KR102593254B1 - Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor fabricating method using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조 장치는 제품을 지지하기 위한 제품 지지대상에 안착된 제품의 표면에 대해 그라인딩 동작을 수행하기 위한 그라인딩 유니트; 상기 제품의 두께를 실시간으로 측정하기 위한, 적어도 하나의 검출기를 구비하는 검출부; 상기 검출부를 통해 실시간으로 측정된 상기 제품의 두께를 근거로 하여 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 판단하기 위한 판단부; 및 상기 검출부를 통해 측정된 상기 제품의 두께를 근거로 하여 상기 그라인딩 유니트를 제어하는 컨트롤러를 포함할 수 있다. 상기 컨트롤러는 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩된 경우 상기 제품의 표면에 대한 그라인딩 동작을 완료하도록 상기 그라인딩 유니트를 제어하고, 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되지 않은 경우 상기 검출부를 통해 상기 제품의 두께를 실시간으로 다시 측정하고, 상기 판단부를 통해 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 다시 판단하도록 제어할 수 있다.The present invention provides a semiconductor manufacturing apparatus including a grinding unit for performing a grinding operation on the surface of a product placed on a product support object for supporting the product; a detection unit including at least one detector for measuring the thickness of the product in real time; a determination unit for determining whether the product has been ground to a desired thickness based on the thickness of the product measured in real time through the detection unit; And it may include a controller that controls the grinding unit based on the thickness of the product measured through the detection unit. The controller controls the grinding unit to complete the grinding operation on the surface of the product when the product is ground to the desired thickness, and detects the thickness of the product in real time through the detector if the product is not ground to the desired thickness. It can be measured again and controlled to re-determine whether the product has been ground to the desired thickness through the determination unit.
Description
본 발명은 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 비접촉 방식으로 제품의 두께를 실시간 측정하여 정확하게 가공할 수 있는 웨이퍼 그라인딩 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing device and a semiconductor manufacturing method using the same, and more specifically, to a wafer grinding device and method that can accurately process a product by measuring its thickness in real time in a non-contact manner.
일반적으로, 반도체 소자는 실리콘 웨이퍼에 대하여 식각, 확산, 증착 등의 전공정(front-end process)을 진행하여 반도체 웨이퍼를 제조한다. 전공정이 완료되어 웨이퍼 상에 각각의 다이가 제조되면, 양품의 다이를 패키징하는 후공정(back-end process)을 진행한다. 후공정에 앞서, 웨이퍼 상의 다이에 대해서 양호/불량 테스트를 하게 되고, 개개의 다이로 분리한 후 양품 다이만 웨이퍼, 기판, 리드 프레임 등에 연결하고 추가 공정을 진행한 후 최종 개별 패키지로 개별화 되게 된다. Generally, semiconductor devices are manufactured by performing front-end processes such as etching, diffusion, and deposition on a silicon wafer. When the preprocess is completed and each die is manufactured on the wafer, a back-end process is performed to package the good die. Prior to post-processing, the die on the wafer is tested for good/bad, and after separating it into individual dies, only the good die is connected to the wafer, substrate, lead frame, etc., and additional processes are performed before being individualized into a final individual package. .
기술과 제품의 발전에 따라 패키지는 점점 더 소형 박형화 되었으며, 이를 위해 한 개의 패키지에 적층되는 칩의 수를 증가시켜 집적도를 증가시킬 수 있다. 이를 위해, 다이싱 전 웨이퍼에 대하여 그라인딩 공정을 진행하여 웨이퍼의 후면을 그라인딩하여 웨이퍼를 박형화하였다. With the advancement of technology and products, packages have become increasingly smaller and thinner, and to this end, the degree of integration can be increased by increasing the number of chips stacked in one package. For this purpose, a grinding process was performed on the wafer before dicing, and the back side of the wafer was ground to thin the wafer.
또한, 제품 두께를 박형화 하기 위해 웨이퍼나 기판 위에 다수의 반도체 칩을 장착하고, 상기 다수의 반도체 칩을 몰딩 한 후, 몰드 된 전면을 그라인딩하여 제품의 두께를 박형화하였다. 이렇게 두께를 얇게 하기 위해 일정 두께까지 그라인딩을 해야 하는데 종래의 두께 측정 방식은 접촉식으로 제품 두께를 측정하여 원하는 두께의 제품을 얻을 수 있었다. In addition, in order to reduce the thickness of the product, a number of semiconductor chips were mounted on a wafer or a substrate, and after molding the number of semiconductor chips, the entire surface of the mold was ground to reduce the thickness of the product. In order to thin the thickness, grinding must be done to a certain thickness, but the conventional thickness measurement method was able to obtain a product of the desired thickness by measuring the thickness of the product through contact.
그러나, 접촉식으로 제품 두께를 측정하는 방식은 노출된 반도체 칩 이나 제품 표면에 스크래치 등을 유발하여 외관 불량 및 수율 저하등을 초래하고, 또 지정된 두께만큼 그라인딩이 되었는지 확인하기 위해서는 그라인딩 장비의 가동을 멈추고 장비에서 제품을 분리하여 측정기로 하여 두께를 확인해야 하는 번거로운 문제점이 있었다.However, the contact method of measuring product thickness causes scratches on exposed semiconductor chips or product surfaces, resulting in poor appearance and reduced yield, and it is necessary to operate the grinding equipment to check whether the specified thickness has been grinded. There was an inconvenient problem of having to stop, separate the product from the equipment, and use a measuring device to check the thickness.
본 발명은 비접촉 방식으로 제품의 두께를 실시간 측정하여 정확하게 가공할 수 있는 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The purpose of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing device that can measure the thickness of a product in real time and accurately process it in a non-contact manner, and a semiconductor manufacturing method using the same.
본 발명은 비접촉식 측정기(non-contact gauge)를 이용하여 제품의 두께를 실시간으로 측정하여 제품의 표면을 원하는 두께로 그라인딩할 수 있는 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The purpose of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing device that can measure the thickness of a product in real time using a non-contact gauge and grind the surface of the product to a desired thickness, and a semiconductor manufacturing method using the same.
본 발명은 하나의 비접촉 측정기를 이용하여 제품의 두께를 설정하고, 다른 하나의 비접촉식 측정기를 이용하여 실시간으로 그라인딩되는 제품의 두께를 실시간으로 측정할 수 있는 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention provides a semiconductor manufacturing device and a semiconductor manufacturing method using the same that can set the thickness of a product using one non-contact measuring device and measure the thickness of the product being ground in real time using another non-contact measuring device. The purpose is to
상기 과제의 해결을 목적으로 하는 본 발명의 반도체 제조 장치는 제품을 지지하기 위한 제품 지지대상에 안착된 제품의 표면에 대해 그라인딩 동작을 수행하기 위한 그라인딩 유니트; 상기 제품의 두께를 실시간으로 측정하기 위한, 적어도 하나의 검출기를 구비하는 검출부; 상기 검출부를 통해 실시간으로 측정된 상기 제품의 두께를 근거로 하여 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 판단하기 위한 판단부; 및 상기 검출부를 통해 측정된 상기 제품의 두께를 근거로 하여 상기 그라인딩 유니트를 제어하는 컨트롤러를 포함할 수 있다. 상기 컨트롤러는 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩된 경우 상기 제품의 표면에 대한 그라인딩 동작을 완료하도록 상기 그라인딩 유니트를 제어하고, 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되지 않은 경우 상기 그라인딩 동작을 다시 수행하도록 상기 그라인딩 유니트를 제어하고, 상기 검출부를 통해 상기 그라인딩된 제품의 두께를 실시간으로 다시 측정하고, 상기 판단부를 통해 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 다시 판단하도록 제어할 수 있다.The semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, aimed at solving the above problems, includes a grinding unit for performing a grinding operation on the surface of a product placed on a product support object for supporting the product; a detection unit including at least one detector for measuring the thickness of the product in real time; a determination unit for determining whether the product has been ground to a desired thickness based on the thickness of the product measured in real time through the detection unit; And it may include a controller that controls the grinding unit based on the thickness of the product measured through the detection unit. The controller controls the grinding unit to complete the grinding operation on the surface of the product when the product is ground to the desired thickness, and to perform the grinding operation again if the product is not ground to the desired thickness. can be controlled to measure the thickness of the ground product again in real time through the detection unit, and to re-determine whether the product has been ground to a desired thickness through the determination unit.
상기 판단부는 상기 컨트롤러 외부에 구비되고, 상기 검출부는 상기 제품의 두께에 대한 실시간 측정 결과를 상기 판단부로 제공하고, 상기 판단부는 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되었는가의 여부에 대한 판단 결과를 상기 컨트롤러로 제공하도록 구성될 수 있다.The determination unit is provided outside the controller, the detection unit provides real-time measurement results of the thickness of the product to the determination unit, and the determination unit provides a determination result of whether the product has been ground to the desired thickness to the controller. It can be configured to provide.
