KR20230005530A - 전기접속용 커넥터 - Google Patents

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KR20230005530A
KR20230005530A KR1020210086367A KR20210086367A KR20230005530A KR 20230005530 A KR20230005530 A KR 20230005530A KR 1020210086367 A KR1020210086367 A KR 1020210086367A KR 20210086367 A KR20210086367 A KR 20210086367A KR 20230005530 A KR20230005530 A KR 20230005530A
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    • H01R11/01Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts characterised by the form or arrangement of the conductive interconnection between the connecting locations
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Abstract

검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에 배치되는 전기접속용 커넥터가 제공된다. 커넥터는, 신호 도전부와, 그라운드 도전부와, 프레임부를 포함한다.
신호 도전부는 전송부와 절연부를 포함한다. 전송부는 도전 가능하게 접촉된 다수의 제1 도전성 입자로 이루어진다. 절연부는 전송부를 에워싸도록 전송부와 일체로 형성되며, 전송부의 최대폭보다 큰 수평 방향에서의 두께를 가진다.
프레임부는 신호 도전부와 상기 그라운드 도전부를 상하 방향으로 유지하고 수평 방향으로 이격시키며 상하 방향으로 교대로 적층된 금속 프레임층과 절연 프레임층을 포함한다.

Description

전기접속용 커넥터{CONNECTOR FOR ELECTRICAL CONNECTION}
본 발명은 검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키는
커넥터에 관한 것이다.
피검사 디바이스의 동작 특성을 검사하기 위해, 피검사 디바이스와
검사 장치의 사이에 배치되어 피검사 디바이스와 검사 장치를 전기적으로 접속시키는 커넥터가 당해 분야에서 사용되고 있다. 이러한 커넥터로서, 포고핀 시트, 도전성 러버 시트 등이 알려져 있다. 도전성 러버 시트는, 각각 다수의 금속 입자가 상하 방향으로 집합되어 이루어지는 다수의 도전부들과, 다수의 도전부들을 유지하고 실리콘 러버로 이루어지는 프레임을 가진다.
모바일 통신 기기에 사용되는 반도체 디바이스는 고주파의 RF(radio frequency) 특성에 대해 검사되어야 한다. 도전성 러버 시트는 얇은 두께로 인해 포고핀 시트보다 양호한 RF 특성을 가지므로, 도전성 러버 시트가 반도체 디바이스의 RF 검사를 위해 사용되고 있다. 일 예로, 일본 공개특허공보 특개2004-335450호는, 고주파 신호에 대응할 수 있는 도전성 커넥터를 제안한다.
일본 공개특허공보 특개2004-335450호
종래의 도전성 러버 시트는, 고주파의 RF에 대한 노이즈를 충분히 억제하지 못하고 큰 신호 손실을 가진다는 점에서 한계를 갖는다. 이에 따라, 종래의 도전성 러버 시트는, 40GHz 이상의 고주파의 RF 검사를 위해 효과적으로 사용될 수 없다. 또한, 종래의 도전성 러버 시트는, 피검사 디바이스의 임피던스 및 검사 장치의 임피던스와 매칭되는 임피던스를 갖지 못한다. 검사를 위해 사용되는 도전성 러버 시트가 피검사 디바이스 및 검사 장치의 임피던스와 매칭되지 않는 임피던스를 나타내면, 도전성 러버 시트에서 신호 반사로 인해 큰 신호 손실이 발생한다. 종래의 도전성 러버 시트는 매칭되지 않는 임피던스를 나타내므로, 불량한 RF 특성을 가질 수밖에 없다.
또한, 고주파의 RF에 대한 노이즈를 차폐층인 금속 프레임이 두꺼운 금속 한층으로 되어 있어 신호 도전부를 수?하는 관통공이 정밀한 규격으로 가공되기 어려운 문제점이 있었다.
본 개시의 일 실시예는, 신호의 간섭 또는 노이즈를 갖지 않으며 고주파의 RF 검사에 적합한 전기접속용 커넥터를 제공한다. 본 개시의 일 실시예는, 피검사 디바이스의 임피던스 및 검사 장치의 임피던스와 매칭되는 임피던스를 가지며 임피던스 비매칭으로 인한 신호 손실을 일으키지 않는 전기접속용 커넥터를 제공한다.
본발명의 일실시예에 따른 전기접속용 커넥터는 다수의 제1 도전성 입자로 이루어지는 전송부 및 상기 전송부를 수평 방향에서 에워싸도록 상기 전송부와 일체로 형성되는 절연부를 포함하는 적어도 하나의 신호 도전부와, 상기 수평 방향으로 상기 신호 도전부와 이격되어 배치되는 적어도 하나의 그라운드 도전부와, 상기 신호 도전부와 상기 그라운드 도전부를 상기 상하 방향으로 유지하고 상기 수평 방향으로 이격시키며 상기 그라운드 도전부와 전기적으로 접속되는 프레임부를 포함하고, 상기 프레임부는 상하 방향으로 교대로 적층된 금속 프레임층과 절연 프레임층을 포함한다.
상기 금속 프레임층 및 상기 절연 프레임층은 각각 상기 신호 도전부를 수용하는 제1 관통공과 상기 그라운드 도전부를 수용하는 제2 관통공을 갖고, 상기 프레임부의 최상측 프레임층은 상기 제2 관통공보다 더 큰 직경을 갖는 제3 관통공을 갖는다.
상기 그라운드 도전부는 제2 도전성 입자와 상기 제2 도전성 입자를 유지하는 탄성물질을 포함한다.
본발명의 일실시예에 따른 전기접속용 커넥터는 상기 제3 관통공에 위치하여 그라운드 도전부를 둘러싸는 그라운드 단자 보호부를 더 포함한다.
그라운드 단자 보호부는 원형의 링형상을 갖거나 평면상으로 볼 때 소정 간격으로 이격된 두개 이상의 절연편으로 이루어진다.
제2 도전성 입자와 탄성물질은 절연편사이의 공간에 채워질 수 있다.
금속 프레임층은 금속판 및 상기 금속판 표면을 도포하거나 도금한 고전도성 금속막을 포함할 수 있다. 고전도성 금속은 Au, Ag 및 Cu 중 적어도 하나이다.
상기 최상측 프레임층의 제3 관통공은 상단에서 하단으로 갈수록 내경이 감소되는 역테이퍼의 형상을 갖고, 상기 그라운드 단자 보호부는 상기 제3 관통공에 대응하여 상단에서 하단으로 갈수록 외경이 감소된다.
상기 금속 프레임층과 상기 절연 프레임층은 각각 상기 신호 도전부를 수용하는 제1 관통공을 갖고, 상기 금속 프레임층과 상기 절연 프레임층은 중 일부는 상기 그라운드 도전부를 수용하는 제2 관통공을 갖고 상기 상하 방향으로 이격된 제1 홈 및 제2 홈을 형성하고, 상기 그라운드 도전부는 상기 제1 홈에 위치하는 상측 그라운드 도전부 및 상기 제2 홈에 위치하는 상기 하측 그라운드 도전부를 포함한다.
상기 금속 프레임층과 상기 절연 프레임층은 중 다른 일부는 상기 그라운드 도전부를 수용하는 제2 관통공을 갖지 않고 상기 상측 그라운드 도전부와 상기 하측 그라운드 도전부의 일단과 접촉한다.
본 개시의 일 실시예에 의하면, 신호 도전부는 전송부와 전송부를 에워싸고 전송부와 일체로 형성되는 절연부로 이루어지며, 신호 도전부는 전기적으로 접속된 그라운드 도전부 및 프레임부에 대해 절연되어 있다. 따라서, 그라운드 도전부와 프레임부에서 신호의 간섭 또는 노이즈가 현저하게 감소되어, 신호 도전부는 신호의 간섭 또는 노이즈의 영향을 받지 않는다. 또한, 본 개시의 일 실시예에 의하면, 피검사 디바이스의 임피던스 및 검사 장치의 임피던스와 매칭되는 임피던스를 실현할 수 있도록, 전송부와 절연부가 특정 범위의 비율로서 신호 도전부에 제공된다. 따라서, 일 실시예의 커넥터는, 임피던스 비매칭으로 인한 신호 손실을 갖지 않아, 고주파의 RF 검사를 위해 효과적으로 사용될 수 있다.
또한, 본 개시의 일 실시예에 의하면, 프레임부를 분할 적층하여 제작하므로 신호 도전부와 그라운드 도전부가 위치하는 관통홀의 정밀도를 높이고 커넥터의 전체 두께를 자유로이 선택할 수 있으므로 커넥터를 다양한 구조로 설계 변형하여 제작할 수 있다.
또한, 본 개시의 일 실시예에 의하면, 금속 프레임층사이에 절연 프레임층을 적층하여 커넥터의 탄성력을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 커넥터가 적용되는 예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예의 커넥터의 일부를 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예의 커넥터의 일부는 도시하는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예의 커넥터의 일부를 도시하는 단면 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예의 커넥터를 도시하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예의 커넥터를 도시하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예의 커넥터를 도시하는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예의 커넥터를 도시하는 단면도이다.
도 9은 본 발명의 제3 실시예의 커넥터를 제조하는 일 예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
본 개시의 실시예들은 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이다. 본 개시에 따른 권리범위가 이하에 제시되는 실시예들이나 이들 실시예들에 대한 구체적 설명으로 한정되는 것은 아니다.
본 개시에 사용되는 모든 기술적 용어들 및 과학적 용어들은, 달리 정의되지 않는 한, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 의미를 가진다. 본 개시에 사용되는 모든 용어들은 본 개시를 더욱 명확히 설명하기 위한 목적으로 선택된 것이며 본 개시에 따른 권리범위를 제한하기 위해 선택된 것이 아니다.
