TWI750030B - 電連接用連接器 - Google Patents

Abstract

一種電連接用連接器，設置於檢測裝置與待檢測設備之間。該連接器包括訊號導電部、接地導電部、金屬框架部。該訊號導電部包括傳輸部及絕緣部。該傳輸部由在垂直方向上導電接觸的多個第一導電粒子組成。該絕緣部與該傳輸部形成為一體，使得在垂直於該垂直方向的水平方向上包圍該傳輸部，且該絕緣部在該水平方向上的厚度大於該傳輸部在該水平方向上的最大寬度。該接地導電部在該水平方向上與該訊號導電部分隔。該金屬框架部使該訊號導電部及該接地導電部在該垂直方向及水平方向上保持分隔，並與接地導電部電連接。

Description

電連接用連接器

本發明涉及將檢測裝置與待檢測設備進行電連接的連接器。

為了檢測待檢測設備（device under test）的操作特性，在本領域中使用設置在待檢測設備與檢測裝置之間電連接待檢測設備與檢測裝置的連接器。已知這樣的連接器包含有彈簧針片（pogo pin sheet）及導電橡膠片（conductive rubber sheet）。導電橡膠片具有多個金屬粒子分別在垂直方向上聚集而成的多個導電部以及維持多個導電部並由矽橡膠組成的框架。

應該檢測在移動通信設備中使用的半導體設備的高頻的射頻（radio frequency，RF）特性。導電橡膠片由於其厚度較薄而具有比彈簧針片更好的RF特性，因此導電橡膠片用於半導體設備的RF檢測。例如，日本公開專利公報特開2004-335450號提出了一種能夠對應高頻訊號的導電連接器。

現有的導電橡膠片的局限性在於不能充分抑制高頻RF的噪聲，並且訊號損失大。據此，現有的導電橡膠片不能有效地用於40 GHz以上的高頻的RF檢測。此外，現有的導電橡膠片不具有與待檢測設備的阻抗及檢測裝置的阻抗匹配的阻抗。當用於檢測的導電橡膠片具有與待檢測設備及檢測裝置的阻抗不匹配的阻抗時，在導電橡膠片中由於訊號反射而產生較大的訊號損失。由於現有的導電橡膠片具有不匹配的阻抗，因此不可避免地具有不良的RF特性。

本發明的一實施例提供一種電連接用連接器，不具有訊號干擾或噪聲並且適用於高頻的RF檢測。本發明的一實施例提供一種電連接用連接器，其具有與待檢測設備的阻抗及檢測裝置的阻抗匹配的阻抗，不會因阻抗失配而引起訊號損失。

本發明的實施例涉及一種連接器，設置在檢測裝置與待檢測設備之間，用以電連接檢測裝置與待檢測設備。根據一實施例的連接器包括至少一個訊號導電部、至少一個接地導電部及金屬框架部。訊號導電部包括傳輸部及絕緣部。傳輸部由在垂直方向上導電接觸的多個第一導電粒子組成。絕緣部由彈性絕緣材料組成且與傳輸部形成為一體，使得在垂直於垂直方向的水平方向上包圍傳輸部。該絕緣部在該水平方向上的厚度大於該傳輸部在該水平方向上的最大寬度。接地導電部在水平方向上從訊號導電部隔開設置。金屬框架部在垂直方向上維持訊號導電部及接地導電部，在水平方向上隔開訊號導電部及接地導電部，且與接地導電部電連接。

在一實施例中，接地導電部包括通過金屬框架部在垂直方向上隔開的上接地導電部及下接地導電部。

在一實施例中，金屬框架部具有在垂直方向上隔開的第一槽及第二槽。第一槽從金屬框架部的上表面凹入，且第二槽從金屬框架部的下表面凹入。上接地導電部形成於第一槽中，且下接地導電部形成於第二槽中。

在一實施例中，上接地導電部及下接地導電部包括在垂直方向上導電接觸的多個第二導電粒子及在垂直方向上維持多個第二導電粒子的彈性材料。上接地導電部的上端部可以從金屬框架部的上表面凸出，且下接地導電部的下端部可以從金屬框架部的下表面凸出。

在一實施例中，訊號導電部具有內徑及外徑。該內徑與傳輸部在該水平方向上的最大寬度相對應。該外徑與絕緣部在該水平方向上的兩端之間的寬度相對應，且為內徑的3倍至5倍。

在一實施例中，訊號導電部的上端部從金屬框架部的上表面凸出，且訊號導電部的下端部從金屬框架部的下表面凸出。

在一實施例中，訊號導電部形成於在金屬框架部中沿該垂直方向鑽出的通孔中。金屬框架部包括絕緣氧化膜。該絕緣氧化膜形成在所述通孔的壁面與所述絕緣部之間橫跨所述通孔的壁面的整體區域上，以防止該訊號導電部與該接地導電部之間短路。