상기 판단부는 상기 컨트롤러 내부에 구비되고, 상기 검출부는 상기 제품의 두께에 대한 실시간 측정 결과를 상기 컨트롤러로 제공하고, 상기 컨트롤러는 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 판단하도록 구성될 수 있다.The determination unit may be provided inside the controller, the detection unit may provide real-time measurement results of the thickness of the product to the controller, and the controller may be configured to determine whether the product has been ground to a desired thickness.
상기 검출부는 상기 제품 지지대인 척 테이블의 원점을 측정하는 제1검출기; 및 상기 제품의 두께를 실시간으로 측정하기 위한 제2검출기를 포함하고, 상기 판단부는 상기 제1검출기의 측정 결과를 근거로 상기 제2검출기를 통해 측정된 상기 제품의 두께가 원하는 값에 도달하였는가를 판단하도록 구성될 수 있다. 상기 제1 및 제2검출기는 비접촉식 센서로서 컨포컬 센서로 구성될 수 있다.The detection unit includes a first detector that measures the origin of the chuck table, which is the product supporter; and a second detector for measuring the thickness of the product in real time, wherein the determination unit determines whether the thickness of the product measured through the second detector has reached a desired value based on the measurement result of the first detector. It can be configured to judge. The first and second detectors are non-contact sensors and may be configured as confocal sensors.
상기 검출부는 상기 제품 지지대인 척 테이블의 원점을 먼저 측정하고, 상기 제품의 두께를 실시간으로 측정하기 위한 단일의 검출기를 포함하고, 상기 판단부는 상기 검출기를 통해 먼저 측정된 척 테이블의 원점을 근거로 나중에 측정된 상기 제품의 두께가 원하는 값에 도달하였는가를 판단하도록 구성될 수 있다. 상기 단일의 검출기는 비접촉식 센서로서 컨포컬 센서로 구성될 수 있다.The detection unit first measures the origin of the chuck table, which is the product support, and includes a single detector for measuring the thickness of the product in real time, and the determination unit measures the origin of the chuck table first measured through the detector. It may be configured to determine later whether the measured thickness of the product has reached a desired value. The single detector is a non-contact sensor and may be configured as a confocal sensor.
상기 제품은 베이스 부재; 상기 베이스 부재에 장착되는 다수의 반도체 칩; 및 상기 다수의 반도체 칩을 보호하기 위한 몰딩 부재로 구성된 패키지 제품일 수 있다. 상기 제품은 몰드 웨이퍼를 포함할 수 있다.The product includes a base member; a plurality of semiconductor chips mounted on the base member; and a molding member for protecting the plurality of semiconductor chips. The product may include a molded wafer.
상기 베이스 부재는 반도체 웨이퍼 또는 기판으로 구성되고, 상기 다수의 반도체 칩은 다른 기판에 전기적 접속을 위해 도전성 물질로 본딩되며, 상기 그라인딩 유니트는 상기 패키지내의 상기 몰딩 부재, 상기 반도체 웨이퍼, 및 상기 도전성 물질인 솔더볼 또는 카파(copper) 지지대 중 적어도 하나를 그라인딩 할 수 있다.The base member is composed of a semiconductor wafer or substrate, the plurality of semiconductor chips are bonded with a conductive material for electrical connection to another substrate, and the grinding unit is configured to combine the molding member, the semiconductor wafer, and the conductive material within the package. At least one of the solder balls or copper supports may be ground.
또한, 본 발명의 그라인딩 유니트를 구비하는 반도체 제조 장치를 이용한 반도체 제조 방법은 그라인딩될 제품을 마련하는 단계; 제품 지지대상에 상기 제품을 안착하는 단계; 상기 그라인딩 유니트를 이용하여 상기 제품의 전면을 그라인딩하는 동작을 수행하는 단계; 상기 제품의 두께를 비접촉식 방식으로 실시간 측정하는 단계; 상기 실시간으로 측정된 상기 제품의 두께를 근거로 하여 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 판단하는 단계; 및 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩된 것으로 판단되는 경우 상기 그라인딩 동작을 완료하는 단계를 포함할 수 있다.In addition, a semiconductor manufacturing method using a semiconductor manufacturing apparatus equipped with a grinding unit of the present invention includes preparing a product to be ground; Seating the product on a product support object; performing an operation of grinding the front surface of the product using the grinding unit; Measuring the thickness of the product in real time in a non-contact manner; determining whether the product has been ground to a desired thickness based on the thickness of the product measured in real time; and completing the grinding operation when it is determined that the product has been ground to a desired thickness.
상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되지 않은 경우, 상기 제품의 그라인딩 동작, 상기 제품의 두께의 실시간 측정 동작 및 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되었는가의 여부를 판단하는 동작을 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩될 때까지 반복적으로 수행할 수 있다.When the product is not ground to the desired thickness, the grinding operation of the product, the real-time measurement operation of the thickness of the product, and the operation of determining whether the product has been ground to the desired thickness are performed when the product is ground to the desired thickness. It can be performed repeatedly.
상기 제품의 두께를 측정하는 단계는 상기 제품 지지대인 척 테이블의 원점을 측정하는 단계; 및 상기 제품의 두께를 실시간으로 측정하는 단계를 포함하고, 상기 판단 단계는 상기 척 테이블의 원점에 대한 측정 결과를 근거로 상기 측정된 제품의 두께가 원하는 값에 도달하였는가를 판단할 수 있다.Measuring the thickness of the product includes measuring the origin of the chuck table, which is the product supporter; and measuring the thickness of the product in real time, wherein the determination step may determine whether the measured thickness of the product has reached a desired value based on the measurement result of the origin of the chuck table.
상기 척 테이블의 원점 및 상기 제품의 두께는 단일의 비접촉식 센서로서 컨포컬 센서를 이용하여 측정하거나 또는 다수의 비접촉식 센서로서 다수의 컨포컬 센서를 이용하여 측정할 수 있다.The origin of the chuck table and the thickness of the product can be measured by using a confocal sensor as a single non-contact sensor or by using multiple confocal sensors as a plurality of non-contact sensors.
상기 척 테이블의 원점과 상기 제품의 두께를 측정하는 단계는 상기 단일의 비접촉식 센서를 이용하여 상기 척 테이블의 원점을 측정한 다음 상기 제품의 두께를 측정하거나, 또는 상기 다수의 비접촉식 센서중 하나의 센서를 이용하여 상기 척 테이블의 원점을 측정하고 다른 하나의 센서를 이용하여 상기 제품의 두께를 측정하는 것을 포함할 수 있다. The step of measuring the origin of the chuck table and the thickness of the product includes measuring the origin of the chuck table using the single non-contact sensor and then measuring the thickness of the product, or using one of the plurality of non-contact sensors. It may include measuring the origin of the chuck table using and measuring the thickness of the product using another sensor.
상기 제품을 마련하는 단계는 베이스 부재상에 다수의 반도체 칩을 장착하는 단계; 및 상기 다수의 반도체 칩을 몰딩 부재로 몰딩하여 패키징하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 다수의 베이스 부재는 반도체 웨이퍼 또는 기판 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 제품은 몰드 웨이퍼를 포함할 수 있다.Preparing the product includes mounting a plurality of semiconductor chips on a base member; and packaging the plurality of semiconductor chips by molding them with a molding member. The plurality of base members may include either a semiconductor wafer or a substrate. The product may include a molded wafer.
상기 베이스 부재는 상기 다수의 반도체 칩이 전기적 접속을 위해 도전성 물질로 본딩되어 장착될 수 있다. 상기 그라인딩하는 단계는 상기 제품의 몰딩 부재 또는 도전성 물질을 그라인딩 할 수 있다. The base member may be mounted on the plurality of semiconductor chips by bonding them with a conductive material for electrical connection. The grinding step may grind the molding member or conductive material of the product.
상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 비접촉식 측정기를 이용하여 웨이퍼 두께를 실시간으로 측정하여 정확하게 가공함으로써, 제품을 원하는 두께로 그라인딩 할 수 있다. According to the present invention as described above, the wafer thickness can be measured in real time using a non-contact measuring device and processed accurately, thereby grinding the product to a desired thickness.
따라서, 종래의 접촉식 웨이퍼 두께 측정 방식을 이용하는 경우 발생할 수 있는 스크래치 등의 불량 요소의 발생을 방지하고 이에 따라 수율을 향상시켜 줄 수 있다.Therefore, it is possible to prevent the occurrence of defective elements such as scratches that may occur when using a conventional contact wafer thickness measurement method and thereby improve yield.
또한, 비접촉식 측정기를 이용하여 그라인딩되는 웨이퍼의 두께를 실시간으로 측정하여 줌으로써, 웨이퍼의 가공이 용이한 이점이 있다.In addition, there is an advantage in that wafer processing is easy by measuring the thickness of the wafer being ground in real time using a non-contact measuring device.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 개략적인 구성을 도시한 것이다.