본 개시에서 사용되는 '포함하는', '구비하는', '갖는' 등과 같은 표현은, 해당 표현이 포함되는 어구 또는 문장에서 달리 언급되지 않는 한, 다른 실시예를 포함할 가능성을 내포하는 개방형 용어(open-ended terms)로 이해되어야 한다.
본 개시에서 기술된 단수형의 표현은 달리 언급하지 않는 한 복수형의 의미를 포함할 수 있으며, 이는 청구범위에 기재된 단수형의 표현에도 마찬가지로 적용된다.
본 개시에서 사용되는 '제1', '제2' 등의 표현들은 복수의 구성요소들을 상호 구분하기 위해 사용되며, 해당 구성요소들의 순서 또는 중요도를 한정하는 것은 아니다.
본 개시에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 '연결되어' 있다거나 '결합되어' 있다고 언급된 경우, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결될 수 있거나 결합될 수 있는 것으로, 또는 새로운 다른 구성요소를 매개로 하여 연결될 수 있거나 결합될 수 있는 것으로 이해되어야 한다.
본 개시에서 사용되는 '상방'의 방향지시어는 커넥터가 검사 장치에 대해 위치하는 방향에 근거하고, '하방'의 방향지시어는 상방의 반대 방향을 의미한다. 본 개시에서 사용되는 '상하 방향'의 방향지시어는 상방 방향과 하방 방향을 포함하지만, 상방 방향과 하방 방향 중 특정한 하나의 방향을 의미하지는 않는 것으로 이해되어야 한다.
첨부한 도면에 도시하는 예들을 참조하여, 실시예들이 설명된다.
첨부된 도면에서, 동일하거나 대응하는 구성요소에는 동일한 참조부호가 부여되어 있다. 또한, 이하의 실시예들의 설명에 있어서, 동일하거나 대응하는 구성요소를 중복하여 기술하는 것이 생략될 수 있다. 그러나, 구성요소에 관한 기술이 생략되어도, 그러한 구성요소가 어떤 실시예에 포함되지 않는 것으로 의도되지는 않는다.
이하에 설명되는 실시예들과 첨부된 도면에 도시하는 예들은, 두개의 전자 디바이스의 전기적 접속을 위한 커넥터에 관련된다. 실시예들의 커넥터의 적용예에 있어서, 상기 두개의 전자 디바이스 중 하나는 검사 장치가 될 수 있고, 상기 두개의 전자 디바이스 중 다른 하나는 검사 장치에 의해 검사되는 피검사 디바이스가 될 수 있다. 따라서, 실시예들의 커넥터는 피검사 디바이스의 전기적 검사 시에 검사 장치와 피검사 디바이스의 전기적 접속을 위해 사용될 수 있다. 일예로, 실시예들의 커넥터는, 반도체 디바이스의 제조 공정 중 후공정에서, 반도체 디바이스의 최종적인 전기적 검사를 위해 사용될 수 있다. 그러나, 실시예들의 커넥터가 적용되는 검사의 예가 전술한 검사에 한정되지는 않는다.
도 1은 제1 실시예에 따른 커넥터가 적용되는 예를 도시하며, 도 1에서, 커넥터, 검사 장치 및 피검사 디바이스는 실시예의 이해를 위해 개략적으로 도시되어 있다.
제1 실시예에 따른 커넥터(100)는 시트(sheet) 형상의 구조물이며, 검사 장치(10)와 피검사 디바이스(20)의 사이에 배치된다. 일 예로서, 커넥터(100)는 테스트 소켓(30)에 의해 검사 장치(10) 상에 위치될 수 있다. 테스트 소켓(30)은 검사 장치(10)에 제거 가능하게 장착될 수 있다. 테스트 소켓(30)은, 수작업으로 또는 운반 장치에 의해 검사 장치(10)로 운반된 피검사 디바이스(20)를 그 안에 수용하고 피검사 디바이스(20)를 커넥터(100)에 대해 정렬시킨다. 피검사 디바이스(20)의 검사 시에, 커넥터(100)는 검사 장치(10)와 피검사 디바이스(20)에 상하 방향(VD)으로 접촉되며, 검사 장치(10)와 피검사 디바이스(20)를 서로 전기적으로 접속시킨다.
피검사 디바이스(20)는, 반도체 IC 칩과 다수의 단자를 수지 재료를 사용하여 육면체 형태로 패키징한 반도체 디바이스일 수 있다. 일 예로, 피검사 디바이스(20)는 모바일 통신 기기에 사용되는 반도체 디바이스일 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 피검사 디바이스(20)는 그 하측에 반구형의 다수의 단자를 가진다. 피검사 디바이스(20)의 상기 다수의 단자는, 시그널 단자(21)와 그라운드단자(22)를 포함할 수 있다.
검사 장치(10)는 피검사 디바이스(20)의 각종 동작 특성을 검사할 수 있다. 검사 장치(10)는 검사가 수행되는 보드를 가질 수 있고, 상기 보드에는 피검사 디바이스의 검사를 위한 검사 회로(11)가 구비될 수 있다. 또한, 검사 회로(11)는 커넥터(100)를 통해 피검사 디바이스의 단자(21, 22)와 전기적으로 접속되는 다수의 단자를 가진다. 검사 장치(10)의 상기 단자는, 테스트 신호를 송신하고 응답 신호를 수신하는 시그널 단자(12)와, 시그널 단자(12)의 주변에 위치하는 그라운드 단자(13)를 포함할 수 있다.
피검사 디바이스(20)의 시그널 단자(21)는 커넥터(100)를 통해 검사장치(10)의 시그널 단자(12)와 전기적으로 접속되고, 피검사 디바이스(20)의 그라운드 단자(22)는 커넥터(100)를 통해 검사 장치(10)의 그라운드 단자(13)와 전기적으로 접속된다. 피검사 디바이스의 검사 시에, 커넥터(100)가 피검사 디바이스의 각 단자(21, 22)와 이것에 대응하는 검사 장치의 각 단자(12, 13)를 상하 방향(VD)으로 전기적으로 접속시키며, 커넥터(100)를 통해 검사 장치(10)에 의해 피검사 디바이스(20)의 검사가 수행된다. 일 예로, 커넥터(100)는 피검사 디바이스(20)의 고주파의 RF 검사를 위해 피검사 디바이스(20)와 검사 장치(10)의 사이에 배치될 수 있다.
도 1을 참조하면, 커넥터(100)는, 적어도 하나의 신호 도전부(110)와, 적어도 하나의 그라운드 도전부(120)와, 프레임부(130)를 포함한다.
신호 도전부(110)는 상하 방향(VD)으로 연장하며, 상하 방향(VD)으로 도전 가능하도록 구성된다.
신호 도전부(110)는 그 상단에서 피검사 디바이스의 시그널 단자(21)와 접촉되고 그 하단에서 검사 장치의 시그널 단자(12)와 접촉된다. 이에 따라, 하나의 신호 도전부(110)에 대응하는 시그널 단자(12)와 시그널 단자(21)의 사이에서 신호 도전부(110)를 매개로 하여 상하 방향의 도전로가 형성된다. 검사 장치의 테스트 신호는 시그널 단자(12)로부터 신호 도전부(110)를 통해 피검사 디바이스(20)의 시그널 단자(21)에 전달될 수 있고, 피검사 디바이스(20)의 응답 신호는 시그널 단자(21)로부터 신호 도전부(110)를 통해 검사 장치(10)의 시그널 단자(12)에 전달될 수 있다.
신호 도전부(110)의 상단은 프레임부(130)의 상면보다 상방으로 돌출하고, 신호 도전부(110)의 하단은 프레임부(130)의 하면보다 하방으로 돌출한다.
그라운드 도전부(120)는 상하 방향(VD)에 직교하는 수평 방향(HD)으로 신호 도전부(110)와 이격되도록 배치된다.
도 1을 참조하면, 그라운드 도전부(120)는 프레임부(130)의 상하방향으로 관통하는 관통공에 배치된다.
그라운드 도전부(120)의 상단은 프레임부(130)의 상면보다 상방으로 돌출하고, 그라운드 도전부(120)의 하단은 프레임부(130)의 하면보다 하방으로 돌출한다.
그라운드 도전부(120)의 상단은 프레임부(130)의 상면보다 상방으로 돌출하고, 그라운드 도전부(120)의 하단은 프레임부(130)의 하면보다 하방으로 돌출한다.
프레임부(130)는 신호 도전부(110)와 그라운드 도전부(120)를 상하 방향(VD)으로 유지하고 수평 방향(HD)으로 이격시킨다.
신호 도전부(110)는 프레임부(130)로부터 절연되어 있으며, 그라운드 도전부(120) 및 프레임부(130)와 전기적으로 접속되지 않는다. 그라운드 도전부(120)의 상단은 프레임부(130)의 상면보다 상방으로 돌출하고, 그라운드 도전부(120)의 하단은 프레임부(130)의 하면보다 하방으로 돌출한다. 그라운드 도전부(120)와 프레임부(130)는 전기적으로 접속되어 있다.
제1 실시예의 커넥터의 설명을 위해 도 2 내지 도 4에 도시하는 예가 함께 참조된다. 도 2 내지 도 4는 커넥터의 구성 요소들의 형상, 배치 및 배열을 개략적으로 도시하며, 이들은 실시예의 이해를 위해 선택된 예에 불과하다. 도 2는 제1 실시예의 커넥터의 일부를 도시하는 단면도이고, 도 3은 제1 실시예의 커넥터의 일부는 도시하는 평면도이며, 도 4는 제1 실시예의 커넥터의 일부를 도시하는 단면 사시도이다.