在一實施例中，絕緣部的彈性絕緣材料可以包括矽橡膠或特氟隆。

在一實施例中，絕緣部具有由於缺乏彈性絕緣材料而形成的多個氣孔。

在一實施例中，連接器還包括絕緣部件。該絕緣部件形成有與至少一個訊號導電部及至少一個接地導電部相對應的多個通孔，且附著於該金屬框架部上。

在一實施例中，傳輸部還包括導電針(pin)，在垂直方向上設置在位於訊號導電部的上端部的第一導電粒子與位於訊號導電部的下端部的第一導電粒子之間。

在一實施例中，該導電針在該垂直方向上的長度大於該金屬框架部在該垂直方向上的厚度。

根據本發明的一實施例，訊號導電部包含傳輸部，以及包圍傳輸部並與傳輸部形成為一體的絕緣部。訊號導電部與彼此電連接的接地導電部及金屬框架部絕緣。因此，在接地導電部和金屬框架部中的訊號干擾或噪聲顯著降低，且訊號導電部不受訊號干擾或噪聲的影響。此外，根據本發明的一實施例，以特定範圍的比例設置訊號傳導部中的傳輸部及絕緣部，以實現與待檢測設備的阻抗及檢測裝置的阻抗匹配的阻抗。因此，此實施例中的連接器不具有因阻抗失配而引起的訊號損失，並且可以有效地用於高頻的RF檢測。

出於說明本發明的技術思想的目的而示出了本發明的實施例。本發明的權利範圍不局限於以下呈現的實施例或這些實施例的具體說明。

除非另外定義，否則本說明書中使用的所有技術術語及科學術語具有本領域普通技術人員通常理解的含義。本說明書中所使用的所有術語是出於更清楚地說明本發明的目的，而不是為了限制本發明的權利範圍。

在本說明書中使用的諸如「包括」、「具有」及「具備」的用語應理解為包括其他實施例的可能性的開放性術語（open-ended terms），除非在包括該用語的語句或文章中另有說明。

除非另有說明，否則本發明中記載的單數形式的用語可以包括複數形式的含義，並且同樣適用於請求項中記載的單數形式的用語中。

在本發明中使用的諸如「第一」、「第二」等用語用於將多個元件彼此區分開，並且不限制相對應該等元件的順序或重要性。

在本發明中，當提到某個元件「連接」或「結合」到另一元件時，該特定元件可以直接連接或結合到該另一元件，應當理解，其可以經由新的另一元件來被連接或結合。

在本發明中使用的「上方」的方向指示語為連接器相對於檢測裝置的方向，「下方」的方向指示語表示上方的相反方向。應當理解，在本發明中使用的「垂直方向」的方向指示語包括朝上方的方向和朝下方的方向，但是並不表示朝上方的方向和朝下方的方向中的一個特定方向。

參照附圖中所示的示例來說明實施例。在附圖中，相同或相對應的元件被賦予相同的附圖標記。另外，在以下實施例的說明中，可以省略相同或相對應元件的重複描述。然而，即使省略了元件的描述，也不表示該元件不包括在該實施例中。

以下說明的實施例和附圖中示出的示例涉及用於電連接兩個電子設備的連接器。在此實施例的連接器的應用示例中，該兩個電子設備之一可以是檢測裝置，該兩個電子設備中的另一個可以是要由檢測裝置進行檢測的待檢測設備。因此，此實施例的連接器可以用於在待檢測設備的電性檢測時電連接檢測裝置與待檢測設備。作為一示例，此實施例的連接器在半導體設備的製造製程的後處理中，可以用於半導體設備的最終的及時檢測。然而，適用此實施例的連接器的檢測的示例不限於前述檢測。

圖1示意性地示出根據根據本發明的實施例的連接器。圖1示意性地示出了連接器、檢測裝置及待檢測設備，用以理解實施例。

根據一實施例的連接器100為片（sheet）狀結構物，設置在檢測裝置10與待檢測設備20之間。作為一示例，連接器100可以通過檢測插座30置於檢測裝置10上。檢測插座30可以可拆卸地安裝到檢測裝置10上。檢測插座30在其中收容通過手動方式或傳送裝置移至檢測裝置10上方的待檢測設備20，並且將待檢測設備20與連接器100對準。在檢測待檢測設備20時，連接器100在垂直方向VD上與檢測裝置10和待檢測設備20接觸，並使檢測裝置10與待檢測設備20彼此電連接。

待檢測設備20可以是以樹脂材料封裝半導體IC芯片和多個端子而形成六面體形狀的半導體設備。作為一示例，待檢測設備20可以是用於移動通信設備中的半導體設備，但不限於此。待檢測設備20在其下具有半球形的多個端子。待檢測設備20的多個端子可以包括訊號端子21及接地端子22。

檢測裝置10可以檢測待檢測設備20的各種操作特性。檢測裝置10可以具有執行檢測的電路板，可以在該電路板上設置用於檢測待檢測設備的檢測電路11。此外，檢測電路11具有通過連接器100電連接至待檢測設備的端子21、22的多個端子。檢測裝置10的多個端子可以包括訊號端子12及接地端子13，該訊號端子12用於發送測試訊號並接收應答訊號，該接地端子13位於訊號端子12周圍。

