, ethoxylated (4) bisphenol A diacrylate SR601 (manufactured by Sartomer Chemical Co.) and propoxylated (2) neopentyl glycol diacrylate SR9003B (manufactured by Sartomer Chemcal Co.). )
  • Component (D) can be prepared by a known method. For example, reacting a suitable diol compound having a structure represented by (CH 3 ) 2 (CR b OH) 2 (where R b has the same meaning as described above) with acrylic acid or a derivative thereof.
  • the component (D) can be prepared by the method including.
  • the photosensitive resin composition further contains the component (E) crystalline or amorphous thermoplastic resin (excluding the bifunctional acrylic resin). You may.
  • This thermoplastic resin may be referred to as a component (E) or a thermoplastic resin of the component (E).
  • the photosensitive resin composition contains the thermoplastic resin of the component (E), for example, the temperature characteristics of the photosensitive resin composition can be improved, and the moldability of the photosensitive resin composition can be improved. Can be done.
  • thermoplastic resin of the component (E) examples include at least one from the group consisting of liquid crystal polymers, polyethylene, polypropylene, polyacetal, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyphenylene sulfide, polyether ketone, and polytetrafluoroethylene.
  • amorphous thermoplastic resin of the component (E), which includes seeds examples include polyvinyl chloride, polystyrene, methyl polymethacrylate, acrylonitrile-butadiene-styrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyetherimide, and the like. At least one selected from the group consisting of polyamideimide is mentioned.
  • the thermoplastic resin of the component (E) one kind of resin may be used, or two or more kinds of resins may be used in combination.
  • the content of the component (E) in the photosensitive resin composition is preferably 40.0% by mass or less, preferably 1.0 to 35.0% by mass, based on 100% by mass of the photosensitive resin composition. It is more preferably 2.0 to 30.0% by mass, further preferably 3.0 to 25.0% by mass, and even more preferably 5.0 to 20.0% by mass.
  • the content of the component (E) in 100% by mass of the photosensitive resin composition is 40.0% by mass or less, the film is reduced after development due to irradiation of the photosensitive resin composition with active energy rays (for example, ultraviolet rays). A cured product in which is suppressed is obtained. Further, other characteristics such as temperature characteristics and moldability of the photosensitive resin composition can be improved.
  • the photosensitive resin composition may contain a coupling agent.
  • a coupling agent is a compound having two or more different functional groups in one molecule. One is a functional group that chemically bonds with an inorganic material, and the other is a functional group that chemically bonds with an organic material.
  • the coupling agent may be referred to as a component (F) or a coupling agent of the component (F).
  • Examples of the coupling agent of the component (F) include at least one selected from the group consisting of a silane coupling agent, an aluminum coupling agent, and a titanium coupling agent.
  • a silane coupling agent an aluminum coupling agent
  • a titanium coupling agent a silane coupling agent
  • one kind of coupling agent may be used, or two or more kinds of coupling agents may be used in combination.
  • the component (F) is preferably a silane coupling agent.
  • the functional group of the silane coupling agent include an alkoxy group, a vinyl group, an epoxy group, a styryl group, a methacrylic group, an acrylic group, an amino group, an isocyanurate group, a ureido group, a mercapto group, a sulfide group, and an isocyanate group. Can be mentioned.
  • the content of the component (F) in the photosensitive resin composition is preferably 30.0% by mass or less, more preferably 0.10 to 30.0% by mass, based on 100% by mass of the photosensitive resin composition. %, More preferably 0.20 to 20.0% by mass, still more preferably 0.50 to 10.0% by mass, and particularly preferably 0.80 to 3.0% by mass or less. ..
  • the photosensitive resin composition contains the component (F)
  • the photosensitive resin composition and other components are used. Good adhesion to the material. Examples of other materials include substrates and the like.
  • the component (F) a commercially available product can be used.
  • Commercially available products of the component (F) include, for example, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane KBM 503, vinyltrimethoxysilane KBM 1003 (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.), and Coatsil MP200 Silane (Momentive Performance Materials). (Made in Japan) can be used.
  • a filming agent may be added to the photosensitive resin composition in order to impart flexibility.
  • the photosensitive resin composition when an insulating layer of a wiring structure is formed by using a photosensitive resin composition, if the photosensitive resin composition is made flexible by the addition of a filming agent, it becomes easy to form a film. , The film can be easily formed.
  • the film-forming agent include at least one selected from the group consisting of a phenoxy resin and an acrylic resin (excluding the bifunctional acrylic resin represented by the formula (4)).
  • the phenoxy resin include polyhydroxypolyether.
  • This polyhydroxypolyether is synthesized by a direct reaction between a divalent phenol compound and epichlorohydrin, or by an addition polymerization reaction between a divalent phenol compound and diglycidyl ether.
  • Acrylic resins (excluding bifunctional acrylic resins represented by formula (4)) are homopolymers or copolymers of acrylic acid and / or methacrylic acid or derivatives thereof (eg, esters and amides). To say.
  • the film-forming agent a commercially available product may be used.
  • filming agents include, for example, bisphenol A type phenoxy resin 4250 (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), bisphenol A type phenoxy resin Fx316 (manufactured by Nittetsu Chemical & Materials Co., Ltd.), and bisphenol A type phenoxy resin YP50 (Japan). (Manufactured by Iron Chemical & Materials Co., Ltd.) and Nanostrength® M52N (manufactured by ARKEMA), which is a polymethylmethacrylate / butylacrylamide-triblock copolymer.
  • bisphenol A type phenoxy resin 4250 manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.
  • bisphenol A type phenoxy resin Fx316 manufactured by Nittetsu Chemical & Materials Co., Ltd.
  • bisphenol A type phenoxy resin YP50 Japan
  • Nanostrength® M52N manufactured by ARKEMA
  • the photosensitive resin composition may further contain at least one additive selected from the group consisting of an ion trapping agent, a leveling agent, an antioxidant, and a stiffening agent, if necessary. Further, the photosensitive resin composition may contain a viscosity modifier, a flame retardant, a solvent and the like.
  • the photosensitive resin composition can be produced by mixing the component (A), the component (B) and the component (C).
  • the photosensitive resin composition comprises, if necessary, at least one component selected from the group consisting of the component (D), the component (E) and the component (F), the component (A), the component (B) and the component (B). It can be produced by mixing with the component (C).
  • the method for producing the photosensitive resin composition is not particularly limited.
  • the photosensitive resin composition can be produced by mixing the raw materials of each component with a mixer such as a Raikai machine, a pot mill, a three-roll mill, a hybrid mixer, a rotary mixer, or a twin-screw mixer. can. Each of these components may be mixed at the same time, some may be mixed first and the rest may be mixed later. Moreover, you may produce a photosensitive resin composition by using the said apparatus in combination as appropriate.
  • a cured product can be obtained by irradiating the photosensitive resin composition with active energy rays.
  • a uniform thin film of the photosensitive resin composition can be formed by a relatively simple film forming method such as spin coating.
  • a fine and accurate pattern is formed by patterning the thin film formed by using the photosensitive resin composition by photolithography.
  • the photosensitive resin composition can be sufficiently cured by irradiation with active energy rays. It is not necessary to treat the patterned thin film at a high temperature (for example, 150 ° C. or higher). Therefore, it is possible to suppress deformation of the wiring pattern formed by shrinkage or the like that occurs during high temperature treatment.
  • the relative permittivity ( ⁇ ) is, for example, 3.0 or less
  • the dielectric loss tangent (tan ⁇ ) is, for example, 0.01 or less. Is preferable.
  • a cured product having a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent has good electrical characteristics when used in a high frequency region, and thus can be used for electronic components or semiconductor devices used in a high frequency region. Further, when the photosensitive resin composition is irradiated with active energy rays (for example, ultraviolet rays), the reaction is difficult to proceed at an irradiation dose of a certain amount or less.
  • the photosensitive resin composition can be suitably used as a material for forming the rewiring layer (for example, a material for an insulating layer).
  • the photosensitive resin composition can be suitably used as a material for forming a wiring structure including a rewiring layer.
  • the photosensitive resin composition can also be used as an interlayer adhesive film between multilayer wirings of a wiring structure.
  • the photosensitive resin composition can be used for bonding and sealing components constituting a semiconductor device, a camera module, or an image sensor module.
  • the embodiments of the present disclosure include a photosensitive resin composition, a cured product thereof, a wiring structure containing the cured product, an electronic component including the cured product, a semiconductor device including the cured product, and a camera including the cured product thereof.
  • Modules can be provided.
  • the electronic component include an electronic component including a wiring structure used in an electronic device such as a mobile phone, a smartphone, a notebook computer, and a tablet terminal.
  • a memory device such as a D-RAM (Dynamic Random Access Memory), a processor device such as a CPU (Central Processing Unit) GPU (Graphics Processing Unit), an LED (Light Emitting Device), an LED (Light Emitting Device), and the like. (Liquid Crystal Display) and the like used as a driver IC and the like can be mentioned.
  • the method for producing the cured product can include a step of applying the photosensitive resin composition to the object, a preheat treatment (soft bake) step, a step of irradiating the active energy beam, and a developing step.
  • the object to which the photosensitive resin composition is applied may be surface-treated before the photosensitive resin composition is applied.
  • the method for producing the cured product may include a surface treatment step of the object.
  • the object may be, for example, a semiconductor wafer or the like.
  • the semiconductor wafer can be surface activated.
  • Examples of the surface activation treatment include plasma activation treatment.
  • the photosensitive resin composition is preferably applied to a surface-treated object.
  • Devices for applying the photosensitive resin composition include a screen printing machine, a dispenser, and a spin coater (for example, Headway Spinner (manufactured by Headway Research., Inc.) and WS-650-8B (manufactured by Laurell)) and the like. Can be used.
  • a spin coater for example, Headway Spinner (manufactured by Headway Research., Inc.) and WS-650-8B (manufactured by Laurell)
  • the photosensitive resin composition is applied so that a uniform thin film is formed on the surface of the object.
  • Pre-heat treatment The photosensitive resin composition applied to the object may be preheated (soft bake) before being irradiated with active energy rays.
  • the temperature of the preheat treatment may be 80 ° C. or higher and lower than 150 ° C., or 100 ° C. to 140 ° C.
  • the preheat treatment can be performed using a hot plate or a convection oven (hot air circulation type dryer).
  • the time for performing the heat treatment is 1 to 10 minutes, preferably 5 to 10 minutes.
  • Irradiation Step After the above preheat treatment performed as necessary, it is preferable to irradiate the photosensitive resin composition applied to the object with active energy rays to obtain a cured product.
  • Photolithography may be used to form a patterned cured product using a photomask.
  • the active energy ray include ultraviolet rays of 10 nm to 380 nm and visible light of 380 nm to 760 nm.
  • the wavelength of the active energy ray that cures the photosensitive resin composition is preferably 10 nm to 600 nm, more preferably 100 nm to 500 nm, still more preferably 250 nm to 450 nm, and particularly preferably 300 nm to 400 nm.
  • the atmospheric temperature at the time of irradiating the active energy ray may be 0 ° C. to 100 ° C., 10 ° C. to 50 ° C., or 15 ° C. to 35 ° C.
  • the time for irradiating the active energy ray varies depending on the volume of the object to be irradiated and the like, and is usually 5 seconds to 60 minutes.
  • a solvent may be used as a developer.