커넥터(100)에서, 신호 도전부(110)가 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에서 상하 방향(VD)에서의 신호 전달을 실행한다. 신호 도전부(110)는 상하 방향(VD)으로 연장하는 원기둥 형상을 가질 수 있다. 신호 도전부(110)는, 신호의 전달을 수행하는 전송부(111)와, 전송부(111)를 수평 방향(HD)으로 금속 프레임부(130)와 절연시키는 절연부(112)를 포함한다.
도 2를 참조하면, 신호 도전부(110)는 프레임부(130)내에서 상하 방향(VD)으로 동일한 직경을 갖는다.
다른 실시예로서, 도시되어 있지 않지만, 신호 도전부(110)는 프레임부(130)의 중심부로 갈수록 더 큰 직경을 가질 수 있다.
전송부(111)는, 상하 방향(VD)으로 집합되고 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉되도록 배치된 다수의 제1 도전성 입자(113)로 이루어진다. 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉된 제1 도전성 입자(113)들이 신호 도전부(110)내에서 상하 방향(VD)에서의 신호 전송을 실행한다.
제1 도전성 입자(113)는 고도전성 금속 재료로 이루어지는 입자일 수 있다. 일 예로, 상기 고도전성 금속 재료는 금속일 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 또는, 제1 도전성 입자(113)는, 탄성을 가지는 수지 재료 또는 금속 재료로 이루어지는 코어 입자에 상기한 고도전성 금속재료가 코팅된 형태를 가질 수도 있다.
제1 도전성 입자(113)의 구체예로서는 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co) 등의 자성을 나타내는 금속 입자, 또는 이들의 합금의 입자 또는 이들 금속을 함유하는 입자, 또는 이들 입자를 코어 입자로 하고, 해당 코어 입자의 표면에 금, 은, 팔라듐, 로듐 등의 도전성이 양호한 금속의 도금을 실시한 것, 또는 비자성 금속 입자 또는 유리 비드 등의 무기 물질 입자 또는 중합체 입자를 코어 입자로 하고, 해당 코어 입자의 표면에 니켈, 코발트 등의 도전성 자성체의 도금을 실시한 것, 또는 코어 입자에 도전성 자성체 및 도전성이 양호한 금속 모두를 피복한 것 등을 들 수 있다.
또한, 도시되어 있지 않지만, 전송부(111)는 상하 방향(VD)으로 집합되고 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉되도록 배치된 하나 이상의 도전 와이어 또는 다수의 탄소 나노 튜브로 이루어질 수 있다.
절연부(112)는 탄성 절연 물질로 이루어지며 상하 방향(VD)으로 연장하는 원통 형상을 가진다.
절연부(112)는 금속 프레임부(130)의 높이와 동일한 높이를 가질 수 있다. 또한, 도시되어 있지 않지만 도 2와 달리, 절연부(112)는 전송부(111)와 동일한 높이를 갖고 프레임부(130)의 상면 또는 하면에서 돌출할 수 있다. 이에 따라, 절연부(112)는 전송부(111)의 높이보다 작거나 동일한 높이를 가질 수 있다.
절연부(112)를 구성하는 탄성 절연 물질은 유전율이 낮은 절연 물질을 포함한다. 일 예로, 절연부(112)를 구성하는 탄성 절연 물질은, 실리콘 러버, 테프론과 같은 절연 물질일 수 있으며, 이에 한정되지는 않는다. 절연부(112)가 전송부(111)와 일체로 형성되어, 신호 도전부(110)를 구성한다. 절연부(112)는 전송부(111)를 수평 방향(HD)에서 에워싸도록 형성되어 있다.
전송부(111)와 절연부(112)가 일체로 되므로, 제1 도전성 입자(113)들 사이에 절연부(112)를 형성하는 탄성 절연 물질이 채워질 수 있다.
즉, 절연부(112)가 제1 도전성 입자(113)들을 전송부(111)의 형상으로 유지하며, 절연부(112)는 제1 도전성 입자(113)들의 사이에 채워진 탄성 절연 물질과 일체로 될 수 있다. 따라서, 절연부(112)가 신호 도전부(110)에 상하 방향(VD)과 수평 방향(HD)으로 탄성을 부여한다. 프레임부(130)와 접하는 신호 도전부(110)의 부위는, 프레임부(130)로 인해 탄성 변형하기 어렵다.
그러나, 신호 도전부(110)의 전송부(111)는 프레임부(130)의 상면으로부터 상방으로 돌출하는 상단부(114)와, 프레임부(130)의 하면으로부터 하방으로 돌출한 하단부(115)를 가질 수 있다.
상단부(114)와 하단부(115)는 신호 도전부(110)의 전송부(111)일부이다. 도 2를 참조하면, 상단부(114)의 상단은 전송부(111)의 상단을 포함하고, 하단부(115)의 하단은 전송부(111)의 하단을 포함한다. 상단부(114)와 하단부(115)에 포함되는 제1 도전성 입자(113)사이의 탄성 절연 물질에 의해, 신호 도전부의 상단부(114)와 하단부(115)가 상하 방향(VD)과 수평 방향(HD)으로 탄성 변형될 수 있다. 예컨대, 피검사 디바이스의 시그널 단자(21)(도 1 참조)에 의해 신호 도전부(110)가 하방으로 눌릴 때, 상단부(114)와 하단부(115)는 수평 방향(HD)으로 탄성 변형될 수 있다.
피검사 디바이스가 커넥터로부터 제거되면, 상단부(114)와 하단부(115)는 탄성 복원될 수 있다.
도 2와 달리, 신호 도전부(110)의 전송부(111)와 절연부(112)가 금속 프레임부(130)의 하면으로부터 하방으로 돌출할 수 있다.
전송부(111)를 에워싸는 절연부(112)는 소정의 두께를 가지며, 전송부(111)를 프레임부(130)로부터 효율적으로 절연시키고 신호 손실이 없는 신호 전달을 가능하게 한다. 수평 방향(HD)에서의 전송부(111)의 양단 사이의 최대 거리가, 전송부(111)의 최대폭(W)으로 정의될 수 있다. 일 예로, 상기 양단 사이의 최대 거리는, 전송부(111)의 중심축(C)에 직교하는 수평 방향(HD)으로 가장 떨어져 있는 제1 도전성 입자 간의 거리를 의미할 수 있다. 절연부(112)는 전송부(111)의 중심축(C)에 대한 반경 방향으로, 즉 수평 방향(HD)으로 두께(T)를 가진다. 절연부(112)의 두께(T)에 대한 전송부(111)의 최대폭(W)의 비(W/T)는 0.5 내지 3이다.
이에 따라, 신호 도전부(110)는 동축(coaxial)의 구조를 가지며, 절연부(112)의 중심축이 전송부(111)의 중심축(C)과 일치할 수 있다.
그라운드 도전부(120)는 신호 도전부(110)의 주변에 위치하며, 프레임부(130)에 의해 신호 도전부(110)로부터 수평 방향(HD)으로 이격되어 있다.
신호 도전부(110)의 절연부(112)로 인해, 전송부(111)는 그라운드 도전부(120) 및 프레임부(130)와 단락되지 않는다.
도 2 내지 도 4에 도시하는 바와 같이, 복수개의 그라운드 도전부(120)들이 하나의 신호 도전부(110)로부터 수평 방향(HD)으로 이격되도록 배치될 수 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 복수개의 그라운드 도전부(120)들은, 하나의 신호 도전부(110)로부터 프레임부(130)에 의해 수평 방향(HD)으로 이격된 상태에서, 하나의 신호 도전부(110)의 주변에 배치될 수 있다.
도 3에 도시하는, 신호 도전부(110)와 그라운드 도전부(120)들의 평면 배치는 단지 예시적이며, 도 3에 도시하는 평면 배치에 한정되지 않는다. 신호 도전부(110)와 그라운드 도전부(120)의 평면 배치는 피검사 디바이스의 단자들의 평면 배치에 따라 다양할 수 있다. 예컨대, 적어도 하나 또는 복수의 그라운드 도전부(120)가 신호 도전부(110)로부터 수평 방향으로 이격되어 배치될 수 있으며, 복수의 그라운드 도전부(120) 간의 간격은 일정하지 않을 수도 있다. 또한, 복수의 그라운드 도전부(120)로 각각 이루어지는 복수의 그룹이 하나의 신호 도전부(110) 또는 복수의 신호 도전부(110)로부터 수평 방향으로 이격되어 배치될 수도 있다. 또한, 복수의 신호 도전부(110)들이 하나의 그룹을 만들 수도 있고, 복수의 그라운드 도전부(120)들이 상기 그룹으로부터 수평 방향으로 이격되어 상기 그룹의 주변에 배치될 수도 있다.
그라운드 도전부(120)는 전기적으로 도전 가능하게 구성된다.
또한, 그라운드 도전부(120)는 프레임부(130)와 전기적으로 접속된다. 이에 따라, 그라운드 도전부(120)와 금속 프레임부(130)는 서로 단락되며, 하나의 단락체로서 작용할 수 있다. 이에 따라, 그라운드 도전부(120)는 프레임부(130)와 전기적으로 접속된다.
그라운드 도전부(120) 상하방향(VD)으로 도전 가능하게 집합되고 접촉된 다수의 제2 도전성 입자(123)와 제2 도전성 입자(123)들을 상하 방향(VD)으로 유지하는 탄성 물질(124)을 포함한다.
탄성 물질(124)은 제2 도전성 입자(123)사이에서 경화되어 제2 도전성 입자(123)를 유지한다. 탄성 물질(124)은 절연성을 가질 수도 있고 전도성을 가질 수도 있다. 일 예로, 탄성물질(124)은 신호 도전부(110)의 절연부(112)를 형성하는 탄성 절연 물질을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다.