待檢測設備20的訊號端子21通過連接器100與檢測裝置20的訊號端子12電連接，且待檢測設備20的接地端子22通過連接器100與檢測裝置10的接地端子13電連接。在檢測待檢測設備20時，連接器100在垂直方向VD上電連接待檢測設備20的各端子21、22和與其對應的檢測裝置10的各端子12、13，檢測裝置10通過連接器100對待檢測設備20進行檢測。作為一示例，連接器100可以設置在待檢測設備20與檢測裝置10之間，以進行待檢測設備20的高頻RF檢測。

參照圖1，連接器100包括至少一個訊號導電部110、至少一個接地導電部120、金屬框架部130。訊號導電部110在垂直方向VD上延伸以可在垂直方向VD上導電的方式構成。接地導電部120在垂直於垂直方向VD的水平方向HD上與訊號導電部110隔開設置。金屬框架部130保持訊號導電部110和接地導電部120在垂直方向VD及水平方向HD上隔開。

訊號導電部110在其上端與待檢測設備20的訊號端子21接觸，在其下端與檢測裝置10的訊號端子12接觸。據此，在與訊號導電部110對應的訊號端子12與訊號端子21之間以訊號導電部110作為媒介形成垂直方向的導電路。檢測裝置10的測試訊號可以通過訊號導電部110從訊號端子12傳輸到待檢測設備20的訊號端子21，且待檢測設備20的應答訊號可以通過訊號導電部110從訊號端子21傳輸到檢測裝置10的訊號端子12。訊號導電部110的上端比金屬框架部130的上表面131向上方凸出，且訊號導電部110的下端比金屬框架部130的下表面132向下方凸出。訊號導電部110與金屬框架部130絕緣，且未電連接到接地導電部120及金屬框架部130。接地導電部120的上端比金屬框架部130的上表面131向上方凸出，且接地導電部120的下端比金屬框架部130的下表面132向下方凸出。接地導電部120與金屬框架部130電連接。

為了說明一實施例的連接器，將參照圖2至圖4所示的示例。圖2至圖4示意性地示出連接器中的各元件的形狀、配置及排列，這些僅僅是為了理解實施例所做的示例。圖2為示出根據本發明的實施例的連接器的一部分的剖面圖。圖3為示出根據本發明的實施例的連接器的一部分的平面圖。圖4為示出根據本發明的實施例的連接器的一部分的截面立體圖。

在連接器100中，訊號導電部110在檢測裝置10與待檢測設備20之間執行垂直方向VD上的訊號傳輸。訊號導電部110可以具有在垂直方向VD上延伸的圓柱形狀。訊號導電部110包括執行訊號傳輸的傳輸部111及在水平方向HD上將傳輸部111與金屬框架部130絕緣的絕緣部112。

傳輸部111由在垂直方向VD上聚集並在垂直方向VD上導電接觸的多個第一導電粒子113組成。在垂直方向VD上導電接觸的多個第一導電粒子113在訊號導電部110內執行垂直方向VD上的訊號傳輸。傳輸部111可以具有在垂直方向（VD）上延伸的圓柱形狀。在此圓柱形狀中，中間直徑可以小於上端及下端的直徑。第一導電粒子113可以是由高導電性的金屬材料組成的粒子。例如，該高導電性的金屬材料可以是金，但不限於此。或者，第一導電粒子113可以包括由具有彈性的樹脂材料或金屬材料組成的芯粒子及在其上塗覆的高導電性的金屬材料。

絕緣部112由彈性絕緣材料組成，且具有在垂直方向VD上延伸的圓筒形狀。絕緣部112可以具有與傳輸部111的高度相同的高度。構成絕緣部112的彈性絕緣材料包括介電常數較低的絕緣材料。例如，構成絕緣部112的彈性絕緣材料可以為矽橡膠及特氟隆等絕緣材料，但不限於此。絕緣部112與傳輸部111形成為一體，以構成訊號導電部110。絕緣部112在水平方向HD上包圍傳輸部111。

由於傳輸部111與絕緣部112形成為一體，因此可以在多個第一導電粒子113之間填充形成絕緣部112的該彈性絕緣材料。即，絕緣部112將第一導電粒子113維持成傳輸部111的形狀，且絕緣部112與填充在第一導電粒子113之間的絕緣材料一體成形。因此，絕緣部112在垂直方向VD和水平方向HD上賦予訊號導電部110彈性。與金屬框架部130接觸的訊號導電部110的部分由於金屬框架部130的存在而難以彈性變形。然而，訊號導電部110具有從金屬框架部130的上表面131向上方凸出的上端部114和從金屬框架部130的下表面132向下方凸出的下端部115。上端部114和下端部115為訊號導電部110的一部分。上端部114包括傳輸部111的上端及絕緣部112的上端，且下端部115包括傳輸部111的下端及絕緣部112的下端。通過包括在上端部114和下端部115中的彈性絕緣材料，訊號導電部110的上端部114和下端部115可以在垂直方向VD和水平方向HD上彈性變形。例如，當通過待檢測設備20的訊號端子21（參照圖1）將訊號導電部110向下方按壓時，上端部114和下端部115可在水平方向HD上彈性變形。當從連接器100移除待檢測設備20時，上端部114和下端部115可以恢復彈性。

