KR20230023962A

KR20230023962A - Semiconductor strip grinding apparatus

Info

Publication number: KR20230023962A
Application number: KR1020210105886A
Authority: KR
Inventors: 황의두; 정운태; 석재성; 우종원
Original assignee: 서우테크놀로지 주식회사
Priority date: 2021-08-11
Filing date: 2021-08-11
Publication date: 2023-02-20
Also published as: JP7465003B2; CN115703202A; TW202313247A; JP2023026351A; KR102610449B1

Abstract

Disclosed is a semiconductor strip grinding apparatus. The semiconductor strip grinding apparatus comprises: a chuck table for supporting a semiconductor strip; a grinding unit for grinding and removing a surface portion of a semiconductor strip loaded on the chuck table; and a dressing unit for performing a dressing step on the grinding unit while performing a loading or unloading step of the semiconductor strip on the chuck table. An objective of the present invention is to provide the improved semiconductor strip grinding apparatus capable of improving productivity.

Description

Semiconductor strip grinding device {SEMICONDUCTOR STRIP GRINDING APPARATUS}

본 발명의 실시예들은 반도체 스트립 연삭 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 다이 본딩 공정과 몰딩 공정에 의해 제조된 반도체 스트립의 보호 몰딩층을 연삭하여 상기 반도체 스트립의 두께를 감소시키는 반도체 스트립 연삭 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a semiconductor strip grinding device. More specifically, it relates to a semiconductor strip grinding device that reduces the thickness of a semiconductor strip by grinding a protective molding layer of a semiconductor strip manufactured by a die bonding process and a molding process.

반도체 스트립은 인쇄회로기판 또는 리드 프레임과 같은 기판 상에 반도체 다이를 본딩하는 다이 본딩 공정과 상기 반도체 다이를 에폭시 수지와 같은 몰딩 수지를 이용하여 패키징하는 몰딩 공정을 통해 제조될 수 있으며, 상기 반도체 스트립을 절단하여 개별화하고 양불 판정을 통해 분류하는 절단 및 분류 공정을 통해 반도체 패키지들이 제조될 수 있다.The semiconductor strip may be manufactured through a die bonding process of bonding a semiconductor die on a substrate such as a printed circuit board or a lead frame and a molding process of packaging the semiconductor die using a molding resin such as an epoxy resin. Semiconductor packages may be manufactured through a cutting and sorting process of cutting, individualizing, and classifying through good or bad judgment.

반도체 스트립 연삭 장치는 상기와 같이 제조된 반도체 스트립의 두께를 기 설정된 두께로 감소시키기 위하여 상기 몰딩 수지로 이루어지는 보호 몰딩층의 표면 부위를 연삭하여 제거하는데 사용될 수 있다. 상기 반도체 스트립 연삭 장치는 상기 반도체 스트립을 지지하기 위한 척 테이블과 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 연삭하여 제거하기 위한 연삭 유닛을 포함할 수 있다.The semiconductor strip grinding device may be used to grind and remove the surface portion of the protective molding layer made of the molding resin in order to reduce the thickness of the semiconductor strip manufactured as described above to a predetermined thickness. The semiconductor strip grinding device may include a chuck table for supporting the semiconductor strip and a grinding unit for grinding and removing a surface portion of the semiconductor strip.

대한민국 등록특허공보 제10-1675271호 (등록일자 2016년 11월 07일)Republic of Korea Patent Registration No. 10-1675271 (Registration date: November 07, 2016) 대한민국 등록특허공보 제10-1851383호 (등록일자 2018년 04월 17일)Republic of Korea Patent Registration No. 10-1851383 (registration date: April 17, 2018)

본 발명의 실시예들은 생산성을 향상시킬 수 있는 개선된 반도체 스트립 연삭 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Embodiments of the present invention are aimed at providing an improved semiconductor strip grinding device capable of improving productivity.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 스트립 연삭 장치는, 반도체 스트립을 지지하기 위한 척 테이블과, 상기 척 테이블 상에 로드된 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 연삭하여 제거하기 위한 연삭 유닛과, 상기 척 테이블에 대하여 상기 반도체 스트립의 로드 또는 언로드 단계를 수행하는 동안 상기 연삭 유닛에 대한 드레싱 단계를 수행하기 위한 드레싱 유닛을 포함할 수 있다.A semiconductor strip grinding apparatus according to an aspect of the present invention for achieving the above object is a chuck table for supporting a semiconductor strip, and a grinding unit for grinding and removing a surface portion of the semiconductor strip loaded on the chuck table. and a dressing unit for performing a dressing step on the grinding unit while loading or unloading the semiconductor strip on the chuck table.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치는, 상기 연삭 유닛 아래의 공정 영역과 상기 반도체 스트립의 로드 또는 언로드 단계가 수행되는 로드/언로드 영역 사이에서 상기 척 테이블을 수평 방향으로 이동시키는 제1 수평 구동부와, 상기 공정 영역과 상기 공정 영역으로부터 이격된 대기 영역 사이에서 상기 드레싱 유닛을 수평 방향으로 이동시키는 제2 수평 구동부를 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the semiconductor strip grinding device moves the chuck table in a horizontal direction between a process area under the grinding unit and a load/unload area where the loading or unloading step of the semiconductor strip is performed. It may further include a first horizontal driving unit and a second horizontal driving unit for moving the dressing unit in a horizontal direction between the process area and a waiting area spaced apart from the process area.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 제1 수평 구동부와 상기 제2 수평 구동부는 상기 척 테이블과 상기 드레싱 유닛을 동축 선상에서 이동시키도록 구성될 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the first horizontal driving unit and the second horizontal driving unit may be configured to move the chuck table and the dressing unit on a coaxial line.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치는, 상기 반도체 스트립에 대한 연삭 단계를 수행하는 동안 상기 반도체 스트립의 두께를 측정하기 위한 두께 측정 유닛을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the semiconductor strip grinding apparatus may further include a thickness measurement unit for measuring the thickness of the semiconductor strip while performing the grinding step on the semiconductor strip.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치는, 상기 반도체 스트립에 대한 연삭 단계가 수행된 후 상기 반도체 스트립의 두께를 측정하기 위한 제2 두께 측정 유닛을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the semiconductor strip grinding apparatus may further include a second thickness measurement unit for measuring the thickness of the semiconductor strip after the grinding step of the semiconductor strip is performed.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치는, 상기 반도체 스트립에 대한 연삭 단계를 수행하는 동안 또는 상기 연삭 단계가 수행된 후 상기 반도체 스트립을 세정하기 위한 스트립 세정 유닛을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the semiconductor strip grinding apparatus may further include a strip cleaning unit for cleaning the semiconductor strip while performing the grinding step on the semiconductor strip or after the grinding step is performed. can

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 연삭 유닛은, 상기 반도체 스트립의 표면 부위를 연삭하기 위한 복수의 연삭 숫돌들과, 상기 연삭 숫돌들이 장착되는 연삭 휠과, 상기 연삭 휠을 회전시키기 위한 회전 구동부를 포함하며, 상기 연삭 숫돌들은 상기 연삭 휠의 하부 가장자리 부위를 따라 원주 방향으로 배치될 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the grinding unit may include a plurality of grinding stones for grinding the surface of the semiconductor strip, a grinding wheel on which the grinding stones are mounted, and rotation for rotating the grinding wheel. A drive unit is included, and the grinding stones may be disposed in a circumferential direction along a lower edge portion of the grinding wheel.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치는, 상기 연삭 유닛의 하부에 배치되며 상기 연삭 숫돌들을 세정하기 위한 숫돌 세정 유닛을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the semiconductor strip grinding device may further include a grindstone cleaning unit disposed under the grinding unit to clean the grinding stones.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 드레싱 유닛은, 상기 연삭 휠의 하부에 배치되는 드레싱 휠과, 상기 드레싱 휠을 회전시키기 위한 제2 회전 구동부를 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the dressing unit may include a dressing wheel disposed under the grinding wheel, and a second rotation driving unit for rotating the dressing wheel.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 연삭 휠에는 상기 연삭 휠의 아이디 정보가 기록된 정보 태그가 부착되며, 상기 회전 구동부에는 상기 정보 태그에 기록된 상기 연삭 휠의 아이디 정보를 독출하기 위한 리더기가 구비될 수 있다.According to some embodiments of the present invention, an information tag on which ID information of the grinding wheel is recorded is attached to the grinding wheel, and a reader for reading the ID information of the grinding wheel recorded on the information tag is attached to the rotary drive unit. may be provided.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치는, 복수의 반도체 스트립들을 수납하도록 구성된 매거진으로부터 상기 반도체 스트립을 인출하기 위한 스트립 인출 유닛과, 상기 매거진으로부터 인출된 상기 반도체 스트립이 놓여지며 상기 반도체 스트립의 하부면을 진공 흡착하기 위한 진공 테이블과, 상기 진공 테이블 상의 상기 반도체 스트립을 픽업하여 상기 척 테이블 상으로 이송하기 위한 스트립 이송 유닛을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the semiconductor strip grinding device includes a strip take-out unit for drawing out the semiconductor strip from a magazine configured to accommodate a plurality of semiconductor strips, and the semiconductor strip taken out from the magazine is placed The semiconductor device may further include a vacuum table for vacuum adsorbing a lower surface of the semiconductor strip, and a strip transfer unit for picking up the semiconductor strip on the vacuum table and transferring the semiconductor strip onto the chuck table.