도 2은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 회로 구성을 도식화한 것이다.
도 3a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 회로 구성을 도식화한 것이다.
도 3b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 회로 구성을 도식화한 것이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 이용한 반도체 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 이용한 반도체 제조 방법에 있어서, 몰딩 공정전에 베이스 부재상에 반도체 칩을 장착하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 6는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 이용하여 반도체 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.Figure 1 shows a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 schematically illustrates the circuit configuration of a semiconductor manufacturing device according to an embodiment of the present invention.
Figure 3a schematically illustrates the circuit configuration of a semiconductor manufacturing device according to another embodiment of the present invention.
Figure 3b is a schematic diagram of the circuit configuration of a semiconductor manufacturing device according to another embodiment of the present invention.
4 is a diagram for explaining a semiconductor manufacturing method using a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
5A and 5B are diagrams for explaining a process of mounting a semiconductor chip on a base member before a molding process in a semiconductor manufacturing method using a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a flowchart for explaining a semiconductor manufacturing method using a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 구현예(또는 실시예)들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can be subject to various changes and can have various forms, implementation examples (or embodiments) will be described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to a specific disclosed form, and should be understood to include all changes, equivalents, and substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 구현예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, ~포함하다~ 또는 ~이루어진다~ 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is only used to describe specific embodiments and is not intended to limit the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, terms such as ~include~ or ~consist of~ are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features. It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the existence or addition of elements, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as generally understood by a person of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. Terms defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and unless explicitly defined in the present application, should not be interpreted in an ideal or excessively formal sense. No.
제1, 제2등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first component may be named a second component, and similarly, a second component may be named a first component without departing from the scope of the present invention.
상단, 하단, 상면, 하면, 또는 상부, 하부 등의 용어는 구성요소에 있어 상대적인 위치를 구별하기 위해 사용되는 것이다. 예를 들어, 편의상 도면상의 위쪽을 상부, 도면상의 아래쪽을 하부로 명명하는 경우, 실제에 있어서는 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 상부는 하부로 명명될 수 있고, 하부는 상부로 명명될 수 있다.Terms such as top, bottom, upper surface, lower surface, or top and bottom are used to distinguish the relative positions of components. For example, for convenience, when the upper part of the drawing is called upper and the lower part of the drawing is called lower, in reality, the upper part can be called lower, and the lower part can be called upper without departing from the scope of the present invention. .
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in this application are only used to describe specific embodiments and are not intended to limit the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features. It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the existence or addition of elements, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the attached drawings, a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a diagram schematically showing the configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치는 베이스 부재, 예를 들어 반도체 웨이퍼 또는 기판상에 다수의 반도체 칩을 장착하고, 상기 반도체 칩을 외부 환경으로부터 보호하기 위해 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC) 등으로 몰딩(인캡슐레이션)한 다음, 원하는 두께로 그라인딩하는 장치, 예를 들어 그라인딩 장치(grinder)에 관한 것이다. A semiconductor manufacturing device according to an embodiment of the present invention mounts a plurality of semiconductor chips on a base member, for example, a semiconductor wafer or a substrate, and molds the semiconductor chips with epoxy molding compound (EMC) to protect the semiconductor chips from the external environment. It relates to a device that encapsulates and then grinds it to a desired thickness, for example, a grinder.
이하, 베이스 부재, 베이스 부재상에 장착된 반도체 칩, 및 몰딩 부재를 '제품'이라 칭한다. 이때, 상기 제품은 상기 구성 요소외에 상기 베이스 부재와 상기 반도체 칩을 전기적으로 연결시켜 주기 위한 도전성 물질, 예를 들어 솔더 볼 또는 카파(cupper) 지지대 등으로 구성될 수 있다. 상기 제품은 몰드 웨이퍼(mold wafer)를 포함하고, 상기 베이스 부재는 반도체 웨이퍼(wafer) 또는 기판(substrate)을 포함할 수 있다. 상기 기판은 SiC (silicon carbide) 기판(substrate), EPS(embedded passive substrate), EDS(embedded die substrate), ETS(embedded trace substrate) 등과 같은 다양한 기판을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 그라인더 장치는 상기 몰딩 부재외에, 상기 도전성 물질 등과 같은 제품을 구성하는 물질을 그라인딩하여, 상기 제품을 원하는 두께로 그라인딩하는 장치일 수 있다.Hereinafter, the base member, the semiconductor chip mounted on the base member, and the molding member are referred to as 'products'. At this time, in addition to the components, the product may be composed of a conductive material, such as a solder ball or a cupper support, for electrically connecting the base member and the semiconductor chip. The product may include a mold wafer, and the base member may include a semiconductor wafer or a substrate. The substrate may include various substrates such as a silicon carbide (SiC) substrate, an embedded passive substrate (EPS), an embedded die substrate (EDS), and an embedded trace substrate (ETS). The grinder device according to an embodiment of the present invention may be a device that grinds materials constituting the product, such as the conductive material, in addition to the molding member, and grinds the product to a desired thickness.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치(10)는 베이스로서 메인 베드(main bed) (11), 제품(20)이 안착되는 척 테이블(13), 그리고 휠 스핀들(15)을 구비할 수 있다. 상기 척 테이블(13)은 상기 제품(20)을 진공 흡착하고, 회전 가능하도록 구성될 수 있다. 상기 휠 스핀들(15)는 그라인딩 유니트로서 그라인딩 휠이 장착되어 상기 제품(20)의 표면을 그라인딩하도록 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1, the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention includes a main bed 11 as a base, a chuck table 13 on which the product 20 is mounted, and a wheel spindle 15. ) can be provided. The chuck table 13 may be configured to vacuum-suck the product 20 and rotate it. The wheel spindle 15 is a grinding unit and may be equipped with a grinding wheel to grind the surface of the product 20.
도 4 그리고 도 5a 및 도 5b에는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치(10)에 있어서, 상기 척 테이블(13)상에 장착되는 제품(20)이 몰드 웨이퍼인 경우를 예시한 것이다. 도 4 그리고 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상기 제품(20)은 베이스 부재인 반도체 웨이퍼(100), 상기 반도체 웨이퍼(100)상에 배치된 다수의 반도체 칩(110), 및 상기 반도체 칩(110)을 보호하기 위한 몰딩 부재(150)로 구성될 수 있다. 상기 다수의 반도체 칩(110)은 동일 타입의 반도체 칩 또는 서로 다른 타입의 반도체 칩으로 구성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(150)는 예를 들어, 에폭시 몰딩 컴파운드(EPC)로 구성될 수 있다. 4 and FIGS. 5A and 5B illustrate a case where the product 20 mounted on the chuck table 13 is a mold wafer in the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention. 4 and 5A and 5B, the product 20 includes a semiconductor wafer 100 as a base member, a plurality of semiconductor chips 110 disposed on the semiconductor wafer 100, and the semiconductor chip ( It may be composed of a molding member 150 to protect 110). The plurality of semiconductor chips 110 may be composed of the same type of semiconductor chip or different types of semiconductor chips. The molding member 150 may be made of, for example, epoxy molding compound (EPC).
본 발명의 실시예에 따른 반도체 칩(110)은 다양한 종류의 패키지(package) 형태들 중 어느 하나로 제조될 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 칩(110)은 POP(package on package), SIP(system in package), SOC(system on chip), MCP(multi chip package), COB(chip on board), WFP(wafer-level fabricated package), WSP(wafer-level stack package) 등과 같은 다양한 종류의 패키지 형태들로 제조될 수 있다. 상기 다수의 반도체 칩(110)은 동일 타입의 패키지 또는 서로 다른 타입의 패키지로 제작될 수 있다.The semiconductor chip 110 according to an embodiment of the present invention may be manufactured in any one of various types of package forms. For example, the semiconductor chip 110 may include package on package (POP), system in package (SIP), system on chip (SOC), multi chip package (MCP), chip on board (COB), and wafer- It can be manufactured in various types of package forms, such as level fabricated package (WSP), wafer-level stack package (WSP), etc. The plurality of semiconductor chips 110 may be manufactured in the same type of package or in different types of packages.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치(10)는 상기 제품(20)의 두께 측정을 위한 검출부(200)를 더 포함할 수 있다. 상기 검출부(200)는 적어도 하나의 검출기를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 검출부(200)는 다수의 검출기(210, 250)를 포함하되, 예를 들어 상기 척 테이블(13)의 원점(기준 두께) (R1)을 측정하기 위한 제1검출기(210)과 상기 제품(20)의 실제 두께를 측정하기 위한 제2검출기(250)를 구비할 수 있다. 상기 제1 및 제2검출기(210, 250)은 비접촉식 센서로서, 컨포컬 프로빙(confocal probing) 타입 센서로 구성될 수 있다. 상기 원점은 상기 제품(20)을 그라인딩할 때, 상기 제품(20)을 원하는 두께로 그라인딩하기 위한 기준 두께일 수 있다. 예를 들어, 상기 원점은 상기 척 테이블(13)의 표면까지의 거리로서, 상기 제품(20)의 초기 두께(R1)를 나타낼 수 있다. The semiconductor manufacturing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention may further include a detection unit 200 for measuring the thickness of the product 20. The detection unit 200 may include at least one detector. In one embodiment, the detection unit 200 includes a plurality of detectors 210 and 250, for example, a first detector 210 for measuring the origin (reference thickness) (R1) of the chuck table 13. ) and a second detector 250 for measuring the actual thickness of the product 20. The first and second detectors 210 and 250 are non-contact sensors and may be configured as confocal probing type sensors. When grinding the product 20, the origin may be a reference thickness for grinding the product 20 to a desired thickness. For example, the origin is the distance to the surface of the chuck table 13 and may represent the initial thickness (R1) of the product 20.