  • the solvent used as the developing solution include alcohol-based solvents, ether-based solvents, ketone-based solvents, amide-based solvents, ester-based solvents, hydrocarbon-based solvents and the like.
  • the alcohol solvent include C 1 to C 18 monoalcohol solvents such as isopropanol, 4-methyl-2-pentanol and n-hexanol , and C 2 to C 18 polyhydric alcohol solvents such as ethylene glycol. Can be mentioned.
  • ether solvent examples include dialkyl ether solvents such as diethyl ether and dipropyl ether, cyclic ether solvents such as tetrahydrofuran, and aromatic-containing ether solvents such as diphenyl ether.
  • ketone solvent examples include a chain ketone solvent such as acetone, butanone and methylisobutylketone, and a cyclic ketone solvent such as cyclopentanone and cyclohexanone.
  • amide solvent examples include cyclic amide solvents such as N, N'-dimethylimidazolidinone and N-methylpyrrolidone, and chain amide solvents such as N-methylformamide and N, N-dimethylformamide.
  • ester solvent examples include monocarboxylic acid ester solvents such as n-butyl acetate, polyhydric alcohol partially ether acetate solvents such as diethylene glycol mono-n-butyl ether acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate, and ⁇ -butyrolactone.
  • lactone-based solvents examples include lactone-based solvents.
  • hydrocarbon solvent examples include an aliphatic hydrocarbon solvent such as n-hexane and an aromatic hydrocarbon solvent such as benzene and toluene.
  • the solvent used as the developing solution it is preferable to use a ketone solvent or an ester solvent.
  • the solvent used as the developer is preferably cyclopentanone, cyclohexanone, or propylene glycol monomethyl ether acetate. After cleaning with a solvent, a cleaning (rinsing) treatment with deionized water or the like may be further performed.
  • the embodiments of the present disclosure include a photosensitive resin composition, a cured product thereof, a wiring structure containing the cured product, an electronic component including the cured product, a semiconductor device including the cured product, and a camera including the cured product thereof. Modules can be provided.
  • Modified polyphenylene ether (PPE) resin A-1 OPE 2st 1200 (represented by the formula (1), modified polyphenylene ether resin (2, 2', 3, 3', having vinyl groups at both ends, Reaction product of 5,5'-hexamethylbiphenyl-4,4'-diol, 2,6-dimethylphenol condensate and chloromethylstyrene, number average molecular weight 1160)) (manufactured by Mitsubishi Gas Chemicals, Inc.)
  • Sylsesquioxane compound B-1 Acrylo POSS Cage Mixture MA0736 (represented by the formula (3), having a cage-type squirrel-cage oxane structure, and having eight acryloyloxypropoxy groups. Included) (manufactured by Hybrid Plastic Inc.)
  • Examples 1 to 12 Comparative Examples 1 to 4 Ingredient (A), Ingredient (B), Ingredient (C), and if necessary, Ingredient (D) in the formulations shown in Tables 1 to 3, using a rotation / revolution mixer (ARE-310, Shinky Co., Ltd.).
  • the photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples were produced by mixing them.
  • a cured product constituting a wiring pattern was produced by photolithography.
  • a silicon wafer having a diameter of 150 mm was prepared as an object.
  • Each of the photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples was spin-coated on a silicon wafer using a spin coater (WS-650-8B, manufactured by Laurell).
  • the spin coater was run at 500 rpm for 12 seconds and then at 1500 rpm for 20 seconds.
  • the surface of the silicon wafer was spin-coated with the photosensitive resin composition to form a thin film.
  • the silicon wafer having the thin film of the photosensitive resin composition was subjected to preheat treatment (soft bake) at 120 ° C. for 5 minutes in an atmospheric atmosphere, and the photosensitive resin composition was dried by heating.
  • preheat treatment soft bake
  • the film thickness of the thin film of the photosensitive resin composition was measured by a stylus profiling system (DektakXT, manufactured by BRUKER). Using this sample, the following photolithography test was performed to obtain a cured product cured by photolithography.
  • Irradiation line process Photolithography test A mask (1951 USAF resolution test chart, thickness 1.5 mm, manufactured by Advance Reproductions) was placed on the surface of a thin film made of a photosensitive resin composition of a sample. The sample was irradiated with ultraviolet rays under the following conditions with the mask in close contact with the surface of the thin film. The mask is provided with a large number of rectangular areas (450 ⁇ m ⁇ 450 ⁇ m). In each of these regions, two wiring patterns in which three straight lines are lined up in parallel are formed. Two wiring patterns in which three straight lines are lined up in parallel are arranged in directions orthogonal to each other. One of these regions has a wiring pattern consisting of three straight lines with an L / S of 2 ⁇ m / 2 ⁇ m.
  • Ultraviolet irradiation conditions Ultraviolet irradiation device: Bluewave (registered trademark) QX4 (manufactured by DYMAX) (LED Heads RediCure (registered trademark) (manufactured by DYMAX) was attached as a light source.) Active energy rays: Ultraviolet rays: Wavelength 365 nm Irradiation dose: 135 mJ / cm 2 Irradiation time: 10 seconds Distance between mask and light source: 45 ⁇ m
  • Manufacture of cured product Development process After UV irradiation was completed, the mask was removed from the sample. Propylene glycol monomethyl ether acetate (2PGMEA) was used as a developing solution, and a developing treatment was performed in which the uncured photosensitive resin composition was washed away from the sample.
  • PGMEA Propylene glycol monomethyl ether acetate
  • two types of development processes were performed: one development process for 50 seconds and two development processes for 50 seconds.
  • the sample was immersed in a developing solution in an amount so that the entire sample was immersed for 50 seconds.
  • the sample was immersed in the developer for 50 seconds, then the sample was taken out from the developer and naturally dried in an air atmosphere, and then the sample was immersed in the developer again for 50 seconds. .. After the development treatment, the sample was taken out from the developer and naturally dried in the air atmosphere. As a result, a cured product having a wiring pattern structure was obtained.
  • FIG. 1 is an enlarged view showing an example of three patterns in which L / S is 2 ⁇ m / 2 ⁇ m.
  • the patterning property of each cured product according to Examples and Comparative Examples was evaluated as follows. Excellent: When it is confirmed in the SEM photograph that three patterns having L / S of 2 ⁇ m / 2 ⁇ m are formed. Good: In the SEM photograph, the three patterns include a pattern whose L / S is not 2 ⁇ m / 2 ⁇ m, but it is confirmed that the three patterns are formed. Bad: When it is confirmed in the SEM photograph that three patterns are not formed and a pattern having a crushed shape is formed.
  • the photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples were used, and the irradiation dose of ultraviolet rays (mJ / cm 2 ) was changed for each sample to obtain a cured product.
  • the film thickness ratio which is the ratio of the film thickness of the cured product after ultraviolet irradiation to the film thickness of the thin film of the photosensitive resin composition before ultraviolet irradiation, was measured. The relationship between the irradiation dose and the film thickness ratio was plotted.
  • the film thickness of the thin film of the photosensitive resin composition before irradiation with ultraviolet rays is 13 ⁇ m as described above.
  • the film thickness of the cured product after irradiation with ultraviolet rays was measured as follows. That is, a cross section of one of the three patterns formed on the sample was observed and photographed by SEM. From the cross-sectional SEM photograph obtained by this photographing, the thickness from the surface of the silicon wafer to the top of the pattern was derived, and this thickness was measured as the film thickness of the cured product.
  • the photosensitive resin composition does not react at an irradiation dose of a certain amount or less, and the reaction proceeds rapidly when the irradiation dose exceeds a certain amount, and the rise of the film thickness ratio with respect to the irradiation dose is steep. ..
  • the film thickness ratio is constant and the reaction reaches saturation even if the irradiation dose is further increased thereafter.
  • the contrast curves showing the relationship between the irradiation dose and the film thickness ratio when the photosensitive resin compositions of Examples and Comparative Examples were cured were evaluated as follows. Excellent: In the contrast curve showing the relationship between the irradiation dose and the film thickness ratio, when the irradiation dose is 30 mJ / cm 2 or less, the film thickness ratio remains close to 0, and the irradiation dose exceeds 30 mJ / cm 2 and is 50 mJ /. When the film thickness ratio increases by 40% or more while increasing from cm 2 to 100 mJ / cm 2.
  • Relative permittivity ( ⁇ ), dielectric loss tangent (tan ⁇ ) The measurement sample was prepared as follows. The photosensitive resin composition was applied to the support, preheated (soft bake) at 120 ° C. for 5 minutes in an air atmosphere, and the photosensitive resin composition was dried by heating. As a result, a thin film of a photosensitive resin composition having a film thickness of 13 ⁇ m was obtained. The relative permittivity ( ⁇ ) and the dielectric loss tangent (tan ⁇ ) of the measurement sample were measured with a split-post dielectric resonator (SPDR) at a dielectric resonance frequency of 10 GHz. The relative permittivity ( ⁇ ) is preferably 1.5 to 3.3, more preferably 1.5 to 2.8. The dielectric loss tangent (tan ⁇ ) is preferably 0.001 to 0.010.
  • the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 12 are excellent in film forming property (film formation) and patterning property. Further, the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 12 were sufficiently cured by irradiation with ultraviolet rays, and a cured product in which film loss after development was suppressed was obtained. Further, the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 12 had a low relative permittivity ( ⁇ ) and a dielectric loss tangent (tan ⁇ ), and had good electrical characteristics when used in a high frequency region. In the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 12, the contrast curve showing the relationship of the film thickness ratio with the irradiation dose was close to the ideal contrast curve.
  • the reaction of the photosensitive resin composition is difficult to proceed at an irradiation dose of a certain amount or less, and the reaction proceeds rapidly when the irradiation dose exceeds a certain amount, and the rise of the film thickness ratio is steep. After that, the film thickness ratio became constant even if the irradiation dose was further increased. Therefore, according to the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 12, it was possible to form a fine and accurate pattern having an L / S of 2 ⁇ m / 2 ⁇ m or less by photolithography.
  • FIG. 2 is a graph showing a contrast curve for each cured product obtained by using the photosensitive resin compositions of Examples 6, 7 and 12.
  • This contrast curve shows the relationship between the film thickness ratio and the irradiation dose when the development process is performed once for 50 seconds and the development process is performed twice for 50 seconds. It was confirmed that the photosensitive resin compositions of the same example showed a contrast curve having a similar tendency even when the development treatment was performed once for 50 seconds and the development treatment was performed twice for 50 seconds. As shown in FIG. 2, the photosensitive resin composition of Example 6 showed a contrast curve close to the ideal contrast curve.
  • the reaction of the photosensitive resin composition is difficult to proceed at an irradiation dose of a certain amount or less, the reaction proceeds when the irradiation dose exceeds a certain amount, and then the film is further increased even if the irradiation dose is further increased.
  • the thickness ratio became constant.
  • the photosensitive resin composition of Example 7 showed a contrast curve closer to the ideal contrast curve. That is, in the contrast curve of Example 7, the reaction of the photosensitive resin composition is difficult to proceed at an irradiation dose of a certain amount or less, and the reaction proceeds rapidly when the irradiation dose exceeds a certain amount, and the rise of the film thickness ratio is steep.
  • the film thickness ratio became constant even if the irradiation dose was further increased. Since the photosensitive resin composition of Example 12 contains the bifunctional acrylic resin of the component (D), it showed a contrast curve close to the ideal contrast curve by irradiation with ultraviolet rays. That is, in the contrast curve of Example 12, even after the curing progressed rapidly, the component (A) and the component (D) that had not yet reacted reacted with each other, and the film thickness ratio gradually increased.