그라운드 도전부(120)는 프레임부(130)의 상면으로부터 상방으로 돌출하는 상단부(125)를 가지고 프레임부(130)의 하면으로부터 하방으로 돌출한 하단부(126)를 가진다. 상단부(125)의 돌출 높이는 신호 도전부의 상단부(114)의 돌출 높이와 동일할 수 있고, 하단부(126)의 돌출 높이는 신호 도전부의 하단부(115)의 돌출 높이와 동일할 수 있다.
그라운드 도전부(120)의 상단부(125)와 하단부(126)로 인해, 피검사 디바이스의 검사 시에, 그라운드 도전부(120)가 탄성 변형 및 탄성 복원될 수 있다.
프레임부(130)는 평판체로 형성될 수 있고, 스테인리스 스틸, 알루미늄과 같은 금속 재료로 이루어질 수 있다. 프레임부(130)는 신호 도전부(110)와 그라운드 도전부(120)를 이격시킨다. 프레임부(130)는 그라운드 도전부(120)와 전기적으로 접속되어 있으며, 그라운드 도전부(120)와 단락된다.
프레임부(130)는 검사 장치의 보드에 장착되는 테스트 소켓 가이드에 연결되어, 외부로 접지될 수 있다. 금속 프레임부(130)가 테스트 소켓 가이드를 통해 외부로 접지되면, 그라운드 범위가 커넥터(100)에서 테스트 소켓 가이드로 확장되어 RF 특성을 더욱 개선할 수 있다.
도 2를 참조하면, 프레임부(130)는 교대로 적층된 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)을 포함한다. 예를 들어, 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)은 3장 내지 10장으로 이루어질 수 있다. 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)은 접착제에 의하여 서로 결합될 수 있다.
프레임부(130)의 최상단 층과 최하단 프레임층은 금속 프레임층(131)일 수 있으나, 이에 한정하지 않으며 절연 프레임층(138)으로 이루어질 수 있다.
금속 프레임층(131)는 예를 들어, 스테인리스 스틸, 알루미늄과 같은 금속 재료로 이루어진 금속판일 수 있다. 또한, 각 금속 프레임층(131)은 금속판의 표면을 예를 들어 Au, Ag, Cu을 증착하거나 도금에 의하여 도포된 고전도성 금속막을 포함할 수 있다. 고전도성의 금속입자가 도포되거나 도금된 금속 프레임층은 스테인리스 스틸이나 알루미늄 금속판 자체만으로 이루어진 금속 프레임층보다 전자파 차폐성이 더 우수하다.
각 금속 프레임층(131)은 제1도전부(111)를 수용하기 위하여 상하방향(VD)으로 동일한 위치에 제1 관통공(132)을 갖는다.
금속 프레임층(131)의 제1 관통공(132) 각각은 동일한 직경과 동일한 중심을 갖게 서로 정렬되어 신호 도전부(110)를 수용한다.
또한, 절연 프레임층(138) 각각은 제1 도전부(111)를 수용하기 위하여 상하방향(VD)으로 동일한 위치에 제1 관통공(132)을 갖는다.
절연 프레임층(138)의 제1 관통공(132) 각각은 동일한 직경과 동일한 중심을 갖게 서로 정렬되어 신호 도전부(110)를 수용한다.
다른 실시예로서, 도시되어 있지 않지만 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)의 제1 관통공(132)이 프레임부(130)의 중심부로 갈수록 더 큰 직경을 가질 수 있다.
절연 프레임층(138)은 커넥터의 탄성력을 증가시켜 커넥터의 동작성을 향상시키고 검사 장치(10) 및 피검사 디바이스(20)에 가해지는 압력을 분산하여 피검사 디바이스(20)의 단자의 손상을 방지한다.
절연 프레임층(138)은 실리콘 재질 또는 폴리이미드 필름일 수 있다. 또한, 절연 프레임층의 각각은 서로 다른 재질로 이루어질 수 있다.
도 2를 참조하면, 신호 도전부(110)에 전송되는 RF신호인 전자파의 차폐 성능을 개선하기 위하여, 절연 프레임층(138)은 폴리머 필름의 표면을 예를 들어 Au, Ag, Cu을 증착하거나 도금에 의하여 도포된 고전도성 금속막(139)을 포함할 수 있다. 고전도성의 금속입자가 도포된 절연 프레임층은 폴리머 필름 자체만으로 이루어진 절연 프레임층보다 전자파 차폐성이 더 우수하다.
금속막(139)은 절연 프레임층(138)의 벽면에 아노다이징, 스퍼터링 또는 이배퍼레이션(evaporation)에 의해 형성될 수 있다.
금속막(139)이 알루미늄으로 이루어지는 경우, 아노다이징에 의해 부도체인 Al2O3의 절연산화막이 형성될 수 있다.
또한, 절연 프레임층(138)은 상면과 하면에 금속막(139)을 포함할 수 있다.
또한, 그라운드 도전부(120)가 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)과 단락되어 전자파를 차폐할 필요는 없으므로, 절연 프레임층(138)은 제2 관통공(135)의 벽면에 금속막을 포함하지 않을 수 있다.
또한, 절연 프레임층(138)은 절연부(112)의 절연물질(124)와 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
신호 도전부의 절연부(112)로 인해, 신호 도전부(110)는 그라운드 도전부(120) 및 금속 프레임부(130)와 단락되지 않는다.
도 2를 참조하면, 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)은 그라운드 도전부(120)를 수용하는 상하방향(VD)으로 뚫리고 서로 동일한 직경과 중심으로 정렬된 제2 관통공(135)을 각각 갖는다.
다음으로, 제3 실시예의 커넥터를 제1 실시예의 커넥터와 중복되는 내용을 생략하고 차이점을 중심으로 설명하면 다음과 같다.
도 5는 제2 실시예의 커넥터의 일부를 도시하는 단면도이다.도 5을 참조하면, 그라운드 도전부(120)는 프레임부(130)의 상면과 하면에 각각 형성된 홈에 형성된다. 이에 따라, 그라운드 도전(120)의 일단은 프레임부(130)의 내부에 위치한다.
그라운드 도전부(120)의 상단은 프레임부(130)의 상면보다 상방으로 돌출하고, 그라운드 도전부(120)의 하단은 프레임부(130)의 하면보다 하방으로 돌출한다.
신호 도전부(110)는 프레임부(130)로부터 절연되어 있으며, 그라운드 도전부(120) 및 프레임부(130)와 전기적으로 접속되지 않는다. 그라운드 도전부(120)의 상단은 프레임부(130)의 상면보다 상방으로 돌출하고, 그라운드 도전부(120)의 하단은 프레임부(130)의 하면보다 하방으로 돌출한다. 그라운드 도전부(120)와 프레임부(130)는 전기적으로 접속되어 있다.
커넥터(100)에서, 신호 도전부(110)가 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에서 상하 방향(VD)에서의 신호 전달을 실행한다. 신호 도전부(110)는 상하 방향(VD)으로 연장하는 원기둥 형상을 가질 수 있다. 신호 도전부(110)는, 신호의 전달을 수행하는 전송부(111)와, 전송부(111)를 수평 방향(HD)으로 프레임부(130)와 절연시키는 절연부(112)를 포함한다.
도 5를 참조하면, 신호 도전부(110)는 상하 방향(VD)으로 동일한 직경을 갖는다.
다른 실시예로서, 도시되어 있지 않지만, 신호 도전부(110)는 프레임부의 중심부로 갈수록 더 큰 직경을 가질 수 있다.
전송부(111)는, 상하 방향(VD)으로 집합되고 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉되도록 배치된 다수의 제1 도전성 입자(113)로 이루어진다. 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉된 제1 도전성 입자(113)들이 신호 도전부(110)내에서 상하 방향(VD)에서의 신호 전송을 실행한다.
절연부(112)는 금속 프레임부(130)와 동일한 높이를 가질 수 있다. 또한, 도시되어 있지 않지만 도 5와 달리, 절연부(112)는 전송부(111)와 함께 동일한 높이를 가지고 프레임부(130)의 상면 또는 하면에서 돌출할 수 있다. 이에 따라, 절연부(112)는 전송부(111)의 높이보다 작거나 동일한 높이를 가질 수 있다.
절연부(112)가 전송부(111)와 일체로 형성되어, 신호 도전부(110)를 구성한다. 절연부(112)는 전송부(111)를 수평 방향(HD)에서 에워싸도록 형성되어 있다.
전송부(111)와 절연부(112)가 일체로 되므로, 제1 도전성 입자(113)들 사이에 절연부(112)를 형성하는 상기 탄성 절연 물질이 채워질 수 있다.
즉, 절연부(112)가 제1 도전성 입자(113)들을 전송부(111)의 형상으로 유지하며, 절연부(112)는 제1 도전성 입자(113)들의 사이에 채워진 절연 물질과 일체로 될 수 있다. 따라서, 절연부(112)가 신호 도전부(110)에 상하 방향(VD)과 수평 방향(HD)으로 탄성을 부여한다. 프레임부(130)와 접하는 신호 도전부(110)의 부위는, 프레임부(130)로 인해 탄성 변형하기 어렵다.
그러나, 신호 도전부(110)의 전송부(111)는 프레임부(130)의 상면으로부터 상방으로 돌출하는 상단부(114)와, 프레임부(130)의 하면으로부터 하방으로 돌출한 하단부(115)를 가질 수 있다.
그라운드 도전부(120)는 신호 도전부(110)의 주변에 위치하며, 프레임부(130)에 의해 신호 도전부(110)로부터 수평 방향(HD)으로 이격되어 있다.