본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 상기 진공 테이블은 수직 방향으로 승강 가능하도록 구성되고, 상기 스트립 이송 유닛은 수직 방향으로 승강 가능하도록 구성되며 상기 반도체 스트립의 상부면을 진공 흡착하여 픽업하기 위한 진공 피커를 포함하며, 상기 진공 테이블의 상승 및 상기 진공 피커의 하강에 의해 상기 반도체 스트립이 상기 진공 테이블과 상기 진공 피커 사이에 밀착된 상태에서 상기 반도체 스트립이 상기 진공 테이블로부터 상기 진공 피커로 전달될 수 있다.According to some embodiments of the present invention, the vacuum table is configured to be able to be lifted in a vertical direction, and the strip transfer unit is configured to be able to be lifted in a vertical direction, and a vacuum for vacuum suction and pickup of the upper surface of the semiconductor strip is provided. and a picker, wherein the semiconductor strip may be transferred from the vacuum table to the vacuum picker in a state in which the semiconductor strip is in close contact between the vacuum table and the vacuum picker by the elevation of the vacuum table and the descent of the vacuum picker. there is.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 연삭 유닛에 대한 드레싱 단계는 상기 척 테이블에 대한 상기 반도체 스트립의 로드 및/또는 언로드 단계가 수행되는 동안 상기 드레싱 유닛에 의해 수행될 수 있다. 따라서, 상기 연삭 유닛에 대한 상기 드레싱 단계의 수행을 위한 별도의 추가 시간이 요구되지 않으며, 이에 따라 상기 반도체 스트립 연삭 장치의 단위 시간당 처리량이 크게 증가될 수 있다. 또한, 상기 두께 측정 유닛은 상기 반도체 스트립에 대한 연삭 단계가 수행되는 동안 상기 반도체 스트립의 두께를 실시간으로 측정할 수 있으며, 이에 따라 상기 반도체 스트립의 두께를 보다 정밀하게 제어할 수 있다. 아울러, 상기 숫돌 세정 유닛은 상기 반도체 스트립에 대한 세정 단계를 수행하는 동안 상기 연삭 숫돌들에 대한 세정 단계를 동시에 수행할 수 있으며, 이에 따라 상기 반도체 스트립의 연삭 공정에 소요되는 시간을 크게 단축시킬 수 있다. 결과적으로, 상기 반도체 스트립 연삭 장치의 생산성이 크게 향상될 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, the dressing step of the grinding unit may be performed by the dressing unit while the loading and/or unloading step of the semiconductor strip to the chuck table is performed. Therefore, no additional time is required for performing the dressing step on the grinding unit, and thus, the throughput per unit time of the semiconductor strip grinding device can be greatly increased. In addition, the thickness measuring unit may measure the thickness of the semiconductor strip in real time while the grinding step of the semiconductor strip is performed, and accordingly, the thickness of the semiconductor strip may be more precisely controlled. In addition, the grindstone cleaning unit may simultaneously perform the cleaning step for the grinding stones while performing the cleaning step for the semiconductor strip, thereby greatly reducing the time required for the grinding process of the semiconductor strip. there is. As a result, the productivity of the semiconductor strip grinding device can be greatly improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 스트립 연삭 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 연삭 유닛과 제1 수평 구동부를 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 연삭 유닛과 제1 수평 구동부를 설명하기 위한 개략적인 정면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 연삭 휠과 연삭 숫돌들을 설명하기 위한 개략적인 저면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 드레싱 유닛과 제2 수평 구동부를 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.
도 6 및 도 7은 도 1에 도시된 진공 테이블과 스트립 이송 유닛을 설명하기 위한 개략적인 정면도들이다.1 is a schematic plan view for explaining a semiconductor strip grinding apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a schematic side view for explaining the grinding unit and the first horizontal drive shown in Figure 1;
Figure 3 is a schematic front view for explaining the grinding unit and the first horizontal drive shown in Figure 1;
Figure 4 is a schematic bottom view for explaining the grinding wheel and grinding wheels shown in Figure 2;
Figure 5 is a schematic side view for explaining the dressing unit and the second horizontal drive shown in Figure 1;
6 and 7 are schematic front views for explaining the vacuum table and the strip transfer unit shown in FIG.

이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention does not have to be configured as limited to the embodiments described below and may be embodied in various other forms. The following examples are not provided to fully complete the present invention, but rather to fully convey the scope of the present invention to those skilled in the art.

본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.In the embodiments of the present invention, when one element is described as being disposed on or connected to another element, the element may be directly disposed on or connected to the other element, and other elements may be interposed therebetween. It could be. Alternatively, when an element is described as being directly disposed on or connected to another element, there cannot be another element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and/or parts, but the items are not limited by these terms. will not

본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.Technical terms used in the embodiments of the present invention are only used for the purpose of describing specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. In addition, unless otherwise limited, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as can be understood by those skilled in the art having ordinary knowledge in the technical field of the present invention. The above terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be construed to have a meaning consistent with their meaning in the context of the relevant art and description of the present invention, unless expressly defined, ideally or excessively outwardly intuition. will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to schematic illustrations of idealized embodiments of the present invention. Accordingly, variations from the shapes of the illustrations, eg, variations in manufacturing methods and/or tolerances, are fully foreseeable. Accordingly, embodiments of the present invention are not to be described as being limited to specific shapes of regions illustrated as diagrams, but to include variations in shapes, and elements described in the drawings are purely schematic and their shapes is not intended to describe the exact shape of the elements, nor is it intended to limit the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 스트립 연삭 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view for explaining a semiconductor strip grinding apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 반도체 스트립(10)의 표면 부위를 연삭하여 제거하고 이를 통해 상기 반도체 스트립(10)의 두께를 기 설정된 두께로 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 구체적으로, 상기 반도체 스트립(10)은 인쇄회로기판 또는 리드 프레임과 같은 기판 상에 반도체 다이를 본딩한 후 상기 기판 상에 에폭시 수지와 같은 몰딩 수지를 이용하여 보호 몰딩층을 형성함으로써 제조될 수 있다. 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 상기 반도체 스트립(10)의 보호 몰딩층의 표면 부위를 연삭하여 상기 반도체 스트립(10)을 기 설정된 두께를 갖도록 가공하기 위해 사용될 수 있다.Referring to FIG. 1 , a semiconductor strip grinding device 100 according to an embodiment of the present invention grinds and removes a surface portion of a semiconductor strip 10 to reduce the thickness of the semiconductor strip 10 to a predetermined thickness. can be used to reduce Specifically, the semiconductor strip 10 may be manufactured by bonding a semiconductor die on a substrate such as a printed circuit board or a lead frame and then forming a protective molding layer on the substrate using a molding resin such as epoxy resin. . The semiconductor strip grinding device 100 may be used to process the semiconductor strip 10 to have a predetermined thickness by grinding the surface of the protective molding layer of the semiconductor strip 10 .