본 발명의 실시예에 따른 상기 제품(20)는 다양한 물질, 예를 들어 EMC, 솔더, 실리콘, SiC 등의 다양한 재질로 구성되어 있으므로, 상기 제품(20)의 두께를 측정하기 위하여 검출기로서 적외센 센서를 사용하는 경우, 물질에 따라 굴절율이 상이하여 정확하게 제품의 두께를 측정하기 어려웠다.Since the product 20 according to an embodiment of the present invention is composed of various materials such as EMC, solder, silicon, SiC, etc., an infrared sensor is used as a detector to measure the thickness of the product 20. When using a sensor, it was difficult to accurately measure the thickness of the product because the refractive index was different depending on the material.
한편, 상기 제1 및 제2검출기(210, 250)를 비접촉 센서로서 컨포컬 센서로 구성하는 경우에는, 정확하게 상기 제품(20)의 두께를 실시간으로 측정할 수 있을 뿐만 아니라 접촉식 센서 사용시의 노출된 반도체 칩 등에 스크래치 등의 발생을 방지할 수 있다. Meanwhile, when the first and second detectors 210 and 250 are configured as non-contact sensors and confocal sensors, not only can the thickness of the product 20 be accurately measured in real time, but also the exposure when using a contact sensor can be measured. It is possible to prevent scratches, etc. from occurring on semiconductor chips.
상기 검출기(210, 250)에는 상기 제품(20)의 두께를 실시간으로 측정하는 경우, 상기 제품(20)의 표면상의 더스트(dust) 등을 블로잉(blowing)시켜 주거나 또는 차단시켜(air-curtaining) 주기 위한 분사 유니트(215, 255)가 각각 구비될 수 있다. 상기 분사 유니트(215, 255)는 물 또는 에어를 분사하여 상기 제품(20)의 측정 표면상의 더스트 등을 블로잉시켜 주거나 또는 상기 제품(20)의 측정 표면으로의 더스트 등의 유입을 차단시켜 줌으로써, 상기 검출기(210, 250)가 상기 제품(20)의 두께를 정확하게 측정할 수 있도록 구성될 수 있다.When measuring the thickness of the product 20 in real time, the detectors 210 and 250 are equipped with blowing or air-curtaining dust on the surface of the product 20. Injection units 215 and 255 for injection may be provided, respectively. The spray units 215 and 255 spray water or air to blow away dust on the measurement surface of the product 20 or block the inflow of dust into the measurement surface of the product 20. The detectors 210 and 250 may be configured to accurately measure the thickness of the product 20.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치(10)는 상기 반도체 제조 장치(10)의 전반적인 동작, 예를 들어 상기 검출부(200)의 다수의 검출기(210, 250)를 제어하기 위한 컨트롤러(도 2의 300)를 더 구비할 수 있다. 상기 검출부(200)가 상기 제1 및 제2검출기(210, 250), 즉 2개의 검출기로 구성되는 경우, 상기 컨트롤러(300)는 2-채널 컨트롤러로 구성될 수 있다.In addition, the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention includes a controller ( 300 in FIG. 2) may be further provided. If the detection unit 200 consists of the first and second detectors 210 and 250, that is, two detectors, the controller 300 may be configured as a 2-channel controller.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조 장치(10)의 회로 구성을 도식화한 것이다.Figure 2 schematically illustrates the circuit configuration of the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 상기 반도체 제조 장치(10)는 상기 제품(20)의 두께를 측정하기 위한 검출부(200), 상기 반도체 제조 장치의 동작을 제어하기 위한 컨트롤러(300), 및 상기 검출부(200)의 측정 결과에 근거하여 상기 제품(20)의 두께가 원하는 값에 도달하였는가를 판단하는 판단부(350)를 구비할 수 있다.Referring to FIG. 2, the semiconductor manufacturing apparatus 10 includes a detection unit 200 for measuring the thickness of the product 20, a controller 300 for controlling the operation of the semiconductor manufacturing apparatus, and the detection unit 200. ) may be provided with a determination unit 350 that determines whether the thickness of the product 20 has reached the desired value based on the measurement results.
상기 검출부(200)는 적어도 하나의 검출기, 예를 들어 제1검출기(210)와 제2검출기(250)를 구비할 수 있다. 상기 검출기(210, 250)에는 상기 제품(20)의 두께를 실시간으로 측정하는 경우, 상기 제품(20)의 표면중 두께 측정 부위상에 존재하는 더스트(dust) 등을 블로잉(blowing)시켜 주거나 또는 상기 제품(20)의 표면중 두께 측정 부위로의 더스트 유입을 차단시켜(air-curtaining) 주기 위한 물 또는 공기를 분사시켜 주도록 구성된 분사 유니트(215, 255)가 각각 구비될 수 있다. The detection unit 200 may include at least one detector, for example, a first detector 210 and a second detector 250. When measuring the thickness of the product 20 in real time, the detectors 210 and 250 are provided with blowing dust, etc. existing on the thickness measurement area on the surface of the product 20, or Spray units 215 and 255 configured to spray water or air to block (air-curtain) dust from entering the thickness measurement area on the surface of the product 20 may be provided, respectively.
상기 검출부(200)는 상기 제1검출기(210)를 통해 척 테이블(13)의 원점(R1)을 측정하고, 상기 제2검출기(250)를 통해 상기 제품(20)의 실제 두께를 측정하고, 상기 제1 및 제2검출기(210, 250)를 통해 측정된 결과를 상기 판단부(350)로 제공할 수 있다. 상기 제2검출기(250)는 상기 그라인딩 유니트(15)가 상기 제품(20)의 전면, 예를 들어 상기 몰딩 부재(150)의 상면을 그라인딩하는 동안, 상기 제품(20)의 표면까지의 거리(R2)를 실시간으로 측정하고, 이를 근거로 상기 제품(20)의 실제 두께를 실시간으로 측정할 수 있는 것이다.The detection unit 200 measures the origin (R1) of the chuck table 13 through the first detector 210, and measures the actual thickness of the product 20 through the second detector 250, The results measured through the first and second detectors 210 and 250 may be provided to the determination unit 350. The second detector 250 measures the distance to the surface of the product 20 ( R2) is measured in real time, and based on this, the actual thickness of the product 20 can be measured in real time.
상기 판단부(350)는 상기 검출부(200)의 제1 및 제2검출기(210, 250)로부터 출력되는 측정 결과를 수신하고, 수신된 측정 결과에 근거하여 상기 제품(20)의 두께가 원하는 값에 도달하였는가를 판단할 수 있다. 상기 판단부(350)는 상기 제품(20)의 두께가 원하는 값에 도달하였는가의 판단 결과를 상기 컨트롤러(300)로 제공할 수 있다.The determination unit 350 receives measurement results output from the first and second detectors 210 and 250 of the detection unit 200, and determines the thickness of the product 20 to a desired value based on the received measurement results. You can determine whether it has been reached. The determination unit 350 may provide the controller 300 with a determination result of whether the thickness of the product 20 has reached a desired value.
예를 들어, 상기 판단부(350)는 상기 검출부(200)의 제1검출기(210)의 측정 결과와 상기 제2검출기(250)의 측정 결과를 비교하고, 비교 결과에 근거하여 원하는 제품(20)의 두께에 도달하였는가를 판단하도록 구성된 비교기로 구성될 수 있다. 상기 검출부(200)의 검출 동작 및 상기 판단부(350)의 판단 동작은 상기 컨트롤러(300)의 제어하에 상기 그라인딩 유니트(15)에 의해 상기 제품(20)이 원하는 두께로 그라인딩될 때까지 수행될 수 있다.For example, the determination unit 350 compares the measurement result of the first detector 210 of the detection unit 200 with the measurement result of the second detector 250, and based on the comparison result, the desired product (20 ) may be configured with a comparator configured to determine whether the thickness has been reached. The detection operation of the detection unit 200 and the determination operation of the determination unit 350 are performed by the grinding unit 15 under the control of the controller 300 until the product 20 is ground to a desired thickness. You can.