신호 도전부(110)의 절연부(112)로 인해, 전송부(111)는 그라운드 도전부(120) 및 프레임부(130)와 단락되지 않는다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 복수개의 그라운드 도전부(120)들이 하나의 신호 도전부(110)로부터 수평 방향(HD)으로 이격되도록 배치될 수 있다.
그라운드 도전부(120)는 전기적으로 도전 가능하게 구성된다.
또한, 그라운드 도전부(120)는 프레임부(130)와 전기적으로 접속된다. 이에 따라, 그라운드 도전부(120)와 프레임부(130)는 서로 단락되며, 하나의 단락체로서 작용할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 각 그라운드 도전부(120)는 상측 그라운드 도전부(121)와 하측 그라운드 도전부(122)를 포함한다. 상측 그라운드 도전부(121)와 하측 그라운드 도전부(122)는 상하 방향(VD)으로 정렬되어 있으며 프레임부(130)에 의해 상하 방향(VD)으로 이격되어 있다. 상측 그라운드 도전부(121)와 하측 그라운드 도전부(122)가 프레임부(130)와 전기적으로 접속된다.
상측 그라운드 도전부(121)와 하측 그라운드 도전부(122)는, 상하방향(VD)으로 도전 가능하게 집합되고 접촉된 다수의 제2 도전성 입자(123)와 제2도전성 입자(123)들을 상하 방향(VD)으로 유지하는 탄성 물질(124)을 포함한다.
상측 그라운드 도전부(121)와 하측 그라운드 도전부(122)를 구성하는 제2 도전성 입자(123)는, 전술한 제1 도전성 입자(113)와 동일하거나 다를 수 있다. 상하 방향(VD)으로 접촉된 제2 도전성 입자(123)들이 만드는 조합체가, 그 상단 또는 하단에서 프레임부(130)와 접촉되어, 상측 그라운드 도전부(121)와 하측 그라운드 도전부(122)를 프레임부(130)와 전기적으로 접속시킨다. 따라서, 프레임부(130)에 의해 상측 그라운드 도전부(121)와 하측 그라운드 도전부(122)가 단락된다.
탄성 물질(124)은 제2 도전성 입자(123)사이에서 경화되어 제2 도전성 입자(123)를 유지한다. 탄성 물질(124)은 절연성을 가질 수도 있고 전도성을 가질 수도 있다. 일 예로, 탄성물질(124)은 신호 도전부(110)의 절연부(112)를 형성하는 탄성 절연 물질을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다.
상측 그라운드 도전부(121)는 프레임부(130)의 상면으로부터 상방으로 돌출한 상단부(125)를 가지고, 하측 그라운드 도전부(122)는 프레임부(130)의 하면으로부터 하방으로 돌출한 하단부(126)를 가진다. 상단부(125)의 돌출 높이는 신호 도전부의 상단부(114)의 돌출 높이와 동일할 수 있고, 하단부(126)의 돌출 높이는 신호 도전부의 하단부(115)의 돌출 높이와 동일할 수 있다.
상측 그라운드 도전부(121)의 상단부(125)와 하측 그라운드 도전부(122)의 하단부(126)로 인해, 피검사 디바이스의 검사 시에, 그라운드 도전부(120)가 탄성 변형 및 탄성 복원될 수 있다.
프레임부(130)는 교대로 적층된 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)을 포함한다.
프레임부(130)의 최상단 층과 최하단 프레임층은 금속 프레임층(131)일 수 있으나, 이에 한정하지 않으며 절연 프레임층(138)으로 이루어질 수 있다.
금속 프레임층(131)는 예를 들어, 스테인리스 스틸, 알루미늄과 같은 금속 재료로 이루어진 금속판일 수 있다. 또한, 각 금속 프레임층(131)은 금속판의 표면을 예를 들어 Au, Ag, Cu을 도포하거나 도금한 고전도성 금속막을 포함할 수 있다. 고전도성의 금속입자가 도포된 금속 프레임층은 스테인리스 스틸이나 알루미늄 금속판 자체만으로 이루어진 금속 프레임층보다 전자파 차폐성이 더 우수하다.
프레임부(130)는 신호 도전부(110)와 그라운드 도전부(120)를 이격시킨다. 프레임부(130)는 그라운드 도전부(120)와 전기적으로 접속되어 있으며, 그라운드 도전부(120)와 단락된다.
각 금속 프레임층(131)은 제1 도전부(111)를 수용하기 위하여 상하방향(VD)으로 동일한 위치에 제1 관통공(132)을 갖는다.
금속 프레임층(131)의 제1 관통공(132) 각각은 동일한 직경과 동일한 중심을 갖게 서로 정렬되어 신호 도전부(110)를 수용한다.
또한, 절연 프레임층(138) 각각은 제1 도전부(111)를 수용하기 위하여 상하방향(VD)으로 동일한 위치에 제1 관통공(132)을 갖는다.
절연 프레임층(138)의 제1 관통공(132) 각각은 동일한 직경과 동일한 중심을 갖게 서로 정렬되어 신호 도전부(110)를 수용한다.
다른 실시예로서, 도시되어 있지 않지만 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)의 제1 관통공(132)이 프레임부(130)의 중심부로 갈수록 더 큰 직경을 가질 수 있다.
절연 프레임층(138)은 커넥터의 탄성력을 증가시켜 커넥터의 동작성을 향상시키고 검사 장치(10) 및 피검사 디바이스(20)에 가해지는 압력을 분산하여 피검사 디바이스(20)의 단자의 손상을 방지한다.
절연 프레임층(138)은 실리콘 재질 또는 폴리이미드필름일 수 있다. 또한, 절연 프레임층의 각각은 서로 다른 재질로 이루어질 수 있다.
또한, 절연 프레임층(138)은 절연부(112)의 절연물질(124)와 동일한 재질로 이루어질 수 있다.
절연 프레임층(138)은 폴리머 필름의 표면을 예를 들어 Au, Ag, Cu을 도포하거나 도금한 고전도성 금속막을 포함할 수 있다. 고전도성의 금속입자가 도포된 절연 프레임층은 폴리머 필름 자체만으로 이루어진 절연 프레임층보다 전자파 차폐성이 더 우수하다.또한, 프레임부(130)는, 상면으로부터 하방으로 오목한 제1 홈(133)과, 하면으로부터 상방으로 오목한 제2 홈(134)을 가진다. 상측 그라운드 도전부(121)는 제1 홈(133)에 형성되고, 하측 그라운드 도전부(122)는 제2 홈(134)에 형성된다.
이에 따라, 도 5를 참조하면, 제1 홈(133) 및 제2 홈(134)을 형성하기 위하여 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)의 일부는 상하방향(VD)으로 뚫리고 서로 동일한 직경과 중심으로 정렬된 제2 관통공(135)을 갖고 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)의 다른 일부에는 상하방향(VD)으로 뚫린 제2 관통공(135)이 형성되지 않는다. 이에 따라, 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138) 중 다른 일부는 그라운드 도전부(120)를 수용하는 제2 관통공(135)을 갖지 않고 상측 그라운드 도전부(121)와 하측 그라운드 도전부(122)의 일단과 접촉한다.
제1 홈(133)과 제2 홈(134)은 상하 방향(VD)으로 이격되어 있다. 제1 홈(133)에 형성된 상측 그라운드 도전부(121)는 제1 홈(133)을 통해 프레임부(130)와 전기적으로 접속되고, 제2 홈(134)에 형성된 하측 그라운드 도전부(122)는 제2 홈(134)을 통해 프레임부(130)와 전기적으로 접속된다. 이에 따라, 상측 그라운드 도전부(121)와 하측 그라운드 도전부(122)가 프레임부(130)를 통해 단락될 수 있다.
그러나, 신호 도전부(110)의 절연부(112)로 인해, 신호 도전부(110)는 상측 그라운드 도전부(121), 하측 그라운드 도전부(122) 및 프레임부(130)와 단락되지 않는다.
다음으로, 제3 실시예의 커넥터를 제2 실시예의 커넥터와 중복되는 내용을 생략하고 차이점을 중심으로 설명하면 다음과 같다.
도 6는 제3 실시예의 커넥터의 일부를 도시하는 단면도이다.
도 6을 참조하면, 신호 도전부(110)의 상단은 프레임부(130)의 상면과 동일 평면상에 위치하고, 신호 도전부(110)의 하단은 프레임부(130)의 하면과 동일 평면상에 위치하거나 금속 프레임부(130)의 하면에서 돌출할 수 있다.도 6을 참조하면, 전송부(111)가 프레임부(130)의 하면에서 함께 돌출하는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며, 전송부(111)가 절연부(112)와 함께 프레임부(130)의 하면에서 돌출할 수 있다.
그라운드 도전부(120)는 신호 도전부(110)와 동일한 방식으로 프레임부(130)를 관통하여 상하 방향(VD)으로 연장하는 원기둥 형상을 가질 수 있다.
그라운드 도전부(120)의 상단은 프레임부(130)의 상면과 동일 평면상에 위치하고, 그라운드 도전부(120)의 하단은 프레임부(130)의 하면과 동일 평면상에 위치하거나 돌출할 수 있다.
그라운드 도전부(120)는 최상층 프레임층에 형성된 그라운드 단자 보호부(137)을 더 포함한다.
프레임부(130)는 교대로 적층된 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)을 포함한다. 예를 들어, 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)은 3장 내지 10장으로 이루어질 수 있다.
각 금속 프레임층(131)은 제1 도전부(111)를 수용하기 위하여 상하방향(VD)으로 동일한 위치에 제1 관통공(132)을 갖는다.