  • the photosensitive resin compositions of Comparative Examples 1 to 4 did not show a contrast curve close to the ideal contrast curve. Since the photosensitive resin composition of Comparative Example 2 did not contain the PPE of the component (A), the film forming property and the patterning property were poor.
  • the photosensitive resin compositions of Comparative Examples 3 and 4 contain the bifunctional acrylic resin of the component (D), but do not contain the silsesquioxane compound of the component (B). Therefore, even if the irradiation dose exceeds a certain amount, the reaction does not proceed rapidly, and a contrast curve close to the ideal contrast curve cannot be obtained.
  • the photosensitive resin composition of Comparative Example 1 does not contain the silsesquioxane compound of the component (B). Therefore, even if the irradiation dose is 30 mJ / cm 2 or less, the curing progresses and the film thickness ratio increases. The irradiation dose be increased from 50 mJ / cm 2 beyond 30 mJ / cm 2 up to 100 mJ / cm 2, the reaction does not proceed so much rapidly, the increase in the film thickness ratio was less than 30%. Therefore, a large amount of irradiation dose must be applied until the film thickness ratio reaches a certain level. As described above, the photosensitive resin composition of Comparative Example 1 did not show a contrast curve close to the ideal contrast curve.
  • the photosensitive resin composition according to one aspect of the present disclosure does not require high temperature heat treatment and can be used as an insulating material for wiring.
  • This photosensitive resin composition can be used, for example, as a material for an insulating layer for forming a rewiring layer of a wiring structure, and as an interlayer adhesive film.
  • the photosensitive resin composition according to one aspect of the present disclosure can be used for adhering and sealing components constituting electronic components, semiconductor devices, camera modules or image sensor modules.

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Abstract

感光性樹脂組成物、その硬化物、その硬化物を含む配線構造体、電子部品、半導体装置、及びカメラモジュールを提供する。この感光性樹脂組成物は、高温での熱処理ではなく、活性エネルギー線の照射により硬化される。この感光性樹脂組成物では、現像工程後の膜減りが抑制される。さらに、フォトリソグラフィーにより微細なパターンを正確に形成することができる。　本発明の一態様は、成分（Ａ）～（Ｃ）：　（Ａ）式（１）及び式（２）で表される変性ポリフェニレンエーテル、（Ｂ）式（３）で表されるシルセスキオキサン化合物、及び（Ｃ）光重合開始剤を含む、感光性樹脂組成物、及び、その硬化物、並びに、その硬化物を含む、配線構造体、電子部品、半導体装置及びカメラモジュールである。

Description

[規則37.2に基づきISAが決定した発明の名称]　感光性樹脂組成物、その硬化物、及びその硬化物を含む配線構造体
　本開示の一態様は、感光性樹脂組成物、その硬化物、その硬化物を含む配線構造体、電子部品、半導体装置、及びカメラモジュールに関する。
　集積回路などの電子部品を構成する配線構造体における配線は、著しく微細化されている。配線構造体に含まれる半導体チップを外部の配線に接続するための外部端子の間隔も、極めて狭くなる。外部端子の間隔は、一定以下に狭められることが難しい。そのため、半導体チップの表面に、銅等の再配線層が配置され、その再配線層上に、バンプ等の外部端子が配置される。これにより、外部端子の特定の間隔が維持される。半導体チップの表面と再配線層との間、および、再配線層とバンプを配置するＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ　Ｂｕｎｐ　Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ）層との間には、絶縁材料からなる絶縁膜が形成される。再配線層を配置するための絶縁層を形成する方法として、フォトリソグラフィーでパターニングを行う方法が採用されている。配線構造体の絶縁層を形成する絶縁材料として、感光性樹脂組成物が用いられる。
　例えば、特許文献１には、重合性化合物、バインダー、及び光重合開始剤を含む、フォトスペーサー用の感光性樹脂組成物が開示されている。重合性化合物は、橋掛け環構造を有する基と、エチレン性不飽和結合を有する基とを有する。特許文献２には、光ファイバ又は光平板導波路に配置される、コーティング組成物が開示されている。このコーティング組成物は、シルセスキオキサン成分を含み、シルセスキオキサン成分は、紫外線照射を使用して硬化させることができる、１つ以上の反応性官能基を有する。特許文献３には、銅を含む再配線層、ポリイミド又はポリベンゾオキサゾールを含む絶縁層、及び酸化銅層を含む多層体が開示されている。特許文献４には、感光性樹脂材料が開示されている。この感光性樹脂材料は、再配線金属との密着性をよくするために、アルカリ可溶性樹脂と、感光剤と、ジカルボキシイミド構造を有した分子構造からなるカルボキシイミド化合物と、を含む。
特開２００９－１２８４８７号公報 特表２０１７－５３４６９３号公報 特開２０１７－９２１５２号公報 特開２０１７－１１１３８３号公報
　しかしながら、特許文献１～４に開示されている感光性樹脂組成物等は、いずれも、活性エネルギー線（例えば紫外線）のみでは硬化しない。これらの感光性樹脂組成物等を硬化させるためには、１５０℃～３００℃程度の温度で熱処理が必要である。しかし、フォトリソグラフィーによるパターニングの後に熱処理が行われると、熱による収縮により、形成されたパターンが変形する。したがって、所望の微細かつ正確なパターンを形成することが困難となる。微細化が進む再配線層の配線について、ラインアンドスペース（以下「Ｌ／Ｓ」とも記載する。）を、２μｍ／２μｍ以下にすることが求められている。Ｌ／Ｓを小さくする場合には、熱処理によって生じるパターンの変形は、大きな問題となる。配線構造体に使用される材料には、パターンの変形を抑制することだけではなく、パターニングをした後の現像工程における膜減りを抑制することも求められている。また、電子部品には、伝送信号の高速化も要求されており、伝送信号の高周波化も顕著に進んでいる。そのため、電子部品の配線構造体に使用される材料にも、高周波領域、具体的には、周波数１ＧＨｚから１０ＧＨｚの領域で、優れた電気特性（低誘電率（ε）、低誘電正接（ｔａｎδ））を有することが求められる。
　そこで、本開示における１つの目的は、以下のような感光性樹脂組成物、その硬化物、その硬化物を含む配線構造体、電子部品、半導体装置、及びカメラモジュールを提供することを目的とする。この感光性樹脂組成物は、例えば１５０℃以上の高温での熱処理ではなく、活性エネルギー線の照射により、硬化される。この感光性樹脂組成物では、現像工程後においても、膜減りが抑制される。さらに、フォトリソグラフィーにより、微細なパターンを、正確に形成することが可能である。
　前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。本開示は、以下の態様を包含する。
［１］下記成分（Ａ）～（Ｃ）：
（Ａ）下記式（１）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 ［式中、Ｒ１～Ｒ３は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し、
　Ｘは、ｑ価の非置換又は置換芳香族炭化水素基を表し、
　Ｙは、下記式（２）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 ［式中、Ｒ４～Ｒ７は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアルケニルカルボニル基を表す。］
で表される非置換又は置換フェノール繰り返し単位を表し、
　ｍは、１～１００の整数を表し、
　ｎは、１～６の整数を表し、
　ｑは、１～４の整数を表す。］
で表される変性ポリフェニレンエーテル樹脂、
（Ｂ）下記式（３）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 で表される化合物、及び、
（Ｃ）光重合開始剤、
を含む、感光性樹脂組成物。
［２］（Ｄ）下記式（４）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 ［式中、それぞれのＲａは、独立に水素原子又はメチル基を表し、
　それぞれのＲｂは、独立に２価の炭化水素基を表し、
　ｘ及びｙは、それぞれ独立に１～５の整数を表す。］
で表される２官能アクリル樹脂をさらに含む、［１］に記載の感光性樹脂組成物。
［３］前記成分（Ｃ）が、アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤、オキシムエステル系光重合開始剤、及びアルキルフェノン系光重合開始剤からなる群から選択される少なくとも１種である、［１］又は［２］に記載の感光性樹脂組成物。
［４］前記成分（Ａ）と前記成分（Ｂ）との合計量に対する、前記成分（Ａ）の質量比が、０．１０～０．９９である、［１］～［３］のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
［５］前記成分（Ｃ）の含有量が、感光性樹脂組成物１００質量％に対して、１．０～２０．０質量％である、［１］～［４］のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
［６］前記成分（Ｂ）と前記成分（Ｄ）との合計量に対する、前記（Ｄ）成分の質量比が、０．０１～０．９９である、［２］～［５］のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