상기 컨트롤러(300)는 상기 판단부(350)의 판단 결과에 근거하여 상기 그라인딩 유니트(15)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 컨트롤러(300)는 상기 판단부(350)의 판단 결과 상기 제품(20)이 원하는 두께로 그라인딩된 경우에는 상기 그라인딩 유니트(15)의 그라인딩 동작이 중지되도록 제어하고, 상기 판단부(350)의 판단 결과 상기 제품(20)이 원하는 두께로 그라인딩되지 않은 경우에는 상기 그라인딩 유니트(15)가 계속하여 상기 제품(20)을 그라인딩하도록 제어할 수 있다.The controller 300 may control the grinding unit 15 based on the determination result of the determination unit 350. For example, the controller 300 controls the grinding operation of the grinding unit 15 to stop when the product 20 is ground to a desired thickness as a result of the judgment of the determination unit 350, and the determination unit 350 If the product 20 is not ground to the desired thickness as a result of the determination at 350, the grinding unit 15 may be controlled to continue grinding the product 20.
일 실시예에 따른 반도체 제조 장치(10)는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 검출부(200)의 제1 및 제2검출기(210, 250)의 측정 결과에 근거하여 상기 제품(20)이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 판단하기 위한 판단부(350)가 별개로 구성되는 것을 예시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 판단부(350)가 상기 컨트롤러(300) 내부에 구비되어, 상기 컨트롤러(300)가 상기 판단부(350)의 동작을 수행하도록 구성될 수 있다.As shown in FIG. 2, the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to one embodiment determines that the product 20 is desired based on the measurement results of the first and second detectors 210 and 250 of the detection unit 200. Although it has been illustrated that the determination unit 350 for determining whether the thickness has been ground is separately configured, it is not limited thereto. The determination unit 350 may be provided inside the controller 300, and the controller 300 may be configured to perform the operation of the determination unit 350.
도 3a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치(10)의 회로 구성을 도식화한 것이다.FIG. 3A schematically illustrates the circuit configuration of the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to another embodiment of the present invention.
도 3a를 참조하면, 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치(10)는 상기 제품(20)의 두께를 측정하기 위한 검출부(200)와 상기 반도체 제조 장치의 동작을 제어하기 위한 컨트롤러(300)를 구비할 수 있다. 상기 컨트롤러(300)는 상기 검출부(200)의 측정 결과에 근거하여 상기 제품(20)이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 판단하고, 판단 결과에 근거하여 상기 검출부(200) 및 상기 그라인딩 유니트(15)를 제어하도록 구성될 수 있다.Referring to FIG. 3A, a semiconductor manufacturing apparatus 10 according to another embodiment includes a detection unit 200 for measuring the thickness of the product 20 and a controller 300 for controlling the operation of the semiconductor manufacturing apparatus. can do. The controller 300 determines whether the product 20 has been ground to the desired thickness based on the measurement result of the detection unit 200, and operates the detection unit 200 and the grinding unit 15 based on the determination result. It can be configured to control.
상기 검출부(200)는 도 2의 일 실시예에서와 같이, 제1검출기(210)와 제2검출기(250)를 구비할 수 있다. 상기 검출기(210, 250)에는 상기 제품(20)의 두께를 실시간으로 측정하는 경우, 상기 제품(20)의 표면으로 상의 더스트(dust) 등을 블로잉(blowing)시켜 주거나 또는 더스트의 유입을 차단시켜(air-curtaining) 주기 위한 물 또는 공기를 분사시켜 주도록 구성된 분사 유니트(215, 255)가 각각 구비될 수 있다. The detection unit 200 may include a first detector 210 and a second detector 250, as in the embodiment of FIG. 2. When measuring the thickness of the product 20 in real time, the detectors 210 and 250 are installed by blowing dust on the surface of the product 20 or blocking the inflow of dust. Spray units 215 and 255 configured to spray water or air for air-curtaining may be provided, respectively.
상기 검출부(200)는 상기 제1검출기(210)를 통해 척 테이블(13)까지의 거리(R1), 즉 원점을 측정하고, 상기 제2검출기(250)를 통해 상기 제품(20)까지의 거리(R2)에 근거하여 상기 제품(20)의 실제 두께를 측정하며, 상기 제1 및 제2검출기(210, 250)는 측정된 결과를 상기 컨트롤러(300)로 제공할 수 있다. 상기 제2검출기(250)는 상기 그라인딩 유니트(15)가 상기 제품(20)의 전면, 예를 들어 상기 몰딩 부재(150)의 상면을 그라인딩하는 동안, 상기 제품(20)의 두께를 실시간으로 측정하여 상기 컨트롤러(300)로 제공할 수 있다.The detection unit 200 measures the distance (R1), that is, the origin, to the chuck table 13 through the first detector 210, and measures the distance to the product 20 through the second detector 250. The actual thickness of the product 20 is measured based on (R2), and the first and second detectors 210 and 250 can provide the measured results to the controller 300. The second detector 250 measures the thickness of the product 20 in real time while the grinding unit 15 grinds the front surface of the product 20, for example, the upper surface of the molding member 150. This can be provided to the controller 300.
상기 컨트롤러(300)는 상기 검출부(200)의 측정 결과에 근거하여 상기 그라인딩 유니트(15)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 컨트롤러(300)는 상기 검출부(200)의 검출 결과에 근거하여 상기 제품(20)이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 판단하고, 원하는 두께로 그라인딩된 경우에는 상기 그라인딩 유니트(15)의 그라인딩 동작이 중지되도록 제어할 수 있다. 한편, 상기 컨트롤러(300)는 판단 결과 상기 제품(20)이 원하는 두께로 그라인딩되지 않은 경우에는 상기 그라인딩 유니트(15)가 계속하여 상기 제품(20)을 그라인딩하도록 제어할 수 있다. The controller 300 may control the grinding unit 15 based on the measurement results of the detection unit 200. For example, the controller 300 determines whether the product 20 has been ground to the desired thickness based on the detection result of the detection unit 200, and if the product 20 has been ground to the desired thickness, the grinding unit 15 The grinding action can be controlled to stop. Meanwhile, if the product 20 is not ground to the desired thickness as a result of determination, the controller 300 may control the grinding unit 15 to continue grinding the product 20.
실시예에 따른 반도체 제조 장치(10)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 검출부(200)가 척 테이블(13)의 원점을 검출하기 위한 제1검출기(210)와 상기 제품(20)의 두께를 검출하기 위한 제2검출기(250)가 별개로 구성되는 것을 예시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 단일의 검출기로 구성될 수 있다. As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to the embodiment includes a first detector 210 in which the detection unit 200 detects the origin of the chuck table 13 and the product 20. Although it is illustrated that the second detector 250 for detecting the thickness is configured separately, it is not limited to this and may be configured as a single detector.
도 3b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치(10)의 회로 구성을 도식화한 것이다.FIG. 3B schematically illustrates the circuit configuration of the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to another embodiment of the present invention.
도 3b를 참조하면, 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치(10)는 상기 제품(20)의 두께를 측정하기 위한 검출부(200)와 상기 반도체 제조 장치의 동작을 제어하기 위한 컨트롤러(300)를 구비할 수 있다. 상기 컨트롤러(300)는 상기 검출부(200)의 측정 결과에 근거하여 상기 제품(20)이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 판단하고, 판단 결과에 근거하여 상기 검출부(200) 및 상기 그라인딩 유니트(15)를 제어하도록 구성될 수 있다.Referring to FIG. 3B, a semiconductor manufacturing apparatus 10 according to another embodiment includes a detection unit 200 for measuring the thickness of the product 20 and a controller 300 for controlling the operation of the semiconductor manufacturing apparatus. can do. The controller 300 determines whether the product 20 has been ground to the desired thickness based on the measurement result of the detection unit 200, and operates the detection unit 200 and the grinding unit 15 based on the determination result. It can be configured to control.
상기 검출부(200)는 상기 척 테이블(13)의 원점(R1)과 상기 제품(20)의 실시간 두께(R2)를 측정하도록 구성된 단일의 검출기(250)를 구비할 수 있다. 상기 검출기(250)에는 상기 제품(20)의 두께를 실시간으로 측정하는 경우, 상기 제품(20)의 표면으로 상의 더스트(dust) 등을 블로잉(blowing)시켜 주거나 또는 더스트의 유입을 차단시켜(air-curtaining) 주기 위한 물 또는 공기를 분사시켜 주도록 구성된 분사 유니트(255)가 구비될 수 있다. The detection unit 200 may include a single detector 250 configured to measure the origin (R1) of the chuck table 13 and the real-time thickness (R2) of the product 20. When measuring the thickness of the product 20 in real time, the detector 250 is installed by blowing dust on the surface of the product 20 or blocking the inflow of dust (air). A spray unit 255 configured to spray water or air for -curtaining may be provided.