금속 프레임층(131)의 제1 관통공(132) 각각은 동일한 직경과 동일한 중심을 갖게 서로 정렬되어 신호 도전부(110)를 수용한다.
또한, 절연 프레임층(138) 각각은 제1 도전부(111)를 수용하기 위하여 상하방향(VD)으로 동일한 위치에 제1 관통공(132)을 갖는다.
절연 프레임층(131)의 제1 관통공(132) 각각은 동일한 직경과 동일한 중심을 갖게 서로 정렬되어 신호 도전부(110)를 수용한다.
프레임부(130)은 그라운드 도전부를 수용하기 위한 제2 관통공(135)을 갖는다. 이 경우, 그라운드 도전부는 상하측으로 구분되지 않고 일체로 형성된다. 이에 따라 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)의 각각은 그라운드 도전부(120)를 수용하기 위하여 하방향(VD)으로 뚫리고 서로 동일한 직경과 중심으로 정렬된 제2 관통공(135)을 갖는다.
프레임부(130)의 최상측 프레임층은 나머지 금속 프레임층(131) 또는 절연 프레임층(138)에 형성된 제2 관통공(135)보다 큰 제3 관통공(136)을 갖는다. 제3 관통공(136)은 그라운드 도전부(120)와 그라운드 단자 보호부(137)를 수용하기 위하여 제2 관통공(135)과 동일한 중심을 갖고 제2 관통공(135)보다 큰 직경을 갖는다.
또한, 도시되어 있지 않지만, 금속 프레임부(130)의 최상측 금속 프레임층은 도 6에 도시된 제3 관통공(136)대신에 나머지 금속 프레임층에 형성된 제2 관통공(135)보다 큰 관통홈을 가질 수 있다. 관통홈은 그라운드 도전부(120)와 그라운드 단자 보호부(137)를 수용하기 위하여 제2 관통공(135)과 동일한 중심을 갖고 제2 관통공(135)보다 큰 직경을 갖는다. 이 경우, 관통홈은 최상측 프레임층의 두께보다 작은 깊이로 최상측 프레임층을 식각하거나 드릴링에 의하여 형성된다.
도 6을 참조하면, 신호 도전부(110)에 전송되는 RF신호인 전자파의 차폐 성능을 개선하기 위하여, 절연 프레임층은 제1 관통공(132)의 벽면에 도금 또는 증착된 금속막(138)을 포함한다. 금속막(139)은 절연 프레임층(138)의 벽면에 아노다이징, 스퍼터링 또는 이배퍼레이션(evaporation)에 의해 형성될 수 있다.
또한, 절연 프레임층(138)은 상면과 하면에 도금 또는 증착 금속막(139)을 포함할 수 있다.
또한, 그라운드 도전부(120)가 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)과 단락되어 전자파를 차폐할 필요는 없으므로, 절연 프레임층(138)은 제2 관통공(135)의 벽면에 금속막을 포함하지 않을 수 있다.
또한, 도시되어 있지 않지만, 금속 프레임층(131)은 절연 프레임층(138)과 동일한 방식으로 고전도성 금속막을 포함할 수 있다.
도 6을 참조하면, 그라운드 단자 보호부(137)가 제3 관통공(136) 또는 관통홈에 대응하여 위치하고 그라운드 도전부(120) 주위를 둘러싼다.
제 3 실시예에 따른 커넥터를 도 3과 같이 평면으로 볼 때, 그라운드 단자 보호부(137)는 원형의 링형상을 가질 수 있다. 그러나, 그라운드 단자 보호부의 형상은 이에 한정되지 않으며, 원형링의 일부가 절개되어 C자, 'ㄱ'자 및 'ㄷ'자형 중 어느 하나로 이루어진 두개 이상의 절연편으로 이루어질 수 있다. 그라운드 단자 보호부(137)의 절연편이 소정 간격으로 이격된 경우, 제2 도전성 입자(123)와 탄성물질(124)이 절연편사이의 공간에 채워질 수 있다.
그라운드 단자 보호부(137)는 절연부(112)와 동일한 탄성 절연 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 다른 탄성물질일 수 있다.
또한, 그라운드 단자 보호부(137)는 최상측 금속 프레임층의 하부에 있는 절연 프레임층(138)의 상면과 접촉할 수 있다.
그라운드 단자 보호부 (137)는 테스트 소켓의 가이드 부재의 역할을 하여 피검사 디바이스(20)의 그라운드 단자(22)와 접촉시 그라운드 단자(22)의 손상을 방지한다.
도 6을 참조하면, 신호 도전부(110)의 전송부(111)는 프레임부(130)의 하면으로부터 하방으로 돌출한다. 그러나, 이에 한정되지 않고 신호 도전부(110)의 전송부(111)만 금속 프레임부(130)의 하면으로부터 하방으로 돌출할 수 있다.
다음으로, 제4 실시예의 커넥터를 제1 실시예 내지 제3 실시예의 커넥터와 중복되는 내용을 생략하고 차이점을 중심으로 설명하면 다음과 같다.
도 7은 제4 실시예의 커넥터의 일부를 도시하는 단면도이다.
도 7을 참조하면, 프레임부(130)는 교대로 적층된 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)을 포함한다. 예를 들어, 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)은 3장 내지 10장으로 이루어질 수 있다.
프레임부(130)의 최상단 층과 최하단 층은 금속 프레임층(131)일 수 있다.
각 금속 프레임층(131)은 제1 도전부(111)를 수용하기 위하여 상하방향(VD)으로 동일한 위치에 제1 관통공(132)을 갖는다.
금속 프레임층(131)의 제1 관통공(132) 각각은 동일한 직경과 동일한 중심을 갖게 서로 정렬되어 신호 도전부(110)를 수용한다.
또한, 절연 프레임층(138) 각각은 제1 도전부(111)를 수용하기 위하여 상하방향(VD)으로 동일한 위치에 제1 관통공(132)을 갖는다.
절연 프레임층(138)의 제1 관통공(132) 각각은 동일한 직경과 동일한 중심을 갖게 서로 정렬되어 신호 도전부(110)를 수용한다.
프레임부(130)은 그라운드 도전부를 수용하기 위한 제2 관통공(135)을 갖는다. 이 경우, 그라운드 도전부(120)는 상하측으로 구분되지 않고 일체로 형성된다. 이에 따라 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)의 각각은 그라운드 도전부(120)를 수용하기 위하여 상하방향(VD)으로 뚫리고 서로 동일한 직경과 중심으로 정렬된 제2 관통공(135)을 갖는다.
프레임부(130)의 최상측 프레임층은 상단에서 하단으로 갈수록 내경이 감소되는 역테이퍼의 형상을 갖는 제3 관통공(136)을 갖는다. 이는 피검사 디바이스(20)의 그라운드 단자가 그라운드 도전부(120)에 쉽게 접촉될 수 있게 한다.
그라운드 도전부(120)는 최상층 프레임층에 형성된 그라운드 단자 보호부(137)를 더 포함한다.
제3 관통공(136)은 상단에서 제2 관통공(135)보다 큰 직경을 갖고 하단에서 제2 관통공(135)과 동일한 직경을 갖는다.
또한, 도시되어 있지 않지만, 프레임부(130)의 최상측 프레임층은 도 6에 도시된 제3 관통공(136)대신에 나머지 프레임층에 형성된 제2 관통공(135)보다 큰 관통홈을 가질 수 있다. 관통홈은 그라운드 도전부(120)와 그라운드 단자 보호부(137)를 수용하기 위하여 상단에서 제2 관통공(135)과 동일한 중심을 갖고 제2 관통공(135)보다 큰 직경을 갖는다. 또한, 관통홈은 하단으로 갈수록 내경이 감소하는 역테이퍼 형상을 갖는다. 이 경우, 관통 홈은 최상측 프레임층의 두께보다 작은 깊이로 최상측 프레임층을 식각하거나 드릴링에 의하여 형성된다.도 7을 참조하면, 그라운드 단자 보호부 (137)는 상단에서 하단으로 갈수록 외경이 감소되는 역테이퍼의 형상을 갖고 그라운드 도전부(120) 주위를 둘러싸면서 제3 관통공(136) 또는 관통홈(미도시)에 배치된다.
제 4 실시예에 따른 커넥터를 도 3과 같이 평면으로 볼 때, 그라운드 단자 보호부(137)는 원형의 링형상을 가질 수 있다. 그러나, 그라운드 단자 보호부의 형상은 이에 한정되지 않으며, 원형링의 일부가 절개되어 C자, 'ㄱ'자 및 'ㄷ'자형 중 어느 하나로 이루어진 두개 이상의 절연편으로 이루어질 수 있다. 그라운드 단자 보호부(137)의 절연편이 소정 간격으로 이격된 경우 절연편사이의 공간에 제 2 도전입자(123)가 채워질 수 있다.
그라운드 단자 보호부 (137)는 절연부(112)와 동일한 탄성 절연 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않으며 다른 탄성물질일 수 있다.
또한, 그라운드 단자 보호부 (137)는 최상측 금속 프레임층의 하부에 있는 절연 프레임층(138)의 상면과 접촉한다.
그라운드 단자 보호부 (137)는 테스트 소켓의 가이드 부재의 역할을 하여 피검사 디바이스(20)의 그라운드 단자(22)와 접촉시 그라운드 단자(22)의 손상을 방지한다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예의 커넥터를 도시하는 단면도이다. 도 8에 도시하는 커넥터에 있어서, 절연부(112)는 다수의 기공(116)을 가지며, 기공(116)들은 절연부(112)의 전체에 걸쳐 분포될 수 있다. 절연부(112)를 구성하는 상기 탄성 절연 물질이 부분적으로 결핍됨으로써, 절연부(112) 내에 기공(116)이 형성된다. 기공(116)을 가지는 절연부(112)는, 기공을 갖지 않는 절연부보다 더욱 낮은 유전율을 가지므로, 신호 도전부(110)에 대한 신호 손실을 더욱 감소시킬 수 있다.