［７］（Ｅ）結晶性又は非晶性の熱可塑性樹脂（但し、２官能アクリル樹脂を除く。）をさらに含む、［１］～［６］のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
［８］前記成分（Ｅ）が、液晶ポリマー、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリメタクリ酸メチル、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、及び、ポリアミドイミドからなる群から選択される少なくとも１種である、［７］に記載の感光性樹脂組成物。
［９］再配線層を含む配線構造体の形成用である、［１］～［８］のいずれかに記載の感光性樹脂組成物。
［１０］［１］～［９］のいずれかに記載の感光性樹脂組成物を硬化させることによって得られた硬化物。
［１１］［１０］に記載の硬化物を含む配線構造体。
［１２］［１０］に記載の硬化物を含む電子部品。
［１３］［１０］に記載の硬化物を含む半導体装置。
［１４］［１０］に記載の硬化物を含むカメラモジュール。
　本開示における上記の態様によれば、以下のような感光性樹脂組成物、それを硬化させて得られた硬化物、その硬化物を含む配線構造体、電子部品、半導体装置、及びカメラモジュールを提供することができる。この感光性樹脂組成物は、例えば１５０℃以上の高温での熱処理ではなく、活性エネルギー線の照射により、硬化される。この感光性樹脂組成物では、フォトリソグラフィーによる現像後においても、膜減りが抑制される。さらに、微細なパターンを、正確に形成することが可能である
Ｌ／Ｓが２μｍ／２μｍである３本パターンの例を示す拡大図である。 実施例６、７及び１２の感光性樹脂組成物を用いて得られた、各硬化物の照射線量に対する膜厚比の関係を示すコントラストカーブ、および、理想のコントラストカーブを示す。 比較例１の感光性樹脂組成物を用いて得られた、各硬化物の照射線量に対する膜厚比の関係を示すコントラストカーブ、および、理想のコントラストカーブを示す。
　以下、本開示の一態様に係る感光性樹脂組成物、及びそれを硬化させた得られた硬化物、その硬化物を含む配線構造体、電子部品、半導体装置、及びカメラモジュールの実施形態に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本開示の技術思想を具体化するための例示である。本開示の技術思想は、以下に示される感光性樹脂組成物、及びそれを硬化させて得られた硬化物、その硬化物を含む配線構造体、電子部品、半導体装置、及びカメラモジュールに限定されない。
　本開示の第一の実施形態に係る感光性樹脂組成物は、（Ａ）式（１）及び（２）で表される特定の変性ポリフェニレンエーテル、（以下、「成分（Ａ）」と記載する場合がある。）（Ｂ）式（３）で表される化合物（以下、「成分（Ｂ）」と記載する場合がある。）、及び、（Ｃ）光重合開始剤（以下、「成分（Ｃ）」と記載する場合がある。）を含む。感光性樹脂組成物は、成分（Ａ）の変性ポリフェニレンエーテルを含む。このため、感光性樹脂組成物の比誘電率（ε）は３．０以下であり、誘電正接（ｔａｎδ）は０．０１以下である。感光性樹脂組成物は、このような低い誘電率および低い誘電正接を有する。したがって、感光性樹脂組成物を用いることにより、高周波領域で使用する場合の電気的特性が良好な硬化物が得られる。感光性樹脂組成物は、硬化物を得るために、例えば１５０℃以上の高温の熱処理を必要としない。このため、感光性樹脂組成物を硬化して得られる硬化物では、１５０℃以上の高温の熱処理によって生じる収縮による変形が生じにくい。感光性樹脂組成物は、成分（Ｂ）の化合物を含む。このため、感光性樹脂組成物が活性エネルギー線（例えば紫外線）の照射を受けたときに、ある一定量以下の照射線量では、反応が進みにくい。ある一定量を超える照射線量で、急速に反応が進み、感光性樹脂組成物が十分に硬化し、現像後の膜減りが抑制された硬化物が得られる。
　感光性樹脂組成物に関するコントラストカーブは、活性エネルギー線の照射線量に対して、膜厚比をプロットすることによって得られる。膜厚比とは、感光性樹脂組成物の塗布時の膜厚に対する、現像後の硬化物の膜厚の比である。感光性樹脂組成物は、成分（Ａ）、成分（Ｂ）及び成分（Ｃ）を含むため、この感光性樹脂組成物においては、照射線量が一定量以下では感光性樹脂組成物の反応が進みにくく、照射線量が一定量を超えると、急速に反応が進む。したがって、この感光性樹脂組成物は、以下のような理想のコントラストカーブに近いコントラストカーブを示す。すなわち、この感光性樹脂組成物のコントラストカーブでは、膜厚比の立ち上がりが急峻であり、その後、照射線量が増えても膜厚比が一定となる。感光性樹脂組成物は、成分（Ａ）、成分（Ｂ）、及び成分（Ｃ）を含むことにより、理想のコントラストカーブに近いコントラストカーブを示す。したがって、この感光性樹脂組成物を用いることにより、フォトリソグラフィーにより、Ｌ／Ｓが２μｍ／２μｍ以下の、微細かつ正確なパターンを形成することができる。
成分（Ａ）変性ポリフェニレンエーテル
　感光性樹脂組成物は、（Ａ）下記式（１）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 ［式中、
　Ｒ１～Ｒ３は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し、
　Ｘは、ｑ価の非置換又は置換芳香族炭化水素基を表し、
　Ｙは、下記式（２）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 ［式中、Ｒ４～Ｒ７は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアルケニルカルボニル基を表す。］
で表される非置換又は置換フェノール繰り返し単位を表し、
　ｍは、１～１００の整数を表し、
　ｎは、１～６の整数を表し、
　ｑは、１～４の整数を表す。］
で表される特性の変性ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂を含有する。このＰＰＥ樹脂を、成分（Ａ）、又は、成分（Ａ）のＰＰＥ樹脂、と記載する場合もある。
　一般に、ｘ価（ｘは１以上の整数を表す。）の炭化水素基とは、炭化水素の炭素原子からｘ個の水素原子を除去することにより生じる、ｘ価の基を指す。従って、上記ｑ価の非置換又は置換芳香族炭化水素基とは、置換されていてもいなくてもよい芳香族炭化水素の炭素原子から、１～４つの水素原子を除去することにより生じる、１～４価の基を指す。
　用語「アルキル基」は、１価の飽和炭化水素基を意味する。本実施形態において、アルキル基は、好ましくはＣ１－Ｃ１０アルキル基であり、より好ましくはＣ１－Ｃ６アルキル基であり、さらに好ましくはＣ１－Ｃ４アルキル基であり、特に好ましくはＣ１－Ｃ２アルキル基である。かかるアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、およびヘキシル基等を挙げることができる。
　用語「アルケニル基」は、少なくとも一つの炭素－炭素二重結合を有する、１価の不飽和炭化水素基を意味する。本実施形態において、アルケニル基は、好ましくはＣ２－Ｃ１０アルケニル基であり、より好ましくはＣ２－Ｃ６アルケニル基であり、さらに好ましくはＣ２－Ｃ４アルケニル基である。かかるアルケニル基の例としては、エテニル基（ビニル基）、１－プロペニル基、２－プロペニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、イソブテニル基、１－ペンテニル基、および１－ヘキセニル基等を挙げることができる。前記式（１）中の基－ＣＲ１＝ＣＲ２Ｒ３も、アルケニル基である。
　用語「アルキニル基」は、少なくとも一つの炭素－炭素三重結合を有する、１価の不飽和炭化水素基を意味する。本実施形態において、アルキニル基は、好ましくはＣ２－Ｃ１０アルキニル基であり、より好ましくはＣ２－Ｃ６アルキニル基であり、さらに好ましくはＣ２－Ｃ４アルキニル基である。かかるアルキニル基の例としては、エチニル基、１－プロピニル基、２－プロピニル基、ブチニル基、イソブチニル基、ペンチニル基、およびヘキシニル基等を挙げることができる。
　用語「アルケニルカルボニル基」は、上記アルケニル基で置換されたカルボニル基を意味し、その例としては、アクリロイル基、およびメタクリロイル基等を挙げることができる。
　成分（Ａ）において、－（Ｙ）ｍ－で表される部分は、ＰＰＥ樹脂の主鎖に相当する。好ましくは、前記非置換又は置換フェノール繰り返し単位Ｙ中のＲ４及びＲ６が、水素原子を表し、かつ、Ｒ５及びＲ７が、メチル基を表す。－（Ｙ）ｍ－で表される部分の一方の末端は、酸素原子を介して、前記芳香族炭化水素基Ｘに結合している。他方の末端は、ｎ個のメチレン基を介して、前記アルケニル基－ＣＲ１＝ＣＲ２Ｒ３で置換されたフェニル基に結合している。アルケニル基―ＣＲ１＝ＣＲ２Ｒ３は、前記メチレン基に対して、オルト位、メタ位、およびパラ位のいずれに位置していてもよい。一態様においては、式（１）中のｎが、１～４の整数である。一態様においては、式（１）中のｎが、１又は２である。一態様においては、式（１）中のｎが、１である。他の一態様においては、式（１）中のＲ１～Ｒ３が、いずれも水素原子である。
　また、式（１）の繰り返し単位のＹの数ｍは、好ましくは１～８０であり、より好ましくは１～３０であり、さらに好ましくは１～５である。
　成分（Ａ）において、式（１）の芳香族炭化水素基Ｘには、各々酸素原子を介して、ｑ個の－（Ｙ）ｍ－で表される部分が結合している。好ましくは、ｑは、２又は３である。より好ましくは、ｑは２である。また、Ｘは、好ましくは、下記式：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 ［式中、Ｒ１１～Ｒ１８は、それぞれ独立して、水素原子又はＣ１－Ｃ６アルキル基を表す］で表される構造を有する。Ｘは、より好ましくは、下記式：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 で表される構造を有する。
　感光性樹脂組成物の成形時における流動性、感光性樹脂組成物を硬化して得られる硬化物の誘電特性及び耐熱性、並びに、感光性樹脂組成物に含まれる他の成分の相溶性等の観点から、成分（Ａ）の数平均分子量は、５００以上かつ５０００以下であることが好ましい。成分（Ａ）の数平均分子量が少なすぎると、感光性樹脂組成物を硬化させて得られる硬化物の靭性が、低下する場合がある。一方、成分（Ａ）の数平均分子量が多すぎると、他の成分（例えば、任意に添加される溶剤）に対する、成分（Ａ）の相溶性が、低下する場合がある。例えば、感光性樹脂組成物に溶剤を添加して、その粘度をスピンコーティングに適したものとすることなどが、困難になる場合がある。成分（Ａ）の数平均分子量は、より好ましくは７５０以上かつ３０００以下であり、さらに好ましくは１０００以上かつ２５００以下である。成分（Ａ）の数平均分子量は、例えばゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定されることができる。
　感光性樹脂組成物中の成分（Ａ）の含有量は、感光性樹脂組成物１００質量％に対して、好ましくは３０．０～９８．０質量％であり、より好ましくは３５．０～９７．０質量％であり、さらに好ましくは４０．０～９６．０質量％であり、特に好ましくは４５．０～９５．０質量％である。感光性樹脂組成物１００質量％中の成分（Ａ）の含有量が、３０．０～９８．０質量％であると、低誘電率および低誘電正接を有する硬化物、すなわち、高周波領域での使用に適した、良好な電気的特性を有する硬化物が得られる。
　成分（Ａ）としては、市販品を用いることができる。成分（Ａ）の市販品としては、例えば、ＯＰＥ　２Ｓｔ　１２００（三菱ガス化学株式会社製）を用いることができる。成分（Ａ）は、公知の方法により調製されることができる。例えば、以下の方法により、成分（Ａ）を調製することができる。この方法では、Ｘ－（ＯＨ）ｑ（式中、Ｘ及びｑは、前記と同じ意味である。）表される構造を有する適切なｑ価フェノール（２，２’，３，３’，５，５’－ヘキサメチルビフェニル－４，４’－ジオール等）、及び、下記式：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 ［式中、Ｒ４～Ｒ７は、各々前記と同じ意味を有する。］
で表される構造を有する適切な一価フェノール（２，６－ジメチルフェノール等）を用いる。この方法は、これらのフェノールを、公知の方法により酸化共重合することによって、末端にヒドロキシル基を有するポリフェニレンエーテル樹脂を調製することを含む。さらに、この方法は、得られた樹脂を、適切な変性剤（例えばクロロメチルスチレン）との反応により変性させることを含む