包圍傳輸部111的絕緣部112具有預定的厚度，以有效地使傳輸部111與金屬框架單元130絕緣，而能在進行訊號傳輸時沒有訊號損失。傳輸部111在水平方向HD上的兩端之間的最大距離可以被定義為傳輸部111的最大寬度W。例如，該兩端之間的最大距離可以表示在垂直於傳輸部111的中心軸C的水平方向HD上相離最遠的第一導電粒子113之間的距離。絕緣部112在相對於傳輸部111的中心軸C的徑向上(即在水平方向HD上)具有厚度T。絕緣部112與傳輸部111形成為一體，此使得絕緣部112的厚度T大於傳輸部111的最大寬度W。據此，訊號導電部110具有同軸（coaxial）結構，且絕緣部112的中心軸可以與傳輸部111的中心軸C重合。

接地導電部120位於訊號導電部110的周圍，可以通過金屬框架部130在水平方向HD上與訊號導電部110隔開。通過訊號導電部110的絕緣部112的設置，傳輸部111不會與接地導電部120及金屬框架部130發生短路。

一個接地導電部120可以在水平方向HD上與訊號導電部110隔開設置。可替代地，如圖2至圖4所示，多個接地導電部120可以在水平方向HD上與一個訊號導電部110隔開設置。如圖3所示，多個接地導電部120可以在通過金屬框架部130在水平方向HD上與一個訊號導電部110隔開的狀態下，設置在一個訊號導電部110的周圍。

圖3所示的訊號導電部110和接地導電部120的平面配置僅是示例性的，不限於圖3所示的平面配置。訊號導電部110和接地導電部120的平面配置可以根據待檢測設備20的端子的平面配置而變化。例如，至少一個接地導電部120可以在水平方向上與訊號導電部110隔開設置，且多個接地導電部120之間的間隔可以不是固定的。另外，分別由多個接地導電部120組成的多個組可以在水平方向上與一個訊號導電部110或多個訊號導電部110隔開設置。另外，多個訊號導電部110可以形成一個組，或者多個接地導電部120可以在水平方向上與該組隔開並設置在該組的周圍。

接地導電部120是配置成可導電的。另外，接地導電部120電連接到金屬框架部130。據此，接地導電部120與金屬框架部130彼此短路，且可以用作為單個短路體。

根據一實施例，各接地導電部120包括上接地導電部121和下接地導電部122。上接地導電部121和下接地導電部122在垂直方向VD上對準，通過金屬框架部130在垂直方向VD上隔開。上接地導電部121與下接地導電部122電連接到金屬框架部130。

上接地導電部121和下接地導電部122包括在垂直方向VD上聚集並導電接觸的多個第二導電粒子123及在垂直方向VD上維持多個第二導電粒子123的彈性材料124。構成上接地導電部121和下接地導電部122的第二導電粒子123可以與前述的第一導電型粒子113相同或不同。由在垂直方向VD上接觸的第二導電粒子123製成的組合體在其上端或下端與金屬框架部130接觸，使上接地導電部121和下接地導電部122電連接到金屬框架部130。因此，上接地導電部121與下接地導電部122通過金屬框架部130短路。彈性材料124將第二導電粒子123保持在固定狀態。彈性材料124可以具有絕緣性或導電性。例如，彈性材料124可以包括形成訊號導電部110的絕緣部112的彈性絕緣材料，但不限於此。

上接地導電部121具有從金屬框架部130的上表面向上方凸出的上端部125，下接地導電部122具有從金屬框架部130的下表面向下方凸出的下端部126。上端部125凸出的高度可以與訊號導電部的上端部114凸出的高度相同，下端部126凸出的高度可以與訊號導電部的下端部115凸出的高度相同。通過上側接地導電部121的上端部125和下側接地導電部122的下端部126，接地導電部120可以在檢測待檢測設備20的過程中發生彈性變形及彈性恢復。

金屬框架部130可以由一平板形成，該平板可以由不銹鋼及鋁等的金屬材料製成。金屬框架部130將訊號導電部110與接地導電部120隔開。金屬框架部130電連接到接地導電部120，且與接地導電部120短路。金屬框架部130連接至安裝在檢測裝置10的電路板上的檢測插座30的引導件，且可以在外部接地。當金屬框架部130通過檢測插座30的引導件在外部接地時，接地範圍從連接器100延伸到檢測插座30的引導件，從而進一步改善RF特性。