상기 검출기(250)는 먼저 척 테이블(13)의 원점(R1)을 측정하여 상기 컨트롤러(300)로 제공하고, 예를 들어 전 후 또는 좌우로 이동하여 상기 제품(20)의 두께(R2)를 실시간으로 측정하여 상기 컨트롤러(300)로 제공할 수 있다. 상기 검출기(250)는 상기 그라인딩 유니트(15)가 상기 제품(20)의 전면인 상기 몰딩 부재(150)의 상면을 그라인딩하는 동안, 상기 제품(20)의 두께를 실시간으로 측정하여 상기 컨트롤러(300)로 제공할 수 있다.The detector 250 first measures the origin (R1) of the chuck table 13 and provides it to the controller 300, for example, moves back and forth or left and right to measure the thickness (R2) of the product 20. It can be measured in real time and provided to the controller 300. The detector 250 measures the thickness of the product 20 in real time while the grinding unit 15 grinds the upper surface of the molding member 150, which is the front of the product 20, and detects the thickness of the product 20 in real time. ) can be provided.
상기 컨트롤러(300)는 상기 검출부(200)의 측정 결과에 근거하여 상기 그라인딩 유니트(15)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 컨트롤러(300)는 상기 검출부(200)의 검출 결과에 근거하여 상기 제품(20)이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 판단할 수 있다. 상기 컨트롤러(300)는 판단 결과 상기 제품(20)이 원하는 두께로 그라인딩된 경우에는 상기 그라인딩 유니트(15)의 그라인딩 동작이 중지되도록 제어하고, 판단 결과 상기 제품(20)이 원하는 두께로 그라인딩되지 않은 경우에는 상기 그라인딩 유니트(15)가 계속하여 상기 제품(20)을 그라인딩하도록 제어할 수 있다. The controller 300 may control the grinding unit 15 based on the measurement results of the detection unit 200. For example, the controller 300 may determine whether the product 20 has been ground to a desired thickness based on the detection result of the detection unit 200. The controller 300 controls the grinding operation of the grinding unit 15 to stop if the product 20 is ground to the desired thickness, and if the product 20 is not ground to the desired thickness as a result of the judgment, the controller 300 controls the grinding operation of the grinding unit 15 to stop. In this case, the grinding unit 15 can be controlled to continue grinding the product 20.
또 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치(10)는 도 3b에 도시된 바와 같이, 검출부(200)가 단일의 제2검출기(250)로 구성되고, 상기 제2검출기(250)가 상기 척 테이블(13)의 원점을 검출함과 동시에 상기 제품(20)의 두께를 검출하여 컨트롤러(300)로 제공하도록 구성되는 것을 예시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 검출부(200)가 도 1 및 도 2의 척 테이블(13)의 원점 측정용 제1검출기(210)로 구성되어, 상기와 같은 검출 동작을 수행할 수 있다.In the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to another embodiment, as shown in FIG. 3B, the detection unit 200 is composed of a single second detector 250, and the second detector 250 is connected to the chuck table ( 13), the thickness of the product 20 is detected and provided to the controller 300 at the same time, but the present invention is not limited thereto. The detection unit 200 is composed of the first detector 210 for measuring the origin of the chuck table 13 of FIGS. 1 and 2, and can perform the detection operation as described above.
또한, 또 다른 실시예에 따른 반도체 제조 장치(10)는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 판단부(350)가 별개로 구성되어, 상기 검출기(210 또는 250)가 상기 척 테이블(13)의 원점을 검출함과 동시에 상기 제품(20)의 두께를 검출하여 상기 판단부(350)로 제공하고, 상기 판단부(350)가 상기 제품(20)이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 판단하고, 상기 판단 결과를 상기 컨트롤러(300)로 제공하도록 구성될 수 있다.In addition, in the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to another embodiment, as shown in FIG. 2, the determination unit 350 is configured separately, and the detector 210 or 250 of the chuck table 13 At the same time as detecting the origin, the thickness of the product 20 is detected and provided to the determination unit 350, the determination unit 350 determines whether the product 20 has been ground to the desired thickness, and the determination is made. It may be configured to provide results to the controller 300.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 이용한 반도체 제조 방법을 설명하기 위한 도면으로서, 상기 제품(20)의 단면 구조를 도시한 것이다. 도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 이용하여 반도체 제조 방법에 있어서, 몰딩 공정전에 베이스 부재상에 반도체 칩을 장착하는 과정을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 4 is a diagram for explaining a semiconductor manufacturing method using a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention, and shows a cross-sectional structure of the product 20. 5A and 5B are diagrams for explaining a process of mounting a semiconductor chip on a base member before a molding process in a semiconductor manufacturing method using a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 4 및 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 베이스 부재로 반도체 웨이퍼(100)가 마련된다. 상기 웨이퍼(100)는 반도체 칩(110)이 장착될 다수의 영역(101)을 구비할 수 있다. 상기 웨이퍼(100)의 각 영역에 반도체 칩(110)이 본딩 유니트(미도시), 예를 들어 chip-to-wafer 본더를 이용하여 본딩될 수 있다. Referring to FIGS. 4 and 5A and 5B, a semiconductor wafer 100 is provided as a base member. The wafer 100 may have a plurality of regions 101 on which the semiconductor chips 110 are mounted. Semiconductor chips 110 may be bonded to each region of the wafer 100 using a bonding unit (not shown), for example, a chip-to-wafer bonder.
도면에는 상기 반도체 웨이퍼(100)상에 반도체 칩(110)이 장착될 다수의 영역(101)이 구획된 것으로 예시하였으나, 상기 반도체 웨이퍼(100)의 임의 위치에 상기 반도체 칩(110)을 장착할 수도 있다. 또한, 베이스 부재로 반도체 웨이퍼가 사용되는 경우를 예시적으로 설명하였으나, 상기에서 설명한 바와 같이 상기 베이스 부재(100)로 다양한 기판이 사용될 수 있다. In the drawing, the semiconductor wafer 100 is illustrated as having a plurality of regions 101 where the semiconductor chip 110 will be mounted. However, the semiconductor chip 110 can be mounted at any position on the semiconductor wafer 100. It may be possible. In addition, the case where a semiconductor wafer is used as the base member has been described as an example, but as described above, various substrates may be used as the base member 100.
상기 반도체 칩(110)은 상기에서 설명한 바와 같이 다양한 종류의 패키지로 제작될 수 있으며, 상기 반도체 칩(110)은 상기 웨이퍼(100)상에 서로 간의 전기적 연결을 위해 도전성 물질로 솔더, 예를 들어 솔더 볼 등을 이용하여 본딩될 수 있다.The semiconductor chip 110 can be manufactured in various types of packages as described above, and the semiconductor chip 110 is soldered with a conductive material on the wafer 100 for electrical connection with each other, for example. It can be bonded using solder balls, etc.
상기 반도체 칩(110)이 장착된 상기 반도체 웨이퍼(100)에 대하여 몰딩 공정을 수행하여 에폭시 몰딩 컴파운드와 같은 몰딩 부재(150)를 형성한다. 이로써, 상기 제품(20)으로 몰딩 웨이퍼(20)가 제작된다. A molding process is performed on the semiconductor wafer 100 on which the semiconductor chip 110 is mounted to form a molding member 150 such as an epoxy molding compound. Accordingly, the molding wafer 20 is manufactured from the product 20.
이하 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치(10)를 이용한 반도체 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a semiconductor manufacturing method using the semiconductor manufacturing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention will be described.
도 6은 발명의 실시예에 따른 반도체 제조 장치를 이용한 반도체 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.6 is a flowchart for explaining a semiconductor manufacturing method using a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the invention.
도 6을 참조하면, 먼저, 제품(20)를 마련하고, 상기 제품(20)을 제품 지지대인 척 테이블(13)상에 안착시켜 줄 수 있다(S510). 예를 들어, 상기 제품(20)은 도 4에서 설명한 바와 같이, 상기 반도체 웨이퍼(110)의 각 영역(101)상에 반도체 칩(110)을 본딩시켜 장착시켜 주고, 상기 반도체 칩(110)을 몰딩 부재(150)로 몰딩시켜 제작된 몰드 웨이퍼를 의미할 수 있다. Referring to FIG. 6, first, the product 20 can be prepared, and the product 20 can be placed on the chuck table 13, which is a product supporter (S510). For example, as described in FIG. 4, the product 20 is mounted by bonding a semiconductor chip 110 on each region 101 of the semiconductor wafer 110, and the semiconductor chip 110 is It may refer to a mold wafer manufactured by molding with the molding member 150.
상기 제품(20)이 상기 척 테이블(13)에 안착된 상태에서, 상기 검출부(200)는 상기 제1검출기(210)를 이용하여 척 테이블(13)의 원점을 측정하고, 상기 제1검출기(210)를 통해 측정된 결과는 그라인딩을 위한 기준 값(R1)으로 설정될 수 있다 (S520).In a state where the product 20 is seated on the chuck table 13, the detection unit 200 measures the origin of the chuck table 13 using the first detector 210, and the first detector ( The results measured through 210) can be set as the reference value (R1) for grinding (S520).