成分（Ｂ）シルセスキオキサン化合物
　感光性樹脂組成物は、（Ｂ）下記式（３）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 で表される化合物を含む。式（３）で表される化合物は、特定のかご型のシルセスキオキサン構造を有し、８つの（メタ）アクリロイルアルキル基、具体的にはアクリロイルオキシプロポキシ基を有する化合物である。成分（Ｂ）の式（３）で表される化合物を、成分（Ｂ）のシルセスキオキサン化合物と記載する場合もある。成分（Ｂ）のシルセスキオキサン化合物の分子量は、２０００以下であることが好ましく、１０００～２０００であることがより好ましい。
　感光性樹脂組成物中、成分（Ａ）と成分（Ｂ）との合計量に対する成分（Ａ）の質量比（Ａ／Ａ＋Ｂ）は、好ましくは０．１０～０．９９であり、より好ましく０．２０～０．９８であり、さらに好ましくは０．３０～０．９７であり、よりさらに好ましくは０．４０～０．９６であり、特に好ましくは０．５０～０．９６である。感光性樹脂組成物中、成分（Ａ）と成分（Ｂ）との合計に対する成分（Ａ）の質量比（Ａ／Ａ＋Ｂ）が０．１０～０．９９の範囲であると、感光性樹脂組成物に対する活性エネルギー線（例えば紫外線）の照射により、現像後の膜減りが抑制された硬化物が得られる。また、感光性樹脂組成物を用いることにより、フォトリソグラフィーにより、Ｌ／Ｓが２μｍ／２μｍ以下の、微細かつ正確なパターンを形成することができる。
　感光性樹脂組成物が、後述する成分（Ｄ）である２官能アクリル樹脂を含む場合、成分（Ａ）、成分（Ｂ）及び成分（Ｄ）の合計量に対する成分（Ａ）の質量比（Ａ／Ａ＋Ｂ＋Ｄ）も、好ましくは０．１０～０．９９であり、より好ましくは０．２０～０．９８であり、さらに好ましくは０．３０～０．９７であり、よりさらに好ましくは０．４０～０．９６であり、特に好ましくは０．５０～０．９６である。成分（Ａ）、成分（Ｂ）及び成分（Ｄ）の合計量に対する成分（Ａ）の質量比が前記範囲であると、感光性樹脂組成物の成膜性が良好となる。したがって、活性エネルギー線照射により、現像後の膜減りが抑制された硬化物が得られる。
　感光性樹脂組成物中の成分（Ｂ）の含有量は、感光性樹脂組成物１００質量％に対して、好ましくは１．０～６０．０質量％であり、より好ましくは２．０～５８．０質量％であり、さらに好ましくは３．０～５５．０質量％であり、特に好ましくは４．０～５０．０質量％である。感光性樹脂組成物１００質量％中の成分（Ｂ）の含有量が１．０～６０．０質量％であると、例えば１５０℃以上の高温の熱処理を必要とせず、感光性樹脂組成物に対する活性エネルギー線（例えば紫外線）の照射により、現像後の膜減りが抑制された硬化物が得られる。また、感光性樹脂組成物を用いることにより、フォトリソグラフィーにより、Ｌ／Ｓが２μｍ／２μｍ以下の、微細かつ正確なパターンを形成することができる。
　成分（Ｂ）としては、市販品を用いることができる。成分（Ｂ）の市販品としては、例えば、ハイブリッド社製のＰＯＳＳ（Ｐｏｌｙｈｅｄｒａｌ　Ｏｌｉｇｏｍｅｒｉｃ　ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ、多面体オリゴマーシルセスオキサン）シリーズを挙げることができる。具体的には、Ａｃｒｙｌｏ　ＰＯＳＳ　Ｃａｇｅ　Ｍｉｘｔｕｒｅ　ＭＡ０７３６（Ｈｙｂｒｉｄ　Ｐｌａｓｔｉｃ　Ｉｎｃ．製）を用いることができる。
成分（Ｃ）光重合開始剤
　感光性樹脂組成物は、（Ｃ）光重合開始剤を含む。成分（Ｃ）は、活性エネルギー線を照射することにより、成分（Ａ）、成分（Ｂ）、及び必要に応じて成分（Ｄ）を反応させるラジカルを発生させる化合物であればよい。ここで、活性エネルギー線とは、α線およびβ線等の放射線、γ線およびＸ線等の電磁波、電子線（ＥＢ）、ならびに、１００～４００ｎｍ程度の可視光線等の広義の光を全て含み、好ましくは紫外線である。成分（Ｃ）としては、１種の光重合開始剤を用いてもよく、２種以上の光重合開始剤を併用してもよい。
　成分（Ｃ）としては、活性エネルギー線の照射により、成分（Ａ）、成分（Ｂ）及び必要に応じて成分（Ｄ）の反応を促進させるために、オキシムエステル系重合開始剤、アシルホスフィンオキサイド系重合開始剤、及びアルキルフェノン系重合開始剤からなる群から選択される少なくとも１種を用いることが好ましい。
　オキシムエステル系重合開始剤の例としては、１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－エタノン－，１－（Ｏ－アセチルオキシム）、および、１，２－オクタジオン，１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－，２－（ｏ－ベンゾイルオキシム）等が挙げられる。
　アシルホスフィンオキサイド系重合開始剤の例としては、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）－フェニル－ホスフィンオキサイド、および、２，４，６－トリメチルベンゾイル－ジフェニル－ホスフィンオキサイド等が挙げられる。
　アルキルフェノン系重合開始剤の例としては、２－ベンジル－２－（ジメチルアミノ）－４’－モルフォリノブチロフェノン等が挙げられる。
　感光性樹脂組成物中の成分（Ｃ）の含有量は、感光性樹脂組成物１００質量％に対して、好ましくは１．０～２０．０質量％であり、より好ましくは３．０～１８．０質量％であり、さらに好ましくは５．０～１５．０質量％である。感光性樹脂組成物１００質量％中の成分（Ｃ）の含有量が１．０～２０．０質量％であると、例えば１５０℃以上の高温の熱処理を必要とせず、感光性樹脂組成物に対する活性エネルギー線（例えば紫外線）の照射により、硬化物が得られる。
　成分（Ｃ）としては、市販品を用いることができる。成分（Ｃ）の市販品としては、例えば、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ－０１（ＢＡＳＦ製）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ－０２（ＢＡＳＦ製）、Ｏｍｎｉｒａｄ　８１９（旧Ｉｒｇａｃｕｒｅ　８１９）（ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．製）、および、Ｏｍｎｉｒｄ　３６９（旧Ｉｒｇａｃｕｒｅ　３６９）（ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．製）等を用いることができる。
成分（Ｄ）２官能アクリル樹脂
　感光性樹脂組成物は、（Ｄ）下記式（４）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 ［式中、それぞれのＲａは、独立に水素原子又はメチル基を表し、
　それぞれのＲｂは、独立に２価の炭化水素基を表し、
　ｘ及びｙは、それぞれ独立に１～５の整数を表す。］
で表される２官能アクリル樹脂をさらに含むことが好ましい。この２官能アクリル樹脂を、成分（Ｄ）、又は、成分（Ｄ）の２官能アクリル樹脂、と記載する場合もある。
　式（４）中のＲｂが、それぞれ独立に、メチレン基又はｐ－フェニレン基であることが好ましい。前記式（４）中のＲｂがメチレン基であり、かつ、Ｒａがメチル基であってもよい。前記式（４）中のＲｂがフェニレン基であり、かつ、Ｒａが水素原子であってもよい。
　感光性樹脂組成物が成分（Ｄ）の２官能アクリル樹脂を含む場合、感光性樹脂組成物が活性エネルギー線（例えば紫外線）の照射を受けたときに、ある一定量以下の照射線量では反応が進みにくい。ある一定量を超える照射線量で、急速に反応が進み、成分（Ｄ）が、成分（Ｂ）とともに、成分（Ａ）と十分に反応し、現像後の膜減りがより抑制された硬化物が得られる。成分（Ｄ）は、２官能性であること、すなわちアクリロイル基を２つ有することによって、例えば成分（Ａ）が低分子量であっても、成分（Ａ）と成分（Ｂ）とが急速に反応した後に、まだ反応しきれていない成分（Ａ）が、成分（Ｄ）と反応する。このため、フォトリソグラフィーによるパターンの成形性が良好で、現像後の膜減りがより抑制された硬化物が得られる。感光性樹脂組成物が成分（Ｄ）を含む場合、低分子量の成分（Ａ）を使用することが可能である。このため、感光性樹脂組成物の成膜性を向上することができる。したがって、スピンコーティング等の比較的簡便な方法により、感光性樹脂組成物の膜を形成することができる。１分子中にアクリロイル基を１つ有する単官能アクリル樹脂では、成分（Ａ）と成分（Ｂ）とが反応した後に、反応しきれていない成分（Ａ）と単官能アクリル樹脂との反応が進まず、現像後に膜減りが生じる場合がある。１分子中にアクリロイル基を３つ以上有する多官能アクリル樹脂でも、官能基の数が多すぎて、成分（Ａ）と成分（Ｂ）とが反応した後に、反応しきれていない成分（Ａ）と１分子中にアクリロイル基を３つ以上する多官能アクリル樹脂との反応が進まず、現像後に膜減りが生じる場合がある。
　成分（Ｄ）の例としては、エトキシル化ビスフェノールＡジアクリレート（（ポリ）エチレングリコールが結合したビスフェノールＡのジアクリレート）、プロポキシル化ビスフェノールＡジアクリレート（（ポリ）プロピレングリコールが結合したビスフェノールＡのジアクリレート）、エトキシル化ネオペンチルグリコールジアクリレート（（ポリ）エチレングリコールが結合したネオペンチルグリコールのジアクリレート）、および、プロポキシル化ネオペンチルグリコールジアクリレート（（ポリ）プロピレングリコールが結合したネオペンチルグリコールのジアクリレート）等を挙げることができる。これらの成分（Ｄ）の２官能アクリル樹脂としては、１種の樹脂を使用してもよく、２種以上の樹脂を併用してもよい。
　感光性樹脂組成物中、成分（Ｂ）と成分（Ｄ）との合計量に対する成分（Ｄ）の質量比（Ｄ／Ｂ＋Ｄ）は、好ましくは０．０１～０．９９であり、より好ましくは０．０２～０．８０であり、さらに好ましくは０．０３～０．７０であり、よりさらに好ましくは０．０４～０．６０である。感光性樹脂組成物が成分（Ｄ）を含む場合、成分（Ｂ）と成分（Ｄ）との合計量に対する成分（Ｄ）の質量比（Ｄ／Ｂ＋Ｄ）が０．０１～０．９９の範囲であると、感光性樹脂組成物の成膜性が良好である。したがって、感光性樹脂組成物に対する活性エネルギー線（例えば紫外線）の照射により、現像後の膜減りがより抑制された硬化物が得られる。
　感光性樹脂組成物中の成分（Ｄ）の含有量は、感光性樹脂組成物１００質量％に対して、好ましくは５９．０質量％以下であり、より好ましくは１．０～５７．０質量％であり、さらに好ましくは３．０～５５．０質量％であり、よりさらに好ましくは５．０～５０．０質量％である。感光性樹脂組成物が成分（Ｄ）を含む場合、感光性樹脂組成物１００質量％中の成分（Ｄ）の含有量が５９．０質量％であると、感光性樹脂組成物の成膜性が良好である。したがって、感光性樹脂組成物に対する活性エネルギー線（例えば紫外線）の照射により、現像後の膜減りがより抑制された硬化物が得られる。
　成分（Ｄ）としては、市販品を用いることができる。成分（Ｄ）の市販品としては、例えば、エトキシル化（４）ビスフェノールＡジアクリレートＳＲ６０１（Ｓａｒｔｏｍｅｒ　Ｃｈｅｍｃａｌ　Ｃｏ．製）、および、プロポキシル化（２）ネオペンチルグリコールジアクリレートＳＲ９００３Ｂ（Ｓａｒｔｏｍｅｒ　Ｃｈｅｍｃａｌ　Ｃｏ．製）を用いることができる。成分（Ｄ）は、公知の方法により調製されることができる。例えば、（ＣＨ３）２（ＣＲｂＯＨ）２（式中、Ｒｂは前記と同じ意味を有する）で表される構造を有する適切なジオール化合物を、アクリル酸又はその誘導体と反応させることを含む方法により、成分（Ｄ）を調製することができる。
成分（Ｅ）結晶性又は非晶性の熱可塑性樹脂
　感光性樹脂組成物は、成分（Ｅ）結晶性又は非晶性の熱可塑性樹脂（但し、２官能アクリル樹脂を除く。）をさらに含んでいてもよい。この熱可塑性樹脂を、成分（Ｅ）、又は、成分（Ｅ）の熱可塑性樹脂、と記載する場合もある。感光性樹脂組成物が成分（Ｅ）の熱可塑性樹脂を含むことにより、例えば、感光性樹脂組成物の温度特性を向上することができるとともに、感光性樹脂組成物の成形性等を向上することができる。