參照圖2，金屬框架部130具有在金屬框架部130中沿垂直方向VD鑽出的通孔133。訊號導電部110形成于通孔133中。根據一實施例，金屬框架部130包括形成於通孔133的整個壁面的絕緣氧化膜134。絕緣氧化膜134設置在通孔133的壁面與訊號導電部110的絕緣部112之間，以防止訊號導電部110與接地導電部120之間短路，以及訊號導電部110與金屬框架部130之間短路。可以通過對設有通孔133的金屬框架部130進行陽極氧化（anodizing），來在通孔133的壁面上形成絕緣氧化膜134。通過陽極氧化，在通孔133的壁面上形成絕緣氧化膜134，可以增強訊號導電部110與金屬框架部130之間的絕緣性。作為另一實施例，絕緣氧化膜134可以形成在金屬框架部130的上表面131，或下表面132，或上表面131及下表面132上。在金屬框架部130的上表面131和下表面132上形成的絕緣氧化膜134可以在檢測待檢測設備20時防止金屬框架部130與待檢測設備20之間短路，或金屬框架部130與檢測裝置10之間短路。

另外，金屬框架部130具有從上表面131向下方凹入的第一槽135及從下表面132向上方凹入的第二槽136。上接地導電部121形成在第一槽135中，且下接地導電部122形成在第二槽136中。第一槽135和第二槽136在垂直方向VD上隔開。形成在第一槽135中的上接地導電部121通過第一槽135電連接到金屬框架部130，且形成在第二槽136中的下接地導電部122通過第二槽136電連接到金屬框架部130。第一槽135和第二槽136不具有前述的絕緣氧化膜134。據此，上接地導電部121與下接地導電部122可以通過金屬框架部130短路。然而，通過訊號導電部110的絕緣部112，訊號導電部110不會與上接地導電部121、下接地導電部122及金屬框架部130短路。

圖5示出根據本發明的實施例的連接器100的變形例。如圖5所示，訊號導電部110、上接地導電部121及下接地導電部122能夠以不從金屬框架部130的上表面131和下表面132凸出的方式構成。

在一實施例中，連接器100被配置成具有與檢測裝置10的檢測電路11的阻抗及待檢測設備20的阻抗匹配的阻抗。由於接地導電部120與金屬框架部130短路，因此金屬框架部130與訊號導電部110的傳輸部111之間的距離可能會影響連接器100的阻抗。為了具有與檢測裝置10的阻抗和待檢測設備20的阻抗匹配的阻抗，可以在特定比例的範圍內設定傳輸部111的尺寸和絕緣部112的尺寸。構成同軸結構的傳輸部111和絕緣部112形成為具有特定比例的尺寸，以消除由於阻抗不匹配引起的訊號損失，並且使連接器100具有與待檢測設備20的阻抗和檢測裝置10的阻抗匹配的阻抗。

參照圖2及圖3，訊號導電部110可以具有內徑D1和外徑D2。訊號導電部110的內徑D1可以對應於傳輸部111在水平方向HD上的最大寬度W。訊號導電部110的外徑D2可以對應於絕緣部112在水平方向HD上的兩端之間的寬度（或金屬框架部130的通孔133的直徑）。可以通過傳輸部111的直徑（即，內徑D1）和絕緣部112的直徑（即，外徑D2）來決定訊號導電部110的阻抗。

內徑D1與外徑D2的比例是以可使一實施例的連接器100的阻抗與檢測裝置10的檢測電路11的阻抗和通過檢測裝置10來檢測的待檢測設備12的阻抗匹配的方式設定。通過內徑D1與外徑D2的比例可以決定訊號導電部110的阻抗值。

例如，待檢測設備20可以具有約50歐姆的阻抗，檢測裝置10的檢測電路11可以具有約50歐姆的阻抗以檢測該待檢測設備20。待檢測設備20的約50歐姆的阻抗和檢測電路10的約50歐姆的阻抗可以是考慮到訊號傳輸時沒有訊號損失而設定的阻抗。通過調整內徑D1與外徑D2的比例，一實施例的連接器100可以具有出約50歐姆的阻抗。據此，當一實施例的連接器100被設置在待檢測設備20與檢測裝置10之間時，待檢測設備20的阻抗、檢測裝置10的阻抗與連接器100的阻抗彼此匹配。因此，一實施例的連接器100能夠在沒有諸如訊號反射之類的訊號損失的情況下，對待檢測設備10進行較高可靠性的高頻RF檢測。

根據一實施例，訊號導電部110中的外徑D2可以為內徑D1的3倍至5倍，以適用於多種待檢測設備20和用於對其進行檢測的檢測裝置10。即，可以在1：3至1：5的範圍內設定內徑D1與外徑D2的比例。作為具體示例，當外徑D2為內徑D1的4倍時，即當內徑D1與外徑D2的比例為1：4時，一實施例的連接器100可以具有約50歐姆的阻抗。

例如，外徑D2為內徑D1的4倍時的阻抗可以通過能夠計算同軸結構中的阻抗的軟件（例如，同軸線路計算器(coaxial line calculator）)來確認。使用該軟件，在絕緣部112的介電常數為2.95、內徑D1為0.1mm及外徑D2為0.4mm的條件下計算阻抗。根據上述條件的計算結果，可以確認阻抗約為50歐姆。此外，在上述計算中，寄生電容（parasitic capacitance）為118.222 pF/m，電感（inductance）為277.259 nH/m，相位 速度（phase velocity）為174667 km/s，時間延遲（time delay）為5.719 ns/m。