상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 상기 반도체 스트립(10)을 지지하기 위한 척 테이블(130)과 상기 척 테이블(130) 상에 로드된 상기 반도체 스트립(10)의 표면 부위를 연삭하여 제거하기 위한 연삭 유닛(140)을 포함할 수 있다. 일 예로서, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 도시된 바와 같이 두 개의 척 테이블들(130)과 두 개의 연삭 유닛들(140)을 구비하고 있으나, 이들의 개수는 변경 가능하므로 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.The semiconductor strip grinding device 100 includes a chuck table 130 for supporting the semiconductor strip 10 and a surface portion of the semiconductor strip 10 loaded on the chuck table 130 to remove by grinding. A grinding unit 140 may be included. As an example, the semiconductor strip grinding device 100 includes two chuck tables 130 and two grinding units 140 as shown, but the number of them can be changed, thereby according to the present invention. will not be limited in scope.

도 2는 도 1에 도시된 연삭 유닛과 제1 수평 구동부를 설명하기 위한 개략적인 측면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 연삭 유닛과 제1 수평 구동부를 설명하기 위한 개략적인 정면도이며, 도 4는 도 2에 도시된 연삭 휠과 연삭 숫돌들을 설명하기 위한 개략적인 저면도이다.Figure 2 is a schematic side view for explaining the grinding unit and the first horizontal driving unit shown in Figure 1, Figure 3 is a schematic front view for explaining the grinding unit and the first horizontal driving unit shown in Figure 1, Figure 4 is a schematic bottom view for explaining the grinding wheel and grinding stones shown in FIG.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 상기 연삭 유닛(140)은 상기 반도체 스트립(10)의 표면 부위를 연삭하기 위한 복수의 연삭 숫돌들(142)과, 상기 연삭 숫돌들(142)이 장착되는 연삭 휠(144)과, 상기 연삭 휠(144)을 회전시키기 위한 회전 구동부(146)를 포함할 수 있다. 특히, 상기 연삭 숫돌들(142)은 상기 연삭 휠(144)의 하부 가장자리 부위를 따라 원주 방향으로 배치될 수 있다.2 to 4, the grinding unit 140 includes a plurality of grinding wheels 142 for grinding the surface of the semiconductor strip 10, and a grinding unit on which the grinding wheels 142 are mounted. A wheel 144 and a rotation driving unit 146 for rotating the grinding wheel 144 may be included. In particular, the grinding stones 142 may be disposed in a circumferential direction along a lower edge portion of the grinding wheel 144 .

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 상기 척 테이블(130)을 수평 방향, 예를 들면, 도시된 바와 같이 Y축 방향으로 이동시키기 위한 제1 수평 구동부(132)를 포함할 수 있다. 상기 제1 수평 구동부(132)는 상기 연삭 유닛(140) 아래에서 상기 반도체 스트립(10)의 연삭 단계가 수행되는 공정 영역과 상기 척 테이블(130)에 대하여 상기 반도체 스트립(10)의 로드 및 언로드 단계가 수행되는 로드/언로드 영역 사이에서 상기 척 테이블(130)을 수평 이동시킬 수 있으며, 또한 상기 반도체 스트립(10)의 표면 연삭을 위하여 상기 공정 영역 내에서 수평 방향으로 상기 척 테이블(130)을 왕복 이동시킬 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the semiconductor strip grinding device 100 includes a first horizontal driving unit 132 for moving the chuck table 130 in a horizontal direction, for example, in the Y-axis direction as shown. can include The first horizontal driver 132 loads and unloads the semiconductor strip 10 with respect to the chuck table 130 and a process area where the grinding step of the semiconductor strip 10 is performed under the grinding unit 140 . The chuck table 130 may be horizontally moved between loading/unloading areas where steps are performed, and the chuck table 130 may be moved horizontally in the process area for surface grinding of the semiconductor strip 10. can be moved back and forth.

아울러, 도시되지는 않았으나, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 상기 연삭 유닛(140)을 수직 방향으로 이동시키기 위한 수직 구동부(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 수직 구동부는 상기 연삭 유닛(140)의 높이를 조절함으로써 상기 반도체 스트립(10)의 연삭 두께를 조절할 수 있다. 그러나, 상기와 다르게, 상기 반도체 스트립(10)의 높이를 조절할 수 있도록 상기 척 테이블(130)을 수직 방향으로 이동시키는 제2 수직 구동부(미도시)가 마련될 수도 있다.In addition, although not shown, the semiconductor strip grinding device 100 may include a vertical driver (not shown) for moving the grinding unit 140 in a vertical direction. The vertical driver may adjust the grinding thickness of the semiconductor strip 10 by adjusting the height of the grinding unit 140 . However, unlike the above, a second vertical driver (not shown) may be provided to vertically move the chuck table 130 so as to adjust the height of the semiconductor strip 10 .

상기 제1 수평 구동부(132)는 상기 Y축 방향으로 연장하는 가이드 레일(134)을 따라 이동 가능하게 구성되는 제1 가동 블록(136)을 포함할 수 있으며, 상기 척 테이블(130)은 상기 제1 가동 블록(136) 상에 배치될 수 있다. 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 척 테이블(130)은 상기 반도체 스트립(10)의 하부면을 진공 흡착하기 위하여 복수의 진공홀들을 구비할 수 있다.The first horizontal drive unit 132 may include a first movable block 136 configured to be movable along the guide rail 134 extending in the Y-axis direction, and the chuck table 130 may include the first movable block 136 . 1 can be placed on the movable block 136. Although not shown in detail, the chuck table 130 may include a plurality of vacuum holes to vacuum the lower surface of the semiconductor strip 10 .

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 상기 척 테이블(130)에 대하여 상기 반도체 스트립(10)의 로드 또는 언로드 단계를 수행하는 동안 상기 연삭 유닛(140)에 대한 드레싱 단계를 수행하기 위한 드레싱 유닛(150)을 포함할 수 있다. 상기 드레싱 유닛(150)은 상기 반도체 스트립(10)의 표면 연삭에 의해 상기 연삭 숫돌들(142)에 누적되는 이물질들을 제거하고 상기 연삭 숫돌들(142)의 표면 상태를 개선하기 위해 사용될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the semiconductor strip grinding device 100 performs a dressing on the grinding unit 140 while performing a loading or unloading step of the semiconductor strip 10 on the chuck table 130. It may include a dressing unit 150 for performing the step. The dressing unit 150 may be used to remove foreign substances accumulated on the grinding wheels 142 by surface grinding of the semiconductor strip 10 and to improve the surface condition of the grinding wheels 142 .

도 5는 도 1에 도시된 드레싱 유닛과 제2 수평 구동부를 설명하기 위한 개략적인 측면도이다.Figure 5 is a schematic side view for explaining the dressing unit and the second horizontal drive shown in Figure 1;

도 5를 참조하면, 상기와 같이 상기 반도체 스트립(10)의 로드 또는 언로드 단계를 수행하는 동안 즉 상기 척 테이블(130)이 상기 연삭 유닛(140)으로부터 이격되어 있는 동안 상기 드레싱 단계를 수행하기 위하여 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 상기 드레싱 유닛(150)을 수평 방향으로 이동시키기 위한 제2 수평 구동부(160)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , in order to perform the dressing step while loading or unloading the semiconductor strip 10 as described above, that is, while the chuck table 130 is spaced apart from the grinding unit 140 The semiconductor strip grinding device 100 may include a second horizontal driving unit 160 for moving the dressing unit 150 in a horizontal direction.

예를 들면, 상기 제2 수평 구동부(160)는 상기 공정 영역과 상기 공정 영역으로부터 이격된 대기 영역 사이에서 상기 드레싱 유닛(150)을 수평 방향으로 이동시킬 수 있다. 구체적으로, 상기 제2 수평 구동부(160)는 상기 Y축 방향으로 상기 드레싱 유닛(150)을 이동시킬 수 있다. 즉, 상기 제1 수평 구동부(132)와 제2 수평 구동부(160)는 상기 척 테이블(130)과 상기 드레싱 유닛(150)을 동축 선상에서 각각 수평 이동시키도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 수평 구동부(160)는 상기 Y축 방향으로 연장하는 상기 가이드 레일(134)을 따라 이동 가능하도록 구성되는 제2 가동 블록(162)을 포함할 수 있으며, 상기 드레싱 유닛(150)은 상기 제2 가동 블록(162) 상에 배치될 수 있다.For example, the second horizontal driver 160 may move the dressing unit 150 in a horizontal direction between the process area and a waiting area spaced apart from the process area. Specifically, the second horizontal driving unit 160 may move the dressing unit 150 in the Y-axis direction. That is, the first horizontal driving unit 132 and the second horizontal driving unit 160 may be configured to horizontally move the chuck table 130 and the dressing unit 150 on a coaxial line, respectively. For example, the second horizontal driving unit 160 may include a second movable block 162 configured to be movable along the guide rail 134 extending in the Y-axis direction, and the dressing unit ( 150) may be disposed on the second movable block 162.