　成分（Ｅ）の結晶性の熱可塑性樹脂の例としては、液晶ポリマー、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、及びポリテトラフルオロエチレンからなる群から少なくとも１種が挙げられる、成分（Ｅ）の非晶性の熱可塑性樹脂の例としては、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリメタクリ酸メチル、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、及び、ポリアミドイミドからなる群から選択される少なくとも１種が挙げられる。成分（Ｅ）の熱可塑性樹脂としては、１種の樹脂を用いてもよく、２種以上の樹脂を併用してもよい。
　感光性樹脂組成物中の成分（Ｅ）の含有量は、感光性樹脂組成物１００質量％に対して、好ましくは４０．０質量％以下であり、好ましくは１．０～３５．０質量％であり、より好ましくは２．０～３０．０質量％であり、さらに好ましくは３．０～２５．０質量％であり、よりさらに好ましくは５．０～２０．０質量％である。感光性樹脂組成物１００質量％中の成分（Ｅ）の含有量が４０．０質量％以下であると、感光性樹脂組成物に対する活性エネルギー線（例えば紫外線）の照射により、現像後の膜減りが抑制された硬化物が得られる。さらに、感光性樹脂組成物の温度特性および成形性等の他の特性を良好にすることができる。
成分（Ｆ）カップリング剤
　感光性樹脂組成物は、カップリング剤を含有してもよい。カップリング剤は、１分子中に２つ以上の異なった官能基を有する化合物である。その１つは、無機材料と化学結合する官能基であり、他の１つは、有機材料と化学結合する官能基である。感光性樹脂組成物中にカップリング剤が含まれていると、感光性樹脂組成物と他の材料との密着性を高めることができる。本明細書中、カップリング剤を、成分（Ｆ）、又は、成分（Ｆ）のカップリング剤、と記載する場合がある。
　成分（Ｆ）のカップリング剤の例として、シランカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、及びチタンカップリング剤からなる群から選択される少なくとも１種が挙げられる。成分（Ｆ）のカップリング剤としては、１種のカップリング剤を用いてもよく、２種以上のカップリング剤を併用してもよい。
　成分（Ｆ）は、好ましくはシランカップリング剤である。シランカップリング剤が有する官能基の例として、アルコキシ基、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、アミノ基、イソシアヌレート基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、およびイソシアネート基等を挙げることができる。
　感光性樹脂組成物中の成分（Ｆ）の含有量は、感光性樹脂組成物１００質量％に対して、好ましくは３０．０質量％以下であり、より好ましくは０．１０～３０．０質量％であり、さらに好ましくは０．２０～２０．０質量％であり、よりさらに好ましくは０．５０～１０．０質量％であり、特に好ましくは０．８０～３．０質量％以下である。感光性樹脂組成物が成分（Ｆ）を含む場合、感光性樹脂組成物１００質量％中の成分（Ｆ）の含有量が３０．０質量％以下であると、感光性樹脂組成物と他の材料との密着性が良好となる。他の材料としては、例えば、基板等が挙げられる。
　成分（Ｆ）としては、市販品を用いることができる。成分（Ｆ）の市販品としては、例えば、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシランＫＢＭ　５０３、ビニルトリメトキシシランＫＢＭ　１００３（信越シリコーン株式会社製）、および、Ｃｏａｔｓｉｌ　ＭＰ２００　Ｓｉｌａｎｅ（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製）を用いることができる。
　感光性樹脂組成物には、可撓性を付与するために、フィルム化剤を添加してもよい。例えば、感光性樹脂組成物を用いて配線構造体の絶縁層を形成する場合に、フィルム化剤の添加によって感光性樹脂組成物に可撓性が付与されていると、膜を形成しやすくなり、容易にフィルムを形成することができる。フィルム化剤の例としては、フェノキシ樹脂及びアクリル樹脂（但し、式（４）で表される２官能アクリル樹脂を除く。）からなる群から選択される少なくとも１種が挙げられる。フェノキシ樹脂としては、ポリヒドロキシポリエーテルが挙げられる。このポリヒドロキシポリエーテルは、２価フェノール化合物とエピクロルヒドリンとの直接反応によって、又は、２価フェノール化合物とジグリシジルエーテルとの付加重合反応によって、合成される。アクリル樹脂（但し、式（４）で表される２官能アクリル樹脂を除く。）は、アクリル酸及び／又はメタクリル酸或いはそれらの誘導体（例えば、エステル及びアミド）の、単独重合体又は共重合体をいう。フィルム化剤としては、市販品を用いてもよい。フィルム化剤の市販品としては、例えば、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂４２５０（三菱ケミカル株式会社製）、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂Ｆｘ３１６（日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社製）、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂ＹＰ５０（日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社製）、および、ポリメチルメタクリレート・ブチルアクリルアミド－トリブロックコポリマー　Ｎａｎｏｓｔｒｅｎｇｔｈ（登録商標）Ｍ５２Ｎ（ＡＲＫＥＭＡ製）が挙げられる。
　感光性樹脂組成物は、必要に応じて、イオントラップ剤、レベリング剤、酸化防止剤、及び、搖変剤からなる群から選択される少なくとも１つの添加剤を、さらに含有してもよい。また、感光性樹脂組成物は、粘度調整剤、難燃剤、あるいは溶剤などを含有してもよい。
感光性樹脂組成物の製造方法
　感光性樹脂組成物は、成分（Ａ）、成分（Ｂ）及び成分（Ｃ）を混合することにより製造されることができる。感光性樹脂組成物は、必要に応じて、成分（Ｄ）、成分（Ｅ）及び成分（Ｆ）からなる群から選択される少なくとも１種の成分を、成分（Ａ）、成分（Ｂ）及び成分（Ｃ）とともに混合することにより、製造されることができる。感光性樹脂組成物の製造方法は、特に限定されない。感光性樹脂組成物は、各成分となる原料を、ライカイ機、ポットミル、三本ロールミル、ハイブリッドミキサー、回転式混合機、あるいは二軸ミキサー等の混合機によって混合することで、製造されることができる。これらの各成分は、同時に混合されてもよく、一部が先に混合され、残りが後から混合されてもよい。また、前記装置を適宜組み合わせて使用することによって、感光性樹脂組成物を製造してもよい。
硬化物
　感光性樹脂組成物に対して活性エネルギー線を照射することで、硬化物が得られる。スピンコーティング等の比較的簡便な成膜方法により、感光性樹脂組成物の均一な薄膜を形成できる。感光性樹脂組成物を用いて形成した薄膜に、フォトリソグラフィーによりパターニングを施すことにより、微細かつ正確なパターンが形成される。感光性樹脂組成物は、活性エネルギー線の照射により、十分硬化されることができる。パターニング後の薄膜を、高温（例えば１５０℃以上）で処理する必要がない。このため、高温処理時に生じる収縮等により形成された配線パターンの変形を、抑制することができる。
　感光性樹脂組成物を硬化させて得られた硬化物では、比誘電率（ε）が、例えば３．０以下であること、および、誘電正接（ｔａｎδ）が、例えば０．０１以下であることが好ましい。低誘電率および低誘電正接を有する硬化物は、高周波領域で使用される場合の電気的特性が良好であるため、高周波領域で使用される電子部品あるいは半導体装置等に用いられることができる。また、感光性樹脂組成物が活性エネルギー線（例えば紫外線）の照射を受けたときに、ある一定量以下の照射線量では、反応が進みにくい。照射線量がある一定量を超えると、急速に反応が進み、感光性樹脂組成物が十分に硬化し、現像後の膜減りが抑制された硬化物が得られる。そのため、感光性樹脂組成物は、再配線層を形成するための材料（例えば、絶縁層用の材料）として、好適に使用されることができる。感光性樹脂組成物は、再配線層を含む配線構造体を形成するための材料として、好適に使用されることができる。
　感光性樹脂組成物は、配線構造体の多層配線間の層間接着フィルムとしても、用いられることができる。また、感光性樹脂組成物は、半導体装置、カメラモジュールあるいはイメージセンサモジュールを構成する部品の接着および封止に、用いられることができる。
　本開示の実施形態は、感光性樹脂組成物、その硬化物、その硬化物を含む配線構造体、その硬化物を含む電子部品、その硬化物を含む半導体装置、および、その硬化物を含むカメラモジュールを提供することができる。電子部品としては、例えば、携帯電話、スマートフォン、ノートパソコン、タブレット端末等の電子機器に用いられる、配線構造体を含む電子部品が挙げられる。半導体装置としては、Ｄ－ＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）等のメモリーデバイス、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）等のプロセッサーデバイス、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子、および、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ）等に使用されるドライバーＩＣ等が挙げられる。
硬化物の製造方法
　感光性樹脂組成物を用いて硬化物を製造する方法の一例を説明する。硬化物の製造方法は、感光性樹脂組成物の被対象物への塗布工程、前熱処理（ソフトベイク）工程、活性エネルギー線の照射工程、および、現像工程を含むことができる。感光性樹脂組成物が塗布される被対象物には、感光性樹脂組成物が塗布される前に、表面処理がなされていてもよい。硬化物の製造方法は、被対象物の表面処理工程を含んでいてもよい。
被対象物の表面処理工程
　被対象物としては、例えば、半導体ウェーハ等が挙げられる。半導体ウェーハには、表面活性化処理を行うことができる。表面活性化処理としては、プラズマ活性化処理が挙げられる。被対象物の表面処理を行うことよって、感光性樹脂組成物と被対象物との接合強度を高めることができる。
塗布工程
　感光性樹脂組成物は、表面処理された被対象物に塗布されることが好ましい。感光性樹脂組成物を塗布する装置としては、スクリーン印刷機、ディスペンサー、および、スピンコーター（例えば、Ｈｅａｄｗａｙ　Ｓｐｉｎｎｅｒ（Ｈｅａｄｗａｙ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ．，Ｉｎｃ．製）、および、ＷＳ－６５０－８Ｂ（Ｌａｕｒｅｌｌ製））等を用いることができる。塗布工程において、感光性樹脂組成物は、被対象物の表面に均一な薄膜が形成されるように、塗布されることが望ましい。
前熱処理（ソフトベイク）
　被対象物に塗布された感光性樹脂組成物には、活性エネルギー線を照射する前に、前熱処理（ソフトベイク）を行ってもよい。前熱処理の温度は、８０℃以上１５０℃未満であってもよく、１００℃～１４０℃であってもよい。前熱処理は、ホットプレートあるいはコンベクションオーブン（熱風循環式乾燥機）を用いて行うことができる。熱処理を行う時間は、１～１０分間であり、好ましくは５～１０分間である。
照射工程
　必要に応じて実施される上記の前熱処理後に、被対象物に塗布された感光性樹脂組成物に活性エネルギー線を照射して、硬化物を得ることが好ましい。フォトリソグラフィーにより、フォトマスクを用いて、パターン化された硬化物を形成してもよい。活性エネルギー線としては、１０ｎｍ～３８０ｎｍの紫外線、および、３８０ｎｍ～７６０ｎｍの可視光線が挙げられる。感光性樹脂組成物を硬化させる活性エネルギー線の波長は、好ましくは１０ｎｍ～６００ｎｍであり、より好ましくは１００ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは２５０ｎｍ～４５０ｎｍであり、特に好ましくは３００ｎｍ～４００ｎｍである。活性エネルギー線を照射する際の雰囲気温度は、０℃～１００℃でもよく、１０℃～５０℃でもよく、１５℃～３５℃でもよい。活性エネルギー線を照射する時間は、照射対象物の体積等によって異なり、通常、５秒間～６０分間である。
現像工程