在一實施例中，連接器100在沒有訊號的干擾或噪聲的情況下能夠實現阻抗匹配的同時，實現40 GHz以上的高頻RF檢測。例如，具有約50歐姆之阻抗的訊號導電部110的連接器100可以覆蓋高頻帶，可以有效地檢測在高頻帶下工作的移動通信設備的半導體設備。在一實施例中，連接器100，內徑D1和外徑D2的尺寸在訊號導電部110的同軸結構下被調整，訊號導電部110不與接地導電部120及金屬框架部130短路，因此此實施例的連接器100可以具有改善的RF特性。

可以使用用於模擬高頻電磁場的軟件來確認實施例的連接器100的改進的性能。圖6和圖7為示出使用用於模擬高頻電磁場的軟件來執行的模擬結果的曲線圖。對根據實施例的連接器100和根據比較例的連接器進行了上述模擬。在圖6和圖7所示的曲線圖中，X軸具有表示頻率(Freq)的數值，頻率的單位為GHz，Y軸具有分貝（dB）的單位。在圖6和圖7所示的曲線圖中，實線曲線表示實施例的連接器100，虛線曲線表示比較例的連接器。比較例的連接器是現有技術的導電橡膠片，其具有由矽橡膠組成的框架和導電部，該導電部是由在對應於每個端子的位置在垂直方向上聚集的多個導電粒子所組成。

圖6示出表示訊號傳輸時的訊號損失程度的插入損耗（insertion loss）的模擬結果。在圖6所示的曲線圖中，接近0 dB的曲線表示較少的訊號損失。參照圖6，與比較例的連接器相比，可以確認實施例的連接器100在40 GHz以上的高頻範圍內具有較少的訊號損失。圖7示出表示訊號傳輸時的訊號反射程度的回波損耗（return loss）的模擬結果。在圖7所示的曲線圖中，接近0 dB的曲線表示較大的訊號反射。參照圖7，與比較例的連接器相比，可以確認實施例的連接器在40 GHz以上的高頻範圍內具有較少的訊號反射。另外，由於實施例的連接器100的曲線在40 GHz以下的範圍內位於-30 dB下方，因此可以確認，實施例的連接器100在40 GHz以上的高頻下具有優異的RF特性。

將參照圖8至圖11說明根據實施例的製造連接器100的一示例。圖8至圖11示意性地示出製造實施例的連接器100的一示例，圖8至圖11所示的元件僅用於理解實施例。

參照圖8，準備可以被製造為該金屬框架部130的金屬板41，且在金屬板41中要形成該訊號導電部110的位置處形成通孔133。例如，通孔133可以通過鑽孔形成。

參照圖9，在金屬板41的表面（金屬板41的上表面42及下表面43，以及通孔133的壁面44）上形成絕緣氧化膜134。絕緣氧化膜134可以通過使用金屬板41作為陽極並進行陽極氧化來形成。金屬板41的表面通過陽極氧化被氧化，以在金屬板41的表面上形成作為絕緣體的絕緣氧化膜134。當金屬板41由鋁組成時，可以通過陽極氧化形成作為絕緣體的Al₂ O₃ 的絕緣氧化膜134。

參照圖10，第一槽135和第二槽136形成在金屬板41中，且在垂直方向VD上對準並彼此隔開。第一槽135和第二槽136以在水平方向HD上與通孔133隔開的方式設置，分別在其內形成該上接地導電部121和該下接地導電部122。例如，第一槽135和第二槽136可以通過鑽孔或激光形成。由於在金屬板41中形成有第一槽135和第二槽136，因此在第一槽135和第二槽136中不存在絕緣氧化膜134。形成通孔133、第一槽135及第二槽136的金屬板41成為該金屬框架部130。在形成第一槽135及第二槽136之後，存在於金屬板41的上表面42和下表面43上的絕緣氧化膜134可以從上表面42和下表面43上去除或不被去除。

參照圖11，在金屬框架部130的上表面和下表面上設置間隔件45，將第一液態材料46注入通孔133中，將第二液態材料47注入到第一槽135及第二槽136中。第一液態材料46構成該訊號導電部的絕緣部，且包括液態的彈性絕緣材料和分散在此液態的彈性絕緣材料中的第一導電粒子113。第二液態材料47構成該接地導電部的彈性材料，且包括液態的彈性材料和分散在其中的第二導電粒子123。第一液態材料46的彈性絕緣材料和第二液態材料47的彈性材料可以相同。第一導電粒子113與第二導電粒子123可以相同。