커넥터(100)의 성형 도중에, 기공(116)이 절연부(112) 내에 형성될 수 있다. 이를 위해, 신호 도전부(110)를 성형하기 위한 상기 제1 액상 재료는, 절연부(112)를 구성하며 액체 상태인 탄성 절연 물질과, 액체 상태의 탄성 절연 물질에 분산되어 있는 제1 도전성 입자와, 액체 상태의 탄성 절연 물질에 포함되는 발포제를 포함한다. 상기 발포제는, 액상의 탄성 절연 물질과 반응하여 가스를 발생시킨다. 발생된 가스는 액상의 탄성 절연 물질을 밀어낸다. 이에 따라, 발생된 가스가 절연부(112) 내에서 액상의 탄성 절연 물질을 부분적으로 결핍시킴으로써, 절연부(112)의 전체에 걸쳐 다수의 기공(116)이 형성될 수 있다. 이와 달리, 절연부(112)의 기공은 액상 실리콘에 중공형 입자를 혼합하여 경화시켜 형성될 수 있다.
신호도전부의 절연부에 기공을 갖고 있으면 상부 가압시 도전부가 수평방향으로 팽창될 공간이 생겨 커넥터의 스트로크가 향상되고 절연부의 유전율을 낮출수 있어 임피던스 매칭에 유리하다.
본 발명의 실시예들에 따른 커넥터는, 검사 장치의 검사 회로의 임피던스와 피검사 디바이스의 임피던스와 매칭되는 임피던스를 나타내도록 구성되어 있다. 그라운드 도전부(120)와 프레임부(130)가 하나의 단락체로 기능할 수 있으므로, 프레임부(130)와 신호 도전부(110)의 전송부(111) 간의 거리가 커넥터의 임피던스에 영향을 줄 수 있다. 검사 장치의 임피던스와 피검사 디바이스의 임피던스에 매칭되는 임피던스를 나타내기 위해, 전송부(111)의 치수와 절연부(112)의 치수는 특정 비율의 범위 내에서 정해질 수 있다. 동축 구조를 이루는 전송부(111)와 절연부(112)가 특정 비율로 정해지는 치수로 형성되어, 임피던스 비매칭으로 인한 신호 손실을 없애고 피검사 디바이스와 검사 장치의 임피던스에 매칭되는 임피던스를 커넥터(100)에 부여할 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 신호 도전부(110)는 내경(D1)과 외경(D2)을 가질 수 있다. 이와 관련하여, 신호 도전부(110)의 내경(D1)은, 수평 방향(HD)에서 전송부(111)의 최대폭(W)에 대응할 수 있고, 신호 도전부(110)의 외경(D2)은, 수평 방향(HD)에서 절연부(112)의 양단 간의 폭(또는, 프레임부(130)의 관통공의 직경)에 대응할 수 있다. 전송부의 직경(즉, 내경(D1))과 절연부의 직경(즉, 외경(D2))에 의해 신호 도전부의 임피던스가 결정될 수 있다.
내경(D1) 대 외경(D2)의 비율은, 일 실시예의 커넥터의 임피던스가 검사 장치의 검사 회로의 임피던스와 검사 장치에 의해 검사되는 피검사 디바이스의 임피던스에 매칭되도록 정해진다. 내경(D1) 대 외경(D2)의 비율에 의해 신호 도전부의 임피던스 값이 결정될 수 있다.
일 예로, 피검사 디바이스는 약 50옴의 임피던스를 가질 수 있고, 이러한 피검사 디바이스의 검사를 위해 검사 장치의 검사 회로는 약 50옴의 임피던스를 가질 수 있다. 피검사 디바이스의 약 50옴의 임피던스와 검사 회로의 약 50 옴의 임피던스는, 신호의 왜곡이 없는 신호 전달을 고려하여 정해진 임피던스일 수 있다. 내경(D1) 대 외경(D2)의 비율의 조정에 의해, 일 실시예의 커넥터는 약 50 옴의 임피던스를 나타낼 수 있다. 이에 따라, 일 실시예의 커넥터가 피검사 디바이스와 검사 장치의 사이에 배치되면, 피검사 디바이스의 임피던스와 검사 장치의 임피던스와 커넥터의 임피던스가 서로 매칭된다. 따라서, 일 실시예의 커넥터는, 신호 반사와 같은 신호 손실 없이, 피검사 디바이스의 신뢰성 높은 고주파의 RF 검사를 가능하게 한다.
일 실시예에 의하면, 다양한 피검사 디바이스와 이를 검사하기 위한 검사 장치에 적용되도록, 신호 도전부(110)에서의 외경(D2)은 내경(D1)의 1.5배 내지 5배일 수 있다. 즉, 내경(D1) 대 외경(D2)의 비율은 1:1.5 ~ 1:5의 범위 내에서 정해질 수 있다. 구체적인 예로서, 외경(D2)이 내경(D1)의 4배인 경우, 즉, 내경(D1) 대 외경(D2)의 비율이 1:4인 경우, 일 실시예의 커넥터는 약 50옴의 임피던스를 나타낼 수 있다.
일 예로, 외경(D2)이 내경(D1)의 4배인 경우에서의 임피던스는, 동축 구조에서의 임피던스를 계산할 수 있는 소프트웨어(예컨대, 동축선로 계산기(coaxial line calculator)로 확인될 수 있다. 상기 소프트웨어를 사용하여, 절연부(112)의 유전율이 2.95이고, 내경(D1)이 0.1mm이고, 외경(D2)이 0.4mm인 조건에서, 임피던스가 계산되었다. 상기 조건 하에서의 계산 결과에 의하면, 임피던스는 약 50옴임이 확인될 수 있다. 또한, 상기 계산에 있어서, 기생 커패시턴스(parasitic capacitance)는 118.222pF/m이고, 인덕턴스(inductance)는 277.259nH/m이고, 위상 속도(phase velocity)는 174667km/s이고, 시간 지연(time delay)은 5.719ns/m로 계산될 수 있다.
일 실시예의 커넥터는, 신호의 간섭 또는 노이즈 없이 또한 신호 손실 없이, 임피던스 매칭을 달성하면서 40GHz 이상의 고주파의 RF 검사를 가능하게 한다. 일 예로, 약 50옴의 임피던스를 나타내는 신호 도전부를 갖는 일 실시예의 커넥터는, 고주파수 대역을 커버할 수 있으며, 고주파수 대역에서 동작하는 모바일 통신 기기의 반도체 디바이스의 검사에 효과적으로 적용될 수 있다. 일 실시예의 커넥터에 의하면, 신호 도전부의 동축 구조 하에서 내경(D1)과 외경(D2)의 치수가 조정되고 신호 도전부가 그라운드 도전부 및 프레임부와 단락되지 않으므로, 개선된 RF 특성을 가질 수 있다.
도 7을 참조하여, 제2 실시예에 따른 커넥터를 제조하는 일 예가 설명된다. 도 7은 제2 실시예의 커넥터를 제조하는 일 예를 개략적으로 도시하며, 도 7에 도시하는 요소들은 실시예의 이해를 위해 선택된 것에 불과하다.
도 7a을 참조하면, 상기 프레임부로 제조될 수 있는 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)이 2장 내지 10장으로 준비되고, 금속 프레임층(131)와 절연 프레임층(138) 각각에 신호 도전부가 형성되어야 하는 위치에 서로 동일한 직경과 중심을 갖는 제1 관통공(132)이 형성된다. 제1 관통공(132)은 예컨대 드릴링 또는 레이저에 의해 형성될 수 있다.
또한, 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)에 제2 관통공(135)이 제1 관통공(132)으로부터 수평 방향(HD)으로 이격되어 그라운드 도전부가 형성되어야 하는 위치에 서로 동일한 직경과 중심을 갖고 형성된다. 제2 관통공(135)은 예컨대 드릴링 또는 레이저에 의해 형성될 수 있다.
다음으로, 도 7a을 참조하면, 절연 프레임층(138)의 제1 관통공(132)의 벽면에 도금 또는 증착 금속막(139)을 형성한다. 금속막(139)은 절연 프레임층(138)의 벽면에 아노다이징, 스퍼터링 또는 이배퍼레이션(evaporation)에 의해 형성될 수 있다.
금속막이 알루미늄으로 이루어지는 경우, 아노다이징에 의해 부도체인 Al2O3의 절연산화막이 형성될 수 있다.
또한, 절연 프레임층(138)은 상면과 하면에 도금 또는 증착 금속막(139)을 포함할 수 있다.
또한, 그라운드 도전부(120)가 금속 프레임층(131) 및 절연 프레임층(138)과 단락되어 전자파를 차폐할 필요는 없으므로, 절연 프레임층(138)은 제2 관통공(135)의 벽면에 금속막(139)을 포함하지 않을 수 있다.
도 7b를 참조하면, 프레임부(130)의 최상측 프레임층에 나머지 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)에 형성된 제2 관통공(135)보다 큰 제3 관통공(136)이 형성된다. 제3 관통공(136)은 제2 관통공(135)과 동일한 중심을 갖고 제2 관통공(135)보다 큰 직경을 갖는다.
다음으로, 도시되어 있지 않지만, 신호 전송부(110) 및 그라운드 도전부(120)를 형성하기 위하여 동일한 제1 관통공 및 제2 관통공을 갖는 금형 상에 프레임부(130)의 최상측 프레임층을 장착한다.