상기 드레싱 유닛(150)은 상기 제2 수평 구동부(160)에 의해 상기 연삭 유닛(140)의 아래에 위치될 수 있으며, 상기 연삭 휠(144)의 하부 일측 가장자리 부위에 대응하도록 배치되는 드레싱 휠(152) 및 상기 드레싱 휠(152)을 회전시키기 위한 제2 회전 구동부(156)를 포함할 수 있다. 이때, 상기 수직 구동부는 상기 연삭 숫돌들(142)이 상기 드레싱 휠(152)과 접촉되도록 상기 연삭 유닛(140)을 하강시킬 수 있다. 그러나, 상기와 다르게, 상기 드레싱 휠(152)의 높이를 조절하기 위한 제3 수직 구동부(미도시)가 마련될 수도 있다.The dressing unit 150 may be positioned below the grinding unit 140 by the second horizontal drive unit 160, and the dressing wheel disposed to correspond to the lower edge of the grinding wheel 144 ( 152) and a second rotation driving unit 156 for rotating the dressing wheel 152. At this time, the vertical driving unit may lower the grinding unit 140 so that the grinding stones 142 come into contact with the dressing wheel 152 . However, unlike the above, a third vertical driving unit (not shown) may be provided to adjust the height of the dressing wheel 152 .

상술한 바와 같이 상기 연삭 숫돌들(142)이 상기 드레싱 휠(152)에 접촉된 상태에서 상기 회전 구동부(146)는 상기 연삭 휠(144)을 기 설정된 속도로 회전시킬 수 있으며, 아울러 상기 제2 회전 구동부(156)는 상기 드레싱 휠(152)을 기 설정된 속도로 회전시킬 수 있다. 상기 드레싱 휠(152)의 회전과 상기 연삭 휠(144)의 회전에 의해 상기 연삭 숫돌들(142)의 표면 상태가 개선될 수 있다.As described above, in a state in which the grinding stones 142 are in contact with the dressing wheel 152, the rotary driving unit 146 may rotate the grinding wheel 144 at a preset speed, and the second The rotation driving unit 156 may rotate the dressing wheel 152 at a preset speed. Surface conditions of the grinding wheels 142 may be improved by rotation of the dressing wheel 152 and rotation of the grinding wheel 144 .

한편, 도시되지는 않았으나, 상기 연삭 유닛(140)은 상기 반도체 스트립(10)의 표면 연삭 및 상기 드레싱 단계들을 수행하는 동안 상기 연삭 숫돌들(142)의 냉각 및 이물질 제거를 위하여 냉각수의 공급이 가능하도록 구성될 수 있으며, 상기 냉각수는 상기 회전 구동부(146)와 연삭 휠(144)을 통해 상기 연삭 숫돌들(142)을 향하여 공급될 수 있다.On the other hand, although not shown, the grinding unit 140 can supply cooling water to cool the grinding wheels 142 and remove foreign substances while performing the surface grinding of the semiconductor strip 10 and the dressing steps. and the cooling water may be supplied toward the grinding stones 142 through the rotary driving unit 146 and the grinding wheel 144.

다시 도 3을 참조하면, 상기 연삭 휠(144)에는 상기 연삭 휠(144)의 아이디 정보가 기록된 정보 태그(148), 예를 들면, RFID(Radio Frequency Identification) 태그가 부착될 수 있으며, 상기 회전 구동부(146)에는 상기 정보 태그(148)에 기록된 상기 연삭 휠(144)의 아이디 정보를 독출하기 위한 리더기(166)가 구비될 수 있다. 상기 리더기(166)는 상기 반도체 스트립(10)이 투입된 후 상기 투입된 반도체 스트립(10)의 연삭에 적절한 연삭 휠(144)이 장착되었는지를 확인할 수 있으며, 이를 통해 잘못된 연삭 휠(144)에 의해 상기 반도체 스트립(10)의 연삭이 수행되는 오류를 방지할 수 있다. 이때, 상기 연삭 휠(144)은 상기 회전 구동부(146)에 분리 가능하도록 장착될 수 있으며, 투입된 반도체 스트립(10)에 적절하지 않은 연삭 휠(144)이 장착된 경우 이를 분리하고 새로운 연삭 휠을 재장착할 수 있다.Referring back to FIG. 3 , an information tag 148 in which ID information of the grinding wheel 144 is recorded, for example, a Radio Frequency Identification (RFID) tag, may be attached to the grinding wheel 144. A reader 166 for reading the ID information of the grinding wheel 144 recorded on the information tag 148 may be provided in the rotary driving unit 146 . After the semiconductor strip 10 is input, the reader 166 can check whether a grinding wheel 144 suitable for grinding the input semiconductor strip 10 is mounted. An error in which grinding of the semiconductor strip 10 is performed can be prevented. At this time, the grinding wheel 144 may be detachably mounted to the rotation driving unit 146, and if an inappropriate grinding wheel 144 is mounted on the inserted semiconductor strip 10, it is separated and a new grinding wheel is installed. can be re-installed.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 상기 반도체 스트립(10)을 세정하기 위한 스트립 세정 유닛(170)을 포함할 수 있다. 상기 스트립 세정 유닛(170)은 상기 반도체 스트립(10)에 대한 연삭 단계를 수행하는 동안 및/또는 상기 반도체 스트립(10)의 연삭 단계가 수행된 후 상기 반도체 스트립(10) 상의 이물질들을 제거하기 위하여 상기 반도체 스트립(10) 상으로 세정액을 분사할 수 있다. 상기 세정액으로는 물이 사용될 수 있으며, 상기 물의 고압 분사를 통해 상기 반도체 스트립(10)으로부터 이물질들을 충분히 제거할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the semiconductor strip grinding device 100 may include a strip cleaning unit 170 for cleaning the semiconductor strip 10 . The strip cleaning unit 170 is used to remove foreign substances on the semiconductor strip 10 while performing the grinding step of the semiconductor strip 10 and/or after the grinding step of the semiconductor strip 10 is performed. A cleaning liquid may be sprayed onto the semiconductor strip 10 . Water may be used as the cleaning liquid, and foreign substances may be sufficiently removed from the semiconductor strip 10 through high-pressure injection of the water.

아울러, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 연삭 유닛(140)의 하부에는 상기 연삭 숫돌들(142)을 세정하기 위한 숫돌 세정 유닛(174)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 숫돌 세정 유닛(174)은 상기 연삭 숫돌들(142)로부터 이물질들을 제거하기 위하여 상기 연삭 숫돌들(142)을 향하여 세정액을 분사할 수 있다. 상기 세정액으로는 물이 사용될 수 있으며, 상기 물의 고압 분사를 통해 상기 연삭 숫돌들(142)로부터 이물질들이 충분히 제거될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 3 , a grindstone cleaning unit 174 for cleaning the grinding stones 142 may be disposed below the grinding unit 140 . For example, the grindstone cleaning unit 174 may spray a cleaning solution toward the grinding stones 142 to remove foreign substances from the grinding stones 142 . Water may be used as the cleaning liquid, and foreign substances may be sufficiently removed from the grinding wheels 142 through the high-pressure injection of the water.