接下來，對注入在通孔133中的第一液態材料46和注入到第一槽135及第二槽136中的第二液態材料47施加沿垂直方向VD的磁場。通過施加磁場，第一液態材料46內的多個第一導電粒子113在磁場內沿垂直方向VD密集地聚集並導電接觸，第二液態材料47內的多個第二導電粒子113在磁場內沿垂直方向VD密集地聚集並導電接觸。因此，在垂直方向VD上密集地聚集並接觸的多個第一導電粒子113可以形成該訊號導電部的傳輸部，在垂直方向VD上密集地聚集並接觸的多個第二導電粒子123可以形成上接地導電部及下接地導電部。施加磁場之後，進行固化處理，使第一液態材料46中除第一導電粒子113之外的液態彈性絕緣材料固化，以形成該訊號導電部的絕緣部。另外，通過該固化處理，第二液態材料47中除第二導電粒子123之外的液態彈性材料被固化，以將第二導電粒子123維持在垂直方向上。關於對第一液態材料46施加磁場，用於施加磁場的磁鐵可以配置成能夠施加使在垂直方向VD上聚集並接觸的多個第一導電粒子113在水平方向HD上的最大寬度為通孔133的直徑的1/3至1/5的磁場。

由於具有預定厚度的間隔件45，可以形成該訊號導電部凸出的上端部及下端部和該接地導電部凸出的上端部及下端部。作為另一實施例，可以不使用間隔件45，該訊號導電部和該接地導電部也可不具有從金屬框架部130的上表面和下表面凸出的部分。

圖12至圖14示出連接器100的實施例。參照圖12至圖14說明的連接器100的元件可以選擇性地用於前述實施例的連接器中。

圖12示出根據另一實施例的連接器100。在圖12所示的連接器100中，絕緣部112具有多個氣孔116，多個氣孔116可以分佈在整個絕緣部112中。在絕緣部112內，由於部分缺乏構成絕緣部112的該彈性絕緣材料，而形成氣孔116。由於具有氣孔116的絕緣部112的介電常數低於沒有氣孔的絕緣部的介電常數，因此可以進一步減少對於訊號導電部110的訊號損失。

在連接器100的模製期間，氣孔116可以形成在絕緣部112內。為此，用於形成訊號導電部110的該第一液態材料包括彈性絕緣材料、第一導電粒子及發泡劑。該彈性絕緣材料構成絕緣部112並且為液態。該第一導電粒子分散在液態的彈性絕緣材料中。該發泡劑包括於液態的彈性絕緣材料中。該發泡劑通過與液態的彈性絕緣材料反應來產生氣體。所產生的氣體推擠出液態的彈性絕緣材料。據此，所產生的氣體使絕緣部112內的液態彈性絕緣材料部分缺乏，從而可以在整個絕緣部112內形成多個氣孔116。

圖13示出根據再一實施例的連接器100。圖13所示的連接器100包括附著於金屬框架部130的下表面132的絕緣部件140。絕緣部件140可以包括絕緣的聚醯亞胺膜或由絕緣的聚合物組成的膜。在絕緣部件140中形成有與訊號導電部110相對應的通孔141和與接地導電部120（下接地導電部122）相對應的通孔142。訊號導電部110的下端部115通過通孔141凸出，且下接地導電部122的下端部126通過通孔142凸出。絕緣部件140可以防止訊號導電部110與接地導電部120之間的短路。另外，絕緣部件140可以防止金屬框架部130與檢測裝置之間的短路。作為另一實施例，絕緣部件140可以附著到金屬框架部130的上表面131，或上表面131及下表面132兩者。

圖14示出根據又一實施例的連接器100。在圖14所示的連接器100中，訊號導電部110的傳輸部111還包括除第一導電粒子113之外的導電針117。導電針117由高導電性的金屬材料製成。構成導電針117的金屬材料可以包括金，但不限於金。

導電針117在垂直方向VD上位於上端部114內的第一導電粒子113與位於下端部115內的第一導電粒子113之間。即，導電針117在與其上方的第一導電粒子113和其下方的第一導電粒子113接觸的狀態下，在垂直方向VD上被絕緣部112支撐。另外，導電針117在垂直方向VD上與金屬框架單130的厚度相對應，與在其上方的第一導電粒子113和在其下方的第一導電粒子113一起構成傳輸部111。與金屬框架部130的厚度相對應的訊號導電部110的部分因金屬框架部130不具有彈性恢復力。通過將導電針117設置在與金屬框架部130的厚度相對應的訊號導電部110的部分內，可以在無彈性恢復力的訊號導電部110的部分內提高訊號傳輸效率。導電針117的直徑可以對應於前述訊號導電部的內徑。在垂直方向VD上的導電針117長度可以大於在垂直方向VD上的金屬框架部130的厚度。

儘管已經通過以上一些實施例和附圖中所示的示例說明了本發明的技術思想，但是應當知道，不脫離本發明所屬技術領域的技術人員可以理解的本發明的技術思想及範圍的範圍內可以進行各種替換、修改及改變。另外，此替換、修改及改變應被認為屬於申請專利範圍內。

10:檢測裝置 20:待檢測設備 100:連接器 110:訊號導電部 111:傳輸部 112:絕緣部 113:第一導電粒子 114:上端部 115:下端部 116:氣孔 117:導電針 120:接地導電部 121:上接地導電部 122:下接地導電部 123:第二導電粒子 124:彈性材料 125:上端部 126:下端部 130:金屬框架部 131:上表面 132:下表面 133:通孔 134:絕緣氧化物膜 135:第一槽 136:第二槽 140:絕緣部件 141:通孔 142:通孔 C:中心軸 W:最大寬度 T:厚度 D1:內徑 D2:外徑 VD:垂直方向 HD:水平方向