　活性エネルギー線の照射後、フォトマスクを取り除き、硬化していない感光性樹脂組成物を、現像液又は溶剤を用いて洗浄し、パターンが形成された硬化物を得ることが好ましい。溶剤を、現像液として用いてもよい。現像液として用いられる溶剤としては、アルコール系溶剤、エーテル系溶剤、ケトン系溶剤、アミド系溶剤、エステル系溶剤、および、炭化水素系溶剤等が挙げられる。アルコール系溶剤としては、イソプロパノール、４－メチル－２－ペンタノールおよびｎ－ヘキサノール等のＣ１～Ｃ１８のモノアルコール系溶剤、ならびに、エチレングリコール等のＣ２～Ｃ１８の多価アルコール系溶剤が挙げられる。エーテル系溶剤としては、ジエチルエーテルおよびジプロピルエーテル等のジアルキルエーテル系溶剤、テトラヒドロフラン等の環状エーテル系溶剤、ならびに、ジフェニルエーテル等の芳香族含有エーテル系溶剤が挙げられる。ケトン系溶剤としては、アセトン、ブタノンおよびメチルイソブチルケトン等の鎖状ケトン系溶剤、ならびに、シクロペンタノンおよびシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶剤が挙げられる。アミド系溶剤としては、Ｎ，Ｎ’－ジメチルイミダゾリジノンおよびＮ－メチルピロリドン等の環状アミド系溶剤、ならびに、Ｎ－メチルホルムアミドおよびＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等の鎖状アミド系溶剤が挙げられる。エステル系溶剤としては、酢酸ｎ－ブチル等のモノカルボン酸エステル系溶剤、ジエチレングリコールモノ－ｎ－ブチルエーテルアセテートおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルアセテート系溶剤、ならびに、γ－ブチロラクトン等のラクトン系溶剤が挙げられる。炭化水素系溶剤としては、ｎ－ヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶剤、ならびに、ベンゼンおよびトルエン等の芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。現像液として用いられる溶剤としては、ケトン系溶剤あるいはエステル系溶剤を用いることが好ましい。現像液として用いられる溶剤は、好ましくは、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、あるいは、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。溶剤を用いた洗浄を実施した後、さらに、脱イオン水等を用いた洗浄（リンス）処理を行ってもよい。
　本開示の実施形態は、感光性樹脂組成物、その硬化物、その硬化物を含む配線構造体、その硬化物を含む電子部品、その硬化物を含む半導体装置、および、その硬化物を含むカメラモジュールを提供することができる。
　以下、本開示の実施形態を、実施例により具体的に説明する。本開示の技術は、これらの実施例に限定されない。以下の実施例及び比較例において、感光性樹脂組成物に含まれる各成分の配合割合を示す数字は、全て質量部を示している。
成分（Ａ）：変性ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂
　Ａ－１：ＯＰＥ　２ｓｔ　１２００（式（１）で表され、両末端にビニル基を有する変性ポリフェニレンエーテル樹脂（２，２’，３，３’，５，５’－ヘキサメチルビフェニル－４，４’－ジオール・２，６－ジメチルフェノール縮合物と、クロロメチルスチレンとの反応生成物、数平均分子量１１６０））（三菱ガス化学株式会社製）
成分（Ｂ）：シルセスキオキサン化合物
　Ｂ－１：Ａｃｒｙｌｏ　ＰＯＳＳ　Ｃａｇｅ　Ｍｉｘｔｕｒｅ　ＭＡ０７３６（式（３）で表され、かご型のシルセスキオキサン構造を有し、８つのアクリロイルオキシプロポキシ基を有する化合物を含む）（Ｈｙｂｒｉｄ　Ｐｌａｓｔｉｃ　Ｉｎｃ．製）
成分（Ｃ）：光重合開始剤
　Ｃ－１：Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ－０２（オキシムエステル系光重合開始剤、ＢＡＳＦ製）
　Ｃ－２：Ｏｍｎｉｒａｄ　８１９（旧Ｉｒｇａｃｕｒｅ　８１９）（アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．製）
　Ｃ－３：Ｏｍｎｉｒｄ　３６９（旧Ｉｒｇａｃｕｒｅ　３６９）（アルキルフェノン系光重合開始剤、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．製）
成分（Ｅ）：２官能アクリル樹脂
　Ｅ－１：ＳＲ９００３Ｂ（プロポキシル化（２）ネオペンチルグリコールジアクリレート、Ｓａｒｔｏｍｅｒ　Ｃｈｅｍｃａｌ　Ｃｏ．製）
　Ｅ－２：ＳＲ６０１（エトキシル化（４）ビスフェノールＡジアクリレート、Ｓａｒｔｏｍｅｒ　Ｃｈｅｍｃａｌ　Ｃｏ．製）
実施例１～１２、比較例１～４
　成分（Ａ）、成分（Ｂ）、成分（Ｃ）、及び必要に応じて成分（Ｄ）を、表１～３に示す配合で、自転・公転ミキサー（ＡＲＥ－３１０、株式会社シンキー）を用いて混合することにより、実施例及び比較例の各感光性樹脂組成物を製造した。
硬化物の製造：塗布工程及び前熱処理工程
　実施例及び比較例の各感光性樹脂組成物を用いて、フォトリソグラフィーにより、配線パターンを構成する硬化物を製造した。
　まず、被対象物として、直径１５０ｍｍのシリコンウェーハを準備した。
　実施例及び比較例の各感光性樹脂組成物を、スピンコーター（ＷＳ－６５０－８Ｂ、Ｌａｕｒｅｌｌ製）を用いて、シリコンウェーハにスピンコーティングした。スピンコーティングでは、５００ｒｐｍで１２秒間、次いで、１５００ｒｐｍで２０秒間、スピンコーターを稼働した。これにより、シリコンウェーハ表面に、感光性樹脂組成物をスピンコーティングし、薄膜を形成した。
　次に、感光性樹脂組成物の薄膜を有するシリコンウェーハに対して、大気雰囲気下、１２０℃で５分間、前熱処理（ソフトベイク）を行い、加熱によって感光性樹脂組成物を乾燥させた。これにより、膜厚１３μｍの感光性樹脂組成物の薄膜を備えた試料を得た。感光性樹脂組成物の薄膜の膜厚は、触針式プロファイリングシステム（ＤｅｋｔａｋＸＴ、ＢＲＵＫＥＲ社製）により測定された。
　この試料を用いて、次のフォトリソグラフィー試験を行い、フォトリソグラフィーにより硬化された硬化物を得た。
硬化物の製造：照射線工程
フォトリソグラフィー試験
　試料の感光性樹脂組成物からなる薄膜の表面に、マスク（１９５１　ＵＳＡＦ　ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ　ｔｅｓｔ　ｃｈａｒｔ、厚さ１．５ｍｍ、Ａｄｖａｎｃｅ　Ｒｅｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎｓ製）を載置した。マスクを薄膜表面に密着させた状態で、試料に、下記条件の紫外線を照射した。マスクには、多数の矩形の領域（４５０μｍ×４５０μｍ）が設けられている。これらの各領域には、３本の直線が並列に並ぶ配線パターンが、２つ、形成されている。３本の直線が並列に並ぶ２つの配線パターンは、互いに直交する方向に配置されている。これらの領域のうち１つの配線パターンは、Ｌ／Ｓが２μｍ／２μｍである３本の直線からなる。
紫外線照射条件
　紫外線照射装置：Ｂｌｕｅｗａｖｅ（登録商標）　ＱＸ４（ＤＹＭＡＸ製）
　（光源として、ＬＥＤ　Ｈｅａｄｓ　ＲｅｄｉＣｕｒｅ（登録商標）（ＤＹＭＡＸ製）を装着した。）
　活性エネルギー線：紫外線：波長３６５ｎｍ
　照射線量：１３５ｍＪ／ｃｍ２
　照射時間：１０秒間
　マスクと光源間の距離：４５μｍ
硬化物の製造：現像工程
　紫外線照射完了後、試料からマスクを外した。現像液としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（２ＰＧＭＥＡ）を用い、硬化していない感光性樹脂組成物を試料から洗い流す現像処理を行った。現像処理では、１回５０秒の現像処理と、２回５０秒の現像処理との、２種の現像処理を行った。１回５０秒の現像処理では、試料全体が浸漬する量の現像液に、試料を５０秒間浸漬させた。２回５０秒の現像処理では、現像液に試料を５０秒間浸漬させ、次いで、現像液から試料を取り出して大気雰囲気中で自然乾燥させた後、再度、現像液に試料を５０秒間浸漬させた。現像処理後、試料を、現像液から取り出し、大気雰囲気中で自然乾燥させた。これにより、配線パターンの構造を有する硬化物を得た。
評価方法
　前記の硬化物の製造方法によって得られる薄膜及び硬化物を、以下のように評価した。評価結果を、表に示した。
成膜性（フィルム化適正）
　実施例及び比較例の各感光性樹脂組成物をシリコンウェーハにスピンコーティングして形成した薄膜の膜厚を、目視で確認した。そして、実施例及び比較例の各感光性樹脂組成物の成膜性を、以下のように評価した。
Ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ：シリコンウェーハ表面全体に均一な薄膜が形成されている場合。
Ｂａｄ：シリコンウェーハ表面の一部に薄膜が形成されていない部分がある場合。
パターニング性
　フォトリソグラフィー試験後の硬化物を、走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）によって確認および撮影した。この撮影によって得られたＳＥＭ写真から、パターニング性を確認した。図１は、Ｌ／Ｓが２μｍ／２μｍである３本パターンの例を示す拡大図である。実施例及び比較例にかかる各硬化物のパターニング性を、以下のように評価した。
Ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ：ＳＥＭ写真において、Ｌ／Ｓが２μｍ／２μｍである３本のパターンが形成されていることが確認される場合。
Ｇｏｏｄ：ＳＥＭ写真において、３本のパターンに、Ｌ／Ｓが２μｍ／２μｍでないパターンも含まれているが、３本のパターンが形成されていることが確認される場合。
Ｂａｄ：ＳＥＭ写真において、３本のパターンが形成されておらず、つぶれているような形状のパターンが形成されていることが確認される場合。
コントラストカーブ
　フォトリソグラフィー試験において、実施例及び比較例の各感光性樹脂組成物を使用し、試料ごとに紫外線の照射線量（ｍＪ／ｃｍ２）を変化させて、硬化物を得た。照射線量ごとに、紫外線照射前の感光性樹脂組成物の薄膜の膜厚に対する紫外線照射後の硬化物の膜厚の比である、膜厚比を測定した。照射線量と膜厚比との関係をプロットした。紫外線照射前の感光性樹脂組成物の薄膜の膜厚は、前述のとおり１３μｍである。紫外線照射後の硬化物の膜厚は、以下のように測定された。すなわち、試料に形成された３本のパターンのうちの１本の断面を、ＳＥＭで観察および撮影した。この撮影によって得られた断面ＳＥＭ写真から、シリコンウェーハ表面からパターンの頂部までの厚さを導出し、この厚さを硬化物の膜厚として測定した。理想のコントラストカーブでは、一定の量以下の照射線量では感光性樹脂組成物が反応せず、照射線量が一定量を超えると急速に反応が進み、照射線量に対する膜厚比の立ち上がりが急峻である。また、理想のコントラストカーブでは、その後、照射線量がさらに増えても、膜厚比が一定であり、反応が飽和に達していることが確認できる。実施例及び比較例の感光性樹脂組成物を硬化させた際における照射線量と膜厚比との関係を示すコントラストカーブを、以下のように評価した。
Ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ：照射線量と膜厚比との関係を示すコントラストカーブにおいて、照射線量が３０ｍＪ／ｃｍ２以下では、膜厚比が０に近いままであり、照射線量が３０ｍＪ／ｃｍ２を超えて５０ｍＪ／ｃｍ２から１００ｍＪ／ｃｍ２にまで増加する間に、膜厚比が４０％以上増加する場合。
Ｇｏｏｄ：照射線量と膜厚比との関係を示すコントラストカーブにおいて、照射線量が３０ｍＪ／ｃｍ２以下では膜厚比が１～１０％であり、照射線量が３０ｍＪ／ｃｍ２超えて５０ｍＪ／ｃｍ２から１００ｍＪ／ｃｍ２にまで増加する間に、膜厚比が４０％以上増加する場合。
Ｂａｄ：照射線量と膜厚比との関係を示すコントラストカーブにおいて、照射線量が３０ｍＪ／ｃｍ２以下であっても膜厚比が１０％を超えており、照射線量が３０ｍＪ／ｃｍ２超えて５０ｍＪ／ｃｍ２から１００ｍＪ／ｃｍ２にまで増えても、膜厚比の増加が４０％未満である場合。
比誘電率（ε）、誘電正接（ｔａｎδ）
　測定試料を、次のように作製した。
　感光性樹脂組成物を支持体に塗布し、大気雰囲気下、１２０℃で５分間、前熱処理（ソフトベイク）を行い、加熱によって感光性樹脂組成物を乾燥させた。これにより、膜厚１３μｍの感光性樹脂組成物の薄膜を得た。