특히, 상기 반도체 스트립(10)은 길이와 폭을 갖는 직사각 형태를 가질 수 있으며, 상기 척 테이블(130)은 상기 반도체 스트립(10)에 대응하는 직사각 블록 형태를 가질 수 있다. 아울러, 상기 제1 수평 구동부(132)는 상기 척 테이블(130)과 상기 반도체 스트립(10)의 길이 방향 즉 상기 Y축 방향으로 상기 척 테이블(130)과 상기 반도체 스트립(10)을 이동시킬 수 있으며, 상기 숫돌 세정 유닛(174)은 상기 척 테이블(130)의 이동 경로 일측에 배치되어 상기 연삭 숫돌들(142)을 향해 상기 세정액을 분사할 수 있다. 예를 들면, 상기 숫돌 세정 유닛(174)은 상기 반도체 스트립(10)에 대한 연삭 단계를 수행하는 동안 상기 연삭 숫돌들(142)을 향해 상기 세정액을 분사할 수 있으며, 또한 상기 연삭 숫돌들(142)에 대한 드레싱 단계를 수행하는 동안에도 상기 연삭 숫돌들(142)을 향해 상기 세정액을 분사할 수 있다.In particular, the semiconductor strip 10 may have a rectangular shape having a length and width, and the chuck table 130 may have a rectangular block shape corresponding to the semiconductor strip 10 . In addition, the first horizontal driving unit 132 may move the chuck table 130 and the semiconductor strip 10 in the longitudinal direction of the chuck table 130 and the semiconductor strip 10, that is, in the Y-axis direction. The grindstone cleaning unit 174 may be disposed on one side of the moving path of the chuck table 130 to spray the cleaning liquid toward the grinding stones 142 . For example, the grinding wheel cleaning unit 174 may spray the cleaning liquid toward the grinding stones 142 while performing the grinding step of the semiconductor strip 10, and also the grinding stones 142 ), the washing liquid may be sprayed toward the grinding stones 142 even during the dressing step.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 상기 반도체 스트립(10)에 대한 연삭 단계를 수행하는 동안 상기 반도체 스트립(10)의 두께를 측정하기 위한 두께 측정 유닛(178)을 포함할 수 있다. 상기 두께 측정 유닛(178)으로는 상기 반도체 스트립(10)의 상부면에 접촉되는 측정 헤드를 포함하는 접촉식 센서가 사용될 수 있다. 일 예로서, 이탈리아 벤티볼리오 소재의 마르포스(MARPOSS)사로부터 입수 가능한 UNIMARTM 연삭기용 범용 측정 게이지가 사용될 수 있다. 상기 두께 측정 유닛(178)은 상기 Y축 방향으로 상기 연삭 유닛(140)의 일측에 배치되어 상기 반도체 스트립(10)의 두께를 접촉식으로 측정할 수 있다. 상기와 같이 상기 두께 측정 유닛(178)을 이용하여 상기 반도체 스트립(10)에 대한 연삭 단계가 수행되는 동안 상기 반도체 스트립(10)의 두께를 실시간으로 측정할 수 있으므로 상기 반도체 스트립(10)의 두께 제어가 보다 정밀하게 이루어질 수 있다.According to one embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2, the semiconductor strip grinding device 100 measures the thickness of the semiconductor strip 10 while performing a grinding step on the semiconductor strip 10. It may include a thickness measuring unit 178 for. A contact sensor including a measuring head contacting the upper surface of the semiconductor strip 10 may be used as the thickness measuring unit 178 . As an example, a universal measuring gauge for UNIMART grinding machines available from MARPOSS, Bentivoglio, Italy, may be used. The thickness measurement unit 178 may be disposed on one side of the grinding unit 140 in the Y-axis direction to measure the thickness of the semiconductor strip 10 in a contact manner. As described above, since the thickness of the semiconductor strip 10 can be measured in real time while the grinding step of the semiconductor strip 10 is performed using the thickness measurement unit 178, the thickness of the semiconductor strip 10 Control can be made more precise.

특히, 상기 두께 측정 유닛(178)은 상기 반도체 스트립(10)에 대한 황삭 및/또는 중삭을 수행하는 동안 상기 반도체 스트립(10)의 두께를 실시간으로 측정할 수 있으며, 상기 반도체 스트립(10)에 대한 정삭을 수행하는 경우 상기 측정 헤드가 상기 반도체 스트립(10)으로부터 이격될 수 있다. 이는 상기 반도체 스트립(10)에 대한 정삭을 수행하는 동안 상기 측정 헤드가 상기 반도체 스트립(10)에 접촉되어 있는 경우 최종적으로 정삭을 완료한 후 상기 반도체 스트립(10)의 상부면에 상기 측정 헤드에 의한 접촉 흔적이 발생될 수 있기 때문이다.In particular, the thickness measurement unit 178 may measure the thickness of the semiconductor strip 10 in real time while performing rough cutting and/or semi-cutting of the semiconductor strip 10, and In the case of performing finishing, the measuring head may be spaced apart from the semiconductor strip 10 . This means that if the measuring head is in contact with the semiconductor strip 10 while performing finishing on the semiconductor strip 10, the measuring head is placed on the upper surface of the semiconductor strip 10 after finally finishing finishing. This is because contact traces may be generated by

한편, 상기 두께 측정 유닛(178)으로 레이저 거리 센서와 같은 비접촉 방식의 센서가 사용될 수도 있으나, 이 경우 상기 반도체 스트립(10)의 연삭 과정에서 상기 반도체 스트립(10) 상으로 공급되는 연삭액 및 상기 연삭에 의해 발생되는 이물질에 의해 측정 정밀도가 저하될 수 있으므로 바람직하지 않을 수 있다.Meanwhile, a non-contact type sensor such as a laser distance sensor may be used as the thickness measuring unit 178, but in this case, the grinding liquid supplied to the semiconductor strip 10 during the grinding process of the semiconductor strip 10 and the This may be undesirable because the measurement accuracy may be degraded by foreign matter generated by grinding.

또 한편으로, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 도 5에 도시된 바와 같이 상기 두께 측정 유닛(178)의 측정 헤드를 세정하기 위한 브러시(154)를 포함할 수 있다. 상기 브러시(154)는 상기 측정 헤드로부터 이물질을 제거하기 위해 사용될 수 있으며, 상기 제2 수평 구동부(160)에 의해 이동 가능하도록 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 브러시(154)는 상기 제2 가동 블록(162) 또는 제2 회전 구동부(156)에 연결될 수 있으며, 상기 제2 수평 구동부(160)는 상기 측정 헤드의 이물질을 제거하기 위하여 상기 브러시(154)를 상기 Y축 방향으로 왕복 이동시킬 수 있다.On the other hand, the semiconductor strip grinding device 100 may include a brush 154 for cleaning the measuring head of the thickness measuring unit 178 as shown in FIG. 5 . The brush 154 may be used to remove foreign substances from the measuring head, and may be configured to be movable by the second horizontal drive unit 160 . For example, the brush 154 may be connected to the second movable block 162 or the second rotation driving unit 156, and the second horizontal driving unit 160 may remove foreign substances from the measuring head. The brush 154 may be reciprocally moved in the Y-axis direction.

다시 도 1을 참조하면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 상기 반도체 스트립(10)에 대한 연삭 단계가 수행된 후 상기 반도체 스트립(10)의 두께를 측정하기 위한 제2 두께 측정 유닛(180)을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 두께 측정 유닛(180)은, 일 예로서, 상기 연삭 유닛(140)과 상기 두께 측정 유닛(178) 사이에 배치될 수 있으며, 상기 반도체 스트립(10)에 대한 연삭 단계가 종료된 후 상기 반도체 스트립(10)의 두께를 측정할 수 있다.Referring back to FIG. 1 , the semiconductor strip grinding device 100 includes a second thickness measuring unit 180 for measuring the thickness of the semiconductor strip 10 after the grinding step of the semiconductor strip 10 is performed. may further include. The second thickness measuring unit 180, for example, may be disposed between the grinding unit 140 and the thickness measuring unit 178, and after the grinding step of the semiconductor strip 10 is finished. The thickness of the semiconductor strip 10 may be measured.