상기 컨트롤러(300)는 상기 그라인딩 유니트(15)를 제어하여, 상기 제품(20)의 전면, 즉 상기 몰딩 부재(150)의 상면을 그라인딩하면서, 실시간으로 상기 제2검출기(250)를 이용하여 상기 제품(20)의 두께(R2)를 실시간으로 측정할 수 있다 (S530). The controller 300 controls the grinding unit 15 to grind the front surface of the product 20, that is, the upper surface of the molding member 150, and uses the second detector 250 in real time to detect the The thickness (R2) of the product 20 can be measured in real time (S530).
상기 판단부(350)는 상기 제1검출기(210)를 통해 측정된 결과를 상기 그라인딩을 위한 기준값(R1)을 근거로 하여 상기 제2검출기(250)를 통해 측정된 제품(20)이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 판단한다 (S540).The determination unit 350 determines the desired thickness of the product 20 measured through the second detector 250 based on the result measured through the first detector 210 and the reference value (R1) for grinding. Determine whether it has been ground (S540).
단계 S540 에서, 상기 판단부(530)의 판단 결과, 상기 제품(20)이 원하는 두께로 그라인딩된 경우(S540:Y), 상기 컨트롤러(300)는 상기 제품(20)의 표면에 대한 그라인딩 동작을 완료한다 (S550). 상기 컨트롤러(300)는 상기 그라인딩 유니트(15)가 그라인딩 동작을 정지하도록 제어하고, 이에 따라 상기 제2검출기(250)를 통한 상기 제품(20)의 실시간 두께 측정 동작도 정지하도록 제어할 수 있다. 이때, 상기 제품(20)은 상기 몰드 부재(150)의 일부가 남도록 그라인딩되거나 또는 상기 반도체 칩(110)이 노출되도록 그라인딩될 수 있다. In step S540, as a result of the judgment of the determination unit 530, when the product 20 is ground to the desired thickness (S540:Y), the controller 300 performs a grinding operation on the surface of the product 20. Complete (S550). The controller 300 may control the grinding unit 15 to stop the grinding operation, and thus control the real-time thickness measurement operation of the product 20 through the second detector 250 to also stop. At this time, the product 20 may be ground so that a portion of the mold member 150 remains or the semiconductor chip 110 may be exposed.
단계 S540 에서, 상기 판단부(530)의 판단 결과, 상기 제품(20)이 원하는 두께로 그라인딩되지 않은 경우(S540:N), 상기 컨트롤러(300)는 단계 S530 으로 이동하여 상기 제품(20)의 표면에 대한 그라인딩 동작을 계속 수행한다. 상기 컨트롤러(300)는 상기 그라인딩 유니트(15)가 그라인딩 동작을 계속 수행하도록 제어하고, 이에 따라 상기 제2검출기(250)가 실시간으로 상기 제품(20)의 두께를 측정하도록 제어할 수 있다.In step S540, as a result of the judgment of the determination unit 530, if the product 20 is not ground to the desired thickness (S540:N), the controller 300 moves to step S530 and grinds the product 20. Continue grinding operations on the surface. The controller 300 controls the grinding unit 15 to continue performing the grinding operation, and thus controls the second detector 250 to measure the thickness of the product 20 in real time.
상기 제품(20)의 두께를 실시간으로 측정하여 제품(20)이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 판단하는 동작(S530, S540)은 상기 제품(20)의 두께가 원하는 값에 도달할 때까지 반복적으로 수행될 수 있다.The operation (S530, S540) of measuring the thickness of the product 20 in real time to determine whether the product 20 has been ground to the desired thickness is repeatedly performed until the thickness of the product 20 reaches the desired value. It can be.
다른 실시예에서, 단계 S540에서, 상기 검출기(210, 250)에서 측정된 척 테이블의 원점 및 제품(20)의 두께는 상기 컨트롤러(300)로 직접 제공되고, 상기 컨트롤러(300)가 실시간으로 측정된 제품(20)의 두께가 원하는 값에 도달하였는가를 판단하며, 판단 결과에 따라 상기 제품(20)의 표면에 대한 그라인딩 동작을 완료하거나 상기 실시간 제품의 두께 측정 및 원하는 두께의 도달 여부를 판단하는 동작을 계속 수행하도록 제어할 수 있다.In another embodiment, in step S540, the origin of the chuck table and the thickness of the product 20 measured by the detectors 210 and 250 are directly provided to the controller 300, and the controller 300 measures in real time. It is determined whether the thickness of the product 20 has reached the desired value, and according to the judgment result, the grinding operation on the surface of the product 20 is completed or the thickness of the product is measured in real time and the desired thickness is determined. You can control it to continue performing the action.
또 다른 실시예에서, 단계 S520 및 S530에서, 상기 검출기(250)에서 척 테이블의 원점 및 제품(20)의 두께를 모두 측정하여 상기 컨트롤러(300)로 직접 제공하고, 단계 S540 에서, 상기 컨트롤러(300)가 실시간으로 측정된 제품(20)의 두께가 원하는 값에 도달하였는가를 판단하며, 판단 결과에 따라 상기 제품(20)의 표면에 대한 그라인딩 동작을 완료하거나 상기 실시간 제품의 두께 측정 및 원하는 두께의 도달 여부를 판단하는 동작을 계속 수행하도록 제어할 수 있다.In another embodiment, in steps S520 and S530, both the origin of the chuck table and the thickness of the product 20 are measured by the detector 250 and provided directly to the controller 300, and in step S540, the controller ( 300) determines whether the thickness of the product 20 measured in real time has reached the desired value, and depending on the judgment result, completes the grinding operation on the surface of the product 20 or measures the thickness of the product in real time and determines the desired thickness. It can be controlled to continue performing the operation of determining whether or not has been reached.
이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.As such, a person skilled in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing its technical idea or essential features. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the claims described below rather than the detailed description above, and all changes or modified forms derived from the meaning and scope of the claims and their equivalent concepts should be interpreted as being included in the scope of the present invention. do.
10: 반도체 제조 장치 11: 메인 베드
13: 척 테이블 15: 그라인딩 유니트
20: 제품 100: 베이스 부재
110: 반도체 칩 150: 몰딩 부재(EMC)
200: 검출부 210, 250: 컨포컬 센서
300: 컨트롤러 350: 판단부 10: Semiconductor manufacturing device 11: Main bed
13: Chuck table 15: Grinding unit
20: Product 100: Base member
110: Semiconductor chip 150: Molding member (EMC)
200: detection unit 210, 250: confocal sensor
300: Controller 350: Judgment unit
Claims (20)
상기 제품의 두께를 실시간으로 측정하기 위한, 비접촉식 센서로 구성된 적어도 하나의 검출기를 구비하는 검출부;
상기 검출부를 통해 실시간으로 측정된 상기 제품의 두께를 근거로 하여 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 판단하기 위한 판단부; 및
상기 검출부를 통해 측정된 상기 제품의 두께를 근거로 하여 상기 그라인딩 유니트를 제어하는 컨트롤러를 포함하되,
상기 검출부는
상기 제품 지지대인 척 테이블의 원점을 측정하는 제1검출기; 및
상기 제품의 전면을 그라인딩하는 동안 상기 제품의 표면까지의 거리를 측정하여 상기 제품의 두께를 실시간으로 측정하기 위한 제2검출기를 포함하되, 상기 제1 및 제2검출기는 각각 상기 제품의 표면중 두께 측정 부위에 존재하는 더스트를 블로잉시켜 주거나 상기 제품의 표면중 두께 측정 부위로의 더스트의 유입을 차단시켜 주기 위해 물 또는 공기를 분사시켜 주기 위한 분사 유니트를 더 구비하며,
상기 판단부는 상기 제1검출기의 측정 결과를 근거로 상기 제2검출기를 통해 실시간으로 측정된 상기 제품의 두께가 원하는 값에 도달하였는가를 판단하도록 구성되며,
상기 제품은
반도체 웨이퍼 또는 기판으로 구성되는 베이스 부재;
상기 베이스 부재에 장착되는 다수의 반도체 칩; 및
상기 다수의 반도체 칩을 보호하기 위한 몰딩 부재로 구성되며,
상기 컨트롤러는 상기 몰딩 부재의 일부가 남거나 또는 상기 다수의 반도체 칩이 노출되도록 상기 몰딩 부재와 상기 베이스 부재가 그라인딩되어 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩된 경우, 상기 제품 표면에 대한 그라인딩 동작을 완료하도록 상기 그라인딩 유니트를 제어하고, 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되지 않은 경우 상기 그라인딩 동작을 다시 수행하도록 상기 그라인딩 유니트를 제어하고, 상기 검출부의 제2검출기를 통해 상기 그라인딩된 제품의 두께를 실시간으로 다시 측정하고, 상기 판단부를 통해 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 다시 판단하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
A grinding unit for performing a grinding operation on the surface of a product mounted on a product support object;
a detection unit including at least one detector comprised of a non-contact sensor for measuring the thickness of the product in real time;
a determination unit for determining whether the product has been ground to a desired thickness based on the thickness of the product measured in real time through the detection unit; and
A controller that controls the grinding unit based on the thickness of the product measured through the detection unit,
The detection unit
a first detector that measures the origin of the chuck table, which is the product support; and
It includes a second detector for measuring the thickness of the product in real time by measuring the distance to the surface of the product while grinding the front surface of the product, wherein the first and second detectors each measure the thickness of the surface of the product. It is further provided with a spray unit for spraying water or air to blow out dust present in the measurement area or to block the inflow of dust into the thickness measurement area on the surface of the product,
The determination unit is configured to determine whether the thickness of the product measured in real time through the second detector has reached a desired value based on the measurement result of the first detector,
The above product is
A base member composed of a semiconductor wafer or substrate;
a plurality of semiconductor chips mounted on the base member; and
It consists of a molding member to protect the plurality of semiconductor chips,
When the product is ground to a desired thickness by grinding the molding member and the base member so that a portion of the molding member remains or the plurality of semiconductor chips are exposed, the controller completes the grinding operation on the surface of the product. Control the grinding unit, and if the product is not ground to the desired thickness, control the grinding unit to perform the grinding operation again, measure the thickness of the ground product again in real time through the second detector of the detection unit, and , A semiconductor manufacturing device characterized in that control is performed to re-determine whether the product has been ground to a desired thickness through the determination unit.