다음으로, 최상측 프레임층과 금형의 제1 관통공에 제1 액상 재료가 주입되고, 제2 관통공 및 제3 관통공에 제2 액상 재료가 주입된다. 제1 액상 재료는, 상기 신호 도전부(110)의 절연부(112)를 구성하며 액체 상태인 탄성 절연 물질과, 이러한 액체 상태의 탄성 절연 물질에 분산되어 있는 제1 도전성 입자(113)를 포함한다. 제2 액상 재료는, 상기 그라운드 도전부(120)의 탄성 물질을 구성하며 액체 상태인 탄성 물질과, 이에 분산되어 있는 제2 도전성 입자(123)를 포함한다. 제1 액상 재료의 탄성절연 물질과 제2 액상 재료의 탄성 물질은 동일할 수 있다. 제1 도전성 입자(113)와 제2 도전성 입자(123)는 동일할 수 있다.
다음으로, 금형의 제1 관통공에 주입된 제1 액상 재료와 제2 관통공 및 제3 관통공에 주입된 제2 액상 재료에 상하 방향(VD)으로 자기장이 인가된다. 자기장의 인가에 의해, 제1 액상 재료 내의 제1 도전성 입자(113)들이 자기장 내에서 상하 방향(VD)으로 조밀하게 집합되어 도전 가능하게 접촉되고, 제2 액상 재료 내의 제2 도전성 입자(123)들이 자기장 내에서 상하방향(VD)으로 조밀하게 집합되어 도전 가능하게 접촉된다.
따라서, 상하 방향(VD)으로 조밀하게 집합되고 접촉된 제1 도전성 입자(113)들이 상기 신호 도전부의 전송부를 형성한다.
상하 방향(VD)으로 조밀하게 집합되고 접촉된 제2 도전성 입자(123)들이 그라운드 도전부(120)를 형성할 수 있다.
자기장의 인가 후 경화 처리를 함으로써, 제1 액상 재료 중 제1 도전성 입자(113)를 제외한 액상의 탄성 절연 물질이 경화되어, 상기 신호 도전부(110)의 절연부(112)를 형성할 수 있다.
또한, 경화 처리에 의해, 제2 액상 재료 중 제2 도전성 입자(123)사이에 배치된 액상의 탄성 물질이 경화되면서 제2 도전성 입자(123)를 상하 방향으로 유지할 수 있다. 최상단 금속 프레임층에 형성된 제3 관통공(136)에 제2 관통공(135)의 직경과 동일하게 제2 도전성 입자(123)사이에 배치된 액상의 탄성 물질이 경화되어 제2 도전성 입자(123)를 유지하고 제2 관통공(135)의 직경보다 크게 절연링(137)이 형성된다.
다음으로, 도 7b를 참조하면, 금형에서 신호 도전부(110), 절연링(137) 및 그라운드 도전부(120)와 결합된 최상측 프레임층을 분리한다.
도 7c을 참조하면, 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)을 접착제를 사용하여 제1 관통공(132) 내지 제3 관통공(136)의 중심을 서로 일치시켜 교대로 적층한다.
접착제는 전도성 점착제, 에폭시 계열 및 실리콘 계열 중 어느 하나이다.
다음으로, 도 7d을 참조하면, 최상측 프레임층에 결합된 신호 도전부(110) 및 그라운드 도전부(120)를 교대로 적층된 금속 프레임층(131)과 절연 프레임층(138)에 삽입하고 최상측 프레임층을 금속 프레임층(131) 또는 절연 프레임층(138)에 접착제를 사용하여 접착하여 커넥터를 완성한다.
이상 일부 실시예들과 첨부된 도면에 도시하는 예에 의해 본 개시의 기술적 사상이 설명되었지만, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이해할 수 있는 본 개시의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범위에서 다양한 치환, 변형 및 변경이 이루어질 수 있다는 점을 알아야 할 것이다. 또한, 그러한 치환, 변형 및 변경은 첨부된 청구범위 내에 속하는 것으로 생각되어야 한다.
10: 검사 장치, 20: 피검사 디바이스, 100: 커넥터, 110: 신호 도전
부, 111: 전송부, 112: 절연부, 113: 제1 도전성 입자, 114: 상단부, 115: 하단부,
120: 그라운드 도전부, 121: 상측 그라운드 도전부, 122: 하측 그라운드 도전부, 123: 제2 도전성 입자, 124: 탄성 물질,
130: 금속 프레임부, 131: 금속 프레임층, 132: 제1 관통공, 133: 제1 홈, 134: 제2 홈, 135: 제2 관통공, 136: 제3 관통공, 137: 절연링, 138: 절연 프레임층, 139: 금속막
C: 전송부의 중심축, W: 전송부의 최대폭, T: 절연부의 두께, D1: 신호 도전부의 직경

Claims (22)

  1. 전기접속용 커넥터에 있어서,
    다수의 제1 도전성 입자로 이루어지는
    전송부 및 상기 전송부를 수평 방향에서 에워싸도록 상기 전송부와 일체로 형성되는 절연부를 포함하는 적어도 하나의 신호 도전부와,
    상기 수평 방향으로 상기 신호 도전부와 이격되어 배치되는 적어도 하나의 그라운드 도전부와,
    상기 신호 도전부와 상기 그라운드 도전부를 상기 상하 방향으로 유지하고 상기 수평 방향으로 이격시키며 상기 그라운드 도전부와 전기적으로 접속되는 프레임부를 포함하고,
    상기 프레임부는 상하 방향으로 교대로 적층된 금속 프레임층과 절연 프레임층을 포함하는 커넥터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 프레임층 및 상기 절연 프레임층은 각각 상기 신호 도전부를 수용하는 제1 관통공과 상기 그라운드 도전부를 수용하는 제2 관통공을 갖고,
    상기 프레임부의 최상측 프레임층은 상기 제2 관통공보다 더 큰 직경을 갖는 제3 관통공을 갖는 커넥터.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 그라운드 도전부는 제2 도전성 입자와 상기 제2 도전성 입자를 유지하는 탄성물질을 포함하는 커넥터.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 그라운드 도전부는 상기 제3 관통공에 위치하는 그라운드 단자 보호부를 더 포함하는 커넥터.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 그라운드 단자 보호부는 원형의 링형상을 갖는 커넥터.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 그라운드 단자 보호부는 평면상으로 볼 때 소정 간격으로 이격된 두개 이상의 절연편으로 이루어진 커넥터.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 도전성 입자와 상기 탄성물질은 상기 절연편 사이의 공간에 채워지는 커넥터.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 최상측 프레임층의 제3 관통공은 상단에서 하단으로 갈수록 내경이 감소되는 역테이퍼의 형상을 갖고,
    상기 그라운드 단자 보호부는 상기 제3 관통공에 대응하여 상단에서 하단으로 갈수록 외경이 감소되는 커넥터.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 금속 프레임층과 상기 절연 프레임층 중 적어도 하나는 표면을 도포하거나 도금한 고전도성 금속막을 포함하는 커넥터.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 고전도성 금속막은 Au, Ag 및 Cu 중 적어도 하나인 커넥터.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 절연부는 다수의 기공을 갖는 커넥터.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 신호도전부와 상기 그라운드 도전부의 상면은 상기 프레임부의 상면과 동일한 평면상에 위치하는 커넥터.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 전송부와 상기 그라운드 도전부의 하면은 상기 프레임부의 하면에서 돌출하는 커넥터.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 금속 프레임층과 상기 절연 프레임층은 각각 상기 신호 도전부를 수용하는 제1 관통공을 갖고,
    상기 금속 프레임층 및 상기 절연 프레임층 중 일부는 상기 그라운드 도전부를 수용하는 제2 관통공을 갖고 상기 상하 방향으로 이격된 제1 홈 및 제2 홈을 형성하고,
    상기 그라운드 도전부는 상기 제1 홈에 위치하는 상측 그라운드 도전부 및
    상기 제2 홈에 위치하는 상기 하측 그라운드 도전부를 포함하는 커넥터.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 금속 프레임층 및 상기 절연 프레임층 중 다른 일부는 상기 그라운드 도전부를 수용하는 제2 관통공을 갖지 않고 상기 상측 그라운드 도전부와 상기 하측 그라운드 도전부의 일단과 접촉하는 커넥터.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 상측 그라운드 도전부 및 상기 하측 그라운드 도전부는, 다수의 제2 도전성 입자와 상기 다수의 제2 도전성 입자 사이에 위치하는 탄성물질을 포함하는 커넥터.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 상측 그라운드 도전부의 상단부는 상기 프레임부의 상면으로부터 돌출하고 상기 하측 그라운드 도전부의 하단부는 상기 프레임부의 하면으로부터 돌출하는 커넥터.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 전송부의 상단부는 상기 프레임부의 상면으로부터 돌출하고
    상기 전송부의 하단부는 상기 프레임부의 하면으로부터 돌출하는 커넥터.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 신호 도전부는, 상기 수평 방향에서의 상기 전송부의 최대폭에 대응하는 내경과, 상기 수평 방향에서의 상기 절연부의 양단 간의 폭에 대응하고 상기 내경의 1.5배 내지 5배인 외경을 가지는, 커넥터.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 절연부의 상기 탄성 절연 물질은 실리콘 러버 또는 테프론을 포함하는, 커넥터.
  21. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 프레임층은 각각 상기 신호 도전부를 수용하는 제1 관통공과 상기 그라운드 도전부를 수용하는 제2 관통공을 갖고,
    상기 복수의 프레임층 중 최상측 프레임층은 상기 제2 관통공보다 더 큰 직경을 갖는 관통홈을 갖는 커넥터.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 그라운드 도전부는 상기 관통홈에 위치하는 그라운드 단자 보호부를 더 포함하는 커넥터.
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