예를 들면, 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 제2 두께 측정 유닛(180)은 상기 반도체 스트립(10)의 상부면에 접촉되도록 수직 방향으로 승강 가능하게 구성되는 프로브를 포함할 수 있으며, 상기 반도체 스트립(10)의 상부면에 상기 프로브가 접촉된 상태에서 상기 프로브의 높이를 측정함으로써 상기 반도체 스트립(10)의 두께를 산출할 수 있다. 상기 프로브를 사용하는 제2 두께 측정 유닛(180)의 상세 구성은 본 출원인에 의해 출원된 대한민국 등록특허공보 제10-2121061호에 개시되어 있으므로 이에 대한 추가적인 상세 설명은 생략한다. 다른 예로서, 상기 제2 두께 측정 유닛(180)으로 레이저 거리 센서와 같은 비접촉식 센서가 사용될 수도 있다.For example, although not shown in detail, the second thickness measuring unit 180 may include a probe configured to move vertically in contact with the upper surface of the semiconductor strip 10, and the semiconductor strip The thickness of the semiconductor strip 10 may be calculated by measuring the height of the probe while the probe is in contact with the upper surface of (10). Since the detailed configuration of the second thickness measurement unit 180 using the probe is disclosed in Korean Patent Registration No. 10-2121061 filed by the present applicant, additional detailed description thereof will be omitted. As another example, a non-contact sensor such as a laser distance sensor may be used as the second thickness measurement unit 180 .

한편, 도시되지는 않았으나, 상기 제2 두께 측정 유닛(180)은 상기 반도체 스트립(10)의 여러 측정 포인트들에서 상기 반도체 스트립(10)의 두께를 측정할 수 있도록 수평 방향, 예를 들면, 상기 X축 방향으로 이동 가능하게 구성될 수도 있다. 즉, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 상기 제2 두께 측정 유닛(180)을 상기 X축 방향으로 이동시키기 위한 별도의 수평 구동부(미도시)를 더 포함할 수도 있다.On the other hand, although not shown, the second thickness measuring unit 180 may measure the thickness of the semiconductor strip 10 at several measurement points of the semiconductor strip 10 in a horizontal direction, for example, the It may also be configured to be movable in the X-axis direction. That is, the semiconductor strip grinding device 100 may further include a separate horizontal driving unit (not shown) for moving the second thickness measurement unit 180 in the X-axis direction.

아울러, 상기 제2 두께 측정 유닛(180)은 상기 반도체 스트립(10)의 연삭 단계를 수행하기 이전에 상기 반도체 스트립(10)의 초기 두께를 측정할 수도 있으며, 상기 측정된 초기 두께에 기초하여 상기 반도체 스트립(10)의 연삭 두께를 미리 설정할 수 있다.In addition, the second thickness measuring unit 180 may measure the initial thickness of the semiconductor strip 10 before performing the grinding step of the semiconductor strip 10, based on the measured initial thickness The grinding thickness of the semiconductor strip 10 can be set in advance.

한편, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 상기 반도체 스트립(10)을 공급하기 위한 로딩 유닛(102)과 연삭 공정이 완료된 반도체 스트립(10)을 반출하기 위한 언로딩 유닛(188)을 포함할 수 있다. 상기 로딩 유닛(102)에는 복수의 반도체 스트립들을 수납하도록 구성된 제1 매거진(50)이 배치될 수 있으며, 상기 언로딩 유닛(188)에는 연삭 공정이 완료된 반도체 스트립들을 수납하기 위한 제2 매거진(52)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)는 상기 제1 매거진(50)으로부터 상기 반도체 스트립(10)을 인출하기 위한 스트립 인출 유닛(104)과, 상기 제1 매거진(50)으로부터 인출된 상기 반도체 스트립(10)이 놓여지며 상기 반도체 스트립(10)의 하부면을 진공 흡착하기 위한 진공 테이블(116)과, 상기 진공 테이블(116) 상의 상기 반도체 스트립(10)을 픽업하여 상기 척 테이블(130) 상으로 이송하기 위한 스트립 이송 유닛(120)을 포함할 수 있다.Meanwhile, the semiconductor strip grinding device 100 may include a loading unit 102 for supplying the semiconductor strip 10 and an unloading unit 188 for carrying out the semiconductor strip 10 after the grinding process is completed. there is. A first magazine 50 configured to accommodate a plurality of semiconductor strips may be disposed in the loading unit 102 , and a second magazine 52 configured to accommodate semiconductor strips after a grinding process may be disposed in the unloading unit 188 . ) can be placed. For example, the semiconductor strip grinding device 100 includes a strip take-out unit 104 for taking out the semiconductor strip 10 from the first magazine 50, and the strip drawn out from the first magazine 50. A vacuum table 116 for vacuum adsorbing the bottom surface of the semiconductor strip 10 on which the semiconductor strip 10 is placed, and the chuck table 130 by picking up the semiconductor strip 10 on the vacuum table 116. ) may include a strip conveying unit 120 for conveying onto.

도 6 및 도 7은 도 1에 도시된 진공 테이블과 스트립 이송 유닛을 설명하기 위한 개략적인 정면도들이다.6 and 7 are schematic front views for explaining the vacuum table and the strip transfer unit shown in FIG.

도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 진공 테이블(116)은 테이블 리프트(118)에 의해 수직 방향으로 승강 가능하도록 구성될 수 있으며, 상기 스트립 인출 유닛(104)에 의해 상기 제1 매거진(50)으로부터 인출된 상기 반도체 스트립(10)이 상기 진공 테이블(116) 상에 놓여진 후 상기 진공 테이블(116)은 상기 반도체 스트립(10)의 하부면을 진공 흡착할 수 있다. 예를 들면, 상기 진공 테이블(116)은 직사각 플레이트 형태를 가질 수 있으며 상기 반도체 스트립(10)의 하부면을 진공 흡착하기 위한 복수의 진공홀들을 구비할 수 있다.Referring to FIGS. 6 and 7 , the vacuum table 116 may be configured to be vertically elevating by a table lift 118, and the first magazine 50 is moved by the strip take-out unit 104. After the semiconductor strip 10 drawn out is placed on the vacuum table 116 , the vacuum table 116 may vacuum the lower surface of the semiconductor strip 10 . For example, the vacuum table 116 may have a rectangular plate shape and may include a plurality of vacuum holes for vacuum adsorbing the lower surface of the semiconductor strip 10 .

상기 스트립 인출 유닛(104)은 상기 제1 매거진(50)에 수납된 반도체 패키지들 중 하나가 상기 제1 매거진(50)의 전방으로 돌출되도록 상기 하나의 반도체 스트립(10)을 밀어주는 푸셔(106)와, 상기 제1 매거진(50)으로부터 돌출된 상기 반도체 스트립(10)을 파지하기 위한 그리퍼(108)와, 상기 반도체 스트립(10)을 상기 진공 테이블(116) 상으로 이동시키기 위해 상기 그리퍼(108)를 수평 방향, 예를 들면, X축 방향으로 이동시키기 위한 그리퍼 구동부(110; 도 1 참조)와, 상기 제1 매거진(50)과 상기 진공 테이블(116) 사이에서 상기 반도체 스트립(10)의 이동을 안내하기 위한 이송 레일들(112)을 포함할 수 있다.The strip take-out unit 104 is a pusher 106 that pushes the one semiconductor strip 10 so that one of the semiconductor packages stored in the first magazine 50 protrudes forward of the first magazine 50. ), a gripper 108 for gripping the semiconductor strip 10 protruding from the first magazine 50, and the gripper for moving the semiconductor strip 10 onto the vacuum table 116 ( 108) in the horizontal direction, for example, the semiconductor strip 10 between the gripper driving unit 110 (see FIG. 1) for moving in the X-axis direction and the first magazine 50 and the vacuum table 116 It may include transfer rails 112 for guiding the movement of.

아울러, 도시되지는 않았으나, 상기 제1 매거진(50)은 제1 매거진 구동부(미도시)에 의해 수직 방향으로 이동 가능하게 구성될 수 있으며, 상기 제1 매거진 구동부는 상기 제1 매거진(50)의 높이를 조절하여 인출하고자 하는 반도체 스트립(10)의 높이를 상기 푸셔(106)와 대응하도록 할 수 있다.In addition, although not shown, the first magazine 50 may be configured to be movable in a vertical direction by a first magazine driving unit (not shown), and the first magazine driving unit of the first magazine 50 The height of the semiconductor strip 10 to be drawn may be adjusted to correspond to the height of the pusher 106 .