상기 판단부는 상기 컨트롤러 외부에 구비되고,
상기 검출부는 상기 제품의 두께에 대한 실시간 측정 결과를 상기 판단부로 제공하고,
상기 판단부는 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되었는가의 여부에 대한 판단 결과를 상기 컨트롤러로 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
According to paragraph 1,
The determination unit is provided outside the controller,
The detection unit provides real-time measurement results of the thickness of the product to the determination unit,
A semiconductor manufacturing apparatus, wherein the determination unit is configured to provide the controller with a determination result as to whether the product has been ground to a desired thickness.
상기 판단부는 상기 컨트롤러 내부에 구비되고,
상기 검출부는 상기 제품의 두께에 대한 실시간 측정 결과를 상기 컨트롤러로 제공하고,
상기 컨트롤러는 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 판단하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
According to paragraph 1,
The determination unit is provided inside the controller,
The detection unit provides real-time measurement results of the thickness of the product to the controller,
A semiconductor manufacturing device, wherein the controller is configured to determine whether the product has been ground to a desired thickness.
상기 제1 및 제2검출기는 비접촉식 컨포컬 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
According to paragraph 1,
A semiconductor manufacturing device, wherein the first and second detectors include non-contact confocal sensors.
상기 제품은 몰드 웨이퍼이며,
상기 다수의 반도체 칩은 상기 베이스 부재와의 전기적 접속을 위해 도전성 물질로 본딩되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
According to paragraph 1,
The product is a mold wafer,
A semiconductor manufacturing apparatus, wherein the plurality of semiconductor chips are bonded with a conductive material for electrical connection with the base member.
상기 그라인딩 유니트는 상기 몰딩 부재를 포함하는 상기 제품을 구성하는 물질을 그라인딩하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
According to clause 11,
A semiconductor manufacturing apparatus, wherein the grinding unit grinds a material constituting the product including the molding member.
그라인딩될 제품을 마련하는 단계;
제품 지지대상에 상기 제품을 안착하는 단계;
상기 그라인딩 유니트를 이용하여 상기 제품의 전면을 그라인딩하는 동작을 수행하는 단계;
상기 제품의 두께를 적어도 하나의 비접촉 센서를 이용한 비접촉식 방식으로 실시간 측정하는 단계;
상기 실시간으로 측정된 상기 제품의 두께를 근거로 하여 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되었는가를 판단하는 단계; 및
상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩된 것으로 판단되는 경우 상기 그라인딩 동작을 완료하는 단계를 포함하고,
상기 제품을 마련하는 단계는
반도체 웨이퍼 또는 기판으로 구성되는 베이스 부재상에 다수의 반도체 칩을 장착하는 단계; 및
상기 다수의 반도체 칩을 보호하기 위해 상기 다수의 반도체 칩을 몰딩 부재로 몰딩하는 단계를 포함하고,
상기 제품의 두께를 측정하는 단계는
상기 제품 지지대인 척 테이블의 원점을 측정하는 단계; 및
상기 제품의 두께를 실시간으로 측정하는 단계를 포함하되,
하나의 비접촉식 센서를 이용하여 상기 척 테이블의 원점을 측정하고, 다른 하나의 비접촉식 센서를 이용하여 상기 제품의 전면을 그라인딩하는 동안 상기 제품의 표면까지의 거리를 측정하여 상기 제품의 두께를 실시간으로 측정하며,
상기 판단 단계는 상기 척 테이블의 원점에 대한 측정 결과를 근거로 상기 측정된 제품의 두께가 원하는 값에 도달하였는가를 판단하고,
상기 그라인딩 동작을 완료하는 단계는 상기 몰딩 부재의 일부가 남거나 또는 상기 다수의 반도체 칩이 노출되도록 상기 몰딩 부재와 상기 베이스 부재가 그라인딩되어 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩된 것으로 판단되는 경우, 상기 그라인딩 동작을 완료하는 단계를 포함하며,
상기 그라인딩하는 단계는 상기 제품의 전면중 두께 측정 부위에 존재하는 더스트를 블로잉시켜 주거나 상기 제품의 전면중 두께 측정 부위로의 더스트의 유입을 차단시켜 주기 위해 물 또는 공기를 분사시켜 주는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
In a semiconductor manufacturing apparatus including a grinding unit,
preparing a product to be ground;
Seating the product on a product support object;
performing an operation of grinding the front surface of the product using the grinding unit;
Measuring the thickness of the product in real time in a non-contact manner using at least one non-contact sensor;
determining whether the product has been ground to a desired thickness based on the thickness of the product measured in real time; and
Completing the grinding operation when it is determined that the product has been ground to a desired thickness,
The steps for preparing the product are
Mounting a plurality of semiconductor chips on a base member composed of a semiconductor wafer or substrate; and
A step of molding the plurality of semiconductor chips with a molding member to protect the plurality of semiconductor chips,
The step of measuring the thickness of the product is
Measuring the origin of the chuck table, which is the product support; and
Including measuring the thickness of the product in real time,
Measure the thickness of the product in real time by measuring the origin of the chuck table using one non-contact sensor and measuring the distance to the surface of the product while grinding the front surface of the product using another non-contact sensor. And
The determination step determines whether the measured thickness of the product has reached the desired value based on the measurement result of the origin of the chuck table,
The step of completing the grinding operation is performed when it is determined that the product has been ground to a desired thickness by grinding the molding member and the base member such that a portion of the molding member remains or the plurality of semiconductor chips are exposed. It includes steps to complete,
The grinding step further includes blowing out dust present in the thickness measurement area on the front of the product or spraying water or air to block the inflow of dust into the thickness measurement area on the front of the product. A semiconductor manufacturing method characterized by:
상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되지 않은 경우, 상기 제품의 그라인딩 동작, 상기 제품의 두께의 실시간 측정 동작 및 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩되었는가의 여부를 판단하는 동작을 상기 제품이 원하는 두께로 그라인딩될 때까지 반복적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
According to clause 13,
When the product is not ground to the desired thickness, the grinding operation of the product, the real-time measurement operation of the thickness of the product, and the operation of determining whether the product has been ground to the desired thickness are performed when the product is ground to the desired thickness. A semiconductor manufacturing method characterized in that it is repeatedly performed.
상기 비접촉식 센서는 컨포컬 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
According to clause 13,
A semiconductor manufacturing method, wherein the non-contact sensor includes a confocal sensor.
상기 제품은 몰드 웨이퍼를 포함하고,
상기 다수의 반도체 칩은 상기 베이스 부재와의 전기적 접속을 위해 도전성 물질로 본딩되어 장착되며,
상기 그라인딩하는 단계는 상기 몰딩 부재를 포함하는 상기 제품을 구성하는 물질을 그라인딩하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
According to clause 13,
The product includes a mold wafer,
The plurality of semiconductor chips are bonded and mounted with a conductive material for electrical connection with the base member,
The grinding step is a semiconductor manufacturing method, characterized in that grinding the material constituting the product including the molding member.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020230025931A KR102593254B1 (en) | 2023-02-27 | 2023-02-27 | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor fabricating method using the same |
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| KR102593254B1 true KR102593254B1 (en) | 2023-10-25 |
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2023
- 2023-02-27 KR KR1020230025931A patent/KR102593254B1/en active IP Right Grant
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