　スプリットポスト誘電共振器（ＳＰＤＲ）により、誘電体共振周波数１０ＧＨｚで、測定試料の比誘電率（ε）および誘電正接（ｔａｎδ）を測定した。比誘電率（ε）は、好ましくは１．５～３．３であり、より好ましくは１．５～２．８である。誘電正接（ｔａｎδ）は、好ましくは０．００１～０．０１０である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000018
　表１～３に示すように、実施例１～１２の感光性樹脂組成物は、成膜性（フィルム化）およびパターニング性に優れている。さらに、実施例１～１２の感光性樹脂組成物は、紫外線照射により十分に硬化し、現像後の膜減りが抑制された硬化物が得られた。また、実施例１～１２の感光性樹脂組成物は、低い比誘電率（ε）及び誘電正接（ｔａｎδ）を有し、高周波領域で使用される場合の電気的特性が良好であった。実施例１～１２の感光性樹脂組成物では、照射線量に対する膜厚比の関係を示すコントラストカーブが、理想のコントラストカーブに近かった。すなわち、これらのコントラストカーブでは、一定量以下の照射線量では感光性樹脂組成物の反応が進みにくく、照射線量が一定量を超えると急速に反応が進み、膜厚比の立ち上がりが急峻であり、その後、照射線量がさらに増えても膜厚比が一定となった。このため、実施例１～１２の感光性樹脂組成物によれば、フォトリソグラフィーにより、Ｌ／Ｓが２μｍ／２μｍ以下の、微細かつ正確なパターンを形成することができた。
　図２は、実施例６、７及び１２の感光性樹脂組成物を用いて得られた各硬化物についてのコントラストカーブを示すグラフである。このコントラストカーブは、１回５０秒の現像処理および２回５０秒の現像処理を行った場合の、照射線量に対する膜厚比の関係を示す。１回５０秒の現像処理および２回５０秒の現像処理を行った場合でも、同じ実施例の感光性樹脂組成物は、同じような傾向のコントラストカーブを示すことが確認できた。図２に示すように、実施例６の感光性樹脂組成物は、理想のコントラストカーブに近いコントラストカーブを示した。すなわち、実施例６のコントラストカーブでは、一定量以下の照射線量では感光性樹脂組成物の反応が進みにくく、照射線量が一定量を超えると反応が進み、その後、照射線量がさらに増えても膜厚比が一定となった。実施例７の感光性樹脂組成物は、理想のコントラストカーブにより近いコントラストカーブを示した。すなわち、実施例７のコントラストカーブでは、一定量以下の照射線量では感光性樹脂組成物の反応が進みにくく、照射線量が一定量を超えると急速に反応が進み、膜厚比の立ち上がりが急峻であり、その後、照射線量がさらに増えても膜厚比が一定となった。実施例１２の感光性樹脂組成物は、成分（Ｄ）の２官能アクリル樹脂を含むため、紫外線照射により、理想のコントラストカーブに近いコントラストカーブを示した。すなわち、実施例１２のコントラストカーブでは、硬化が急速に進んだ後も、まだ反応しきれていない成分（Ａ）と成分（Ｄ）とが反応して、緩やかに膜厚比が増加した。
　表１及び３に示すように、比較例１～４の感光性樹脂組成物は、理想のコントラストカーブに近いコントラストカーブを示していなかった。比較例２の感光性樹脂組成物は、成分（Ａ）のＰＰＥを含んでいないため、成膜性およびパターニング性が悪かった。比較例３及び４の感光性樹脂組成物は、成分（Ｄ）の２官能アクリル樹脂を含むけれども、成分（Ｂ）のシルセスキオキサン化合物を含んでいない。このため、照射線量が一定の量を超えても、反応が急速には進まず、理想のコントラストカーブに近いコントラストカーブが得られなかった。
　図３に示すように、比較例１の感光性樹脂組成物は、成分（Ｂ）のシルセスキオキサン化合物を含んでいない。このため、照射線量が３０ｍＪ／ｃｍ２以下でも、硬化が進んで、膜厚比が増加している。また、照射線量が３０ｍＪ／ｃｍ２を超えて５０ｍＪ／ｃｍ２から１００ｍＪ／ｃｍ２にまで増加しても、反応がそれほど急速には進まず、膜厚比の増加が３０％未満であった。したがって、膜厚比が一定に達するまで、照射線量を多量に照射しなければならない。このように、比較例１の感光性樹脂組成物は、理想のコントラストカーブに近いコントラストカーブを示していなかった。
　本開示の一態様に係る感光性樹脂組成物は、高温熱処理を必要とせず、配線用の絶縁材料として使用可能である。この感光性樹脂組成物は、例えば、配線構造体の再配線層を形成するための絶縁層用の材料、および、層間接着フィルムに用いられることができる。さらに、本開示の一態様に係る感光性樹脂組成物は、電子部品、半導体装置、カメラモジュールあるいはイメージセンサモジュールを構成する部品の接着および封止に、用いられることができる。

Claims (14)

  1. 　下記成分（Ａ）～（Ｃ）：
    （Ａ）下記式（１）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     ［式中、Ｒ１～Ｒ３は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し、
    　Ｘは、ｑ価の非置換又は置換芳香族炭化水素基を表し、
    　Ｙは、下記式（２）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     ［式中、Ｒ４～Ｒ７は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアルケニルカルボニル基を表す。］
    で表される非置換又は置換フェノール繰り返し単位を表し、
    　ｍは、１～１００の整数を表し、
    　ｎは、１～６の整数を表し、
    　ｑは、１～４の整数を表す。］
    で表される変性ポリフェニレンエーテル樹脂、
    （Ｂ）下記式（３）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     で表される化合物、及び、
    （Ｃ）光重合開始剤、
    を含む、
    感光性樹脂組成物。
  2. 　（Ｄ）下記式（４）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
     ［式中、それぞれのＲａは、独立に水素原子又はメチル基を表し、
    　それぞれのＲｂは、独立に２価の炭化水素基を表し、
    　ｘ及びｙは、それぞれ独立に１～５の整数を表す。］で表される２官能アクリル樹脂をさらに含む、
    請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
  3. 　前記成分（Ｃ）が、アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤、オキシムエステル系光重合開始剤、及び、アルキルフェノン系光重合開始剤からなる群から選択される少なくとも１種である、
    請求項１又は２に記載の感光性樹脂組成物。
  4. 　前記成分（Ａ）と前記成分（Ｂ）との合計量に対する、前記成分（Ａ）の質量比が、０．１０～０．９９である、
    請求項１～３のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
  5. 　前記成分（Ｃ）の含有量が、感光性樹脂組成物１００質量％に対して、１．０～２０．０質量％である、
    請求項１～４のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
  6. 　前記成分（Ｂ）と前記成分（Ｄ）との合計量に対する、前記（Ｄ）成分の質量比が、０．０１～０．９９である、
    請求項２～５のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
  7. 　（Ｅ）結晶性又は非晶性の熱可塑性樹脂（但し、２官能アクリル樹脂を除く。）をさらに含む、
    請求項１～６のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
  8. 　前記成分（Ｅ）が、液晶ポリマー、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリメタクリ酸メチル、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、及び、ポリアミドイミドからなる群から選択される少なくとも１種である、
    請求項７に記載の感光性樹脂組成物。
  9. 　再配線層を含む配線構造体の形成用である、
    請求項１～８のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
  10. 　請求項１～９のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物を硬化させることによって得られた硬化物。
  11. 　請求項１０に記載の硬化物を含む配線構造体。
  12. 　請求項１０に記載の硬化物を含む電子部品。
  13. 　請求項１０に記載の硬化物を含む半導体装置。
  14. 　請求項１０に記載の硬化物を含むカメラモジュール。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012014021A (ja) * 2010-07-01 2012-01-19 Fujifilm Corp 感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、反射防止膜、絶縁膜、光学デバイス及び電子デバイス
JP2017047648A (ja) * 2015-09-04 2017-03-09 三菱瓦斯化学株式会社 銅張積層板
JP2017534693A (ja) * 2014-07-29 2017-11-24 オーエフエス ファイテル，エルエルシー 光ファイバブラッググレーティングの製造のためのｕｖ硬化性シルセスキオキサン含有ライトスルー光ファイバコーティング及びそれから製造されたファイバ
WO2018061988A1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 株式会社カネカ 感光性組成物、ならびに着色パターンおよびその製造方法
WO2020166288A1 (ja) * 2019-02-12 2020-08-20 ナミックス株式会社 光硬化性樹脂組成物及びそれを硬化させて得られる硬化物

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009128487A (ja) 2007-11-21 2009-06-11 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物及びフォトスペーサーの製造方法、並びに、液晶表示装置用基板、液晶表示素子及び液晶表示装置
JP2017092152A (ja) 2015-11-05 2017-05-25 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 多層体、その製造方法及び半導体装置
JP6555115B2 (ja) 2015-12-18 2019-08-07 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂材料

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012014021A (ja) * 2010-07-01 2012-01-19 Fujifilm Corp 感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、反射防止膜、絶縁膜、光学デバイス及び電子デバイス
JP2017534693A (ja) * 2014-07-29 2017-11-24 オーエフエス ファイテル，エルエルシー 光ファイバブラッググレーティングの製造のためのｕｖ硬化性シルセスキオキサン含有ライトスルー光ファイバコーティング及びそれから製造されたファイバ
JP2017047648A (ja) * 2015-09-04 2017-03-09 三菱瓦斯化学株式会社 銅張積層板
WO2018061988A1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 株式会社カネカ 感光性組成物、ならびに着色パターンおよびその製造方法
WO2020166288A1 (ja) * 2019-02-12 2020-08-20 ナミックス株式会社 光硬化性樹脂組成物及びそれを硬化させて得られる硬化物

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