상기 스트립 이송 유닛(120)은 상기 반도체 스트립(10)의 상부면을 진공 흡착하여 픽업하기 위한 진공 피커(122)와 상기 진공 피커(122)를 이동시키기 위한 피커 구동부(124)를 포함할 수 있다. 상기 피커 구동부(124)는 상기 진공 피커(122)의 방향을 조절하기 위하여 상기 진공 피커(122)를 회전시킬 수 있으며, 상기 진공 피커(122)를 수직 방향 및 수평 방향(X축 방향)으로 이동시킬 수 있다. 도 1에 도시된 바에 따르면, 두 개의 진공 피커들(122)이 사용되고 있으나, 상기 진공 피커들(122)의 개수는 변경 가능하므로 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되지는 않을 것이다.The strip transfer unit 120 may include a vacuum picker 122 for vacuum adsorbing and picking up the upper surface of the semiconductor strip 10 and a picker driver 124 for moving the vacuum picker 122. . The picker driver 124 may rotate the vacuum picker 122 to adjust the direction of the vacuum picker 122, and move the vacuum picker 122 vertically and horizontally (X-axis direction). can make it As shown in FIG. 1 , two vacuum pickers 122 are used, but the number of the vacuum pickers 122 can be changed, so the scope of the present invention will not be limited thereby.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 반도체 스트립(10)이 상기 진공 테이블(116) 상에 놓여진 후 상기 반도체 스트립(10)의 하부면이 상기 진공 테이블(116)의 상부면에 진공 흡착될 수 있다. 이에 따라 상기 반도체 스트립(10)에 휨(warpage)이 발생된 경우 상기 반도체 스트립(10)을 상기 진공 테이블(116) 상에서 평평하게 할 수 있으며, 이를 통해 상기 진공 피커(122)에 의한 상기 반도체 스트립(10)의 픽업이 용이하게 이루어질 수 있다.According to one embodiment of the present invention, after the semiconductor strip 10 is placed on the vacuum table 116, the lower surface of the semiconductor strip 10 may be vacuum adsorbed to the upper surface of the vacuum table 116. there is. Accordingly, when warpage occurs in the semiconductor strip 10, the semiconductor strip 10 can be flattened on the vacuum table 116, and through this, the semiconductor strip by the vacuum picker 122 The pick-up of (10) can be made easily.

특히, 도 7에 도시된 바와 같이 상기 테이블 리프트(118)는 상기 반도체 스트립(10)이 상기 진공 테이블(116) 상에 진공 흡착된 후 상기 진공 테이블(116)을 상승시킬 수 있으며, 상기 피커 구동부(124)는 상기 진공 피커(122)의 하부면이 상기 반도체 스트립(10)의 상부면에 밀착되도록 상기 진공 피커(122)를 하강시킬 수 있다. 결과적으로, 상기 반도체 스트립(10)의 하부면과 상부면이 상기 진공 테이블(116)과 상기 진공 피커(122) 사이에 밀착될 수 있으며, 이어서 상기 반도체 스트립(10)이 상기 진공 테이블(116)로부터 상기 진공 피커(122)로 전달될 수 있다. 따라서, 상기 반도체 스트립(10)의 휨 정도가 상대적으로 큰 이유로 상기 반도체 스트립(10)의 하부면이 상기 진공 테이블(116) 상에 충분히 밀착되지 않는 경우라도 상기 반도체 스트립(10)이 상기 진공 테이블(116)과 상기 진공 피커(122) 사이에 밀착됨에 따라 상기 반도체 스트립(10)이 충분히 평평해진 상태로 상기 진공 피커(122)에 전달될 수 있다.In particular, as shown in FIG. 7 , the table lift 118 may lift the vacuum table 116 after the semiconductor strip 10 is vacuum-adsorbed on the vacuum table 116, and the picker driving unit Reference numeral 124 may lower the vacuum picker 122 so that the lower surface of the vacuum picker 122 comes into close contact with the upper surface of the semiconductor strip 10 . As a result, the lower surface and the upper surface of the semiconductor strip 10 can be brought into close contact between the vacuum table 116 and the vacuum picker 122, and then the semiconductor strip 10 is placed on the vacuum table 116. It can be delivered to the vacuum picker 122 from. Therefore, even when the lower surface of the semiconductor strip 10 is not sufficiently adhered to the vacuum table 116 because the degree of warpage of the semiconductor strip 10 is relatively large, the semiconductor strip 10 is placed on the vacuum table. As the semiconductor strip 10 is in close contact between the 116 and the vacuum picker 122, the semiconductor strip 10 can be delivered to the vacuum picker 122 in a sufficiently flat state.

아울러, 상기 피커 구동부(124)는 상기 반도체 스트립(10)이 상기 척 테이블(130) 상에 밀착되도록 상기 진공 피커(122)를 이동시킬 수 있으며, 이어서 상기 반도체 스트립(10)이 상기 진공 피커(122)로부터 상기 척 테이블(130) 상으로 전달될 수 있다. 결과적으로, 휨이 발생된 반도체 스트립(10)이 공급되는 경우에도 상기 반도체 스트립(10)을 상기 척 테이블(130) 상에 평평하게 펴진 상태로 공급할 수 있으며, 이에 따라 상기 반도체 스트립(10)의 연삭 공정이 보다 균일하게 수행될 수 있다.In addition, the picker driver 124 may move the vacuum picker 122 so that the semiconductor strip 10 comes into close contact with the chuck table 130, and then the semiconductor strip 10 moves the vacuum picker ( 122) onto the chuck table 130. As a result, even when the semiconductor strip 10 in which warpage occurs is supplied, the semiconductor strip 10 can be supplied in a flattened state on the chuck table 130, and thus the semiconductor strip 10 The grinding process can be performed more uniformly.

다시 도 1을 참조하면, 상기 진공 테이블(116)과 상기 척 테이블(130) 사이에는 상기 진공 피커(122)에 의해 픽업된 반도체 스트립(10)의 하부면을 세정하기 위한 제1 하부 세정 유닛(128)이 배치될 수 있다. 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 제1 하부 세정 유닛(128)은 상기 반도체 스트립(10)의 하부면 상으로 세정액 및/또는 세정 가스를 분사함으로써 상기 반도체 스트립(10)이 상기 연삭 공정에 투입되기 전에 상기 반도체 스트립(10)의 하부면으로부터 이물질들을 충분히 제거할 수 있다. 일 예로서, 상기 세정액과 세정 가스로는 물과 공기가 사용될 수 있다.Referring back to FIG. 1 , between the vacuum table 116 and the chuck table 130 is a first lower cleaning unit for cleaning the lower surface of the semiconductor strip 10 picked up by the vacuum picker 122 128) may be placed. Although not shown in detail, the first lower cleaning unit 128 sprays a cleaning liquid and/or a cleaning gas onto the lower surface of the semiconductor strip 10 before the semiconductor strip 10 is put into the grinding process. Foreign materials may be sufficiently removed from the lower surface of the semiconductor strip 10 . As an example, water and air may be used as the cleaning liquid and the cleaning gas.

상기 연삭 유닛(140)에 의해 연삭 공정이 완료된 반도체 스트립(10)은 상기 진공 피커(122)에 의해 픽업된 후 건조 유닛(186)으로 이송될 수 있다. 이때, 상기 척 테이블(130)과 상기 건조 유닛(186) 사이에는 상기 반도체 스트립(10)의 하부면으로부터 이물질들을 제거하기 위한 제2 하부 세정 유닛(184)이 배치될 수 있다. 상세히 도시되지는 않았으나, 상기 제2 하부 세정 유닛(184)은 상기 이물질들을 제거하기 위하여 상기 반도체 스트립(10)의 하부면 상으로 세정액 및/또는 세정 가스를 분사할 수 있으며, 아울러 상기 반도체 스트립(10)의 하부면 건조를 위해 상기 반도체 스트립(10)의 하부면 상으로 건조 가스를 분사할 수 있다. 일 예로서, 상기 세정액과 상기 세정 가스 및 건조 가스로는 물과 공기가 사용될 수 있다.The semiconductor strip 10 after the grinding process has been completed by the grinding unit 140 may be picked up by the vacuum picker 122 and transferred to the drying unit 186 . In this case, a second lower cleaning unit 184 for removing foreign substances from the lower surface of the semiconductor strip 10 may be disposed between the chuck table 130 and the drying unit 186 . Although not shown in detail, the second lower cleaning unit 184 may spray cleaning liquid and/or cleaning gas onto the lower surface of the semiconductor strip 10 to remove the foreign substances, and the semiconductor strip ( To dry the lower surface of 10), a drying gas may be sprayed onto the lower surface of the semiconductor strip 10. As an example, water and air may be used as the cleaning liquid, the cleaning gas, and the drying gas.