［圖1］為示意性地示出根據本發明的實施例的連接器的剖面圖； ［圖2］為示出根據本發明的實施例的連接器的一部分的剖面圖； ［圖3］為示出根據本發明的實施例的連接器的一部分的平面圖； ［圖4］為示出根據本發明的實施例的連接器的一部分的截面立體圖； ［圖5］為示出根據本發明的實施例的連接器的變形例的剖面圖； ［圖6］為示出對根據本發明的實施例的連接器及比較例的連接器進行模擬的結果的曲線圖； ［圖7］為示出對根據本發明的實施例的連接器及比較例的連接器進行模擬的另一結果的曲線圖； ［圖8］為示意性地示出製造根據本發明的實施例的連接器的剖面圖； ［圖9］為示意性地示出製造根據本發明的實施例的連接器的剖面圖； ［圖10］為示意性地示出製造根據本發明的實施例的連接器的一示例的剖面圖； ［圖11］為示意性地示出製造根據本發明的實施例的連接器的剖面圖； ［圖12］為示出根據本發明的另一實施例的連接器的一部分的剖面圖； ［圖13］為示出根據本發明的再一實施例的連接器的一部分的剖面圖； ［圖14］為示出根據本發明的又一實施例的連接器的一部分的剖面圖。

100:連接器

110:訊號導電部

111:傳輸部

112:絕緣部

113:第一導電粒子

114:上端部

115:下端部

120:接地導電部

121:上接地導電部

122:下接地導電部

123:第二導電粒子

124:彈性材料

125:上端部

126:下端部

130:金屬框架部

131:上表面

132:下表面

133:通孔

134:絕緣氧化物膜

135:第一槽

136:第二槽

C:中心軸

W:最大寬度

T:厚度

D1:內徑

D2:外徑

VD:垂直方向

HD:水平方向

Claims (12)

1. 一種連接器，其包括：至少一個訊號導電部，每一訊號導電部包括：傳輸部，其由在垂直方向上導電接觸的多個第一導電粒子組成；及絕緣部，其由彈性絕緣材料組成且與該傳輸部形成為一體，使得在垂直於該垂直方向的水平方向上包圍該傳輸部，其中該絕緣部在該水平方向上的厚度大於該傳輸部在該水平方向上的最大寬度；至少一個接地導電部，在該水平方向上與該訊號導電部隔開設置；以及金屬框架部，在垂直方向上維持該訊號導電部及該接地導電部，在該水平方向上隔開該訊號導電部及該接地導電部，且與該接地導電部電連接；其中該訊號導電部具有內徑及外徑，該內徑與該傳輸部在該水平方向上的最大寬度相對應，且該外徑與該絕緣部在該水平方向上的兩端之間的寬度相對應且為該內徑的3倍至5倍。
2. 如請求項1的連接器，其中該接地導電部包括通過該金屬框架部在垂直方向上隔開的上接地導電部及下接地導電部。
3. 如請求項2的連接器，其中該金屬框架部具有在該垂直方向上隔開的第一槽及第二槽，該第一槽從該金屬框架部的上表面凹入，該第二槽從該金屬框架部的下表面凹入，該上接地導電部形成於該第一槽中，且該下接地導電部形成於該第二槽中。
4. 如請求項2的連接器，其中該上接地導電部及該下接地導電部包括在該垂直方向上導電接觸的多個第二導電粒子及在該垂直方向上維持該多個第二導電粒子的彈性材料。
5. 如請求項4的連接器，其中該上接地導電部的上端部從該金屬框架部的上表面凸出，且該下接地導電部的下端部從該金屬框架部的下表面凸出。
6. 如請求項1的連接器，其中該訊號導電部的上端部從該金屬框架部的上表面凸出，且該訊號導電部的下端部從該金屬框架部的下表面凸出。
7. 如請求項1的連接器，其中該訊號導電部形成於在該金屬框架 部中沿該垂直方向延伸的通孔中，且該金屬框架部包括絕緣氧化膜，該絕緣氧化膜形成在所述通孔的壁面與所述絕緣部之間橫跨所述通孔的壁面的整體區域上，以防止該訊號導電部與該接地導電部之間短路。
8. 如請求項1的連接器，其中該絕緣部的該彈性絕緣材料包括矽橡膠或特氟隆。
9. 如請求項1的連接器，其中該絕緣部具有由於缺乏該彈性絕緣材料而形成的多個氣孔。
10. 如請求項1的連接器，其還包括絕緣部件，該絕緣部件形成有與該至少一個訊號導電部及該至少一個接地導電部相對應的多個通孔，且附著於該金屬框架部上。
11. 如請求項1的連接器，其中該傳輸部還包括導電針，該導電針在該垂直方向上設置在位於該訊號導電部的上端部的該第一導電粒子與位於該訊號導電部的下端部的該第一導電粒子之間。
12. 如請求項11的連接器，其中該導電針在該垂直方向上的長度大於該金屬框架部在該垂直方向上的厚度。

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