상기 건조 유닛(186)은 상기 반도체 스트립(10)의 상부면 상으로 건조 가스, 예를 들면, 공기를 분사할 수 있으며, 도시되지는 않았으나, 상기 건조 유닛(186) 상에서 건조된 반도체 스트립(10)은 스트립 수납 유닛(미도시)에 의해 상기 제2 매거진(52)으로 수납될 수 있다.The drying unit 186 may inject a dry gas, for example, air, onto the upper surface of the semiconductor strip 10, and although not shown, the semiconductor strip 10 dried on the drying unit 186 ) may be stored in the second magazine 52 by a strip storage unit (not shown).

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 연삭 유닛(140)에 대한 드레싱 단계는 상기 척 테이블(130)에 대한 상기 반도체 스트립(10)의 로드 및/또는 언로드 단계가 수행되는 동안 상기 드레싱 유닛(150)에 의해 수행될 수 있다. 따라서, 상기 연삭 유닛(140)에 대한 상기 드레싱 단계의 수행을 위한 별도의 추가 시간이 요구되지 않으며, 이에 따라 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)의 단위 시간당 처리량이 크게 증가될 수 있다. 또한, 상기 두께 측정 유닛(178)은 상기 반도체 스트립(10)에 대한 연삭 단계가 수행되는 동안 상기 반도체 스트립(10)의 두께를 실시간으로 측정할 수 있으며, 이에 따라 상기 반도체 스트립(10)의 두께를 보다 정밀하게 제어할 수 있다. 아울러, 상기 숫돌 세정 유닛(174)은 상기 반도체 스트립(10)에 대한 세정 단계를 수행하는 동안 상기 연삭 숫돌들(142)에 대한 세정 단계를 동시에 수행할 수 있으며, 이에 따라 상기 반도체 스트립(10)의 연삭 공정에 소요되는 시간을 크게 단축시킬 수 있다. 결과적으로, 상기 반도체 스트립 연삭 장치(100)의 생산성이 크게 향상될 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, the dressing step of the grinding unit 140 may be performed while the loading and/or unloading step of the semiconductor strip 10 to the chuck table 130 is performed. It may be performed by the dressing unit 150. Therefore, no additional time is required for the dressing step of the grinding unit 140, and thus, the throughput per unit time of the semiconductor strip grinding device 100 can be greatly increased. In addition, the thickness measurement unit 178 may measure the thickness of the semiconductor strip 10 in real time while the grinding step of the semiconductor strip 10 is performed, and accordingly, the thickness of the semiconductor strip 10 can be controlled more precisely. In addition, the grindstone cleaning unit 174 may simultaneously perform the cleaning step on the grinding stones 142 while performing the cleaning step on the semiconductor strip 10, and thus the semiconductor strip 10 The time required for the grinding process can be greatly shortened. As a result, productivity of the semiconductor strip grinding device 100 can be greatly improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. You will understand that there is

10 : 반도체 스트립 50 : 제1 매거진
52 : 제2 매거진 102 : 로딩 유닛
104 : 스트립 인출 유닛 116 : 진공 테이블
118 : 테이블 리프트 120 : 스트립 이송 유닛
122 : 진공 피커 124 : 피커 구동부
128 : 제1 하부 세정 유닛 130 : 척 테이블
132 : 제1 수평 구동부 134 : 가이드 레일
136 : 제1 가동 블록 140 : 연삭 유닛
142 : 연삭 숫돌 144 : 연삭 휠
146 : 회전 구동부 148 : 정보 태그
150 : 드레싱 유닛 152 : 드레싱 휠
154 : 브러시 156 : 제2 회전 구동부
160 : 제2 수평 구동부 162 : 제2 가동 블록
166 : 리더기 170 : 스트립 세정 유닛
174 : 숫돌 세정 유닛 178 : 두께 측정 유닛
180 : 제2 두께 측정 유닛 184 : 제2 하부 세정 유닛
186 : 건조 유닛 188 : 언로딩 유닛10: semiconductor strip 50: first magazine
52: second magazine 102: loading unit
104: strip take-out unit 116: vacuum table
118: table lift 120: strip transfer unit
122: vacuum picker 124: picker drive unit
128: first lower cleaning unit 130: chuck table
132: first horizontal driving unit 134: guide rail
136: first movable block 140: grinding unit
142: grinding wheel 144: grinding wheel
146: rotation drive unit 148: information tag
150: dressing unit 152: dressing wheel
154: brush 156: second rotation drive
160: second horizontal driving unit 162: second movable block
166: reader 170: strip cleaning unit
174: grindstone cleaning unit 178: thickness measurement unit
180: second thickness measurement unit 184: second lower cleaning unit
186: drying unit 188: unloading unit

Claims

a chuck table for supporting the semiconductor strip;
a grinding unit for grinding and removing a surface portion of the semiconductor strip loaded on the chuck table; and
and a dressing unit for performing a dressing step on the grinding unit while loading or unloading the semiconductor strip on the chuck table.

The method of claim 1, further comprising: a first horizontal driving unit for horizontally moving the chuck table between a process area under the grinding unit and a load/unload area where the semiconductor strip is loaded or unloaded;
The semiconductor strip grinding device further comprises a second horizontal driving unit for horizontally moving the dressing unit between the process area and a standby area spaced apart from the process area.

3. The semiconductor strip grinding apparatus according to claim 2, wherein the first horizontal driving unit and the second horizontal driving unit are configured to coaxially move the chuck table and the dressing unit.

The semiconductor strip grinding apparatus according to claim 1, further comprising a thickness measurement unit for measuring the thickness of the semiconductor strip while performing the grinding step on the semiconductor strip.

The semiconductor strip grinding apparatus according to claim 1, further comprising a second thickness measurement unit for measuring the thickness of the semiconductor strip after the grinding step for the semiconductor strip is performed.

2. The semiconductor strip grinding apparatus according to claim 1, further comprising a strip cleaning unit for cleaning the semiconductor strip while performing the grinding step on the semiconductor strip or after the grinding step is performed.

The method of claim 1, wherein the grinding unit,
a plurality of grinding wheels for grinding the surface of the semiconductor strip;
a grinding wheel on which the grinding stones are mounted;
And a rotation drive for rotating the grinding wheel,
The semiconductor strip grinding device according to claim 1, wherein the grinding stones are disposed in a circumferential direction along a lower edge of the grinding wheel.

8. The semiconductor strip grinding apparatus according to claim 7, further comprising a grindstone cleaning unit disposed below the grinding unit and configured to clean the grinding stones.

The method of claim 7, wherein the dressing unit,
A dressing wheel disposed below the grinding wheel;
A semiconductor strip grinding apparatus comprising a second rotation drive for rotating the dressing wheel.

The method of claim 7, wherein an information tag recording ID information of the grinding wheel is attached to the grinding wheel,
The semiconductor strip grinding apparatus, characterized in that the rotary driving unit is provided with a reader for reading the ID information of the grinding wheel recorded on the information tag.

2. The semiconductor strip according to claim 1, further comprising: a strip withdrawing unit for withdrawing the semiconductor strip from a magazine configured to receive a plurality of semiconductor strips;
a vacuum table on which the semiconductor strip taken out from the magazine is placed and for vacuum adsorbing the lower surface of the semiconductor strip;
and a strip transfer unit for picking up the semiconductor strip on the vacuum table and transferring it onto the chuck table.

12. The method of claim 11, wherein the vacuum table is configured to be vertically movable,
The strip conveying unit is configured to be vertically movable and includes a vacuum picker for vacuum adsorbing and picking up the upper surface of the semiconductor strip,
The semiconductor strip is transferred from the vacuum table to the vacuum picker in a state in which the semiconductor strip is in close contact between the vacuum table and the vacuum picker by the elevation of the vacuum table and the descent of the vacuum picker. grinding device.